
- •Введение
- •Истинное и действительное значение физической величины
- •Меры. Измерительный преобразователь, прибор, установка и система
- •Погрешности измерений и измерительных средств.
- •2.1. Упругие элементы измерительных преобразователей Разновидности упругих элементов
- •2.2. Резистивные преобразователи
- •Резистивные делители тока и напряжения
- •Контактные преобразователи и преобразователи контактного сопротивления
- •Реостатные преобразователи
- •Тензорезисторы
- •Пьезоэлектрические преобразователи силы, давления и ускорения
- •Пьезорезонансные преобразователи
- •Термочувствительные пьезорезонансные датчики
- •Коэффициенты термочувствительности
- •Измерительные преобразователи, основанные на использовании поверхностных акустических волн
- •Электростатические преобразователи в вольтметрах и датчиках уравновешивания
- •Емкостные преобразователи
- •2.5. Электромагнитные преобразователи
- •Измерительные трансформаторы и индуктивные делители напряжения
- •Магнитоэлектрические и магнитогидродинамические преобразователи датчиков уравновешивания
- •Электромагнитные преобразователи измерительных механизмов электромеханических приборов
- •Индуктивные преобразователи
- •Магнитоупругие преобразователи
- •Магнитомодуляционные преобразователи
- •Преобразователи на основе эффекта Баркгаузена
- •2.6. Гальваномагнитные преобразователи
- •Преобразователи на эффекте Холла.
- •Магниторезистивные преобразователи.
- •Гальваномагниторекомбинационные преобразователи
- •Магниторезистивные преобразователи
- •Гальваномагниторекомбинационные преобразователи
- •2.7. Электрохимические преобразователи
- •Электрохимические резистивные преобразователи
- •Гальванические преобразователи
- •Кулонометрические преобразователи
- •Полярографические преобразователи
- •Ионисторы
- •Электрокинетические преобразователи
- •2.8. Тепловые преобразователи
- •Термоэлектрические преобразователи, их принцип действия и применяемые материалы
- •Удлинительные термоэлектроды, измерительные цепи
- •Терморезисторы, основы их расчета и применяемые материалы
- •Измерительные цепи терморезисторов
- •Разновидности термочувствительных элементов
- •Промышленные термопары и термометры сопротивления
- •2.9. Оптоэлектрические преобразователи
- •Основные свойства оптического излучения и область применения
- •Оптоэлектрических преобразователей. Источники излучения и приемники.
- •Основные структурные схемы оптоэлектрических преобразователей
- •Основные законы теплового излучения
- •Источники излучения
- •Приемники излучения
- •Основные структурные схемы оптоэлектрических преобразователей
- •Измерения физических величин Методы квантовой метрологии
- •Измерение токов методом ядерного магнитного резонанса
- •Электрофизические методы
- •Калориметрический метод измерений мощности и энергии
- •Измерения параметров магнитных полей
- •Методы измерений механических напряжений, сил, моментов и давления, движения жидких и газообразных веществ, температуры, концентрации вещества
Измерительные преобразователи, основанные на использовании поверхностных акустических волн
Поверхностные акустические волны (ПАВ) находят широкое применение при разработке фильтров и линий задержек, применяемых в радиотехнических устройствах. В последнее время ПАВ используются также при разработке измерительных преобразователей.
Известно несколько видов ПАВ, наиболее часто на практике применяют волны Релея. Смещение частиц твердого тела при распространении волны Релея в направлении оси Х иллюстрируется рис. 2-22, а. Как видно из рис. 2-22, а, волны распространяются вблизи границы твердого тела и затухают почти полностью на расстоянии z от поверхности, примерно равном длине волны . Одной из основных причин возрастающего интереса к ПАВ является именно сосредоточенность энергии в тонком слое, так как благодаря этому к технологии изготовления ПАВ-элемента предъявляется лишь одно требование – тщательная обработка рабочей поверхности, по которой распространяется акустическая волна.
Для возбуждения ПАВ на поверхность пьезоэлемента наносятся гребенки встречно включенных электродов (рис. 2-22, б), представляющие собой встречно-штыревой преобразователь (ВШП), имеющий шаг l0 = . При подключении напряжения к электродам ВШП под ними вследствие обратного пьезоэффекта происходят смещения частиц и возникает ПАВ, распространяющаяся в обе стороны. Если при этом длина волны совпадает с шагом ВШП, то вследствие суперпозиции колебаний, возникающих под каждой парой электродов, суммарная энергия ПАВ достигает максимума; если длина волны не совпадает с шагом ВШП, энергия ПАВ уменьшается и при определенном соотношении между и l0 волна за пределами ВШП может полностью погаситься.
Для приема энергии ПАВ используется второй ВШП, также имеющий шаг, равный длине волны. На электродах приемного ВШП вследствие прямого пьезоэффекта возникают заряды и появляется напряжение. Линия задержки состоит из входного и выходного ВШП. В первом приближении оба ВШП можно рассматривать как локальные электроды, расположенные на расстоянии L, равном расстоянию между геометрическими центрами ВШП. Время задержки равно времени прохождения акустической волны между ВШП, т. е.
= L/,
где
=
– скорость
распространения ПАВ; Eij
– константа упругости;
– плотность материала.
В кварце Y-среза скорость распространения ПАВ равна = 3159 м/с; таким образом, при L = 10 мм время задержки составляет около 3 мкс. Длина волны определяется скоростью распространения и частотой возбуждения волн и составляет = /f. Современная технология обеспечивает возможности создания ВШП с шагом до l0 = 10 мкм; таким образом, рабочие частоты ПАВ могут лежать в диапазоне до 300 МГц.
Рис. 2-22
ПАВ-структура может быть использована в качестве частотозадающего элемента автогенератора (рис. 2-22, в); при этом, как следует из условия баланса фаз (фазовыми сдвигами в электрических цепях пренебрегаем), на длине L должно укладываться целое число волн. Фазочастотная характеристика линии задержки определяется как ()= –. Значение эквивалентной добротности определяется формулой:
и составляет Qэкв= 0L/(2).
Длина L ограничена размерами ПАВ-структуры и затуханием энергии ПАВ и не превышает L = 500 ; таким образом, добротность равна Qэкв 103.
Изменение времени задержки ПАВ-структуры под воздействием внешних факторов используется в измерительных преобразователях с частотным выходом. При изменении относительное изменение частоты генератора составляет
/0=–/0.
Изменение времени задержки = L/ определяется изменением длины L и фазовой скорости и равно
/= LIL–Еij/(2Eij) + /(2).
Изменение времени задержки может происходить при механических деформациях ПАВ-структуры, под воздействием температуры, при нагружении поверхности тонкими пленками (толщина пленки h' < 0,1 ), при изменении зазора между поверхностью распространения ПАВ и токопроводящим экраном ( < 1). Соответственно на базе ПАВ-структур могут быть созданы преобразователи для измерения механических величин (/–до 1%), температуры (/–до 1%), микроперемещений, для микровзвешивания и исследования параметров тонких пленок (/–до 10%). При бесконтактной системе возбуждения ПАВ-преобразователи могут быть использованы также для измерения перемещения объекта, вызывающего перемещение одного из ВШП и приводящего к изменению L.
Рис. 2-23
2.4. Электростатические преобразователи
Принцип действия и область применения электростатических преобразователей. Использование в вольтметрах и датчиках уравновешивания. Емкостные преобразователи. Измерительные цепи емкостных преобразователей
Простейший электростатический (ЭС) преобразователь содержит два электрода площадью S, параллельно расположенных на расстоянии в среде с диэлектрической проницаемостью .
С электрической стороны преобразователь характеризуется напряжением U между пластинами, зарядом q=CU, где С– ёмкость, равная при плоскопараллельном расположении пластин С = S/ (без учета краевого эффекта), током i = dq/dt, энергией электрического поля WЭ=qU/2=CU2/2. Если одна из пластин (или диэлектрик между ними) имеет возможность перемещаться, то с механической стороны преобразователь характеризуется жесткостью подвеса подвижной пластины w, перемещением ее х, скоростью перемещения =dx/dt и электростатической силой притяжения fэс= dWэ/dx[1].
Взаимосвязь механической и электрической сторон преобразователя отражается уравнениями:
dF=wx+E0C0u; dq=E0C0x+C0u.
Эквивалентная схема ЭС преобразователя, схематическая конструкция которого показана на рис. 2-24, а, приведена на рис. 2-24, б. В эквивалентной схеме учитываются емкость С0 между электродами 1 и 2, сопротивление Rут изоляции между электродами, сопротивление r и индуктивность L кабеля К и его заземленным экраном Э.
Влияние отдельных элементов схемы учитывается в зависимости от конкретных обстоятельств. Так, при работе на низкой частоте сопротивление конденсатора велико и влияние индуктивности и сопротивления ввода не сказывается. При работе на высоких частотах сопротивление конденсатора падает и большую роль начинают играть индуктивность и сопротивление ввода, в то время как шунтирующее действие сопротивления утечки перестает сказываться. В этом случае удобнее последовательная эквивалентная схема преобразователя (рис. 2-24, в), где rэкв=r и Сэкв=С0+Сп. Влияние сопротивления утечки может быть учтено соответствующей добавкой в сопротивлении rэкв=r+1/(2C2эквRут). Действие индуктивности токоподводов начинает сказываться обычно на частотах свыше 10 МГц.
В эквивалентной схеме ЭС преобразователя с диэлектриком должны быть учтены потери в последнем. Из-за потерь в ЭС преобразователе сдвиг фаз между напряжением и током оказывается меньше /2 на угол потерь . Последовательная и параллельная схемы, учитывающие потери в диэлектрике, представлены на рис. 2-27, г. Эквивалентные сопротивления для этих схем выражают часто через приводимый в справочных данных тангенс угла потерь как r1экв=tg/(C1экв) или R2экв=1/(2эквtg). Емкости С1экв и С2экв связаны между собой зависимостью С2экв=С1экв/(1+tg), и, так как обычно tg<<1, их можно считать приблизительно равными: С1эквС2эквСэкв. В образцовых воздушных конденсаторах tg не превышает 5·10-5, так как определяется только потерями в изоляции между электродами и в материале электродов.
В конденсаторах с диэлектриком угол потерь значительно больше и, кроме того, может зависеть от напряжения на конденсаторе, частоты, температуры и влажности. В частности, зависимость от влажности настолько существенна, что на этом принципе строятся измерители влажности зерна и некоторых других сыпучих материалов.
В некоторых случаях при наличии диэлектрика между электродами преобразователя приходится считаться с тем, что после поляризации диэлектрики еще в течение какого-то времени (0,1–2 с) сохраняют заряд (абсорбция), что приводит к остаточным напряжениям, достигающим нескольких процентов от значения приложенного напряжения. Влияние абсорбции в эквивалентной схеме конденсатора в первом приближении можно учесть включением параллельно емкости С0 цепочки, состоящей из емкости Са, и сопротивления Rа. Поэтому полная эквивалентная схема ЭС преобразователя может быть представлена в виде рис. 2-24, д.
Рис. 2-24
При работе ЭС преобразователей на постоянном токе нужно учитывать существующую между электродами контактную разность потенциалов (КРП), включаемую в эквивалентной схеме последовательно с емкостью. КРП зависит от природы материалов, свойств и чистоты поверхности и существует даже между электродами, выполненными из одного и того же материала. Так, между электродами, выполненными из алюминия высокой чистоты, КРП может достигать 1 В. Лишь применение специальных мер позволяет снизить КРП до значения 10— 20 мВ.
Допустимое напряжение на конденсаторе определяется значением напряженности, при которой наступает пробой воздушного промежутка. Для воздуха при нормальном давлении и зазорах между пластинами 0,1–10 мм эта напряженность составляет 2–3 кВ/мм. При зазорах, меньше 0,1 мм можно не снижать напряжения, так как при напряжениях, меньше 350 В воздушный промежуток вообще не пробивается независимо от длины зазора.
В ряде случаев напряжение питания ограничивается допустимыми силами электростатического притяжения между пластинами. В одинарном преобразователе при диаметре пластины d = 25 мм, зазоре = 0,1 мм и напряжении U = 50 В значение электростатической силы достигает fэс =U2S/(2)2 = 6·10-4 Н.
В дифференциальном преобразователе с переменным зазором (см. рис. 2-24, д), силы, действующие между парами пластин, направлены встречно и компенсируют друг друга. Однако полная компенсация возможна только, если входное сопротивление цепи, включенной в диагональ моста, бесконечно велико и рабочие емкости ничем не шунтируются. В этом случае уменьшение или увеличение зазора вызывает пропорциональное уменьшение или увеличение напряжения между соответствующими пластинами; сила, действующая между ними, остается неизменной, т.е. разность сил равна нулю независимо от перемещения средней пластины.
Зависимость емкости от внешних условий. Относительное изменение емкости С=S/ определяется как C=+S–. Площадь S, как правило, определяется линейными размерами, составляющими 10 – 100 мм, и изменение этих размеров на 0,1–1 мкм вызывает пренебрежимо малое изменение площади S и емкости С.
Зазор в ЭС преобразователях составляет 10 мкм – 1 мм, и его изменения даже на 0,1 мкм могут вызвать существенную погрешность. Поэтому при конструировании ЭС преобразователей должны быть тщательно продуманы вопросы крепления электродов и защиты от выпадения на рабочих плоскостях электродов каких-либо осадков (герметизация, вакуумирование и т.д.). Одной из основных причин изменения зазора является изменение геометрических размеров, вызываемых линейным расширением материалов под действием температуры.
Диэлектрическая проницаемость воздуха весьма стабильна и мало меняется под действием внешних условий: при изменении температуры на 10 °С = 0,002%, при изменении влажности от 30 до 40% =0,01%, при изменении давления на 105 Н/м2 = 0,06%. Стабильными диэлектриками являются также плавленый кварц (= 5·10-6 K-1) и стекло.
Диэлектрическая проницаемость ряда керамик, в особенности сегнетокерамик, наоборот, сильно зависит от напряженности приложенного электрического поля, температуры и гидростатического давления. На основе сегнетокерамических материалов выпускаются различные типы варикондов — переменных конденсаторов с нелинейной зависимостью емкости от приложенного напряжения, используемых в схемах допускового контроля напряжения, а также сегнетокерамические преобразователи реле контроля температуры. Достоинства сегнетокерамических преобразователей – малое потребление мощности (сопротивление между электродами на постоянном токе 108–109 Ом) и, следовательно, малый самонагрев. Недостатками, мешающими их широкому использованию в измерительных цепях, являются плохая воспроизводимость характеристик у различных образцов и критичность к влиянию внешних факторов. Например, характеристики варикондов зависят от температуры, а температурные характеристики реле контроля температуры зависят от напряженности поля.