Для базы такой толщины время пролета много меньше времени жизниτn = 1 мкс, что означает, что для неосновного носителя вероятность рекомбинировать при пролете до контакта весьма мала

τF/τn = W2/(2 Dnτn) = W2/(2 Ln2)<<1.

Отношение времен оказывается малым в меру малости толщины базы.

Задача 24

Найдите выражение для плотности полного тока через p-n переход с длинными базами, задавая на двух границах области пространственного заряда p-n перехода условия Шокли.

а). Определите также избыточную плотность неосновных носителей в n- и p-областях p-n перехода.

б). Как изменится результат, если длины от перехода до контакта одной или двух нейтральных областей p-n перехода Wbp и Wbn будут много меньше соответствующих диффузионных длин?

Решение

Используя решения задач 22, 23 и 19, получаем значение плотности диффузионного тока электронов на границе p-n перехода с нейтральной p-областью:

Jn = q Dnni2 (exp(V /ϕt ) −1) (24.1)

N ALn

изначение плотности диффузионного тока дырок в точке начала квазинейтральной части n-области