
- •Физико-химические основы технологии электронных средств
- •Предисловие
- •Введение.
- •Физические, химические и электрохимические процессы в производстве эвс
- •Раздел 1. Удаление материала
- •1. Очистка поверхности в процессе изготовления эва и рэа
- •1.1. Механические и комбинированные методы очистки
- •1.2. Обезжиривание
- •1.2.1. Методы физического и химического обезжиривания
- •1.2.2. Обезжиривание в щелочных растворах
- •1.2.3. Электрохимическое обезжиривание
- •1.3. Ультразвуковая очистка
- •1.4. Интенсификация процессов очистки
- •1.4.1. Физические методы интенсификации очистки
- •1.4.2. Применение пав
- •1.4.3. Применение комплексообразователей
- •1.5. Очистка от окислов
- •1.6. Контроль качества жидкостной обработки
1.4. Интенсификация процессов очистки
(форсирование веполей на полях книги теорию)
Для повышения эффективности очистки используют различные методы интенсификации. При этом ускоряются более медленные стадии процесса(например, подвод свежего реагента в зону обработки, отвод продуктов химической реакции от обрабатываемой поверхности),обеспечивается десорбцияатомов или ионов с поверхности изделия.
Рис. 1.12. Схема «расклинивания» и удаления загрязнений
Используются и другие полезные ресурсы технологии.
Методы интенсификации подразделяют на физические, химические и комбинированные.
К физическим методам интенсификацииотносят нагрев, кипячение, обработку струёй, гидроциркуляцией, протоком, гидромеханическую очистку, центрифугирование, ультразвуковую обработку, вибрацию промышленной частоты, плазменную очистку.
К химическим методам – очистку поверхностно-активными веществами, комплексообразователями.
Комбинированные методыинтенсификации объединяют физические и химические методы (обработка горячей струёй, подогрев ультразвуковой ванны и т.д.)—
1.4.1. Физические методы интенсификации очистки
Метод обработки из широкого спектра имеющихся технологий выбирают в зависимости от технологической задачи. Для повышения эффективности и производительности применяют самые разные поля или их сочетания.
Пример. При обработке полупроводниковых пластин из физических методов чаще всего используют гидромеханическую и ультразвуковую очистки и почти все химические методы.
Рис.1.13. Схема гидромеханической очистки:
1-линия подачи деионизованной воды;
2-щетка; 3-валик; 4-пластина; 5-вакуумный
столик.
При гидромеханической очистке(рис.1.9) интенсификация процесса обеспечивается за счет контакта с рабочей поверхностью вращающейся пластины 4, закрепленной на вакуумном столике 5, мягких нейлоновых щеток 2, надетых на валик 3, ось вращения которого перпендикулярна оси пластины. Этот метод обычно используют при финишной отмывке деионизованной водой, которая подается на пластину под давлением 50-200 кПа. Основным недостатком гидрохимической очистки является возможность переноса загрязнений со щеток на рабочую поверхность пластины и появление на ней царапин в случае засорения щеток кремниевой пылью. Чтобы избежать этого, следует соблюдать регламент смены и очистки щеток.
Виброочистка
Используются механические колебания моющих емкостей, самих изделий и специальных технологических компонентов, например, чипсов.
Для повышения эффективности – резонанс, но без разрушения
Магнитодинамическая очистка
Ферромагнитные абразивные частицы (например, короткие иголки) приводят в действие магнитным полем
Плазменые методы очистки
Загрязнения удаляют направленным потоком плазмы. Управление – магнитным полем.
Добавить лазерные методы очистки – см. патент (дано в разделе Лазерные технологии)
При ультразвуковой очисткеинтенсификация достигается за счет перемешивания отмывочного состава, ускорения процесса растворения и десорбции загрязнений под действием кавитационных пузырьков, образующихся при колебаниях, передаваемых ванне концентратором магнитострикционного излучателя. При захлопывании газовых пузырьков происходит растрескивание пленок поверхностных загрязнений и их отслоение. Достоинством ультразвуковой очистки поверхностей после шлифовки и резки является проникновение жидкости в глубокие поры, трещины, углубления, которые при обычных методах остаются неочищенными.
Наиболее интенсивно ультразвуковая очистка происходит при частоте колебаний 20-40 кГц. С повышением мощности ультразвуковых колебании интенсивность очистки повышается, но возникает опасность повреждения тонких пластин или появления в них трещин (техническое противоречие)
Химическая интенсификацияс помощью поверхностно-активных веществ и комплексообразователей является одним из перспективных направлений повышения качества очистки и в ряде случаев позволяет отказаться от токсичных и огнеопасных органических растворителей и концентрированных кислот.
Рис. 1.14. Использование химических полей для интенсификации
очистки изделий
Приведенные методы часто используют в различной комбинации для повышения производительности и получения высокого качества очистки. Это соответствует схеме совместного действия технических полей: