Потери в проводнике и диэлектрике определяем по формуле:

; ;

Q_c-потери в проводнике, Q_d- потери в диэлектрике

Учитывая потери на излучение, добротность резонатора:

Потери рассеяния:

Коэффициент усиления входной цепи:

9) Эскиз фильтра показан на рис. 4.

Рис. 4. Эскиз гребенчатого фильтра.

2. Расчет усилителя радиочастоты (урч).

Исходные данные: средняя частота настройки приемника ГГц; полоса пропускания приемника П=716МГц; коэффициент усиления усилителя ; коэффициент шума дБ; избирательность преселектора по зеркальному каналу не менее дБ; волновое сопротивление подводящих линий МПЛ на входе и выходе усилителя Ом.

1. Выбираем для усилителя схему с общим эмиттером на биполярном транзисторе КТ372А в типовом режиме мА, В(таблица П 1.1)[1].

Из таблицы П 1.3[1] находим S – параметры транзистора (на частоте ГГц): ,,,

, ,,

Проверяем выполнение условия (3.3) [1]:

;

Так как , транзистор находится в режиме ОБУ.

S = |S|(cos(φ) + jsin(φ))

S₁₁ = 0.14(cos(149˚) + jsin(-149˚)) = - 0.031 – j0.136

S₁₂ = 0.093(cos(59˚) + jsin(59˚)) = -0.072 + j0.059

S₂₁ = 3.29(cos(76˚) + jsin(76˚)) = 2.712+ j1.862

S₂₂ = 0.623(cos(-30˚) + jsin(-30˚)) = 0.096 – j0.616

Рассчитаем транзисторный усилитель в режиме экстремального усиления. Коэффициент усиления транзисторного усилителя по мощности находим по формуле (3.10):

2. Коэффициенты отражения на входе и выходе (3.14) и (3.15) [1]:

где инайдем из выражений (3.16)÷(3.20) [1]:

Находим входное и выходное сопротивления АЭ (3.12) и (3.13) [1]:

3. Рассчитаем цепи согласования входного сопротивления транзистора с подводящей микрополосковой линией с волновым сопротивлением Ом на поликоре с,мм.

Выберем двухшлейфовое согласование.

Пересчитаем по формуле (3.35) [1] входное сопротивление транзистора во входную проводимость

Активную составляющую входного сопротивления (проводимости) транзистора согласуем с волновым сопротивлением подводящей линииОм с помощью четвертьволного трансформатора (последовательного шлейфа) с параметрами:

длина шлейфа

,

где ;

волновое сопротивление (3.27) [1]:

Ом

Из формулы (3.22) [1] находим ширину полоски

; мм

Реактивную составляющую входного сопротивления (проводимости) транзистора емкостного характера компенсируем параллельным короткозамкнутым шлейфом, входное сопротивление которого должно носить индуктивный характер (см. рис.5).

Рис. 5 Зависимость входного сопротивления

Длину шлейфа найдем по формуле (3.31) [1]:

где Ом; Ом

Ширина полоски шлейфа равна

; мм

Рассчитаем цепи согласования выходного сопротивления транзистора с микрополосковой линией с волновым сопротивлением Ом на поликоре с ;мм.

По формуле (3.36)[1] пересчитаем выходное сопротивление транзистора в выходную проводимость

См

Активную составляющую выходного сопротивления (проводимости) транзистора согласуем с волновым сопротивлением МПЛОм с помощью четвертьволнового трансформатора (последовательного шлейфа) с параметрами:

длина шлейфа

см

волновое сопротивление (3.27) [1]:

Ом

мм

; мм

Задаемся волновым сопротивлением шлейфа Ом.

Длину шлейфа находим по формуле (3.32) [1]:

см

Ширина полоски шлейфа равна

; мм.

4. Выбираем схему питания и смещения транзистора по постоянному току. Считаем, что транзистор находится в типовом режиме работы по постоянному току (таблица П 1.1):

В; В;мА;В;

Задаемся током базового делителя

мА

Находим величины сопротивлений резисторов усилителя.

Ом; кОм,

где ток базы находят по формуле

Ом

;

Постоянные напряжения питания и смещения подаем на транзистор через высокочастотные дроссели в качестве которых используем четвертьволновые отрезки МПЛ икороткозамкнутые на конце по высокой частоте емкостями С2 и С4