- •ПРЕДИСЛОВИЕ
 - •ЧАСТЬ I. ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
 - •Глава 1. Эмиссионная электроника
 - •1.2. Эмиссионная электроника
 - •1.2.1. Термоэлектронная эмиссия
 - •1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
 - •1.2.3. Термокатоды
 - •1.2.4. Фотоэлектронная эмиссия
 - •1.2.5. Вторичная электронная эмиссия
 - •1.2.6. Автоэлектронная эмиссия
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 2. Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электровакуумные приборы
 - •2.1. Диоды
 - •2.2. Триоды
 - •2.3. Многоэлектродные лампы
 - •2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
 - •2.5. Генераторные и модуляторные лампы
 - •2.6. Электровакуумные приборы диапазона сверхвысоких частот
 - •2.6.1. Особенности движения электронов в СВЧ полях
 - •2.6.2. Клистроны – приборы с динамическим управлением электронным потоком и резонансными системами
 - •2.6.3. Лампы бегущей и обратной волны (ЛБВ и ЛОВ)
 - •2.6.4. Лампы со скрещенными полями
 - •2.6.5. Усилитель на ЛБВ типа М
 - •2.6.6. Генератор на ЛОВ типа М замкнутой конструкции (карсинотрон)
 - •2.6.7. Магнетроны
 - •2.6.8. Статический режим работы магнетрона
 - •2.6.9. Динамический режим работы магнетрона
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 3. Электронная оптика. Электронно-лучевые приборы
 - •3.1. Электронные линзы
 - •3.2. Электростатические линзы
 - •3.2.1. Диафрагма с круглым отверстием
 - •3.2.2. Иммерсионная линза
 - •3.2.3. Одиночная линза
 - •3.2.4. Иммерсионный объектив
 - •3.3. Магнитные линзы
 - •3.4. Аберрации электронных линз
 - •3.5. Электронно-оптические системы (ЭОС) электронно-лучевых приборов
 - •3.6. Отклоняющие системы
 - •3.6.1. Электростатическое отклонение электронных пучков
 - •3.6.2. Магнитное отклонение электронных пучков
 - •3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков
 - •3.8. Приемные электронно-лучевые трубки
 - •3.9. Проекционные ЭЛТ и системы
 - •3.10. Запоминающие электронно-лучевые трубки
 - •3.11. Передающие электронно-лучевые трубки
 - •Контрольные вопросы
 - •ЧАСТЬ II. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
 - •Глава 4. Элементарные процессы в плазме
 - •4.1. Введение
 - •4.2. Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
 - •4.3. Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
 - •4.3.1. Возбуждение
 - •4.3.2. Ионизация
 - •4.3.3. Ступенчатые процессы при возбуждении и ионизации молекул электронным ударом
 - •4.3.4. Образование и разрушение отрицательных ионов
 - •4.3.5. Диссоциация молекул
 - •4.3.6. Рекомбинация
 - •4.4. Движение электронов и ионов в газе
 - •4.4.1. Дрейфовое движение электронов и ионов
 - •4.4.2. Диффузия заряженных частиц в условиях разряда
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 5. Основные виды электрического разряда в газе
 - •5.1. Классификация разрядов
 - •5.2. Несамостоятельный газовый разряд
 - •5.3. Условие развития самостоятельного разряда. Пробой разрядного промежутка
 - •5.3.1. Тлеющий разряд
 - •5.3.2. Количественная теория катодной области тлеющего разряда
 - •5.3.3. Дуговой разряд
 - •5.3.4. Искровой разряд
 - •5.3.5. Коронный разряд
 - •5.3.6. Высокочастотные разряды
 - •5.3.7. Разряды на сверхвысоких частотах
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 6. Газоразрядная плазма
 - •6.1. Основные понятия
 - •6.2. Диагностика плазмы
 - •6.2.1. Метод зондов Лангмюра
 - •6.2.2. Оптические методы исследования плазмы
 - •6.2.3. Сверхвысокочастотные методы диагностики плазмы
 - •6.3. Теории газоразрядной плазмы
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 7. Газоразрядные приборы
 - •7.1. Приборы тлеющего разряда
 - •7.1.1. Световые индикаторы
 - •7.1.2. Стабилитроны тлеющего разряда
 - •7.1.3. Вентили (газотроны) тлеющего разряда
 - •7.1.4. Тиратроны тлеющего разряда
 - •7.1.5. Переключаемые световые индикаторы
 - •7.2.1. Газоразрядные источники света
 - •7.3. Ионизационные камеры и счетчики излучений
 - •7.3.1. Ионизационные камеры
 - •7.3.2. Пропорциональные счетчики
 - •7.3.3. Счетчики Гейгера
 - •7.4. Разрядники антенных переключателей
 - •7.5. Газоразрядные индикаторные панели
 - •7.6. Газоразрядные знаковые индикаторы (монодисплеи)
 - •7.6.1. ГИП постоянного тока
 - •7.6.2. ГИП переменного тока
 - •7.6.3. Получение полутоновых изображений на ГИП
 - •Контрольные вопросы
 - •ЧАСТЬ III. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
 - •8.1. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
 - •8.2. Электропроводность полупроводников
 - •8.3. Диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках
 - •8.4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
 - •8.5. Поверхностные явления в полупроводниках
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 9. Электрические переходы
 - •9.1. Структура и основные параметры n-p перехода
 - •9.2. Равновесное состояние n-p перехода
 - •9.3. Неравновесное состояние n-p перехода. Явления инжекции и экстракции носителей заряда
 - •9.4. ВАХ идеализированного перехода
 - •9.5. ВАХ реального n-p перехода
 - •9.7. Емкостные свойства n-p перехода
 - •9.8. Контакт металл-полупроводник
 - •9.9. Гетеропереходы
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 10. Полупроводниковые диоды
 - •10.1. Выпрямительные диоды
 - •10.2. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды
 - •10.3. Импульсные диоды
 - •10.4. Стабилитроны
 - •10.5. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы)
 - •10.6. Туннельные и обращенные диоды
 - •10.7. Диоды Шотки
 - •10.8. Диоды Ганна
 - •10.9. Лавинно-пролетные диоды
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 11. Биполярные транзисторы
 - •11.1. Классификация биполярных транзисторов
 - •11.2. Физические процессы в транзисторе
 - •11.3. Распределение токов в транзисторе
 - •11.4. Эффект модуляции ширины базы
 - •11.5. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора
 - •11.6. Частотные характеристики биполярного транзистора
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 12. Тиристоры
 - •12.1. Классификация тиристоров
 - •12.2. Распределение токов в тиристоре
 - •12.3. Особенности работы управляемых тиристоров
 - •12.4. Тиристор с симметричной ВАХ
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 13. Униполярные полупроводниковые приборы
 - •13.1. Классификация и основные особенности
 - •13.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
 - •13.4. Дифференциальные параметры МДП-транзистора
 - •13.5. Принцип работы полевого транзистора с управляющим n-p переходом
 - •13.6. Частотные характеристики МДП-танзисторов
 - •13.7. Сравнительная характеристика МДП и биполярного транзистора
 - •13.8. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 14. Светоизлучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы
 - •14.1. Светоизлучающие полупроводниковые приборы
 - •14.1.1. Светодиоды
 - •14.2. Фотоэлектронные полупроводниковые приборы
 - •14.2.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
 - •14.2.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
 - •14.2.3. Фотоэлектрический эффект в n-р переходе
 - •14.2.4. Фототранзисторы и фототиристоры
 - •14.2.5. Оптоэлектронные пары
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 15. Полупроводниковые датчики
 - •15.1. Датчики температуры
 - •15.2. Датчики деформации
 - •15.3. Датчики магнитного поля
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 16. Основы квантовой электроники
 - •16.2. Физические основы взаимодействия излучения с веществом
 - •16.2.1. Форма и ширина спектральной линии
 - •16.3. Устройство и принципы работы лазеров
 - •16.3.1. Рабочее вещество
 - •16.3.2. Создание инверсии
 - •16.3.3. Условия создания инверсной населенности
 - •16.3.4. Двухуровневая система
 - •16.3.5. Трехуровневые системы
 - •16.3.6. Четырехуровневая система
 - •16.3.7. Оптические резонаторы
 - •16.3.8. Условия самовозбуждения и насыщения усиления
 - •16.4. Свойства лазерного излучения
 - •16.4.1. Монохроматичность
 - •16.4.2. Когерентность
 - •16.4.3. Поляризация излучения
 - •16.4.4. Направленность и возможность фокусирования излучения
 - •16.4.5. Яркость и мощность излучения
 - •16.5. Типы лазеров
 - •16.5.1. Твердотельные лазеры
 - •16.5.2. Рубиновый лазер
 - •16.5.3. Неодимовый стеклянный лазер
 - •16.5.4. Nd – ИАГ – лазеры
 - •16.5.5. Газовые лазеры
 - •16.5.6. Атомные лазеры
 - •16.5.7. Лазеры на парах металлов
 - •16.5.8. Ионные лазеры
 - •16.5.9. Молекулярные лазеры
 - •16.5.10. Эксимерные лазеры
 - •16.5.11. Газовые лазеры в инфракрасной области спектра
 - •16.5.12. Химические лазеры
 - •16.5.13. Газодинамические лазеры
 - •16.5.14. Электроионизационные лазеры
 - •16.5.15. Полупроводниковые лазеры
 - •16.5.16. Жидкостные лазеры
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 17. Основы оптоэлектроники
 - •17.1. Этапы и перспективы развития оптической электроники
 - •17.2. Источники излучения для оптоэлектроники
 - •17.3. Фотоэлектронные приемники излучения
 - •17.4. Модуляция лазерного излучения
 - •17.4.1. Физические основы модуляции лазерного излучения
 - •17.4.2. Оптические модуляторы
 - •17.4.3. Дефлекторы
 - •17.5.1. Элементная база ВОЛС
 - •17.5.2. Классификация ВОЛС
 - •17.6. Оптические методы запоминания и хранения информации. Оптические (лазерные) диски
 - •17.7. Голографические системы хранения и обработки информации
 - •17.7.1. Принцип голографии
 - •17.7.2. Голографическое запоминающее устройство
 - •17.7.3. Голографические схемы записи и считывания информации
 - •17.8. Системы отображения информации
 - •17.8.1. Особенности зрительного восприятия информации
 - •17.8.2. Физические эффекты, используемые для отображения информации
 - •17.8.3. Жидкокристаллические индикаторы
 - •17.8.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
 - •17.9. Электролюминесцентные индикаторы
 - •17.10. Дисплеи с полевой (автоэлектронной) эмиссией
 - •17.11. Отражающие дисплеи (электронная бумага)
 - •17.12. Системы отображения информации на основе полупроводниковых светодиодов
 - •Контрольные вопросы
 - •ЧАСТЬ V. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ, МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
 - •Глава 18. Предмет микроэлектроники
 - •18.1. Основные термины и определения
 - •18.2. Классификация ИМС
 - •18.2.1. Плёночные ИМС
 - •18.2.2. Гибридные ИС
 - •18.2.3. Полупроводниковые ИМС
 - •18.2.4. Совмещенные ИМС
 - •18.3. Система обозначений ИМС
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 19. Биполярные структуры в микроэлектронике
 - •19.1. Транзисторы с изоляцией на основе n-p перехода
 - •19.2. Транзисторы с диэлектрической изоляцией
 - •19.3. Транзисторы с комбинированной изоляцией
 - •19.4. Транзисторы типа p–n–p
 - •19.5. Многоэмиттерные транзисторы
 - •19.6. Многоколлекторные транзисторы
 - •19.7. Транзисторы с диодом Шотки
 - •19.8. Интегральные диоды и стабилитроны
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 20. Униполярные структуры в микроэлектронике
 - •20.1.1. МДП–транзистор с алюминиевым затвором
 - •20.1.3. Конструкция Д–МДП–транзисторов
 - •20.1.4. Комплементарные микроэлектронные структуры
 - •20.2.1. Пороговое напряжение
 - •20.2.2. Вольт-амперные характеристики
 - •20.4. Принцип действия МЕП-транзистора
 - •20.5. Элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)
 - •20.5.1. МНОП-транзистор
 - •20.5.3. Двухзатворный МДП–транзистор
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 21. Микроэлектроника субмикронных СБИС
 - •21.2. Методы улучшения характеристик субмикронных МДП-транзисторов
 - •21.2.1. Ореол
 - •21.2.2. Ретроградное распределение
 - •21.2.3. Подзатворный диэлектрик
 - •21.2.4. Области стока и истока
 - •21.2.5. Напряженный кремний
 - •21.3. Субмикронные МДП-транзисторы на диэлектрических подложках
 - •21.3.1. Структуры «кремний на изоляторе»
 - •21.3.2. Cтруктура «кремний ни на чём»
 - •21.4.1. Транзисторы с двойным и с окольцовывающим затвором
 - •21.4.2. Транзисторы с вертикальным каналом
 - •21.5. Особенности субмикронных транзисторов для аналоговых применений
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 22. Гетероструктуры в микроэлектронике
 - •22.1. Основные свойства гетероперехода
 - •22.1.1. Сверхинжекция неравновесных носителей заряда в гетеропереходе
 - •22.1.2. Понятие о двухмерном электронном газе
 - •22.2. Гетероструктурные полевые транзисторы
 - •22.2.1. Транзистор с высокой подвижностью электронов (НЕМТ)
 - •22.2.2. Псевдоморфные и метаморфные структуры (р-НЕМТ и m-НЕМТ)
 - •22.2.3. НЕМТ на подложках из GaN
 - •22.3. Гетеропереходные биполярные транзисторы
 - •22.4. Интегральные микросхемы на гетеропереходных полевых транзисторах
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 23. Пассивные элементы ИМС
 - •23.1. Полупроводниковые резисторы
 - •23.2. Плёночные резисторы
 - •23.3. Конденсаторы и индуктивные элементы
 - •23.4. Коммутационные соединения
 - •23.4.1. Задержка распространения сигнала
 - •23.4.2. Электороимграция
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 24. Функциональная электроника
 - •24.1. Пьезоэлектроника
 - •24.2. Оптоэлектроника
 - •24.3. Акустоэлектроника
 - •24.4. Магнитоэлектроника
 - •24.5. Криоэлектроника
 - •24.6. Хемотроника
 - •24.7. Молекулярная и биоэлектроника
 - •24.8. Приборы с зарядовой связью
 - •24.9. Диэлектрическя электроника
 - •24.10. Приборы на основе аморфных материалов
 - •Глава 25. ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
 - •25.1. Квантовые основы наноэлектроники
 - •25.1.1. Квантовое ограничение
 - •25.1.2. Интерференционные эффекты
 - •25.1.3. Туннелирование
 - •25.3. Квантовые транзисторы
 - •25.4. Нанотрубки в электронике
 - •25.5. Графеновые транзисторы (спинтроника)
 - •25.6. Молекулярная электроника
 - •25.6.1. Квантовые компьютеры
 - •25.7. Заключение
 - •Список рекомендуемой литературы
 - •CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
 - •Содержание
 
  | 
	
  | 
	Uc=0  | 
Ia  | 
	Uc>0  | 
	Uc<0  | 
  | 
	
  | 
	Ua  | 
  | 
	
  | 
	а)  | 
Ia  | 
	Ua1  | 
	Ua2  | 
	Ua3  | 
Ua1>Ua2>Ua3  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	Uc  | 
  | 
	б)  | 
	
  | 
	
  | 
Рис. 2.4. Анодные (а) и анодно-сеточные (б) характеристики триода
Основные параметры триодов:
∙крутизна характеристики S = dIa/dUc,
∙внутреннее сопротивление Ri = dUa/dIa,
∙коэффициент усиления μ = dUa/dUc.
Связь между параметрами триода можно определить из уравнения для дифференциала полного тока в виде:
μ = Ri S  | 
	(2.8)  | 
Последнее уравнение носит название внутреннего уравнения триода или соотношения Баркгаузена.
Триоды могут применяться как мощные усилители и генераторы в передающих станциях и других промышленных установках. Триоды имеют
сравнительно небольшие коэффициенты усиления и значительную проходную ёмкость. Последняя создаёт обратную связь между входной и выходной цепями, что искажает частотные и фазочастотные характеристики триода.
2.3. Многоэлектродные лампы
Недостатки триода могут быть устранены введением в лампу экранирующей сетки, расположенной между управляющей сеткой и анодом. Наличие экранирующей сетки приводит к резкому снижению ёмкости сетка- анод и ослаблению влияния поля анода на потенциал вблизи катода лампы, что приводит к увеличению коэффициента усиления. На экранирующую сетку подаётся положительный потенциал, соизмеримый по значению с потенциалом анода. Соседство двух близкорасположенных положительных электродов вызывает обмен вторичными электронами, в результате чего
может наблюдаться уменьшение анодного тока и возрастание тока на
25
экранирующую сетку. Этот эффект получил название динатронного.
Динатронный эффект в тетроде приводит к возникновению паразитной генерации из-за появления на ВАХ участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением, к дополнительному расходу мощности в цепи экранирующей сетки, нелинейным искажением усиливаемого сигнала, увеличению шумов и т.д.
В лучевых тетродах динатронный эффект устраняют путём формирования плотных потоков первичных электронов (лучей), объёмный заряд в которых создаёт потенциальный барьер, препятствующий попаданию вторичных электронов с анода на экранирующую сетку. Лучеобразование в тетроде достигается расположением экранирующей сетки в «электронной тени» управляющей сетки и путем введения в лампу дополнительных лучеобразующих пластин. Схема лучевого тетрода и распределение потенциала в нём иллюстрируется рис. 2.5.
Рис. 2.5. Распределение потенциала в лучевом тетроде
В пентоде динатронный эффект устраняется путём введения между экранирующей сеткой и анодом дополнительной защитной сетки, соединённой с катодом (рис. 2.6).
К  | 
	А  | 
U  | 
	УС  | 
	ЭС  | 
	ЗС  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	x  | 
Рис. 2.6. Схема пентода и распределение потенциала в нем
26
Для описания движения электронов в тетродах и пентодах так же можно использовать уравнение трёх вторых с введением действующего напряжения.
Примеры анодно-сеточных и анодных характеристик пентодов приведены на рис. 2.7.
IА  | 
	UС1  | 
	IА  | 
	UА1  | 
  | 
	UС2  | 
	
  | 
	UА2  | 
  | 
	UС3  | 
	
  | 
	UА3  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	UА  | 
	
  | 
	UС  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	а)  | 
	
  | 
	б)  | 
Рис. 2.7. Характеристики пентодов:
а) – анодные характеристики, б) – анодно-сеточные характеристики
Многоэлектродные лампы характеризуются теми же параметрами, что и триоды. Крутизна лучевых тетродов составляет 3–30 мА/В, пентодов 1–70 мА/В, внутреннее сопротивление составляет от десятков КОм до единиц МОм, а коэффициент усиления пентодов достигает нескольких тысяч.
2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
Высокочастотные пентоды с малым значением проходной ёмкости используются в усилителях высокой частоты. Лампы с удлинённой
характеристикой применяются для выравнивания исходных сигналов различной амплитуды за счёт переменной крутизны анодно-сеточной характеристики, что достигается использованием управляющей сетки с переменным шагом намотки.
Многоэлектродные лампы с двойным управлением применяются для преобразования частоты сигналов. В этих лампах имеется две управляющие сетки – обычно первая и третья. К ним относятся гексоды, гептоды, триод- гептоды и другие приборы.
Миниатюрные и сверхминиатюрные лампы имеют электроды в виде стержней или штампованных рамочных узлов. Сверхминиатюрные металлокерамические лампы, обладающие повышенной надежностью,
27
называются нувисторами. Электрометрические лампы применяются при измерении сверхмалых токов (до 10-15 А) и отличаются высокими требованиями к сопротивлению изоляции.
Ниже приведены фотографии приемно-усилительных ламп стержневого (карандашного) типа (вверху), пальчиковых ламп (в центре), цокольных ламп (внизу).
Рис. 2.8. Фотографии приемно-усилительных ламп
2.5. Генераторные и модуляторные лампы
Генераторные лампы предназначены для генерации электромагнитных колебаний различных частот. В настоящее время используются мощные генераторные лампы (киловатты – сотни киловатт). Модуляторные лампы
применяются для усиления низкочастотных колебаний и имеют достаточно большую мощность. В качестве мощных генераторных ламп чаще всего используют триоды, сетка которых находится под положительным потенциалом. Это соответствует "правой" анодно-сеточной характеристике прибора. Модуляторные лампы работают в мощных выходных каскадах
28
