Увеличение температуры приводит к заметному росту тока iК, особенно в области малых его значений. Несколько возрастает коэффициент передачи h21Э (см. рис. б).
Влияние температуры на статический коэффициент передачи тока h21Э = iК/iБ (б) транзистора
в схеме с ОЭ. Область разброса h21Э отмечена штриховой линией.
Статические характеристики ЭП содержат исчерпывающие сведения для выбора режимов и расчета их параметров. Но только для диапазона рабочих частот, в котором характеристики не зависят от частоты.
Верхняя граничная частота этого диапазона fГР, определяется из неравенства 360°fГР ПР 10°,
где ПР–время прохождения носителя тока через ЭП.
Для ламп fГР примерно от 30 МГц до 6 ГГц;
для БТ составляет десятки-сотни килогерц; для ПТ - около 60...80 МГц, для ПТ с барьером Шотки – до 12... 16 ГГц.
22
В основе работы всех ЭП лежит общий физический принцип: взаимодействие потока носителей заряда с электромагнитным полем.
Пусть ТПР время этого взаимодействия. Так, в БП транзисторе под ТПР следует понимать время переноса неосновных носителей заряда от эмиттера к коллектору, в полевом транзисторе - время переноса основных носителей заряда от истока к стоку, в электровакуумных лампах - время движения (пролёта) электронов от катода к аноду, в СВЧ лампах бегущей волны - время движения электронов вдоль спирали от катода к коллектору и т.д.
В зависимости от обобщенного параметра TПР, где - частота сигнала, электронные генераторные приборы можно разделить на три основные группы: 1) <1; 2) = ; 3) >>1.
ВЧ генераторные приборы - ЭВП приборы и транзисторы - относятся к первой группе; СВЧ полупроводниковые генераторные диоды - лавинно-пролетные и Ганна - ко второй, СВЧ приборы (клистроны и ЛБВ) - к третьей.
Вприборах первой группы при нарушении соотношения <1, т.е. при частоте >1/TПР, резко уменьшается PВЫХ, KP и КПД.
Вприборах третьей группы благодаря увеличению TПР, т.е. длительному
взаимодействию потока с полем, мощность СВЧ ЭВП приборов существенно |
|
превышает мощность СВЧ полупроводниковых приборов. |
23 |
Определите по рис. 2.2 параметры S, Е' и Sкр кусочно-линейной аппроксимации статических характеристик биполярного транзистора, предполагая, что евых4 2В
24