Влияние температуры на режим УМ на БТ
С повышением температуры T проходная СХ транзистора сдвигается влево и ее крутизна уменьшается (рис.12). Главную роль играет изменение Е'.
Поэтому анализ влияния температуры на IК1, IК0 сводится к изучению влияния изменения Е' на токи при фиксированных UBX, ЕС, ЕП и RН.
Предположим, что при средней расчетной рабочей температуре TРАСЧ имеет место режим КР.
Понижение температуры, как видно из рис.12, вызовет уменьшение амплитуды импульса тока и угла отсечки.
При этом IК1 уменьшится и в соответствии с IВЫХ1=SUВХ 1( ) транзистор станет работать в HP.
Увеличение температуры, как следует из рис.12, приводит к увеличению IК1 и UH= IК1 RН,
значит, к режиму ПР.
T
UВХ
(T ) ( ) (IК1) (S)
Рис.12. Влияние температуры на проходные характеристики транзистора
33
При этом из-за появления провала в импульсе тока рост IК1, IК0 с увеличением Т будет небольшим (рис.13). Однако рассеиваемая на коллекторе мощность PРАС будет несколько увеличиваться и вызывать дополнительный разогрев транзистора.
|
Анализ влияния вариаций Т и других |
|||
параметров |
на |
режим |
ГВВ |
показывает |
необходимость в специальных мерах для |
||||
стабилизации режима АЭ в УМ. |
|
|
||
Стабилизировать режим при изменении одного |
||||
или нескольких параметров можно, регулируя |
||||
(желательно автоматически) какой-либо параметр |
||||
так, чтобы основные энергетические параметры Р1, |
||||
Э, РРАС поддерживались неизменными. |
Рис. 13. Зависимости |
|||
Например, уменьшение Е', вызванное ростом |
амплитуды токов IК1, IК0 от |
|
температуры транзистора |
||
температуры Т, можно скомпенсировать, уменьшая |
||
|
||
напряжение смещения ЕС (или ток базы). |
|
34
UR3=1.6 В |
UR4=1 В |
Рис. 14. Схема УМ с активной коллекторной стабилизацией
Напряжение на базе VT1 зафиксировано делителем R1, R3.
При увеличении коллекторного тока VT2 (например, при увеличении температуры) уменьшается напряжение Б-Э и ток базы VT1. Это вызывает уменьшение коллекторного тока VT1, который является базовым током VT2, что приводит к уменьшению коллекторного тока VT2. При изменении температуры в пределах0С нестабильность коллекторного тока VT2 не более 2%.
Другим распространенным способом стабилизации режима от изменений температуры является включение низкоомного резистора в цепь эмиттера.
35