Практически все современные ИМС выполняются по полупроводниковой технологии. МС других типов находят применение только в некоторых специализированных случаях.

18.2.4.Совмещенные ИМС

Всовмещенных ИМС (рис. 18.6) все активные элементы и часть

пассивных изготовляют по полупроводниковой технологии в пластине кремния, а часть пассивных элементов – по тонкопленочной технологии.

Рис. 18.6. Конструкция совмещенной ИМС: 1 – подложка; 2 – транзистор; 3, 4 – плёночные резисторы; 5 – плёночный конденсатор; 6 – защитный

оксид

Пассивные элементы располагают на поверхности защитного диэлектрика. Технология совмещенных ИМС позволяет использовать

преимущества пленочных и полупроводниковых ИМС и создавать пассивные элементы, обладающие лучшей стабильностью характеристик, по сравнению с пассивными элементами обычных полупроводниковых ИМС.

Готовая микросхема должна быть изолирована от окружающей среды.

По способу герметизации для защиты от внешних воздействий различают следующие группы ИМС:

∙корпусные ИМС, помещенные в специальный корпус,

позволяющий производить их монтаж с помощью пайки или специальных контактных разъемов;

∙бескорпусные ИМС – покрытые специальным эпоксидным

компаундом и предназначенные для непосредственного монтажа на печатную плату, которая играет роль корпуса ИМС.

а) б) в)

Рис. 18.7. Внешний вид корпусных (а, б) и бескорпусных (в) микросхем

372