Группа по напряжению насыщения |
Значение напряжения насыщения, В |
коллектор —эмиттер |
|
1 |
До 0,6 (до 1,5)* |
2 |
Св. 0,6 до I (до 2,5)* |
3 |
Св. 1 до 1,5 |
* Значения для транзисторов серий ТК335 и ТК435.
|
При монтаже транзисторов на охладители значение крутящего |
момента для транзисторов ТК142 должно быть не менее |
7±1 |
Н-м, |
для |
ТК152 —не менее 9±1 |
Н-м. |
Монтаж |
транзисторов |
ТК135-25 |
и ТК235-63 производится прижатием |
фланца |
корпуса к теплоотводу |
с моментом затяжки |
винтов не менее |
0,4 + 0,05 Н-м. |
|
|
|
Предельно допустимые значения параметров транзисторов приве |
дены в табл. 18.1, 18.3, характеризующие параметры —в |
табл. |
18.2, |
18.4, |
зависимости |
параметров от |
|
различных |
условий —на |
рис. |
18.2 —18.19, габаритные |
и |
присоединительные |
размеры |
транзисто |
ров —на рис. 18.1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Таблица 18 1 Предельно |
допустимые |
значения параметров транзисторов |
Параметр
Максимально допустимый импульсный ток коллектора /ел/* А (7’с = 85°С, /р = 10 мс, скважность 2, /д = 0,251см)
Максимально допустимый импульсный ток ба-
зы Iнм-’ |
А |
(7’6 = 85°С, /р = |
10 мс, скваж- |
ность 2) |
|
|
|
Максимально |
допустимый |
постоянный ток |
коллектора |
1с, А (Тс — 85 °С) |
|
Максимально допустимый постоянный ток базы /д, А (Тс = 85 °С)
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор —база U C B O > В
Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - эмиттер ЧсЕ0< ® (/д=0, 7} = 25 °С)
Максимально допустимое импульсное напря-
жение коллектор —эмиттер V Q E X , |
—1,5 В, |
Tj = 25 °С) |
|
ТК335-16: ТК335-20, ТК335-25 |
ТК335-32; ТК335-40 |
ТК435-10; ТК435-16; ТК435-20 |
ТК435-25- ТК435-32 |
16, |
32, |
Ю, |
25, |
20, |
40 |
16, |
32 |
25 |
|
20 |
ю- |
6,0, |
12, |
5,0; |
7,5, |
15 |
6,0; |
12 |
10,0 |
|
7,5 |
16* |
10: |
20; |
6; |
12,5; |
25 |
10; |
20 |
16 |
|
12,5 |
7,5 |
5,0; |
10; |
3,0; |
6,0; |
12 |
5,0; |
10 |
7,5 |
|
6,0 |
|
300--600 |
600--800 |
200--400 |
400--500 |
300--600 |
600--800 |
Параметр
Максимально допустимое импульсное напря
жение коллектор —эмиттер UCFR, В (Лд = 10 Ом, UEB= -1 ,5 В)
Максимально допустимое постоянное напряже ние эмиттер-база VЕВо, В (7) = 25°С)
Температура перехода, °С максимально допустимая Tjm минимально допустимая Tjmin
Температура хранения, °С максимально допустимая Tstgm минимально допустимая Tstgmm
Усилие затяжки винтов, Н м
|
|
Продолжение |
т абе |
18 1 |
чО сГ in |
o f о |
о VOо |
in Cl |
|
|
|
<o |
и |
n |
Г1 CO |
in m А |
in m |
in in |
in |
ГО rO |
ro ro ro |
<-<■4rn |
ГО |
ro ro |
-«f |
|
|
m ro m |
ro ro |
|
|
« |
« |
« |
Ы Х |
« « |
« |
H H |
н |
н |
H |
H H |
H H fc- |
|
|
300-600 |
600-800 |
7
150 -6 0
50
-60
0,4 + 0,05
Таблица 18 2 Характеризующие параметры транзисторов
Параметр
Статический коэффициент передачи тока в схе
ме с |
общим |
эмиттером |
/*2 1 £ |
|
(7^ = 25°С, |
1с = 0,5 / СДу, |
Uсе = 5 |
В) |
|
|
|
|
|
|
Напряжение |
насыщения |
коллектор —эмиттер |
0 CEsat, В (/С = 0,5 1СМ, >В = 0,08 / см , |
7) = 25 °С) |
для |
группы |
1 |
|
|
|
|
|
|
|
для |
группы 2 |
|
|
|
|
|
|
|
Обратный ток эмиттер —база 1Ено- мА (1с—0, |
(1ЕВ —7 В, Tj = Tjm) |
|
|
|
|
|
|
|
Обратный ток коллектор - база |
1сво> |
МА |
(UСВ= ЧСВО, 1е = 0, |
TJ = Tjm) |
(1с = 0.5/ст/, |
Время |
|
включения |
10„, |
мкс |
/в = 0,08/см , |
Tj —25 °С, |
1/С £=100 |
В) |
В |
том |
числе |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
время |
задержки (</, мкс |
|
|
|
|
|
время |
нарастания |
/г, мкс |
|
|
|
|
|
Время |
|
выключения |
l0ff, |
мкс |
(1с — 0,5Iсм- |
1В = 0,08 !см- |
7’у = 25°С, |
и се = 100 |
В). |
В |
том |
числе |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
время рассасывания ts, мкс |
|
|
|
|
время |
спада |
ty, мкс |
|
|
|
|
|
|
Тепловое сопротивление переход—корпус Rt/yC, |
°С/Вт |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Вероятность безотказной работы за 1000 ч |
Масса, |
кг, не |
более |
|
|
|
|
|
|
|
VOO1" |
«ЛШ |
2 2 8 |
нгч |
inA m |
п *А«А |
ГО СО |
го го |
го го го |
ГО СО |
|
го m |
н н |
НИН |
НИН |
|
1.5 |
|
2.5 |
|
50 |
|
20 |
2,2 |
1,7 |
0,2 |
0,2 |
2,0 |
1,5 |
7,0 |
5,5 |
5,0 |
4,0 |
2,0 |
1,5 |
0,625 |
1,0, |
|
1,0, |
|
0,65 |
0,97
0,021
m m го го
н н
1,7
0,2
1.5
5.5
4,0
1,5
0,65
Таблица IS 3 Предельно доил стимые значения параметров транзисторов
Параметр |
|
Максимально допустимый импульсный |
ток |
коллектора 1С М , А (Тс = 85 °С, (р < 10 |
мс, |
скважность 2, 1В = 0,20 1см — для классов 0,5 —
2, 1В = 0,25 IQ M ~ Для классов 2,5-6) |
|
|
Максимально |
допустимый |
импульсный |
ток |
базы |
1ВМ , А |
(Тс = 85°С, |
1р = 10 мс, |
скваж |
ность |
2) |
|
|
|
|
|
Максимально |
допустимый |
постоянный |
ток |
коллектора IQ, |
А (Тс = 85 °С, |
1В = 0,2 1с) |
|
Максимально |
допустимый |
постоянный |
ток |
базы |
1В, А (Тс = 85°С) |
|
|
|
|
Максимально допустимое импульсное |
напря |
жение коллектор-база УСд0. В (7}=7}т ) |
|
Максимально допустимое |
импульсное |
напря |
жение |
коллектор-эмиттер |
|
U CEO> В |
(/д = 0, |
Т, = 25 X , U СЕ = 0,6 V cm ) |
|
|
|
|
Максимально допустимое импульсное |
напря |
жение коллектор-эмиттер U C E X »В (Уе в — “ 3 В, ТУ= 2 5 Х , UC E = 0,9 УСдо)
Максимально допустимое импульсное напря жение коллектор —эмиттер U Q E R <В (Яд = 3,4 Ом,
Т К 135-16, ТК135-25 1TK23S-32 |
ТК235-40 ТК235 50, ТК235-63 |
ТК142-40, ТК142 50, ТК 142-63 |
ТК152-80, ТК152-100 |
16, |
32, |
40, |
80, |
25 |
40 |
50, |
100 |
|
50, |
63 |
|
|
63 |
|
20; |
4, |
8, |
ю , |
7 |
Ю, |
13 |
25 |
|
13, |
16 |
|
|
16 |
|
50, |
ю , |
20, |
25, |
16 |
25, |
32, |
63 |
|
32, |
40 |
|
|
40 |
|
16, |
3,5, |
6,5, |
8, |
5,0 |
8, |
Ю, |
20 |
|
10, |
13 |
|
|
13 |
|
|
|
50-600 |
|
|
30-360 |
|
|
45 - |
540 |
|
45-540
7} -
Максимально допустимое постоянное напря жение эмиттер —база Уд-до, В (7} = 25°С):
для классов 0,5 —2 для классов 2,5 —6
Температура перехода, °С максимально допустимая Tjm минимально допустимая Tjmm
Температура хранения, °С максимально допустимая Tslgm минимально допустимая Tstgmm
Крутящий момент, Н м Усилие затяжки винтов, Н м
|
4 |
|
|
6 |
|
|
150 |
|
|
-6 0 |
|
|
50 |
|
|
-6 0 |
7 ± 1 |
_ |
- |
0,4 + |
0,4 + |
- |
± 0,05 |
+ 0 05 |
|
Рис. 18.1. Габаритные и установочные размеры транзисторов, мм:
а — ТК135-16, Т К 135-25, б - ТК235-32, |
ТК235-40, ТК235-50, |
ТК235-63; в - |
ТК142-40, |
ТК 142-50, |
ТК142-63, TKI52-80, |
ТК152-100; г-Т К 335-16, ТК335-20, |
ТК335-25, |
ТК335-32, |
ТК335-40, ТК435-10, ТК435-16, ТК435-20, ТК435-25, |
|
|
|
ТК435-32 |
|
|
Размер |
ТК142-40, |
ТК 152-80, |
Размер |
ТК 142-40, |
ТК152-80 |
ТК142-50, |
ТК 142-50, |
|
ТК 142-63 |
ТК152-100 |
|
|
ТК 142-63 |
ТК 152-100 |
D |
024,4 |
030 |
|
N |
12 |
12 |
Е |
22 |
27 |
|
т2 |
02,5 |
03,2 |
I |
19 |
46 |
|
Г, |
04,3 |
06,4 |
Л/, |
8,5 |
12,5 |
|
W |
М10 |
М12 |
Рис. 18.3. Продолжение:
ж —ТК152-80; 3-ТК152-100
80
SO
00
го
о
-Рис. 18.4. Зависимости статического коэффициента передачи тока /г21 £ от тока коллектора 1( при /’. ---25 С, / - 5 В:
а —ТК335-16 (/), ТК335-20 (2), ТК335-25 (3), ТК335-32 (4) и ТК335-40 (J); б - ТК435-10 (/), ТК435-16 (2), ТК435-20 (3), ТК435-25 (4) и ТК435-32 (3)
Рис. 18.5. Зависимости статического коэффициента передачи тока /г21£ от температу
|
ры корпуса |
Тс иа постоянном токе: |
а —ТК135-16 |
(/), ТК135-25 (2), |
ТК235-32 (3), ТК235-40 и ТК142-40 (4); |
б — ТК235-50 |
и ТК142-50 (/), |
ТК235-63 |
и ТК142-63 (2), ТК1'52-80 (3), |
|
ТК 152-100 |
(4) |
Р и с . 1 8 .6 . З а в и с и м о с т и о б р а т н о г о т о к а
к о л л е к т о р - э м и т т е р |
I C E ® о т т е м п е |
р а т у р ы к о р п у с а Т с п р и / д = 0 : |
а - Т К 135-16 (/), |
Т К 135-25 (2), |
ТК235-32 (3), ТК235-40 и ТК142-40 (4), б —ТК235-50 и ТК142-50 (/), ТК235-63 и ТК142-63 (2), ТК152-80 (3), ТК 152-100 (4)
Р и с . 1 8 .7 . З а в и с и м о с т и р а с с е и в а е м о й м о щ н о с т и Р с м о т т е м п е р а т у р ы к о р п у с а Т с :
а — ТК135-16, ТК135-25, б - ТК235-32, ТК235-40, ТК142-40; в - ТК235-50, ТК142-50; г - ТК235-63, ТК142-63; 6-ТК 152-80, ТК152-100
is,M
2 ,5
2,0
1,0
0 ,5
0 |
2 |
4 |
6 1 С ,А |
0 2 |
4 6 8 1 0 1 С,А |
0 |
4- |
8 |
1 2 1 С ,А |
Р и с . 1 8 .8 . З а в и с и м о с т и |
в р е м е н и р а с с а с ы в а н и я |
is о т т о к а к о л л е к т о р а 1С п р и |
|
|
|
Tj = 2 5 ° С , |
UCE < и СЕй, IC/IB = 5 : |
|
|
|
|
|
|
«-ТК 135-16, |
6-Т К 135-25, |
в - |
ТК235-32 |
|
|
Рис. 18.8. Продолжение: г - ТК235-40, ТК142-40,
д —ТК235-50, ТК142-50,
е - ТК235-63, ТК142-63,
ж —ТК152-80; з -ТК152-100
20 30 W 1 С,А
О * |
S |
1Z |
1S |
1 С,А |
|
г __ Ш ____ |
г_ |
|
|
О |
О- 8 |
72 |
IS |
I q ,A |
Рис. 18.9. Зависимости |
времени |
рассасывания |
ts |
от |
тока |
коллектора |
/ ( |
при |
а - ТК335-16 |
|
Tj = 25 °С, |
UCE = ЮО |
В, |
1С/1В = 5: |
(4), ТК335-40 |
|
(/), ТК335-20 (2), |
ТК335-25 |
(3), |
ТК335-32 |
(J); |
б —ТК435-10 |
(/), |
ТК435-16 |
(2), |
ТК435-20 |
(3), |
ТК435-25 |
(4), |
ТК435-32 |
(J) |
Рис. 18.10. Зависимости времени нарастания |
tr |
от |
тока коллектора /( при |
Tj = 25°С, Uс е |
< Uc m , |
к ' ! ! В |
= 5: |
д —ТК 135-16, б —ТК 135-25; в - |
ТК235-32, |
г - |
ТК235-40, ТК142-40 |
Рис. 18.10. Продолжение:
д —ТК235-50, ТК142-50, е - ТК235-63, ТК142-63, я с ^ ТК152-80, 3-ТК152-100
Рис. 18.11. Зависимости времеии спада tf от тока коллектора IQ при Tj = 25 °С,
и С Е < V C E0, ^ с Д в = 5 : |
ТК235-40, |
ТК142-40; д - |
Я -ТК135-16, б —ТК 135-25^ «-Т К 235-32, |
г - |
ТК235-50, TKI42-50, е - ТК235-63, ТК142-63, |
ж |
- ТК 152-80, |
3 - T K I 52-100 |
Рис. 18.12. |
Зависимости времени |
нарастания t r от тока |
коннектора 1 с при |
|
|
Т, = 25°С, |
UCE = 100 В, 1СЦВ = 5: |
|
а —TK335-I6 |
(/), |
ТК335-20 (2), |
ТК335-25 (3), |
ТК335 32 |
(4) и ТК335-40 (5), |
б —ТК435-10 |
(/), ТК435-16 (2), ТК435-20 (3), |
ТК435-25 |
(4) ТК435-32 (3) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 18.13. |
Зависимости времени |
спада |
tf |
от тока |
коллектора 1( |
при |
|
Tj = 25°С, |
С/с£ = 100 |
В, |
1С 11В = 5: |
|
|
|
а —ТК335-16 |
(/), ТК335-20 (2), |
ТК335-25 |
(3), |
Т К 3 3 5 |
32 |
(4), |
ТК335-40 |
(3), |
б —ТК435-Ю (/), ТК435 16 (2), |
ТК435-20 |
(3), |
ТК435-25 |
(4), |
ТК435-32 (3) |
|
Рис. 18.14. Типовые зависимости обратного тока коллектор—эмиттер ICEО от температуры окружающей среды Та при RB < 3,4 Ом:
а - ТК135-16, ТК 135-25, ТК235-32 б - ТК235-40, ТК235-50, ТК235-63, Т К 142-40, ТК142-50, ТК 142-63
