Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Гизатуллин монография 1

.pdf
Скачиваний:
158
Добавлен:
12.03.2015
Размер:
17 Mб
Скачать

10 м. При этом их максимальные размеры не превышают 1500 × × 400 ¥ 300 мм.

 

 

 

 

 

 

Таблица 2.6

Параметры генераторов производства «НПАО ФИД Техника»

 

 

 

 

 

 

Серия

Выходное

 

Время

Длительность

Частота повто-

напряжение,

кВ

фронта, нс

импульса, нс

рения, кГц

 

FPG-N

2 –

1000

 

1 – 2

1 – 2/100

1000 – 1

 

 

 

 

 

 

 

 

FPG-P

2 – 200

 

0,1 – 1

0,2/1 – 3/2

300

1

 

 

 

 

 

 

 

 

FPG-SP

2

– 10

 

0,02 – 0,1

0,2 – 1

100

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FPG-NHF

1

– 50

 

1 – 3

2 – 5

3000

10

 

 

 

 

 

 

 

FPG-PHF

0,2 – 50

 

<1

0,2 – 3

10000

– 10

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FPM-N

1

– 50

 

1 – 5

2 – 5

500

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

FPM-P

1

– 50

 

0,1 – 1

0,2 – 3

500

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

СЭТ могут быть разработаны для генерации импульсов с разными характеристиками, но для СВТ наибольшую опасность представляет его разновидности – широкополосный или сверхширокополосный ЭМИ [64, 213]. Понятие «сверхширокополосный» впервые введен в 1990 году в НИОКР Минобороны США. Введено общее определение относительной полосы частот:

η =

( fh fl )

,

( fh + f )

где fh и fl – верхняя и нижняя граница спектральной полосы по уровню – 10 дБ (соответствует уровню 0,7). В соответствии с этим определением сигналы, имеющие η ≤ 0, 01, отнесены к узкополос-

ным; 0, 01, ≤ η ≤ 0, 25 – к широкополосным; 0, 25 ≤ η ≤ 1 – к сверх-

широкополосным.

Данное определение было скорректирована в 2000 году, по которой к сверхширокополосным ЭМИ относятся все импульсы со спектральной полосой не менее 1,5 ГГц, а также ЭМИ, у которых ширина спектральной полосы по уровню – 10 дБ составляет, по крайнем мере 25 % от значения центральной частоты [64]. В стан-

71

дарте МЭК 61000-2-13 для классификации сигналов вводится процентная ширина спектра [213]:

pbw = 2

( fh f )

 

.

( fh + fl )

Стандарт определяет следующие типы ЭМИ в зависимости от процентной ширины спектра: узкополосный сигнал – pbw < 1%;

сигнал со средней шириной спектра – 1% < pbw < 25%; сверхши-

рокоплосный сигнал – pbw > 25%.

Возможные характеристики генераторов широкополосных и сверхширокополосных ЭМИ представлены в табл. 2.7 [223].

Таблица 2.7

Возможные характеристики генераторов ЭМИ преднамеренного локального электромагнитного воздействия

Показатель

 

Величина

 

 

 

Пиковая мощность в антенне

 

2 – 20 ГВт

 

 

 

Длительность импульса

 

< 10 нс

 

 

 

Время фронта

 

< 1 нс

 

 

 

 

Энергия на выходе генератора

 

5 – 500

Дж

 

 

 

Диапазон частот

 

100 МГц – 50 ГГц

 

 

 

 

Энергия (на м2) на дальности:

100 м

8 нДж – 1

мкДж

Мощность (на м2) на дальности:

100 м

2 – 100

Вт

Пиковое поле на:

100 м

4 – 20 кВ/м

 

 

 

Частота повторения

 

Единичный импульс – несколько МГц

 

 

 

Облучаемая поверхность

 

< 10 км2

Дальность

 

< 300 м

 

 

 

Метод излучения

 

Антенна или управляемый взрыв

 

 

 

 

Широкополосные и сверхширокополосные ЭМИ СЭТ представляют собой повторяющиеся с относительно низкой частотой последовательности сверхкоротких импульсов или затухающих колебаний напряженности электромагнитного поля в широкой по-

72

лосе частот. 90 % энергии данных ЭМИ лежит в диапазоне частот от 100 МГц до 3 ГГц [104]. Узкополосные ЭМИ обычно представляют собой редко повторяющиеся радиоимпульсы напряженности электромагнитного поля длительностью до 10 мс, имеющие высокочастотное монохроматическое заполнение на частотах, превышающих 1 ГГц. Преимущественно, широкополосные и сверхширокополосные ЭМИ существующие на практике имеют несколько временных форм [64, 74, 75, 107, 214]:

1. В виде импульса Гаусса. Форма импульса описывается следующим выражением:

 

 

 

−(t t0 )2

 

 

 

2

 

E (t) = E

 

 

 

max

e

1

,

1

 

 

 

где Emax – максимальная напряженность электрического поля импульса; α – коэффициент формы; t – время. Например, при Emax = = 1 В/м, α1 = 0,125·10–9 , t0 = 1 нс форма импульса представлена на рис. 2.15, а. Энергетический спектр данного импульса описывается выражением (рис. 2.15, б):

 

 

 

 

2

(ω−ω0 )

 

 

 

 

 

−α1

 

A (ω) = E

 

 

 

 

2

 

 

 

 

max

2πα e

 

 

.

1

1

 

 

 

Рис. 2.15. ЭМИ СЭТ в виде импульса Гаусса:

а– временная форма; б – спектр

2.В виде двойной экспоненты. Форма импульса описывается следующим выражением:

73

E2 (t) = Emax k2 (1 - e−α2t ) p e−β2t ,

где a2, b2, p – коэффициенты определяющие форму ЭМИ; k2 – коэффициент нормализации. Например, при Emax = 1 В/м, a2 = 3,7 109, b2 = 0,75 109, k2 = 0,37, форма импульса представлена на рис. 2.16, а. Энергетический спектр данного ЭМИ описывается выражением

(рис. 2.16, б):

p

 

-1n × p!

 

 

1

 

A2 (w) = Emax k2

 

 

×

 

 

.

 

 

 

n=0

n!( p - n)! n ×a2

+ b2 + iw

Рис. 2.16. ЭМИ СЭТ в виде двойной экспоненты:

а – временная форма; б – спектр

Возможный диапазон временных параметров данных ЭМИ приведен в табл. 2.8.

Таблица 2.8

Возможные параметры широкополосных и сверхширокополосных ЭМИ СЭТ

Вид

Время фронта

Длительность

Напряжен-

на уровне 50 %

ность

 

 

 

 

 

 

 

Импульс Гаусса

200 пс – 2 нс

300 пс – 3

нс

50 кВ/м

 

 

 

 

 

Двойная экспо-

100 пс – 10 нс

2,5 нс – 400

нс

100 кВ/м

нента

 

 

 

 

 

 

 

 

 

74

Также, некоторыми международными нормативными документами в области ЭМС определены следующие дополнительные типовые формы широкополосных и сверхширокополосных ЭМИ [64]: полупериод синусоиды; период синусоиды. Что касается нормативных документов регламентирующих испытания технических средств на воздействие преднамеренных ЭМИ в РФ, то, например, разработаны и внедрены национальные стандарты ГОСТ Р 51275-2007 «Защита информации. Объект информатизации. Факторы, воздействующие на информацию. Общие положение» [218] и ГОСТ Р 52863-2007 «Защита информации. Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Испытания на устойчивость к преднамеренным силовым электромагнитным воздействиям. Общие требования» [231]. Применительно к автоматизированным системам преднамеренные силовые электромагнитные воздействия рассматриваются как фактор угрозы информации в целях ее уничтожения, искажения или блокирования. Объектом электромагнитного воздействия могут являться информационные системы объекта, системы физической защиты оборудования, поддерживающей инфраструктуры, вспомогательное оборудование, системы электропитания, линии связи и т.д. Наибольший ущерб при преднамеренном электромагнитном воздействии может быть нанесен объектам, у которых автоматизированные системы являются ядром системы с непрерывным процессом обработки потоков информации. Так, например, типовые параметры испытательных ЭМИ по эфиру представлены в табл. 2.9.

 

 

 

 

 

Таблица 2.9

Значения типовых параметров испытательных ЭМИ по эфиру

 

 

 

 

 

 

 

Параметры

Степень жесткости испытаний

Вид воздействия

испытательных

 

 

 

 

 

I

II

III

 

IV

 

воздействий

 

 

 

 

 

 

 

 

Однократные

Длительность

100

100

100

 

100

импульса, нс

 

наносекундные

 

 

 

 

 

Напряженность

 

 

 

 

 

импульсы элек-

 

 

 

 

 

импульсного элек-

 

 

 

 

 

тромагнитного

1

2

5

 

10

трического поля,

 

поля

 

 

 

 

 

кВ/м

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

75

Окончание табл. 2.9

 

Параметры

Степень жесткости испытаний

Вид воздействия

испытательных

 

 

 

 

I

II

III

IV

 

воздействий

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Периодические

Длительность им-

0,2±0,1

0,2±0,1

0,2±0,1

0,2±0,1

пульса, нс

0,8±0,3

0,8±0,3

0,8±0,3

0,8±0,3

наносекундные

 

 

 

 

 

Напряженность

 

 

 

 

импульсы элек-

 

 

 

 

импульсного элек-

 

 

 

 

тромагнитного

0,3

10

20

30

трического поля,

поля с низкой

 

 

 

 

кВ/м

 

 

 

 

частотой повторе-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Частота следова-

1

1

1

1

ния

ния, кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Периодические

Длительность им-

0,2±0,1

0,2±0,1

0,2±0,1

0,2±0,1

пульса, нс

0,8±0,3

0,8±0,3

0,8±0,3

0,8±0,3

наносекундные

 

 

 

 

 

Напряженность

 

 

 

 

импульсы элек-

 

 

 

 

импульсного элек-

 

 

 

 

тромагнитного

0,02

0,02

0,2

0,2

трического поля,

поля с высокой

 

 

 

 

кВ/м

 

 

 

 

частотой повторе-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Частота следова-

1000

1000

1000

1000

ния

ния, кГц

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Внастоящем стандарте регламентированы общие требования

кавтоматизированным системам в защищенном исполнении по ус-

тойчивости к преднамеренным силовым электромагнитным воздей-

ствиям, установлены параметры испытательных воздействий, виды испытаний и степени жесткости испытаний, методы и средства ис-

пытаний, определены порядок проведения испытаний и критерии оценки качества функционирования. Данные о параметрах предна-

меренных силовых электромагнитных воздействий получены на ос-

нове обобщения результатов теоретических и экспериментальных исследований, проведения компьютерного моделирования типовых путей воздействия на типовые элементы автоматизированной систе-

мы с применением излучателей электромагнитного поля, генерато-

ров напряжения или тока с учетом перспектив их развития.

76

2.3. Электромагнитное экранирование стен зданий

Стены зданий и помещений представляют первые рубежи экранирования СВТ от широкополосных электромагнитных воздействий. Обычно, наружные стены зданий строятся из кирпичей, бетона, цемента, шлаковых блоков и железобетонных конструкций. Эти материалы, кроме последнего, в обычном состоянии почти прозрачны для электромагнитных полей частотой 300 МГц и ниже. Исследования, проведенные в Национальном институте стандартов США, указывают на то, что потери в одном слое кирпичной стенки составляют не более 2,5 дБ для высоких частот. На сегодняшний день появились методы позволяющие увеличить эффективность экранирования данных материалов, например, путем ввода в их состав кокс или сажу (снижение объемного сопротивления). Куски кокса (размером 2 см) позволяют добиться экранирования от 60 дБ при 100 КГц до 90 дБ при частоте 1 ГГц на 30 см толщины. Пыль кокса дает экранирование 15 дБ при 100 КГц и 50 дБ при 1 ГГц на 30 см толщины. Изготовление кирпичей, бетона или блоков с содержанием кокса (без ущерба прочности) дает экранирование 10 – 20 дБ на каждые 30 см толщины [3, 85].

Наиболее часто при строительстве зданий используется железобетонные конструкции. Железобетонные стены зданий обладают экранирующим свойством за счет свойств бетона и арматурной сетки входящей в его конструкцию. Используются несколько разновидностей арматурных сеток с различными параметрами. В литературе нет однозначных значений эффективности экранирования данных типов конструкций от различных электромагнитных полей. Также, сложность задачи анализа эффективности экранирования стен зданий повышается при необходимости учета неоднородностей, например, оконных проемов. Данная особенность сильно влияет на показатели эффективности экранирования стен зданий в целом.

С другой стороны, постановка задачи сквозного прогнозирования помехоустойчивости СВТ внутри здания, анализ основных широкополосных источников и механизмов их воздействия позволяет выявить следующие особенности данной задачи: источник

77

ЭСР находится внутри здания, является внешним только по отношению к СВТ, т.е. расчет эффективности стен зданий в данном случае не требуется; разряд молнии находится вне здания и при его рассмотрении необходимо учесть экранирующие свойства и различные неоднородности его стен (например, окна). При этом здания могут находиться в области ближней или дальней зоны ЭМИ разряда молнии. Также возможен случай непосредственного воздействия разряда молнии на систему молниезащиты здания; источник ЭМИ высотного ЯВ находится вне здания и при его рассмотрении необходимо учесть экранирующие свойства и различные неоднородности его стен. Практически всегда здания находятся

вдальней зоне воздействия ЭМИ высотного ЯВ. Преимущественно ЭМИ ЯВ поляризована горизонтально; СЭТ могут находиться вне и внутри здания. Поэтому при его рассмотрении необходимо учесть экранирующие свойства и различные неоднородности его стен. СВТ практически всегда находятся в дальней зоне ЭМИ данного источника.

Анализ эффективности экранирования стен зданий предлагается проводить путем расчетов с применением аналитических моделей (для основного материала стен, армирующего материала и учета неоднородностей, например, в виде оконного проема) и численными экспериментами на основе имитационных моделей. В качестве основного инструмента численных экспериментов используется программа моделирования электромагнитных полей в трехмерной области на основе метода конечных интегралов [205, 232 –235]. Также, для анализа эффективности экранирования в ближней зоне,

вчастности при воздействии ЭМИ разряда молнии, в разделе 3.4 монографии разработана методика расчета магнитных полей внутри зданий при воздействии разряда молнии на систему молниезащиты здания на основе масштабного физического эксперимента.

Для анализа эффективности экранирования основного мате-

риала стен (бетона) Sb в работе предлагаются следующие матема-

тические модели [76]:

78

Sb (ω) = Ab (ω) + Rb (ω) + B b (ω),

 

 

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

A (w) = 20 log(ea(w)×t

);

 

 

 

 

 

 

 

 

(Z

 

+ Z (w))2

 

 

 

 

 

 

R (w) = 20 log

 

 

 

0

1

 

 

 

b

 

 

b

 

 

 

 

 

 

4 × Z0 × Z1 (w)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Z 0

- Z1 (w)

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B (w) = 20 log

1 -

 

 

× e- g (w)×t

 

;

 

 

 

 

 

 

 

b

 

 

Z 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+ Z1 (w)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

γ(ω) = α(ω) + iβ(ω) =

 

 

 

 

 

;

 

 

iμ0ω(σeff (ω) + iωε1 (ω)ε0 )

σeff (ω) = σdc + ε2 (ω)ωε0 ;

ε1 (ω) =

 

 

 

Δε

 

+ ε;

 

 

 

 

 

 

 

 

ω

2

 

 

 

 

 

 

1+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωr

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ω

Δε

 

ω

Δε

σdc

 

 

 

 

 

 

ε2 (ω) =

 

ωr

 

 

 

; ε2eff (ω) =

 

ωr

 

 

 

+

;

 

 

 

ω 2

 

 

 

ω 2

ωε0

 

1 +

 

 

 

1 +

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ωr

 

 

ωr

 

 

Z =

μ0

;

Z (ω) =

iωμ0

;

Δε = ε − ε ;

ω =

1

,

 

 

 

 

0

ε0

1

γ(ω)

s

r

τr

 

 

 

 

 

 

(2.6)

;

где Z0 – волновое сопротивление вакуума (377 Ом); Z1(w) – волновое сопротивление бетона; es – реальная часть комплексной диэлектриче-

ской проницаемости бетона в области низких частот; e– реальная часть комплексной диэлектрической проницаемости бетона в области высоких частот; e1(w) – зависимость реальной части комплексной ди-

электрической проницаемости бетона от частоты; e2(w) – зависимость мнимой части комплексной диэлектрической проницаемости бетона от частоты; tr – время релаксации; sdc – проводимость бетона в об-

ласти низких частот; seff (w) – эффективная проводимость бетона в зависимости от частоты. Данные математические модели работают

79

в диапазоне частот от 10 МГц до 2 ГГц. На более низких частотах эф-

фективность экранирования бетона не существенна.

Эффективность экранирования армирующего материала железобетонных стен здания Sa(f), как сеточной структуры, можно рассчитать по выражениям [136]:

Sa ( f ) = Aa + Ra( f ) + Ba( f ) + K1 + K 2( f ) + K 3,

 

 

 

(2.7)

где

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 + k( f )

 

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Aa = 27.3

 

 

 

;

 

 

Ra( f ) = 20 log

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S1

 

 

 

 

 

 

 

4

×

k( f )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ba( f ) = 20 log

1-

(k( f ) -1)2

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(k( f ) +1)

2

 

 

 

 

-2.73×d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

×10

 

 

 

S1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(S1

 

+ d )(S + d )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

35

 

 

 

 

 

K1 = 10 log

 

 

 

 

S1 × d

 

 

 

;

K 2 = -20 log 1+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d

2.3

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d( f )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.29×d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

 

S1

 

 

 

+1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

d( f ) =

 

 

 

 

 

 

 

 

 

;

 

K 3 = 20log

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.29×d

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

p×m × s× f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

e

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

S1 × f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

j

× 2

для плоских волн

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

c

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

k ( f ) =

 

 

S1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

;

 

 

 

 

 

 

 

 

j =

 

 

,

 

 

 

для магнитных полей

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-1

 

r

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

f

 

2

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

-4pS1r

 

 

 

 

 

 

для электрических полей

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

c

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где S, S1, d – геометрические параметры арматурной сетки; σ, µ – проводимость и магнитная проницаемость материала арматурной сетки; c – скорость света (3·108 м/с). Данных математические модели

80