- •ПРЕДИСЛОВИЕ
 - •ЧАСТЬ I. ВАКУУМНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
 - •Глава 1. Эмиссионная электроника
 - •1.2. Эмиссионная электроника
 - •1.2.1. Термоэлектронная эмиссия
 - •1.2.2. Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводников
 - •1.2.3. Термокатоды
 - •1.2.4. Фотоэлектронная эмиссия
 - •1.2.5. Вторичная электронная эмиссия
 - •1.2.6. Автоэлектронная эмиссия
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 2. Движение электронов в вакууме в режиме объемного заряда. Электровакуумные приборы
 - •2.1. Диоды
 - •2.2. Триоды
 - •2.3. Многоэлектродные лампы
 - •2.4. Особенности многоэлектродных ламп различного назначения
 - •2.5. Генераторные и модуляторные лампы
 - •2.6. Электровакуумные приборы диапазона сверхвысоких частот
 - •2.6.1. Особенности движения электронов в СВЧ полях
 - •2.6.2. Клистроны – приборы с динамическим управлением электронным потоком и резонансными системами
 - •2.6.3. Лампы бегущей и обратной волны (ЛБВ и ЛОВ)
 - •2.6.4. Лампы со скрещенными полями
 - •2.6.5. Усилитель на ЛБВ типа М
 - •2.6.6. Генератор на ЛОВ типа М замкнутой конструкции (карсинотрон)
 - •2.6.7. Магнетроны
 - •2.6.8. Статический режим работы магнетрона
 - •2.6.9. Динамический режим работы магнетрона
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 3. Электронная оптика. Электронно-лучевые приборы
 - •3.1. Электронные линзы
 - •3.2. Электростатические линзы
 - •3.2.1. Диафрагма с круглым отверстием
 - •3.2.2. Иммерсионная линза
 - •3.2.3. Одиночная линза
 - •3.2.4. Иммерсионный объектив
 - •3.3. Магнитные линзы
 - •3.4. Аберрации электронных линз
 - •3.5. Электронно-оптические системы (ЭОС) электронно-лучевых приборов
 - •3.6. Отклоняющие системы
 - •3.6.1. Электростатическое отклонение электронных пучков
 - •3.6.2. Магнитное отклонение электронных пучков
 - •3.7. Некоторые особенности электронной оптики интенсивных пучков
 - •3.8. Приемные электронно-лучевые трубки
 - •3.9. Проекционные ЭЛТ и системы
 - •3.10. Запоминающие электронно-лучевые трубки
 - •3.11. Передающие электронно-лучевые трубки
 - •Контрольные вопросы
 - •ЧАСТЬ II. ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
 - •Глава 4. Элементарные процессы в плазме
 - •4.1. Введение
 - •4.2. Упругие соударения электронов с атомами и молекулами газа
 - •4.3. Неупругие соударения электронов с атомами и молекулами
 - •4.3.1. Возбуждение
 - •4.3.2. Ионизация
 - •4.3.3. Ступенчатые процессы при возбуждении и ионизации молекул электронным ударом
 - •4.3.4. Образование и разрушение отрицательных ионов
 - •4.3.5. Диссоциация молекул
 - •4.3.6. Рекомбинация
 - •4.4. Движение электронов и ионов в газе
 - •4.4.1. Дрейфовое движение электронов и ионов
 - •4.4.2. Диффузия заряженных частиц в условиях разряда
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 5. Основные виды электрического разряда в газе
 - •5.1. Классификация разрядов
 - •5.2. Несамостоятельный газовый разряд
 - •5.3. Условие развития самостоятельного разряда. Пробой разрядного промежутка
 - •5.3.1. Тлеющий разряд
 - •5.3.2. Количественная теория катодной области тлеющего разряда
 - •5.3.3. Дуговой разряд
 - •5.3.4. Искровой разряд
 - •5.3.5. Коронный разряд
 - •5.3.6. Высокочастотные разряды
 - •5.3.7. Разряды на сверхвысоких частотах
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 6. Газоразрядная плазма
 - •6.1. Основные понятия
 - •6.2. Диагностика плазмы
 - •6.2.1. Метод зондов Лангмюра
 - •6.2.2. Оптические методы исследования плазмы
 - •6.2.3. Сверхвысокочастотные методы диагностики плазмы
 - •6.3. Теории газоразрядной плазмы
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 7. Газоразрядные приборы
 - •7.1. Приборы тлеющего разряда
 - •7.1.1. Световые индикаторы
 - •7.1.2. Стабилитроны тлеющего разряда
 - •7.1.3. Вентили (газотроны) тлеющего разряда
 - •7.1.4. Тиратроны тлеющего разряда
 - •7.1.5. Переключаемые световые индикаторы
 - •7.2.1. Газоразрядные источники света
 - •7.3. Ионизационные камеры и счетчики излучений
 - •7.3.1. Ионизационные камеры
 - •7.3.2. Пропорциональные счетчики
 - •7.3.3. Счетчики Гейгера
 - •7.4. Разрядники антенных переключателей
 - •7.5. Газоразрядные индикаторные панели
 - •7.6. Газоразрядные знаковые индикаторы (монодисплеи)
 - •7.6.1. ГИП постоянного тока
 - •7.6.2. ГИП переменного тока
 - •7.6.3. Получение полутоновых изображений на ГИП
 - •Контрольные вопросы
 - •ЧАСТЬ III. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
 - •8.1. Концентрация носителей заряда в полупроводниках
 - •8.2. Электропроводность полупроводников
 - •8.3. Диффузионное движение носителей заряда в полупроводниках
 - •8.4. Неравновесные носители заряда в полупроводниках
 - •8.5. Поверхностные явления в полупроводниках
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 9. Электрические переходы
 - •9.1. Структура и основные параметры n-p перехода
 - •9.2. Равновесное состояние n-p перехода
 - •9.3. Неравновесное состояние n-p перехода. Явления инжекции и экстракции носителей заряда
 - •9.4. ВАХ идеализированного перехода
 - •9.5. ВАХ реального n-p перехода
 - •9.7. Емкостные свойства n-p перехода
 - •9.8. Контакт металл-полупроводник
 - •9.9. Гетеропереходы
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 10. Полупроводниковые диоды
 - •10.1. Выпрямительные диоды
 - •10.2. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды
 - •10.3. Импульсные диоды
 - •10.4. Стабилитроны
 - •10.5. Полупроводниковые управляемые емкости (варикапы)
 - •10.6. Туннельные и обращенные диоды
 - •10.7. Диоды Шотки
 - •10.8. Диоды Ганна
 - •10.9. Лавинно-пролетные диоды
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 11. Биполярные транзисторы
 - •11.1. Классификация биполярных транзисторов
 - •11.2. Физические процессы в транзисторе
 - •11.3. Распределение токов в транзисторе
 - •11.4. Эффект модуляции ширины базы
 - •11.5. Статические вольтамперные характеристики биполярного транзистора
 - •11.6. Частотные характеристики биполярного транзистора
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 12. Тиристоры
 - •12.1. Классификация тиристоров
 - •12.2. Распределение токов в тиристоре
 - •12.3. Особенности работы управляемых тиристоров
 - •12.4. Тиристор с симметричной ВАХ
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 13. Униполярные полупроводниковые приборы
 - •13.1. Классификация и основные особенности
 - •13.2. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
 - •13.4. Дифференциальные параметры МДП-транзистора
 - •13.5. Принцип работы полевого транзистора с управляющим n-p переходом
 - •13.6. Частотные характеристики МДП-танзисторов
 - •13.7. Сравнительная характеристика МДП и биполярного транзистора
 - •13.8. Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 14. Светоизлучающие и фотоэлектронные полупроводниковые приборы
 - •14.1. Светоизлучающие полупроводниковые приборы
 - •14.1.1. Светодиоды
 - •14.2. Фотоэлектронные полупроводниковые приборы
 - •14.2.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
 - •14.2.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
 - •14.2.3. Фотоэлектрический эффект в n-р переходе
 - •14.2.4. Фототранзисторы и фототиристоры
 - •14.2.5. Оптоэлектронные пары
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 15. Полупроводниковые датчики
 - •15.1. Датчики температуры
 - •15.2. Датчики деформации
 - •15.3. Датчики магнитного поля
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 16. Основы квантовой электроники
 - •16.2. Физические основы взаимодействия излучения с веществом
 - •16.2.1. Форма и ширина спектральной линии
 - •16.3. Устройство и принципы работы лазеров
 - •16.3.1. Рабочее вещество
 - •16.3.2. Создание инверсии
 - •16.3.3. Условия создания инверсной населенности
 - •16.3.4. Двухуровневая система
 - •16.3.5. Трехуровневые системы
 - •16.3.6. Четырехуровневая система
 - •16.3.7. Оптические резонаторы
 - •16.3.8. Условия самовозбуждения и насыщения усиления
 - •16.4. Свойства лазерного излучения
 - •16.4.1. Монохроматичность
 - •16.4.2. Когерентность
 - •16.4.3. Поляризация излучения
 - •16.4.4. Направленность и возможность фокусирования излучения
 - •16.4.5. Яркость и мощность излучения
 - •16.5. Типы лазеров
 - •16.5.1. Твердотельные лазеры
 - •16.5.2. Рубиновый лазер
 - •16.5.3. Неодимовый стеклянный лазер
 - •16.5.4. Nd – ИАГ – лазеры
 - •16.5.5. Газовые лазеры
 - •16.5.6. Атомные лазеры
 - •16.5.7. Лазеры на парах металлов
 - •16.5.8. Ионные лазеры
 - •16.5.9. Молекулярные лазеры
 - •16.5.10. Эксимерные лазеры
 - •16.5.11. Газовые лазеры в инфракрасной области спектра
 - •16.5.12. Химические лазеры
 - •16.5.13. Газодинамические лазеры
 - •16.5.14. Электроионизационные лазеры
 - •16.5.15. Полупроводниковые лазеры
 - •16.5.16. Жидкостные лазеры
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 17. Основы оптоэлектроники
 - •17.1. Этапы и перспективы развития оптической электроники
 - •17.2. Источники излучения для оптоэлектроники
 - •17.3. Фотоэлектронные приемники излучения
 - •17.4. Модуляция лазерного излучения
 - •17.4.1. Физические основы модуляции лазерного излучения
 - •17.4.2. Оптические модуляторы
 - •17.4.3. Дефлекторы
 - •17.5.1. Элементная база ВОЛС
 - •17.5.2. Классификация ВОЛС
 - •17.6. Оптические методы запоминания и хранения информации. Оптические (лазерные) диски
 - •17.7. Голографические системы хранения и обработки информации
 - •17.7.1. Принцип голографии
 - •17.7.2. Голографическое запоминающее устройство
 - •17.7.3. Голографические схемы записи и считывания информации
 - •17.8. Системы отображения информации
 - •17.8.1. Особенности зрительного восприятия информации
 - •17.8.2. Физические эффекты, используемые для отображения информации
 - •17.8.3. Жидкокристаллические индикаторы
 - •17.8.4. Жидкокристаллические индикаторные панели
 - •17.9. Электролюминесцентные индикаторы
 - •17.10. Дисплеи с полевой (автоэлектронной) эмиссией
 - •17.11. Отражающие дисплеи (электронная бумага)
 - •17.12. Системы отображения информации на основе полупроводниковых светодиодов
 - •Контрольные вопросы
 - •ЧАСТЬ V. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ, МИКРО И НАНОЭЛЕКТРОНИКА
 - •Глава 18. Предмет микроэлектроники
 - •18.1. Основные термины и определения
 - •18.2. Классификация ИМС
 - •18.2.1. Плёночные ИМС
 - •18.2.2. Гибридные ИС
 - •18.2.3. Полупроводниковые ИМС
 - •18.2.4. Совмещенные ИМС
 - •18.3. Система обозначений ИМС
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 19. Биполярные структуры в микроэлектронике
 - •19.1. Транзисторы с изоляцией на основе n-p перехода
 - •19.2. Транзисторы с диэлектрической изоляцией
 - •19.3. Транзисторы с комбинированной изоляцией
 - •19.4. Транзисторы типа p–n–p
 - •19.5. Многоэмиттерные транзисторы
 - •19.6. Многоколлекторные транзисторы
 - •19.7. Транзисторы с диодом Шотки
 - •19.8. Интегральные диоды и стабилитроны
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 20. Униполярные структуры в микроэлектронике
 - •20.1.1. МДП–транзистор с алюминиевым затвором
 - •20.1.3. Конструкция Д–МДП–транзисторов
 - •20.1.4. Комплементарные микроэлектронные структуры
 - •20.2.1. Пороговое напряжение
 - •20.2.2. Вольт-амперные характеристики
 - •20.4. Принцип действия МЕП-транзистора
 - •20.5. Элементы полупроводниковых постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)
 - •20.5.1. МНОП-транзистор
 - •20.5.3. Двухзатворный МДП–транзистор
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 21. Микроэлектроника субмикронных СБИС
 - •21.2. Методы улучшения характеристик субмикронных МДП-транзисторов
 - •21.2.1. Ореол
 - •21.2.2. Ретроградное распределение
 - •21.2.3. Подзатворный диэлектрик
 - •21.2.4. Области стока и истока
 - •21.2.5. Напряженный кремний
 - •21.3. Субмикронные МДП-транзисторы на диэлектрических подложках
 - •21.3.1. Структуры «кремний на изоляторе»
 - •21.3.2. Cтруктура «кремний ни на чём»
 - •21.4.1. Транзисторы с двойным и с окольцовывающим затвором
 - •21.4.2. Транзисторы с вертикальным каналом
 - •21.5. Особенности субмикронных транзисторов для аналоговых применений
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 22. Гетероструктуры в микроэлектронике
 - •22.1. Основные свойства гетероперехода
 - •22.1.1. Сверхинжекция неравновесных носителей заряда в гетеропереходе
 - •22.1.2. Понятие о двухмерном электронном газе
 - •22.2. Гетероструктурные полевые транзисторы
 - •22.2.1. Транзистор с высокой подвижностью электронов (НЕМТ)
 - •22.2.2. Псевдоморфные и метаморфные структуры (р-НЕМТ и m-НЕМТ)
 - •22.2.3. НЕМТ на подложках из GaN
 - •22.3. Гетеропереходные биполярные транзисторы
 - •22.4. Интегральные микросхемы на гетеропереходных полевых транзисторах
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 23. Пассивные элементы ИМС
 - •23.1. Полупроводниковые резисторы
 - •23.2. Плёночные резисторы
 - •23.3. Конденсаторы и индуктивные элементы
 - •23.4. Коммутационные соединения
 - •23.4.1. Задержка распространения сигнала
 - •23.4.2. Электороимграция
 - •Контрольные вопросы
 - •Глава 24. Функциональная электроника
 - •24.1. Пьезоэлектроника
 - •24.2. Оптоэлектроника
 - •24.3. Акустоэлектроника
 - •24.4. Магнитоэлектроника
 - •24.5. Криоэлектроника
 - •24.6. Хемотроника
 - •24.7. Молекулярная и биоэлектроника
 - •24.8. Приборы с зарядовой связью
 - •24.9. Диэлектрическя электроника
 - •24.10. Приборы на основе аморфных материалов
 - •Глава 25. ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
 - •25.1. Квантовые основы наноэлектроники
 - •25.1.1. Квантовое ограничение
 - •25.1.2. Интерференционные эффекты
 - •25.1.3. Туннелирование
 - •25.3. Квантовые транзисторы
 - •25.4. Нанотрубки в электронике
 - •25.5. Графеновые транзисторы (спинтроника)
 - •25.6. Молекулярная электроника
 - •25.6.1. Квантовые компьютеры
 - •25.7. Заключение
 - •Список рекомендуемой литературы
 - •CПРАВОЧНЫЙ РАЗДЕЛ
 - •Содержание
 
Глава 5. Основные виды электрического разряда в газе
5.1. Классификация разрядов
Электрические разряды в газе подразделяются на самостоятельные и несамостоятельные. Несамостоятельным называется разряд, требующий для его поддержания независимого источника заряженных частиц (нагревание катода, облучение газа светом, рентгеновским или радиоактивным излучением).
Самостоятельным называется разряд, в котором генерация зарядов и их
движение в разрядном промежутке осуществляется только за счёт энергии внешнего электрического поля.
Самостоятельный разряд в свою очередь подразделяется на несколько типов:
1.Тлеющий разряд характеризуется большим катодным падением
потенциала и своеобразным чередованием тёмных и светлых полос. Тлеющий разряд возникает при средних давлениях (0,1-104 Па) и среднем внутреннем сопротивлении источника питания.
2.Дуговой разряд возникает при высоких давлениях и наличии мощного источника питания.
3.Искровой разряд имеет вид зигзагообразных ломаных линий, сопровождается характерными звуковыми эффектами. Искровой
разряд возникает при высоком давлении и наличии высоковольтного, но маломощного источника питания.
Можно отметить также такие виды разрядов как коронный, факельный, высокочастотный (ВЧ) и сверхвысокочастотный (СВЧ).
5.2. Несамостоятельный газовый разряд
Несамостоятельный разряд был впервые экспериментально исследован Столетовым при изучении фотоэффекта. Объяснение основных
закономерностей несамостоятельного разряда было дано Таунсендом в его теории электронных лавин. Рассмотрим процессы между двумя находящимися в газовой среде плоскими электродами, к которым приложена разность потенциалов Uа (рис.5.1).
Допустим, что
∙Напряжённость поля в пространстве между электродами постоянна и равна U/d;
∙напряжённость поля достаточно велика, чтобы обеспечить направленное движение электронов и ионов;
∙из катода под действием внешних факторов в единицу времени выходит ν электронов.
89
К  | 
	
  | 
	+  | 
	А  | 
|
  | 
	
  | 
	
  | 
	
  | 
|
  | 
	
  | 
	-  | 
	-  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	+  | 
	+  | 
	
  | 
  | 
	-  | 
	-  | 
	-  | 
	
  | 
  | 
	- +  | 
	-  | 
	+  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
|||
  | 
	-  | 
	-  | 
	-  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	+  | 
	+  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	-  | 
	-  | 
	
  | 
  | 
	
  | 
	
  | 
	+  | 
	
  | 
Рис. 5.1. Развитие лавины в разрядном промежутке
Двигаясь в электрическом поле, электроны приобретают энергию и ионизируют газ, что приводит к образованию электронной лавины, схематически показанной на рис 5.1. Число электронов, образованных в единицу времени на отрезке dx, будет равно
a×nx×dx = dnx,
где a – число электронов, образованных одним электроном на пути в 1 см (первый коэффициент Таунсенда).
Разделим переменные:
dνx = a × dx nx
и проинтегрируем
na = nк × ea×d , (x = 0 nx = n0; x = d nx=na),
где na – число электронов, попадающих в единицу времени на анод. Умножив обе части на заряд электрона, получим связь
электронным током на анод и током электронной эмиссии с катода:
(5.1)
между
Ia = Iк × ea×d .  | 
	(5.2)  | 
В более общем случае, когда из-за сложной конфигурации электродов или влияния объёмного заряда напряжённость поля непостоянна, можно записать:
  | 
	
  | 
	d  | 
	
  | 
|
  | 
	
  | 
	ò a×dx  | 
	
  | 
|
  | 
	Ia  | 
	Ia = Iк × e0 .  | 
	(5.3)  | 
|
Величина  | 
	= ea×d носит название коэффициента газового усиления.  | 
|||
Iк  | 
||||
  | 
	
  | 
	
  | 
||
Эффект газового усиления тока при несамостоятельном разряде используется в газонаполненных фотоэлементах.
Расчёты коэффициента газового усиления по приведённым выше формулам в ряде случаев приводят к заниженным значениям. Это связано с неучётом явления выбивания электронов из катода положительными ионами.
Эмиссия электронов под действием ударов положительных ионов
90
