книги / Многоуровневые функциональные схемы кристаллических лазеров

* В системе Y^Nrlj _ xP5Ou образуется несколько соединений с различной структурой [831.

Таблица 1.4. Оксидные лазерные кристаллы с упорядоченной структурой с ионами группы железа в качестве активаторов [2, 10, 80]

Таблица 1.5. Фторидные лазерные кристаллы с разупорядочепной структурой с 1 л1 3+-активаторами [2, 10, 80]

Таблица 1.6. Оксидные лазерные кристаллы с разупорядоченной структурой с Ьн3+-актнваторами [2, 10, 80]

* Изучен предварительно.

Таблица 1.7. Оксидные лазерные кристаллы с разупорядоченной структурой с Сг3+-активаторами [76-78]

Таблица 1.8. Заполнение кристаллографических позиций в лазерных матрицах-основах с разупорядоченпем кристаллического поля на 1л13+-активаторных ионах [75, 95, 96]

Кристаллографическая позиция с гетеровалентвыми катионами

Рис. 1.2. Спектры люминесценции ионов Nd3+ (канал - » *1ц/г) в упорядоченном соедн-

пении CsLa(W04)2 и в кристаллах Sr1_xCe;tF2+a: и Ga2Ga2Si07 с разулорядоченпой структурой

о — зоо к, б — 77 к

Стрелками указаны линии, на волнах которых возбуж* дена генерация СИ]

элементарных активаторных центров, от­ личающихся по структуре, но имеющих близкое штарковское расщепление энер­ гетических состояний. Строение элемен­ тарных центров н их многообразие бу­ дут определяться отмеченными выше статистическими свойствами атомного строения данного кристалла, т. е. сте­ пенью допустимой разупорядоченности его структуры, которая в некоторых случаях будет зависеть и от концентра­ ции Ln3''-активатора. Характерными осо­ бенностями Ьп3+-квазицептров в крис­ таллах с разупорядоченной структурой являются их неоднородно уширенные по­ лосы в их спектрах поглощения и лю­ минесценции (рис. 1.2), и обычно более широкие линии генерации СИ при крио­ генных температурах, чем при комнатной. В кристаллах с упорядоченной струк­

турой картина обратная — все межштарковские абсорбционно-люминесцентные переходы Ьп3+-ионов имеют однородно уширенные линии 12, а следовательно, и более узкие линии СИ при низких температурах. Отмеченные здесь особенности

упорядоченность — наиболее ярко проявляется в бинарных системах с гетеровалентным изоморфизмом,например, в многочисленных нестехиометрических фа­

структуры будет зависеть отвеличины х. Так, в кристаллах Me1_xRxF2+K при увеличении х, т. е. концентрации трифторида, имеет место не простое внедрение зарядокомпенсирующих анионов F- в соседнее межузлие с R 3+-HOHOM, а замена

одного (или нескольких) аниона исходной структуры на два (или более) аниона F- на каждый R3+-KaTHOH, причем F" располагаются не в центрах пустых кубов структуры флюорита, а статистически смещены но направлению к ним на не­ которое расстояние. Если говорить о статистически вероятном полиэдре в этих кристаллах, то при х, близких к предельным, им будет девятивершинник в виде искаженного куба [92]. С большой вероятностью можно также сказать, что

1 При криогенных температурах может наблюдаться неоднородное ушпренпе линий Из-за

дефектов реэлтой структуры кристаллов.