Sdram II (ddr - Double Data Rate)

Synchronous DRAM II, или DDR - удвоенная скорость передачи данных), является развитием SDRAM. Технология DDR основана на тех же принципах, что и SDRAM, однако включает некоторые усовершенствования, позволяющие увеличить быстродействие. DDR дает возможность читать данные по переднему и заднему фронтам тактового сигнала, что фактически увеличивает скорость доступа вдвое по сравнению с обычной SDRAM, используя при этом ту же частоту. (*** слайд 47)

Rdram (RambusDram)

В основе технологии RDRAM лежит многофункциональный протокол обмена данными между микросхемами, позволяющий передавать данные по упрощенной шине, работающей на высокой частоте. RDRAM представляет собой интегрированную на системном уровне технологию.

Rambus, впервые использованный в графических рабочих станциях в 1995 году, использует уникальную технологию RSL (Rambus Signal Logic - сигнальная логика Rambus), позволяющую использовать частоты передачи данных до 600MHz на обычных системах и материнских платах. Rambus использует низковольтные сигналы и обеспечивает передачу данных по обоим фронтам тактового сигнала. Технологии Rambus запатентованы, поэтому лицензионные отчисления делают производство микросхем памяти этой технологии достаточно дорогим и не слишком популярны.

Расширением технологии RDRAM является Direct RambusDRAM. Схемотехника этой технологии построена на подобных принципах, что и вышеописанная, но более высокие частоты (выше 800MHz) и улучшенный протокол. Модули RDRAM могут обеспечивать скорость передачи данных до 2,1 Гбайт/с, а также 4,2 Гб/сек (маркировка РС2100 и РС4200). Конструктив данного типа памяти – модулиDDRDIMM.

Память типа SLDRAM(SyncLinc) является более дешевой альтернативой дляRambus-DRAM. Она обладает аналогичной пропускной способностью, что и предыдущий тип памяти, использует передачу данных по фронту и спаду синхроимпульса. Кроме того, этот стандарт использует специальный протокол пакетной передачи данных и адреса на высоких тактовых частотах (до 400 МГц).

Одним из основных показателей качества модулей оперативной памяти является сохранность и достоверность хранимой информации. Несмотря на то, что вероятность потери или искажения информации в современных типах памяти очень низка, в некоторых из них используются специальные средства для контроля информации. Так например, механизм контроля четности(Checkparity) обнаруживает ошибку и прерывает исполнения программы. В более дорогих модулях используется механизм ЕСС (ErrorCheckCorrection), который соответственно не только обнаруживает ошибки, но и исправляет их при помощи специальных корректирующих кодов. Некоторые материнские платы корректно работают только с такими модулями.

Постоянные запоминающие устройства (rom)

К постоянным запоминающим ус-вам относятся энергонезависимые постоянные и полупостоянные ус-ва, из которых можно оперативно считывать информацию. По технологии записи информации можно выделить следующие типы ПЗУ (*** слайд 48):

- микросхемы, программируемые только при изготовлении (масочные, классические ПЗУ) – ROM.

- микросхемы, программируемые однократно в лабораторных условиях PROM(ProgrammableROM);

- микросхемы, программируемые многократно – EPROM(ErasableROM) иEEPROM(ElectricalErasablePROM). В первом типе стирание информации происходит под воздействием УФ-лучей через кварцевое окно в корпусе микросхемы, а во втором – электрическим путем. К этому же типу памяти относится и широко используемаяфлэш-память.

Быстродействие у постоянной памяти значительно меньше, чем у оперативной, поэтому для повышения производительности зачастую приходиться копировать ее содержимое в оперативную память, и при работе использовать только эту копию – теневую память(ShadowROM).

Модули флэш-памяти могут устанавливать либо в USB-разъемы материнской платы, либо в специальные переходники. Емкость у них составляет несколько Гбайт, а время обращения при считывании – 0,03-0,2 мксек, и при записи – 2-10 мксек. Этот тип постоянной памяти в последнее время очень часто используется и для храненияBIOSи называетсяFlash-BIOS.