 
        
        книги / Микроэлектроника толстых пленок
..pdf| МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ | 41 | 
Выводные проводники: размер; материал; местона
хождение.
Корпусирование: максимально допустимые размеры;
ожидаемые электрические свойства; размер корпуса. Разное: принципиальная электрическая схема; требо
вания к качеству; спецификация по механическим испы таниям и испытаниям по влиянию окружающей среды; требования к размерам (в настоящем и будущем); время припайки; ограничения стоимости.
После того как собрана вся информация об элемен тах схемы согласно вышеприведенным спецификациям, схемотехник, проанализировав ее схематическую диа грамму, приступает к определению размеров подложки и топологии схемы. Предварительный выбор типа кор пуса можно сделать, пользуясь табл. 2.1 [6]. Ниже бо лее подробно рассматривается метод определения раз меров подложки.
| 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | Таблица 2.1 | |
| 
 | Проектные нормы на гибридные схемы | 
 | ||||
| 
 | 
 | 
 | 
 | Плотноспь упаковки | 
 | |
| 
 | 
 | 
 | 
 | акти[ВНЫХ | Мощность | |
| Размеры | Количество | Размеры | элем:ентов | |||
| 
 | 
 | рассеяния | ||||
| корпуса, | выводов | подложки, мм | ДЛЯ | 
 | на откры | |
| мм | 
 | 
 | 
 | для ИС- | том воз | |
| 
 | 
 | 
 | 
 | транзис | духе, мВт | |
| 
 | 
 | 
 | 
 | торов | чипов | 
 | 
| 6,2X 6,2 | 14 | 2,75X2,75 | 3—6 | 1—3 | 250 | |
| 6,2X9,4 | 14 | 2,75X6,00 | 4—8 | 2—3 | 300 | |
| 9,4X15,6 | 14 | 6X6 | 
 | 8— 12 | 2—4 | 400 | 
| 15,6X15,6 | 20 | 12,5X12,5 | 12—20 | 4—8 | 800 | |
| 18,7X18,7 | 22 | 13,5X13,5 | 15 -20 | 10— 15 | 
 | |
| 18,7X25 | 32 | 13,5X20,5 | 
 | 
 | 830 | |
| 25X25 | 30 | 18,75X18,75 | 
 | 
 | 1200 | |
| ТО-5 | 6, 8, 10 | Диаметр | 4,5 | 2—4 | 1 | 280 | 
| ТО-8 | 12 | Диаметр | 5,75 | 6 - 8 | 2—3 | 1000 | 
| 
 | (малые) | 
 | 
 | 
 | 3—5 | 1200 | 
| ТО-8 | 12, 16 | Диаметр | 7,5 | 10— 16 | ||
| 
 | (большие) | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
42 Г Л А ВА 2
Определим удельное сопротивление требуемой рези стивной пасты, приняв, например, что отношение пре дельных сопротивлений изготавливаемых из нее рези сторов составляет R m&x'Rm\n = 100.
Для изготовления резисторов, имеющих номинал в диапазоне от 100 Ом до ЮкОм, можно применить рези стивную пасту с удельным сопротивлением 1000 Ом/П *). Однако, чтобы увеличить процент выхода годных изде лий, диапазон требуемых номиналов и уменьшить раз меры резисторов, нужно применять резистивные пасты нескольких типов, а геометрия резистора должна быть прямоугольной с отношением сторон, равным 1:3. На одну подложку сравнительно легко можно наносить до трех различных типов резистивных паст. Но цена произ водства в этом случае возрастает из-за понижения про цента выхода годных изделий.
Вычислим минимальные размеры площади резистора, необходимые для удовлетвореЦия требований к мощно сти рассеяния:
Л = 0,012 Р
где А — площадь резистора, мм2; Р — мощность, мВт.
Вычислим длину и ширину резистора по формуле
| 
 | п | РsL | |
| 
 | A — | w | , | 
| где R — сопротивление | резистора, Ом; р5 — удельное | ||
| сопротивление, Ом/П; | L — длина резистора, мм; W — | ||
| ширина резистора, мм. | 
 | 
 | 
 | 
Для того чтобы иметь возможность проводить под гонку сопротивления резистора, его площадь должна быть не меньше 0,25 мм2. Кроме того, реальная площадь резистора должна превосходить расчетную с точки зре ния критериев к мощности рассеяния по крайней мере на 20%. Проведем аналогичное вычисление для каждого резистора в схеме.
‘) Удельное сопротивление Ом/П представляет собой сопротив ление условного резистора, длина которого равна его ширине.—
Прим. ред.
| МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ | 43 | 
Вычислим общую необходимую площадь, занимае мую резисторами:
A f === A f \ “Ь А г2 А тз “Ь • • * >
и общую площадь, занимаемую конденсаторами:
Ас = Асi Ас2 ir Ас3-{■
Вычислим также площадь, занимаемую активными приборами (диодами и транзисторами), увеличив длину и ширину чипов на 0,25 мм для облегчения их монтажа
А а — А А1 - f Аа2 + Ааз + • • • ♦
Тогда необходимая площадь, занимаемая резисто рами, конденсаторами и активными элементами схемы, будет равна
Аобщ. — Ат+ Ас + А А’
Для учета площади, занимаемой межсоединениями, необходимо увеличить величину вычисленной площади в 5 раз. Это последнее значение и будет давать размеры подложки рассматриваемой схемы. Отсюда при помощи табл. 2.1 определяются размеры необходимого корпуса.
2.3.Проектирование резисторов, конденсаторов
ипроводников
Резисторы. Выше подробно рассматривался метод расчета размеров резистора с точки зрения требований к значениям их номиналов и мощности рассеяния. В этом разделе обсуждается вопрос о влиянии геометрии рези стора. Учет отношения длины пленочного резистора L к его ширине W является очень важным при проектирова
нии толстопленочных резисторов. На фиг. 2.3 показаны две геометрии резисторов, которые обычно используются в толстопленочных гибридных схемах. Отношение сто рон L/W или W/L никогда не должно превышать 10. Его
лучше выбирать равным 3 или меньше.
Соотношение сторон оказывает сильное влияние и на конечное значение номинала резистора (табл. 2.2). В этой таблице приведены конечные значения сопротивления
| 44 | Г Л А В А 2 | 
резисторов, изготовленных из пасты с номинальным удельным сопротивлением 1000 Ом/П в зависимости от соотношения сторон резистора. В табл. 2.3 приведены аналогичные данные для резистивной пасты с удельным сопротивлением 10 000 Ом/П. Из этих таблиц видно, что с увеличением ширины резистора его удельное сопротив ление (в Ом/П) также увеличивается. Следует отметить,
---------------- L -----------------
>
i
У/,
г
а
б
| Ф иг. 2.3. | Толстопленочный резистор. | 
 | |||
| а —максимальное | отношение | LIW в ,0/ь | номинальное | отношение | LIW » 8Л; | 
| б —максимальное | отношение | LjW = 10Л, | номинальное | отношение | L/W = *Л. | 
что если соответствующим образом подобрать ширину резисторов, то из различных резистивных паст можно из готовить резисторы одинаковых номиналов. Например, номиналы двух резисторов с шириной 0,75 мм и 2 мм могут быть одинаковыми, если они изготовлены из резистивных паст с удельным сопротивлением 1000 и 10 000 Ом/П соответственно. Аналогичные явления на блюдаются для большинства резистивных паст, исполь зуемых в настоящее время при изготовлении толсто пленочных схем. Поэтому перед проектированием гиб ридных схем необходимо дать полную характеристику
| МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ | 45 | 
тех типов резисторов, которые предполагается исподы зовать.
| 
 | 
 | 
 | Таблица 2.2 | 
| Длина, | Ширина, | Сопротивле | Удельное сопро | 
| мм | мм | ние, Ом | тивление, кОм/П | 
| 0,38 | 1,52 | 58,0 | 0,230 | 
| 0,508 | 0,508 | 282 | 0,282 | 
| 0,508 | 1,52 | 100 | 0,300 | 
| 0,762 | 0,762 | 440 | 0,440 | 
| 0,762 | 1,52 | 230 | 0,460 | 
| 1,00 | 1,00 | 535 | 0,535 | 
| 1,00 | 1,52 | 425 | 0,640 | 
| 1,00 | 2,04 | 340 | 0,680 | 
| 1,14 | 1,52 | 490 | 0,650 | 
| 1,27 | 1,27 | 720 | 0,720 | 
| 1,52 | 0,508 | 2400 | 0,800 | 
| 1,52 | 2,04 | 1650 | 0,835 | 
| 1,52 | 1,00 | 1250 | 0,835 | 
| 1,52 | 1,52 | 800 | 0,800 | 
| 2,04 | 0,508 | 3700 | 0,925 | 
| 2,04 | 2,04 | 925 | 0,925 | 
| 2,30 | 0,38 | 5600 | 0,935 | 
| 2,54 | 0,254 | 8500 | 0,850 | 
| 2,54 | 2,54 | 920 | 0,920 | 
| 5,08 | 0,254 | 19 000 | 0,950 | 
| 10,16 | 0,508 | 25000 | 1,250 | 
Число различных резистивных паст на одной подложке должно быть сведено к минимуму. При этом, однако, необходимо принимать компромиссное решение при вы боре типа резистивной пасты и размера резисторов, с одной стороны, и количества годных изделий, с другой. Обычно на одну подложку наносятся три различных типа резистивных паст. Если использование каждого типа ре зистивной пасты связано с изготовлением отдельной мас ки или с дополнительной технологической операцией, то стоимость производства гибридных схем увеличивается.
| 46 | ГЛАВА 2 | 
 | |
| 
 | 
 | 
 | |
| 
 | 
 | 
 | Таблица 2.3 | 
| Длина, | Ширина. | Сопротивле | Удельное сопро- | 
| мм | мм | ние, кОм | тивление, OM/D | 
| 0,380 | 1,52 | 0,825 | 3,3 | 
| 0,380 | 0,358 | 0,550 | 5,2 | 
| 0,508 | 0,508 | 4,2 | 4,2 | 
| 0,508 | 1,52 | 1,85 | 5,5 | 
| 0,762 | 0,762 | 9,5 | 9,5 | 
| 0,762 | 1,52 | 4,8 | 9,6 | 
| 0,762 | 2,54 | 3,6 | 12,0 | 
| 1,000 | 1,14 | 11,3 | 11,3 | 
| 1,14 | 1,52 | 8,2 | 12,3 | 
| 1,00 | 2,04 | 7,0 | 14,1 | 
| 1,00 | 2,54 | 6,1 | 15,2 | 
| 1,14 | 1,52 | 10,6 | 14,1 | 
| 1,27 | 1,27 | 14,5 | 14,5 | 
| 1,27 | 2,54 | 9,1 | 18,2 | 
| 1,52 | 0,508 | 40,0 | 13,5 | 
| 1,52 | 0,762 | 30,0 | 15,0 | 
| 1,52 | 1,00 | 24,0 | 16,0 | 
| 1,52 | 1,52 | 16,2 | 16,2 | 
| 1,52 | 1,54 | 10,7 | 18,0 | 
| 2,04 | 0,508 | 65,0 | 16,3 | 
| 2,04 | 2,04 | 18,0 | 19,0 | 
| 2,04 | 2,54 | 16,5 | 20,5 | 
| 2,30 | 0,380 | 98,0 | 13,0 | 
| 2,30 | 2,54 | 19,0 | 21,0 | 
| 2,54 | 0,254 | 120,0 | 12,0 | 
| 2,54 | 2,54 | 18,0 | 18,0 | 
| 5,08 | 0,254 | 260,0 | 13,0 | 
| 10,16 | 0,508 | 400,0 | 20,0 | 
С другой стороны, поскольку типичные электрические схемы содержат широкий диапазон номиналов резисто ров, то использование только одного типа резистивной пасты увеличит необходимую площадь подложки.
В проекте схемы могут быть замкнутые цепи из про водников и резисторов (фиг. 2.4,а). Но поскольку необ
| М Е Т О Д Ы П Р О Е К Т И РО В А Н И Я | 47 | 
ходимо предусмотреть возможность для измерений и под гонки резисторов к номиналу после их нанесения и вжигания, схема вначале изготовляется с разомкнутыми це пями, а после измерений и подгонки закорачивается про волочным соединением, как показано на фиг. 2.4,6.
а
Фиг. 2.4. Толстопленочный резистор.
а —в замкнутой цепи невозможен контроль отдельных резисторов; ff—пра* пильное конструирование с использованием привариваемой проволочной пере мычки для замыкания цепи.
При проектировании схемы следует избегать зигзаго образных резисторов или резисторов в форме меандра (фиг. 2.5). При такой геометрии на резисторе образуются области перегрева, а сопротивление резистора трудно подгонять к номиналу. Минимальный размер резистора
| 48 | ГЛ А ВА 2 | 
должен быть порядка 0,5 X 0,5 мм; однако резисторы должны быть по возможности большими для увеличения процента выхода годных изделий и облегчения их после дующей подгонки. Для обеспечения надежного электри ческого контакта резистор должен быть уже проводника
Фиг. 2.5. Толстопленочный резистор,
а —неправильная конструкция; б —правильная конструкция.
на 0,25 мм (по 0,125 мм с каждой стороны), а длина перекрытия резистора проводником должна быть не меньше 0,125 мм. На фиг. 2.6 приведен пример правиль ного проектирования резистора.
| 0.12SMM | 0,5мм - | 
1
0,125мм
0,5мм
_L
Т
Фиг. 2.6. Толстопленочный резистор.
Для подгонки резистора воздушно-абразивной струей *) необходимо оставить промежуток между краем резистора и ближайшей контактной площадкой, длина которого должна быть не меньше 0,6 мм. Минимальное расстояние от края площадки до края резистора должно быть не меньше 0,25 мм. Для облегчения нанесения и подгонки резисторов их следует располагать вдоль на правлений координатных осей.
Поскольку толстопленочные резисторы после их на несения и вжигания обладают точностью в лучшем слу
*) Для подгонки резисторов широко используются также лазер ные установки. — П рим, ред,
| МЕТОДЫ ПРОЕКТИРОВАНИЯ | 49 | 
чае ±10% . их необходимо подгонять к номиналу. По этому при проектировании схемы эти резисторы должны обладать только 80% конечного значения сопротивления.
На фиг. 2.7, а приведена очень удобная для подгонки
конфигурация мощного резистора «со шляпкой». Если в результате подгонки резистор примет форму, показан ную на фиг. 2.7,6, то его сопротивление увеличится на 80%, тогда как площадь уменьшится всего на 15%, что заметно не ухудшит его мощностные характеристики.
| 
 | 
 | 
 | 
 | Чг 1 | Чг | 
 | 
| 1 | 
 | 
 | 
 | i | 1 | 
 | 
| 
 | 1 | 1 1 | 
 | Чг 1 | 1 | |
| 1 1 | I | Чг | ||||
| Фиг. | 2.7. | Толстопленочный | резистор. | 
 | ||
| а —резистор до подгонки (5 квадратов); | б —резистор после | подгонки | (9 квад | |||
| 
 | 
 | ратов). | 
 | 
 | 
 | |
Конденсаторы. В толстопленочной технологии наибо лее практичны конденсаторы с малой емкостью. Исходя из основного уравнения для конденсатора
| ^ _ 8,85еЛ ( N - 1) | КГ3 пФ, | 
| А | 
 | 
где е — диэлектрическая постоянная; А — площадь, мм2; N — число обкладок; d — толщина диэлектрической плен
ки, мм, можно вычислить площадь, необходимую для из готовления конденсатора. Так, если требуется получить
| емкость 5000 пФ, приняв е = | 1000 и d = 0,05 мм, находим | 
| А = | 28. | 
| Такой конденсатор будет | иметь размер 5,5 X 5 мм, | 
что намного превышает средние размеры активных и пассивных элементов микросхем. Отсюда видно, что наи более практичными будут конденсаторы с номиналом до 300 пФ.
В большинстве толстопленочных гибридных схем ис пользуются многослойные дискретные керамические кон денсаторы. На площади, необходимой для нанесения
Таблица 2.4
Керметные проводники
Специ Тниовые альные
| Ширина | проводников, м м .................. | 
 | 
 | 
 | 0,25 | 
 | 0,12 | |||||
| Расстояние между | 
 | проводниками, | 
 | 
 | 0,25 | 
 | 0,12 | |||||
| м м ..................... | 
 | 
 | ...................................... | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | |||
| Размер | контактных | 
 | площадок, | мм | Не | менее | 0,12 | от | ||||
| 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | края | подложки | ||||
| Максимальный рабочий ток, А . | . , | I для проводника | ||||||||||
| 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | шириной 0,5 мм | |||||
| Паразитная погонная емкость С р, | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | ||||||
| пФ/мм (отнесенная к длине парал | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | ||||||
| лельных | проводников | с зазором | 
 | 
 | 0,02 | 
 | 
 | |||||
| 0,25 м м ).................................................... | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | ||||
| Тип контакта . . . . . .................. . | Омический | 
 | 
 | |||||||||
| Удельное | сопротивление, | O M /D . . | от | 0,005 | до | 0,1 | ||||||
| 
 | 
 | Размеры элементов многослойного | монтажа | |||||||||
| Ширина | проводников, м м .................. | 
 | 
 | 
 | 0,25 | 
 | 0,12 | |||||
| Интервал | между | проводниками, мм | 
 | 
 | 0,25 | 
 | 0,12 | |||||
| Размер | окна, м | м ................................... | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 0,25 | 
 | 0,38 | ||
| Число проводящих | слоев . . . . . | 
 | 
 | 2 | 
 | 
 | до 5 | |||||
| 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | Электрические свойства | 
 | 
 | 
 | ||||
| Проводники ................................................ | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | <0,01 | Ом/О | ||||
| Диэлектрики | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | ||
| сопротивление | изоляции . . . . | 
 | 
 | 
 | < Ю 10 | Ом | ||||||
| напряжение | п р о б о я | 
 | 
 | 
 | 
 | < 200 | В | |||||
| диэлектрическая | постоянная . . | 
 | 
 | 
 | 1 0 -1 5 | |||||||
| коэффициент п о тер ь ...................... | 
 | 
 | 
 | 
 | <1.5% | |||||||
| Емкость | 
 | площадки | со | сторонами | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | ||
| 0,5 м | м | ................................... | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 
 | 1 | пФ | |
