Основные определения

Акцепторная примесь - примесь в полупроводнике, ионизация которой приводит к появлению дырок в валентной зоне, что описывается как переход электрона из валентной зоны на уровень акцепторной примеси, расположенный в запрещенной зоне.

Акцепторный полупроводник (p-типа) – полупроводник с введенной акцепторной примесью, проводимость которого определяется положительными носителями заряда валентной зоны.

Валентная зона – энергетические уровни носителей заряда, находящихся на валентной орбитали атома, участвующие в электропроводности.

Время релаксации – среднее время свободного пробега носителя заряда.

Вырожденный полупроводник - сильнолегированный полупроводник, концентрация примесей в котором настолько велика, что собственные свойства практически не проявляются

Генерация носителей заряда - процесс образования свободных носителей заряда при энергетическом воздействии (тепловом, световом и т.п.) на полупроводник.

Дебаевская длина экранирования – расстояние, на протяжении которого потенциал в веществе со свободными носителями заряда уменьшается в е раз.

Диффузионная длина – расстояние, на котором концентрация избыточных носителей заряда убывает в e (≈2,7) раз.

Длина свободного пробега – расстояние, проходимое носителем заряда между двумя последовательными столкновениями.

Донорная примесь - примесь в полупроводнике, ионизация которой приводит к появлению электронов в зоне проводимости, что описывается как переход электрона из донорного уровня, расположенного в запрещенной зоне, в зону проводимости.

Дрейфовый ток – ток, обусловленный направленным движением свободных носителей заряда под действием внешнего электрического поля.

Диффузионный ток – ток, обусловленный хаотическим тепловым движением свободных носителей заряда.

Дырочная проводимость – электропроводность, обусловленная движением положительных носителей заряда (дырками) в валентной зоне.

Запрещенная зона – энергетические уровни между дном зоны проводимости и потолком валентной зоны, не участвующие непосредственно в электропроводимости.

Зона проводимости – энергетические уровни свободных носителей заряда, находящиеся над запрещенной зоной и участвующие в электропроводности.

Истощение примеси – состояние полупроводника с максимально возможным числом носителей заряда, сгенерированных примесью.

Компенсированный полупроводник – полупроводник, содержащий и донорную, и акцепторную примеси.

Легирование – процесс внедрения чужеродных атомов в узлы кристаллической решетки полупроводника для изменения его физических свойств.

Неосновные носители заряда – носители заряда, не определяющие тип проводимости. Для полупроводника n-типа это положительные носители заряда (дырки), для полупроводника p-типа – отрицательные носители заряда (электроны).

Неравновесные носители заряда – носители заряда, возникающие под действием внешних факторов. После снятия внешних воздействий неравновесные носители заряда рекомбинируют.

Носитель заряда – общее название подвижных частиц, обеспечивающих протекание электрического тока через вещество.

Основные носители заряда - свободные носители заряда, обуславливающие тип электропроводности полупроводника.

Подвижность носителей заряда - отношение скорости направленного движения носителей заряда в полупроводнике под действием электрического поля к напряженности этого поля.

Примесный полупроводник – полупроводник, содержащий атомы примеси в узлах кристаллической решетки, определяющей тип электропроводности.

Равновесные носители заряда – свободные носители заряда, концентрация которых определяется только температурой полупроводника и концентрацией легирующих примесей.

Рекомбинация носителей заряда – объединение положительного и отрицательного носителей заряда, сопровождающееся потерей подвижности. Различают межзонную, примесную, поверхностную рекомбинацию.

Собственная электропроводность – электропроводность беспримесного полупроводника, возникающая за счет естественного возникновения равного числа свободных электронов и дырок при ионизации матричных атомов.

Собственный полупроводник – химически чистый, не содержащий примеси полупроводник.

Термодинамическое равновесие – состояние полупроводника, характеризующееся равенством скоростей генерации и рекомбинации в полупроводнике.

Уровень Ферми – условный энергетический уровень, вероятность заполнения которого носителями заряда равна 0,5.

Электронейтральность полупроводника – условие равенства положительного и отрицательного заряда в объеме полупроводника.

Электронная проводимость – электропроводность, обусловленная движением отрицательных носителей заряда (электронами) в зоне проводимости.

Электронный полупроводник (n-типа) - полупроводник, электропроводность которого обеспечивается отрицательными носителями заряда (электронами).

Энергия ионизации – энергия, необходимая для образования свободного носителя заряда.

Эффективная масса носителя заряда – условная масса, применяемая для описания состояний носителей заряда в полупроводнике.