заметно снижает выходную проводимость транзисторов с коротким каналом.

Пороговое напряжение регулируется глубиной залегания и степенью легирования n-слоя (рис. 22.5, а) или δ-легированного слоя (рис. 22.5, б) InAlAs.

Высокая стоимость InP подложек стимулировало разработку метаморфных НЕМТ (m-НЕМТ), имеющих структуру AlInAs/InGaAs на GaAs-подложке.

Рассогласование постоянных решетки гетерослоев и GaAs-подложки составляет около 3,8%, что является главным препятствием для получения высококачественных структур. Для согласования атомных решеток слоя InGaAs с GaAs-подложкой используется многослойная варизонная система буферных слоев. Введение буферного слоя AlGaAsSb толщиной 1-2 мкм позволяет получить поверхностную плотность дислокаций менее 106 см-2.

В настоящее время характеристики m-НЕМТ почти не уступают р- НЕМТ на In подложке. Более того, на СВЧ подложка GaAs обладает зна- чительно лучшими диэлектрическими свойствами, чем InP.

22.2.3. НЕМТ на подложках из GaN

Для использования в мощных СВЧ-устройствах, а также в устройствах, предназначенных для работы в жестких эксплуатационных условиях,

значительные преимущества имеют транзисторы на основе широкозонных полупроводниковых соединений – GaN и SiC. Структура НЕМТ AlGaN/GaN схематично представлена на рис. 22.6. Канал с ДЭГ формируется в узкозонном слое AlGaN.

Рис. 22.6. Структура НЕМТ AlGaN/GaN с затвором Шотки (а) и МДП затвором (б)

По частотным и усилительным свойствам НЕМТ AlGaN/GaN уступают транзисторам на соединениях А3В5, однако существенно превосходят последние по плотности тока, плотности мощности и рабочим напряжениям сток-исток. Для обеспечения возможности работы транзисторов вблизи точки

432