- •1.Введение. Предмет дисциплины, цель изучения, основные определения
- •2.Металлы и сплавы, общие сведения. Строение металлов.
- •3.Электрофизические характеристики металлов.
- •4.Проводимость жидкостей и электролитов. Жидкости.
- •5.Классификация материалов.
- •6.Виды химической связи.
- •7.Строение реальных металлов, диффузионные процессы в металле, кристаллизация металлов.
- •8.Конструкционные стали.
- •12.Испытания конструкционных металлов. Микроскопический анализ.
- •13.Механические свойства материалов и методы их определения.
- •14.Метод Бринелля.
- •15.Метод Роквелла.
- •16.Метод Виккерса.
- •18.Метод Шора.
- •19.Испытание на усталость.
- •20.Испытание на ползучесть.
- •21.Определение ударной вязкости.
- •22. Порог хладноломкости. Определение трещиностойкости.
- •23.Электротехнические материалы, классификация и область применения.
- •24.Особенности зонно-энергетической структуры металлов.
- •25.Физическая природа электропроводности металлов
- •26.Факторы, влияющие на удельное сопротивление металлов
- •27.Электрические свойства металлических сплавов
- •28.Сопротивление проводников на высоких частотах
- •29.Электрофизические свойства тонких металлических пленок
- •31.Классификация проводниковых материалов по функциональному значению.
- •32.Контактные материалы
- •37.Криопроводники.
- •39.Магнитные материалы. Общие сведения о магнетизме
- •40.Классификация веществ по магнитным свойствам
- •41.Техническая кривая намагничивания
- •42.Петля гистерезиса
- •43.Магнитная проницаемость
- •44. Магнитострикция.
- •45. Намагничивание переменным полем.
- •46. Классификация магнитных материалов.
- •48. Магнитомягкие материалы.
- •49. Магнитомягкие высокочастотные материалы
- •50. Магнитотвердые материалы
- •51. Магнитные материалы специального назначения. Ферриты и металлические сплавы с ппг.
- •52. Ферриты для устройств свч.
- •53. Цилиндрические магнитные домены
- •54. Диэлектрики. Поляризация диэлектриков
- •55. Электропроводность диэлектриков. Особенности электропроводности диэлектриков.
- •56. Электропроводность твердых диэлектриков
- •57. Поверхностная электропроводность твердых диэлектриков.
- •58. Электропроводность жидких диэлектриков
- •59. Электропроводность газов.
- •60. Диэлектрические потери.
- •61. Пробой диэлектриков. Основные понятия.
- •62. Пробой твердых диэлектриков
- •63. Электроизоляционные материалы. Высоко полимерные твердые материалы.
- •64. Синтетические лаки, эмали и компаунды.
- •65. Бумаги и картоны
- •66. Слоистые пластмассы – материалы для печатных плат.
- •67. Слюдяные материалы
- •68. Электроизоляционная керамика
- •69. Активные диэлектрики
- •70. Пьезоэлектрики
- •71. Пироэлектрики
- •72. Электреты
- •73. Материалы для твердотельных лазеров
- •74. Жидкие кристаллы
- •75. Полупроводниковые материалы.
- •76. Электропроводность полупроводников.
- •77. Собственные и примесные полупроводники. Основные и не основные носители заряда.
- •78. Основные характеристики и свойства полупроводниковых материалов.
- •79. Конецентрация носителей заряда.
- •80. Подвижность носителей тока.
- •81. Теплопроводность полупроводников.
- •82. Зависимость концентрации носителей заряда от температуры. Элементы статистики электронов.
- •83. Фотопроводимость.
26.Факторы, влияющие на удельное сопротивление металлов
Температурный
коэффициент (ТК) какого-либо параметра
z материала - это логарифмическая
производная этого параметра по
температуре: TKz=(1/z)*(dz/dT)=(d/dT)*lnz [К-1].
Удельное сопротивление металлов при
повышении температуры возрастает.
Следовательно, температурный коэффициент
удельного сопротивления С понижением
температуры могут уменьшаться частоты
колебаний. Поэтому в области низких
температур рассеяние электронов
тепловыми колебаниями узлов кристаллической
решетки становится не эффективным.
Взаимодействие электрона с колеблющимися
атомами лишь незначительно изменяет
импульс электрона. В теории колебаний
атомов решетки температуру оценивают
относительно некоторой характеристической
температуры, которую называют температурой
Дебая (ѲД). Температура Дебая определят
максимальную частоту тепловых колебаний,
которые могут возбуждаться в кристалле
ѲД = hvmax/k. Эта температура зависит от
сил связи между узлами кристаллической
решетки и является важным параметром
твердого тела. При Т > ѲД удельное
сопротивление металлов изменяется
линейно с температурой ρ = ВТ. Примеси
и другие структурные дефекты. Дефекты
структуры подразделяют на динамические
(временные) и статические (постоянные).
Динамические дефекты возникают при
механических, тепловых или электромагнитных,
воздействиях на Кристалл, При прохождении
через него потока частиц высокой энергии
и т. п. Наиболее распространенным видом
динамические дефектов являются фононы
- временные искажения регулярности
решетки, вызванные тепловым движением
атомов. Среди статических дефектов
различают атомные (точечные) и протяженные
несовершенства. Атомные дефекты могут
проявляться в виде незанятых узлов
решетки — вакансий, в виде смещений
атома из узла в междоузлие, в виде
внедрения в решетку чужеродного атома
или иона. К протяженным дефектам
относятся дислокации, трещины, поры,
границы зерен, микровключения другой
фазы Причинами рассеяния электронных
волн в металле являются и статические
дефекты структуры, которые также
нарушают периодичность потенциального
поля кристалла. Поэтому при приближении
температуры к абсолютному нулю
сопротивление реальных кристаллов
стремится к некоторому постоянному
значению, называемому остаточным
сопротивлением. Отсюда вытекает правило
Маттиссена об аддитивности удельного
сопротивления ρ = ρТ + ρОСТ, Исключение
из этого правила составляют сверхпроводящие
металлы, в которых сопротивление
исчезает ниже некоторой критической
температуры. Любая примесная добавка
приводит к повышению ρ, даже если она
обладает повышенной проводимостью по
сравнению с основным металлом. Примесное
рассеяние ограничивает длину свободного
пробега электронов, которая в реальном
проводнике определяется соотношением:
1/lср= 1/lсрт + 1/lсрп. Чем выше потенциал,
тем сильнее различаются валентности
примесных атомов и металла-растворителя
(основы). Помимо есть собственные дефекты
структуры – вакансии, атомы внедрения,
дислокации, границы зерен. Концентрация
точечных дефектов экспоненциально
возрастает с температурой и может
достигать высоких значений вблизи
точки плавления. Кроме того, вакансии
и междоузельные атомы легко возникают
в материале при его облучении частицами
высокой энергий, например, нейтронами
из реактора или ионами из ускорителя.
По измеренному значению сопротивления
можно судить о степени радиационного
повреждения решетки. Таким же образом
можно проследить и за восстановлением
(отжигом) облученного образца
= ρ300/ρ4,2. Деформация ρ = ρ0(1
s),
изменение ρ при упругих деформациях
объясняется изменением амплитуды
колебаний узлов кристаллической решетки
металла. При растяжении эти амплитуды
увеличиваются» при сжатии – уменьшаются.
Увеличение амплитуды колебаний узлов
обуславливает уменьшение подвижности
носителей зарядов и, как следствие,
возрастание ρ. Уменьшение амплитуды
колебаний, наоборот, приводит к уменьшению
ρ.Пластическая деформация, как правило,
повышает ρ металлов в результате
искажения кристаллической решетки.
При рекристаллизации путем термической
обработки (отжига) ρ может быть вновь
снижено до первоначального значения.
Иногда наблюдающееся при деформациях
сжатия уменьшение удельного сопротивления
объясняется вторичными явлениями –
уплотнением металла, разрушением
оксидных пленок и т.д. При воздействии
высоких гидростатических давлений
характер изменения ρ у различных
металлов может быть весьма различным:
при этом могут наблюдаться повышения,
понижения и обусловленные полиморфическими
переходами (изменениями кристаллической
структуры вещества) скачкообразные
изменения ρ. Такие скачки ρ (висмута,
бария, таллия, свинца и др.) при изменении
гидростатического давления используют
в качестве реперных точек при измерениях
высоких давлений.
