Статическое озу(ram) sram

В большинстве систем основной объём памяти реализован на микросхемах DRAM. Однако для повышения быстродействия в ПК используется высокоскоростная кэш-память. Обычно она построена на технологииSRAM(Staticrandomaccessmemory). В отличие отDRAMтехнологияSRAMне требует постоянного обновления содержимого. Кроме того, контроллер памяти может считывать содержимое памяти без его разрушения. Поэтому время доступа к МСSRAMсоставляет 10нс и меньше. В МСSRAMдля хранения 1-го бита информации не используются конденсатор, заряд которого необходимо обновлять, но используется несколько транзисторов (5-6), поэтому МСSRAMобладает меньшей ёмкостью, чем МСDRAMтакого же размера. Высокое быстродействие понижает ёмкость и повышает цену. Высокая цена делает МСSRAMболее пригодной для реализации кэш-памяти, а не ОЗУ.

Компоновка модулей ram

Обычно модуль RAMсодержит несколько МС памяти. Существует 2 категории МС памяти:SIMMиDIMM.SIMM(SingleinLineMemoryModule) – память с односторонним расположением выводов,DIMM(DualinLineMemoryModule) – модуль с двухрядным расположением выводов.SIMM– 72 контактный разъем может одновременно передавать 32 разряда данных,DIMM– от 168 до 240 контактов – 64 разряда.

Банки памяти

Модули памяти вставляются в гнезда системной платы, которая иногда называется банками памяти. Точнее говоря, банк соответствует группе гнезд, которые обеспечивают передачу данных в количестве, соответствующем разрядности системной шины. Предположим, системная шина 64 разряда. Если используется 32 разряда модулей для обеспечения необходимого количества разрядов нужно объединить 2 модуля. При установке памяти обычно следует формирование банка. В рассмотренном примере нельзя использовать один модуль памяти для 64 разрядной шины, т.к. он предоставляет только 32 разряда данных. Необходимо установить 2 модуля. Конструкция системной платы может накладывать и другие ограничения на установленные модули памяти. Часто требуется, чтобы модули одного банка имели один размер, т.е. нельзя вставить в первое гнездо модуль, использующий 32 МБ, а во второй 128 МБ.

Для некоторых системных плат необходимо, чтобы модули одного банка имели одинаковое быстродействие. Часто допускается установка модулей различной емкости в различные банки. Например, вставить 2 модуля емкостью по 32 МБ в первое гнездо, а затем поместить в 2 следующие гнезда модули по 16 МБ.

Скоростной показатель работы микросхем памяти

Название RAMозначает, чтоCPU(APU) может производить обращение к любой ячейке памяти, каждый раз затрачивая одинаковое время. В отличие от этого время доступа дискового накопителя к некоторым секторам зависит от расстояния, на которое необходимо переместить головку чтения/записи для обнаружения необходимых дорожек, а также время ожидания, пока сектор повернется к головке. Промежуток времени, необходимый для возврата значения модулем памяти , называетсявременем доступа (accesstime). Время доступа зависит от технологии изготовления МС памяти. Например, если доступ к МСDRAMобычно находится в диапазоне 10-20 нс., время доступа кSRAM< 10 нс. В последние годы появились новые технологии производства микросхем памяти. Обычно каждый разработчик преследует цель снижения времени доступа к памяти.

Технологические решения модулей памяти.

Технология	год	Время доступа
FPM(Fastpagemode)ускоренный страничный обмен	1987	50нс
ОЗУ с расширенными возможностями вывода ED(extendeddataout)	1995	50нс
Синхродинамическая ОЗУ SDRAM(synchronousDRAM)	1997	66 МГцSDRAM
SDRAM	1998	100 МГц
Динамическая ОЗУ RAMBUS RDRAM-RAMBUS	1999	800МГц 16 разрядов
SDRAM DDR	2000	Эффективная частота до 533 Мгц
SDRAM DDR2	2004	Эффективная частота до 1200 Мгц
SDRAM DDR3	2008	Эффективная частота до 2400 Мгц
SDRAM DDR4	2011	Эффективная частота до 4800 Мгц