ры не только базовой области, но и области эмиттера, как правило, меньше соответствующих диффузионных длин. Учитывая это, получаем:
|
|
|
|
D |
p,E |
N |
B |
W −1 |
|
|
1 |
−1 |
|
||
γ |
= |
|
+ |
|
|
|
B |
|
|
+ |
|
0.984. (30.2) |
|||
D |
|
N W |
|
3×10×2 |
|||||||||||
1 |
|
|
|
= 1 |
|
||||||||||
|
|
|
|
n,B |
|
E E |
|
|
|
|
|
||||
Дырочная составляющая диффузионного ток эмиттера при пол-
ном токе эмиттера 1мА равна |
|
I pE = ((1−γ ) γ )IE 16.7 мкА. |
(30.3) |
Этот ток по порядку величины равен (чуть меньше) базовому току, что не является случайным (см. задачу 31).
Задача 31
Получите выражение для коэффициента усиления транзистора β = IC/IBB при нормальном включении (SPICE параметр BF) в схеме с общим эмиттером, используя принцип электронейтральности базовой области. Как коэффициент усиления зависит от ширины базы транзистора?
Решение
В схеме с общим эмиттером можно задавать ток базы IB,B что соответствует поступлению в базу дырок и появлению избыточной концентрации основных носителей Qp. Появление избыточного положительного заряда в базе приводит к инжекции электронов из эмиттера и восстановлению электронейтральности базы
Qp = Qn ≡ QB.B (31.1)
Большая часть электронов за время, порядка времени пролета базы τF = WB2/2 Dn, уходит в коллектор. Дырки либо рекомбинируют с пролетающими электронами, либо уходят через прямосмещенный p-n переход в эмиттер (см. также задачи 29 и 30)
IB = I pE +IrB = |
1−γ |
InE +(1−αT )InE . |
(31.2) |
|
γ |
||||
|
|
|
Учитывая, что InE =γ IE = γ (IС + IB),B для коэффициента усиления получаем:
33