МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ
«САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА»
(НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ)
Кафедра: «Наноинженерия»
А.Г. САНОЯН
Физические основы микро- и наноэлектроники
(Темы курсовых работ)
Специальность 211000 – «Конструирование и технология электронных средств»
Код учебного плана СГАУ: 211000.1.62-2011-О-П-4г00м
Общие положения по выполнению курсовой работы по дисциплине
«ФизИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И наноЭЛЕКТРОНИКИ».
1.Тематическая направленность курсовых работ:
-
Физика монокристаллических полупроводниковых материалов и структур (электрофизические аспекты);
-
Физика полупроводниковых приборов, составляющих основу компонентной базы микроэлектроники.
-
Свободная тема (по предложению студента и согласованию с преподавателем).
2.Цель курсовой работы состоит в привитии навыков у студентов в части:
-
Постановки задачи научного исследования;
-
Разработки математической модели объекта исследования;
-
Проведения компьютерного моделирования технологического процесса (при необходимости);
-
Проведения научного исследования;
-
Работы с литературными источниками
3.Критерии оценки качества курсовой работы:
-
Сложность варианта работы;
-
Полнота и адекватность математической модели;
-
Оригинальность программных продуктов;
-
Качество вычислительного эксперимента;
-
Качество графических материалов;
-
Качество оформления работы в целом;
-
Качество защиты достигнутых результатов;
-
Срок выполнения курсовой работы.
4.Содержание работы (примерное оформление):
-
Титульный лист (установленного образца);
-
Аннотация (УДК, тематика работы и ее результаты, кому предназначена, кол-во стр. рис. Табл.);
-
Список используемых обозначений и сокращений;
-
Оглавление (Содержание);
-
Введение (отраслевая направленность, актуальность работы, метод анализа задачи, ожидаемые результаты);
-
Раздел 1. Постановка задачи (содержание задачи, принятые допущения и упрощения, содержание и цели машинного эксперимента);
-
Раздел 2. Разработка математической модели объекта исследования;
-
Раздел 3. Разработка программного обеспечения (по необходимости);
-
Раздел 4. Методика проведения компьютерного моделирования объекта исследования (по необходимости);
-
Раздел 5. Результаты компьютерного моделирования;
-
Выводы и рекомендации (по практическому использованию результатов работы);
-
Заключение;
-
Список использованной литературы.
Тематика №1. «Физика монокристаллических полупроводниковых материалов и структур»
|
№ Вари анта |
Тема курсовой работы |
Сложность (баллы) |
|
1.1 |
Определения ширины запрещенной зоны полупроводников |
6 |
|
1.2 |
Определение концентрации основных носителей заряда. |
7 |
|
1.3 |
Определение холловской подвижности основных носителей заряда |
8 |
|
1.4 |
Определение дрейфовой подвижности неосновных носителей заряда. |
7 |
|
1.5 |
Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда. |
8 |
|
1.6 |
Определение времени жизни неосновных носителей заряда. |
8 |
|
1.7 |
Определение скорости поверхностной рекомбинации. |
7 |
|
1.8 |
Определение температурной зависимости термо-э.д.с. |
6 |
|
1.9 |
Определение показателя оптического поглощения в полупроводниках. |
8 |
|
1.10 |
Определение параметров фотопроводимости в полупроводниках |
7 |
|
1.11 |
Определение параметров люминесценции в полупроводниках |
8 |
|
1.12 |
Ангармонические взаимодействия в полупроводниковых кристаллах. |
9 |
|
1.13 |
Зонные энергетические диаграммы в полупроводниках |
9 |
|
1.14 |
Диэлектрическая проницаемость в полупроводниковых материалах |
8 |
|
1.15 |
Физические основы элементной базы твердотельной квантовой электроники. |
10 |
|
1.16 |
Физические основы квантовых твердотельных вычислительных устройств. |
10 |
|
1.17 |
Влияние точечных дефектов кристаллической структуры на электрические характеристики полупроводников. |
9 |
|
1.18 |
Современная проблематика полупроводникового материаловедения. |
8 |
|
1.19 |
Проблематика атомной упорядоченности в полупроводниковых материалах. |
9 |
|
1.20 |
Определение работы выхода электронов из полупроводника методом динамического конденсатора. |
7 |
|
1.21 |
Электронная эмиссия с поверхности металлов и полупроводников. |
6 |
|
1.22 |
Поверхностная проводимость полупроводников (поверхностные состояния). |
8 |
|
1.23 |
Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках и диэлектриках. |
8 |
|
1.24 |
Специфика электрических эффектов в неоднородных и неупорядоченных полупроводниковых структурах. |
10 |
|
1.25 |
Специфика электрических эффектов в сильных электрических полях. |
9 |
|
1.26 |
Ионная электропроводность и миграционная поляризация в полупроводниках. |
9 |
|
1.27 |
Поляризация полупроводников (и диэлектриков) в постоянном электрическом поле. |
9 |
|
1.28 |
Поляризация полупроводников (и диэлектриков) в переменном электрическом поле. |
10 |
|
1.29 |
Электрические явления в контактной системе типа: «Металл №1-Вакуум-Металл №2». |
7 |
|
1.30 |
Электрические явления в контактной системе типа: «Металл-Вакуум-Полупроводник». |
8 |
|
1.31 |
Электрические явления в контактной системе типа: «Полупроводник-Вакуум-Полупроводник» (гомопереход). |
8 |
|
1.32 |
Электрические явления в контактной системе типа: «Полупроводник №1-Вакуум-Полупроводник №2» (гетеропереход). |
9 |
|
1.33 |
Проблематика создания омических контактов в полупроводниковых структурах. |
9 |
|
1.34 |
Квантово-механические подходы, используемые в физике полупроводников. |
10 |
|
1.35 |
Подходы статистической физики, используемые при анализе полупроводников. |
10 |
|
1.36 |
Основы теории электропроводности наноразмерных полупроводниковых структур. |
10 |
|
1.37 |
Специфика баллистического транспорта носителей заряда в наноразмерных структурах |
10 |
|
1.38 |
Физические основы твердотельных квантовых вычислительных систем. |
10 |
|
1.39 |
Теоретические и практические основы элементной базы спинтроники. |
10 |
|
Итого вариантов по тематике №1 |
39 |
|