
- •Выбор варианта задания
- •Требования к оформлению контрольных работ
- •Методические указания по выполнению контрольной работы
- •Указания к задаче 1.
- •Предельная частота fпропределяется по формуле (23). Пример решения задачи 1.
- •Указания к задаче 2.
- •Пример решения задачи 2.
- •Указания к задаче 3.
- •Пример решения задачи 3.
- •Указания к задаче 4.
- •Пример решения задачи 4.
- •Указания к задаче 5.
- •Пример решения задачи 5.
- •Указания к задаче 6.
- •Пример решения задачи 6.
- •Приложение 1. Статические характеристики транзисторов
- •Варианты заданий для четной предпоследней цифры
Пример решения задачи 2.
Рассмотрим пример, приведенный на рис.16 и 17 для транзистора МП14. Дано: I0Б=60мкА, RН=4,1кОм, ImБ=20мкА.
Из временных диаграмм находим:
IKmax=3,04мА, IKmin=1,10мА, ImK=1,94мА;
UKmax=12В, UKmin=4В, UmK=4В;
UБЭmax=180мВ, UБЭmin=158мВ, UmБ=22мВ.
Указания к задаче 3.
Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, на семействе выходных характеристик строится нагрузочная прямая по точкам, в которых она пересекает оси координат согласно уравнению EC=UСИ+ICRC. Если эти точки выходят за пределы приведенного графика, надо строить ее лишь в пределах графика. Пересечение нагрузочной прямой со статической характеристикой при заданном значении напряжении U0ЗИ определяет рабочую точку транзисторного каскада, нагруженного на резистор. Координаты рабочей точки дают значение рабочего режима выходной цепи U0СИ, I0С.
Построив затем заданное синусоидальное изменение напряжения UЗИ с амплитудой UmЗИ, определяют графически временные диаграммы тока стока и напряжения UСИ транзистора. Временные диаграммы строятся с учетом того, что напряжения на затворе и стоке противофазные, и с соблюдением одинакового масштаба по оси времени. Пример построения временных диаграмм показан на рис.30 и 31.
При построении временных диаграмм на выходных характеристиках возможно появление сильных искажений сигнала из-за захода рабочей точки в режим отсечки или омический режим. В этом случае необходимо уменьшить амплитуду входного сигнала до величины, при которой рабочая точка не будет выходить за пределы активной области работы прибора. Именно для этой новой амплитуды сигнала определяются параметры линейного (малоискажающего) режима усиления полевого транзистора.
При нахождении из графиков величин ImС, UmСИ, следует обратить внимание на то, что максимальное значение положительных и отрицательных полуволн сигнала неодинаковы, а значит, усиление большого сигнала и в активном режиме сопровождается некоторыми искажениями.
Для дальнейших расчетов значения амплитуд определяются как средние за период, т.е.
Значения соответствующих рабочих параметров каскада в рабочей точке можно найти из построенных временных диаграмм:
Пример решения задачи 3.
Рассмотрим пример, приведенный на рис.30 и 31.
Дано: U0ЗИ=3В, UmЗИ =0,5В, RС=4кОм.
Из графиков находим:
координаты рабочей точки U0СИ=5В, I0С.=1,25мА,
амплитуды выходного тока и напряжения
IСmax=1,8мА, IСmin=0,76мА, ImС=0,52мА;
UСmax=7В, UСmin=2,6В, UmСИ=2,2В
Значения параметров каскада в рабочей точке:
Указания к задаче 4.
Перерисовав статические характеристики полевого транзистора, определяют дифференциальные-параметры в заданном рабочем режиме. Метод их нахождения изложен в теоретической части пособия. По выходным характеристикам на низкой частоте определяются два параметра – крутизна S и выходное сопротивление Ri
Статический коэффициент усиления μобычно нельзя найти непосредственно по выходным характеристикам, этот параметр вычисляется по формуле (68). Все три параметра можно найти непосредственно по семейству передаточных характеристик, если оно включает заданную рабочую точку.
Расчет полевого транзистора
на высокой частоте проводится с помощью
физической эквивалентной схемы,
приведенной на рис.28. В справочниках
приводятся значения емкостей Свх
или
,Спрох=
СЗС
и Свых=
ССП.
Приведенные значения
,
которая обозначается как емкость
затвор-исток, фактически, включают
емкость затвор-каналСЗК
и паразитную емкость затвор-исток СЗИ:
=
СЗК+
СЗИ
Входная емкость Свх имеет, согласно (72), три составляющие:
Свх= СЗК+ СЗИ+ СЗС
При расчетах положим СЗИ= СЗС, поскольку причина их появления одна и та же. Сопротивление канала r’K определяется по найденному значению крутизны по формуле (69):.
r’K=1/ S0
После нахождения всех параметров строится эквивалентная схема для области высоких частот. По этой схеме можно выполнить расчеты любых параметров на любой частоте. Частотная зависимость крутизны дается выражением (71), входная проводимость согласно эквивалентной схеме равна
,
где k=ωτS= ω/ωS, ω – рабочая частота, τS= r’KСЗК и ωS=1/τS - постоянная времени и граничная частота крутизны.