
книги / Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений
..pdfского потенцала (энергии Гиббса), т. е. будет энергетически вы годным. Если радиус зародыша новой фазы меньше критического, то такой зародыш будет не расти, а растворяться в окружающей матрице. Критический размер зародыша может быть найден из условия
= 8яагкр - 4яг^Д О у = 0 .
Рис. 99. Зависимость свобод- |
Рис. 100. Зависимость критического |
ной энергии от размера за- |
радиуса зародыша от степени пере- |
родыша |
охлаждения |
Откуда
2Q 2QTQ
Гкр~ AGV = АНАТ*
Подставляя это значение в формулу (22), определяем энергию образования зародыша:
г |
4 |
||
20 ^ |
а — — |
||
, AGV ) |
|
3 ч |
|
|
|
||
ДОКр |
|
16 |
|
~~ |
3 ДG y |
||
|
|||
или |
|
|
|
ДОкр = 4яг^рЧ - ~ nr% AGv |
|
= 4я^ро _ -L п г2крЯ = - j o S . |
Таким образом, энергия образования зародыша равна */з его по верхностной энергии:
AGKP— 4#s.
Скорость зарождения центров кристаллизации характеризуется числом зародышей, образующихся в единице объема за единицу времени при постоянной температуре.
351
Количественное экспериментальное исследование процесса образования зародышей весьма сложно. Это связано, во-первых, с малыми размерами зародышей, не позволяющими пока прямого наблюдения за процессом зародышеобразования. Во-вторых, труд ность исследования связана с загрязнениями кристаллизующейся фазы. На поверхностях посторонних частиц (стенки сосуда, пылин ки, включение микрочастиц и т. п.) образование зародышей может идти гораздо легче, чем в однородной фазе.
Для определения скорости образования зародышей Г. Тамманом предложена специальная методика — метод проявления. По этому методу исходный расплав или стекло выдерживают опреде ленное время в состоянии пере охлаждения, т. е. экспонируют при температуре, для которой хо тят знать скорость образования зародышей. Затем образец быст ро нагревают до температуры проявления, при которой (как ус танавливается экспериментально заранее) новые зародыши не об разуются, а возникающие в пери од экспозиции зародыши выраста ют до видимых размеров. Число полученных таким образом кри сталлов, деленное на время экс позиции и объем сосуда, дает ско
рость образования зародышей в единице объема.
Скорость образования зародышей зависит как от переохлажде ния, так и от абсолютной величины температуры. При снижении температуры скорость образования центров кристаллизации снача ла растет, так как переохлаждение увеличивается и работа обра зования зародышей AG уменьшается, а затем падает вместе с уменьшением подвижности частиц в жидкой фазе пропорционально
—Е/кТ (рис. 101). При малой подвижности образования зароды шей не происходит, несмотря на большое переохлаждение, и веще ство застывает в виде стекла.
Скорость гомогенного зародышеобразования, пропорциональная вероятности появления устойчивого зародыша, выводится с помо щью методов статистической механики. При этом исходят из того, что скорость образования зародышей определяется числом зароды шей критического размера, возникающих в единице объема, и ско ростью, с которой атомы или молекулы присоединяются к этому зародышу. С учетом этих двух факторов общее уравнение для ско рости гомогенного зародышеобразования в конденсированных сис темах таково:
/ = А ехр [ - ( A Q m a x + Q)!
k Т
352
где I — скорость гомогенного зародышеобразования; AGmах — мак
симальная свободная энергия активации |
процесса образования |
устойчивых зародышей; Q — свободная энергия активации процес |
|
са диффузии атомов, ионов или молекул |
через фазовую границу |
раздела зародыш — расплав. |
|
Гетерогенное зародышеобразование. Этот вид зародышеобразо вания имеет место, если в переохлажденном расплаве присутствуют частицы другой фазы или какая-либо поверхность раздела, вклю чая, например, стенки сосуда.
Для гетерогенного зародышеобразования необходимо, чтобы поверхность, которая ускоряет образование центров новой фазы, смачивалась расплавом. При этом поверхность раздела между об разующимися зародышами и материнской фазой меньше, а следо вательно, меньше и работа образования зародышей. М. Фольмер показал, что при образовании зародышей новой фазы на плоской поверхности свободная энергия образования зародышей критиче ского размера, имеющих форму сферического сектора, определяет ся следующей зависимостью:
16яаЗ |
(2 + c o s 0) (1 — c o s 6)2 |
A G k p = = 3 ( A G K ) 2 |
4 |
где в — угол смачивания.
Эта зависимость отличается от выражения для работы гомо генного зародышеобразования наличием множителя со скобками. Наличие этого множителя приводит к тому, что энергетический барьер образования зародышей на контактной поверхности оказы вается меньше, чем при гомогенном образовании зародышей. Если угол смачивания будет равен, например 60°, энергетический барьер составит лишь около 7в энергии гомогенного зародышеобразова ния; если контактный угол равен нулю, системе вообще не прихо дится преодолевать какой-либо энергетический барьер.
Следовательно, введение примесей облегчает зародышеобразование и ускоряет ход кристаллизации в целом, что находит широкое использование в практике. Затравка оказывается эффек тивной тогда, когда имеется определенное соответствие между ее структурой и структурой выделяющихся кристаллов.
Экспериментально показано, что в качестве затравки могут быть использованы частицы: 1) кристаллизующегося вещества; 2) вещества, изоморфного с кристаллизующимся; 3) способные об разовывать с кристаллизующимся веществом эпитаксиальные сро стки; 4) веществ, которые на своей поверхности адсорбируют моле кулы кристаллизующегося вещества.
3.1.2. Рост кристаллов
Линейная скорость кристаллизации представляет собой скорость, с которой перемещается граница между расплавом и закристаллизовавшимся веществом в направлении, перпендикулярном границе.
353
Для определения линейной скорости кристаллизации ис ходное вещество расплавляют и затем снижают температуру, устанавливая заданное переох лаждение расплава. В расплав вводят мелкие затравочные кристаллы и измеряют ско рость перемещения границы между расплавом и кристалли зующимся веществом.
Зависимость линейной ско рости роста кристаллов от сте пени переохлаждения распла
ва по Г. Тамману приведена на рис. 102. При температуре плавле ния скорость роста кристаллов равна нулю. При увеличении пе реохлаждения она увеличивается, достигает максимума и затем вновь падает до нуля, когда диффузия н;астолько замедляется из-за возросшей вязкости расплава, что прекращается поступление час тиц кристаллизующегося вещества к фронту кристаллизации.
Количественная зависимость скорости роста кристаллов от па раметров процесса кристаллизации описывается следующим урав нением:
U = \ ^ - L |
АЯк ( 7 р - П exp |
|
|
7J2 |
T0RT |
|
|
где X— диаметр частиц |
вещества, |
переходящего |
из расплава в |
кристалл; L — число молекул, внедряющихся в кристалл. |
|||
Как видно из этой зависимости, |
наибольшее |
воздействие на |
скорость роста оказывает величина переохлаждения. С увеличени ем величины переохлаждения (АТ=Т0 —Т) скорость увеличивает ся, однако лишь до некоторого определенного момента. Поскольку коэффициент диффузии экспоненциально уменьшается с возраста нием величины 1 /Г, где Т — температура раздела фаз, влияние этого параметра с некоторого момента становится преобладающим и на кривой зависимости скорости роста от степени переохлажде ния возникает максимум.
Трудность экспериментальной и теоретической оценки некото рых параметров, входящих в уравнение (D, X, L), приводит к тому, что для описания скорости процесса кристаллизации используют уравнение
ттЧ П -т )
и - чт »
где k — постоянная; щ — вязкость.
Такой подход оправдан, поскольку согласно уравнению Эйн штейна Dr\ = const. Экспериментально полученные величины и ре зультаты расчета U по данному уравнению хорошо согласуются друг с другом.
354
3.1.3. Практическое значение кристаллизации расплавов и стекол
Кристаллизация расплавов — основной процесс в технологии каменного литья, плавленых огнеупорных материалов, абразивов и цементов. Этот процесс полностью определяет технологию изго товления монокристаллов тугоплавких веществ, таких, как корунд во всех его разновидностях (сапфир, рубин) или впервые разра ботанных в СССР монокристаллов на основе диоксида циркония, получивших название фианитов. При изготовлении большинства многофазных керамических материалов, цементного клинкера, об разовании шлаков в металлургических печах также реализуется кристаллизация из расплава.
Расстекловывание или кристаллизация стекол также имеет весьма важное значение при производстве большого числа неорга нических материалов, в первую очередь это относится к стекло делию.
Если при получении стекла кристаллизация — процесс нежела тельный, то для технологии стеклокристаллических материалов, эмалей и глазурей, фоточувствительных и коллоидно-окрашенных стекол процесс кристаллизации совершенно необходим. Во всех этих технологиях имеют дело с управляемой кристаллизацией.
Управляемая (направленная) кристаллизация реализуется в технологии ситаллов (стеклокристаллических материалов), т. е. материалов, полученных путем контролируемой кристаллизации стекла. Производство таких материалов включает прежде всего приготовление стекла, которому в расплавленном или пластичном состоянии придается форма изделия. На последующих стадиях изделие подвергается регулируемой термообработке, при которой стекло кристаллизуется, образуя поликристаллический материал. Следует отметить, что такой путь получения керамических мате риалов имеет некоторые существенные преимущества по сравнению с обычным ходом процессов керамического производства. К их чис лу относятся:
1) простота достижения однородности материала по химическо му составу, поскольку расплавленное стекло легко перевести в гомогенное состояние;
2) возможность использования для формования изделий спо собов, используемых в стеклоделии, например вытягивания, выду вания, прессования, при этом изделиям может быть придана кон фигурация и точные размеры, изделия могут быть полыми с тонким сечением;
3) возможность полностью исключить пористость материала;
4)возможность использования для спаивания разнородных ма териалов и превращения этого сочленения в стеклокристалличес кое состояние путем последующей термообработки;
5)возможность широкой вариации фазового состава стекло кристаллических материалов и соответственно их свойств за счет
355
направленного изменения исходного состава стекла и режимов его термообработки.
Указанные особенности обусловили многочисленные исследова ния по проблеме стеклокристаллических материалов.
В основе получения стеклокристаллических материалов лежит принудительная кристаллизация стекла, которую организуют таким образом, чтобы зародышеобразование происходило внутри стекла, а конечный продукт имел мелкозернистую структуру. Это достига ется в основном преднамеренным введением в состав стекла ката лизаторов зародышеобразования и отработкой режима тепловой обработки изделий.
С. Стуки — создатель первых стеклокристаллических материа лов считает, что катализаторы должны обладать следующими свой ствами:
1) хорошей растворимостью в стекле при температуре варки, резко убывающей при понижении температуры, что необходимо для создания пересыщения и эффективного гомогенного зародышеобра зования самого катализатора;
2)низкой свободной энергией активации зародышеобразования из расплава при низких температурах, что должно обеспечить вы сокую скорость гомогенного зародышеобразования катализатора кристаллизации;
3)ионы и атомы катализатора должны диффундировать в стек ле при низких температурах быстрее, чем компоненты матрицы, так чтобы субмикрозародыши катализатора (предзародышевые группы по А. И. Августинику) легко вырастали до критических размеров.
Существуют и другие факторы, от которых зависит способность
катализатора содействовать кристаллизации основных фаз из стек ла. Во-первых, межповерхностная энергия между частицами ката лизатора и кристаллизующейся фазой должна быть минимальной. Во-вторых, должно быть близкое сходство катализатора по крис таллической структуре и параметрам решетки с выделяющейся фазой. Этим требованиям удовлетворяют вещества различной при роды. Наиболее часто используются:
1) тонкодиспергированные металлы: Ag, Au, Си, Pt;
2 ) : Ti02, Cr20 3, V20 5, Zr02;
3)сульфиды тяжелых металлов (железа, марганца, цинка);
4)фториды щелочных металлов.
Количество вводимых в стекло катализаторов колеблется от со тых долей процента при использовании металлических катализато ров и до нескольких процентов, если используют сульфиды, фтори ды или оксиды.
Механизм действия катализаторов различной природы неоди наков.
При использовании металлов они, по-видимому, сначала выпа дают в виде диспергированных мельчайших кристаллов, служащих
356
центрами гетерогенного образования зародышей других кристал лических фаз — продуктов кристаллизации стекла.
Некоторые оксидные катализаторы зародышеобразования дей ствуют подобно металлам, выпадая в виде мельчайших кристаллов, которые являются центрами зародышеобразования основной крис таллической фазы. Однако чаще всего оксидные катализаторы сначала способствуют разделению стекла на две несмешивающиеся фазы, одна из которых переходит в тонкодисперсную форму, при чем подобное ликвационное разделение фаз может происходить либо при охлаждении из расплав ленного состояния, либо уже при повторном нагревании стекла.
Эмульгированная фаза неустой чива и, видимо, гомогенно кри сталлизуется при повторном на гревании стекла.
Хотя образование зародышей кристаллизации является одним из определяющих факторов при ситаллизации стекол, процессы ро ста кристаллов также очень важ ны. Поэтому режим термообра ботки отрабатывается для каждо
го стекла отдельно. На рис. 103 изображен режим идеализирован ной термообработки стеклокерамики по П. Макмиллану.
Первая стадия предусматривает нагревание стекла от комнат ной температуры до температуры t\, при которой образуются заро дыши. Скорость нагревания на этой стадии не играет большой роли и ограничения на эту скорость связаны прежде всего с недо пустимостью высоких термических напряжений, способных вызвать растрескивание изделий.
Оптимальная температура зародышеобразования лежит в интер вале температур, где вязкость изменяется от 10й до 1012 дПа-с и определяется экспериментально.
На последующей стадии стекло нагревают с достаточно малой регулируемой скоростью так, чтобы рост кристаллов не сопровож дался деформированием изделий. Верхний предел температуры t2 кристаллизации должен быть таким, чтобы достигнуть кристалли зации с максимальной скоростью, но без деформации материала.
Весь процесс термообработки должен быть организован таким образом, чтобы образовались нужные кристаллы и в нужном коли честве. Готовый продукт состоит примерно на 85% из кристалличе ской фазы, остаточная стеклофаза по содержанию не превышает 15%.
Следует отметить, что стеклокерамика по некоторым техниче ским характеристикам превосходит как стекло, так и керамику сходного состава, что делает ее весьма перспективным материалом для удовлетворения запросов техники. Стеклокристаллические ма
357
териалы с особыми свойствами созданы на основе алюмосиликатных систем: U 2O—А120з— Si02; MgO—А120 3— Si02. Особенность этих материалов — их исключительно высокая термостойкость, обусловленная очень малым коэффициентом термического расши рения (от 7-10~7 до 3*10“ 7) некоторых алюмосиликатов лития и магния — главных фазовых составляющих данных материалов.
Особенно ценны в практическом отношении шлакоситаллы, в разработку составов и технологии которых выдающийся вклад внесли советские ученые: И. И. Китайгородский, Н. М. Павлуш кин, П. Д. Саркисов, К- Т. Бондарев и др. Сочетание ценных техни ческих свойств и сравнительной дешевизны приводит ко все воз растающему использованию таких материалов в быту и технике.
Сходные методы используют и при получении других стекло видных материалов. Так, например, изготовление коллоидно-окра шенных стекол основано на контролируемом образовании центров кристаллизации и росте частиц золота или других нуклеаторов в массе стекла. Процесс производства таких стекол состоит в плав лении шихты с образованием прозрачного стекла с небольшим содержанием соединений серебра или золота. Поскольку в шихте обязательно присутствуют компоненты, являющиеся восстановите лями, в процессе варки имеет место выделение тонкодиспергированных продуктов восстановления, которые при быстром охлаждении становятся центрами зародышеобразования. При повторном нагре вании в определенном температурном интервале присутствующие
внем центры кристаллизации вырастают до коллоидных размеров. Хорошо окрашенные стекла могут быть получены, если в стекле образуется большое число центров кристаллизации и создаются условия, исключающие чрезмерный рост частиц.
При замене в шихте, рассчитанной на получение коллоидноокрашенных стекол, компонентов-восстановителей на оптические сенсибилизаторы создаются возможности для получения фоточувствительных стекол. После варки и охлаждения до комнатной тем пературы такие стекла бесцветны и прозрачны. После ультрафио летового или другого облучения и последующей тепловой обработ ки в стекле образуется окрашенное изображение. Наиболее часто
вкачестве сенсибилизатора используют оксид церия. При ультра фиолетовом облучении светочувствительных стекол в них протека ют фотохимические реакции типа
С еЗ + 4- А и + + hv = С е * + АиО -{- <о
где hv — квант света; (о— энергия, выделяющаяся при реакции в виде теплоты.
Склонность стекол к кристаллизации находит применение так же в технологии эмалей. Такие свойства, как хорошая белизна, высокая отражательная способность эмалей, достигаются также путем подбора надлежащего состава стекла и его последующей термообработки. Отличие состоит лишь в том, что при получении эмалей их глушение обеспечивается за счет процессов гомогенно
358
го образования зародышей кристаллизации и контролируемого роста кристаллов вторичной фазы, которая обеспечивает высокую степень светорассеяния стеклообразной массы эмалевого покрытия.
В керамической технологии большое значение имеет глазурова ние изделий. Глазурь придает влагонепроницаемость изделию, улучшает его внешний вид и повышает прочность. Непрозрачную глазурь получают введением в состав стекла нерастворимых или плохо растворимых соединений либо за счет развития в глазури при соответствующем температурном режиме тонкодисперсной кристаллической фазы. Примером второго способа может служить введение в состав глазури фторида кальция CaF2, который, нахо дясь в растворенном состоянии при температуре 700 или 800 °С, быстро выделяется в чрезвычайно тонкодисперсном состоянии.
В качестве глушителя глазури хорошо зарекомендовали себя некоторые оксиды, в частности ТЮ2, Zr02, Sn02 и др. Все эти окси ды обладают довольно высокой растворимостью в стекле (до 20%) и высоким показателем преломления. При кристаллизации этих оксидов выделяются фазы, значительно отличающиеся по показа телю светопреломления (л=1,5 ... 1,6) от показателя преломления оксидных фаз(ягго»=2,4; ftsioa = 2,04; Л тю ,=2,5... 2,9). Большая разница в показателях преломления матричной стекловидной и тон кодисперсной кристаллической фаз вызывает эффективное глуше ние глазури.
Во всех рассмотренных примерах (коллоидное окрашивание стекла, получение светочувствительных стекол, глушение эмалей и глазури) физико-химическая суть протекающих процессов сводит ся к контролируемому образованию центров кристаллизации и рос ту кристаллов.
3.2. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ИЗ РАСТВОРОВ
3.2.1. Зародышеобразование
Общим условием, необходимым для выделения кристаллов из раствора, является наличие пересыщения.
Применительно к растворам под пересыщением П понимается избыточная (сверх его растворимости) концентрация содержащего ся в растворе вещества, т. е. П= с— со, где с0 — растворимость, а с — концентрация содержащегося в растворе вещества.
При изучении показателей светопреломления пересыщенных растворов было установлено, что при некоторой критической степе ни пересыщения резко меняются оптические свойства данного ра створа. Причина такого поведения — появление в растворе зароды шей твердых фаз, возникающих спонтанно при определенной кон центрации и температуре раствора. Соединяя на графике зависимости концентрации от температуры все точки, соответствую щие резкому изменению светопреломления, получим кривую, назы
359
ваемую к р и в о й |
п е р е с ы щ е н и я , |
которая |
характеризует усло |
вия спонтанного зародышеобразования. |
|
||
Представляя |
графически в системе координат концентрация |
||
(с) — температура Т одновременно |
кривую |
насыщения и кривую |
пересыщения, В, Оствальд выделяет на графике с—Т три области
(рис. 104). Ниже кривой насыщения |
расположена о б л а с т ь |
с т а |
б и л ь н о г о с о с т о я н и я р а с т в |
о р а . При введении в |
такой |
раствор твердого вещества, идентичного ранее растворенному, оно
|
|
|
|
растворяется и равновесие восстанавливает |
||||||
|
|
|
|
ся, в чем и проявляется стабильность суще |
||||||
|
|
|
|
ствования раствора. Область, которая рас |
||||||
|
|
|
|
положена между кривой насыщения и кри |
||||||
|
|
|
|
вой |
пересыщения, |
называют |
м е т а с т а |
|||
|
|
|
|
б и л ь н о й , Спонтанное выделение твердой |
||||||
|
|
|
|
фазы |
из метастабильного |
раствора |
невоз |
|||
|
|
|
|
можно, но она выделяется при введении со |
||||||
|
|
|
|
ответствующих затравок, в чем и проявляет |
||||||
|
|
|
|
ся метастабильность |
состояния |
раствора. |
||||
|
|
|
|
Все точки, расположенные выше кривой |
||||||
Рис. |
104. Кривые пере |
пересыщения на диаграмме с— Т, соответст |
||||||||
сыщения 1 и |
насыщения |
вуют состоянию |
пересыщенного |
раствора. |
||||||
2 раствора в |
координа |
Кривую пересыщения, отделяющую метаста- |
||||||||
тах |
концентрация |
с — |
бильную область |
раствора от стабильной, |
||||||
|
температура Т: |
|
||||||||
Л — лабильная область; |
Б — |
называют также |
кривой |
м е т а с т а б и л ь - |
||||||
метастабильиая |
область; |
ной |
р а с т в о р и м о с т и . |
Переход |
от ста |
|||||
В — стабильная область |
бильной области в метастабильную |
можно |
||||||||
|
|
|
|
осуществить за счет испарения или охлаж дения раствора, а также введения в раствор достаточно большого количества того же вещества.
Пересыщение раствора неустойчиво. При увеличении пересыще ния раствора сверх некоторого предела наступает самопроизволь ная кристаллизация. Это происходит потому, что с увеличением пересыщения резко возрастает степень ассоциации частичек раство ренного вещества и образуются квазикристаллы определенных раз меров. Такие квазикристаллы, хотя и могут достигать размеров коллоидных частиц, существуют кратковременно, распадаясь под воздействием тепловых движений в одних местах и одновременно возникая в других точках раствора. Когда степень пересыщения раствора достигает больших значений, находящиеся в нем квази кристаллы, выросшие до некоторого предельного размера, начина ют выполнять функции зародышей кристаллизации.
Связь между размером зародыша г и требуемой степенью пере сыщения с/с0 д л я возможного его равновесного существования дает
формула Томсона: |
ор. |
|
In С |
(23) |
|
*0 |
РrR T |
’ |
где о — удельная поверхностная энергия на границе раздела фаз;
360