Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги / Технологическое проектирование микросхем СВЧ

..pdf
Скачиваний:
10
Добавлен:
12.11.2023
Размер:
15.12 Mб
Скачать

Герметичность корпуса, оцениваемая но величине натека­ ния, непостоянна. По мере эксплуатации МЭИ СВЧ происхо­ дит ухудшение герметичных свойств, в результате натекание воздуха увеличивается. Так, при испытаниях корпусов, со­ держащих металлостеклянные спаи, величина натекания уве­ личилась с 7,5 • 10-12 до 1 10-11 м3 • Па/с для каждого^цая (объем корпуса 25 х 50, 8 X 12 мм; условия испытаний: 10 тем­ пературных циклов от - 65 до +125 °С; удары с ускорением 5000 д).

В некоторых случаях толстопленочные резисторы нахо­ дятся в газовых средах. Особенно чувствительны серебряно­ палладиевые резисторы к водороду. Причинами его появле­ ния в герметизированных МЭИ СВЧ являются “загрязнение” газообразного азота, которым заполняют хорпуса МЭИ СВЧ; а также накопление водорода в замкнутых объемах за счет выделения его из органических веществ, используемых для монтажа ЭРК или защиты пленочных элементов (например, клей ВК9-1 и УР-231, эмаль АС-95, шпатлевка ЭП-00-10 и др.). При взаимодействии серебряно-палладиевых резисто­ ров с газовой смесью, содержащей водород, происходит умень­ шение электросопротивления резисторов, при этом скорость уменьшения сопротивления зависит от концентрации водоро­ да. Так, в атмосфере чистого водорода уменьшение электро­ сопротивления на 20 % произошло за 12 мин; при уменьшении концентрации водорода скорость уменьшения электросопроти­ вления серебряно-палладиевых резисторов и величины этих изменений снижаются.

Зависимость скорости изменения электросопротивлений серебряно-палладиевых резисторов от концентрации водоро­ да приведена на рис. 9.18. Следует отметить характер скоро­ сти изменения электросопротивления: скорость первоначаль­ но увеличивается, а затем начинает уменьшаться. Такой ха­ рактер изменения скорости позволяет сделать предположение о том, что процесс изменения электросопротивления связан с

Рис. 9.18. Зависимость скорости изменения электросопротивления серебряно-палладие­ вых резисторов VR о т времени г взаимодей­

ствия с водородом при его содержании: 100 (1), 20 (2), 100 (3) и 1 Ц) %

диффузией водорода в структуру серебро-палладий и обрат­ ной диффузией восстановленных атомов токопроводящей фазы к поверхности проводника.

Помимо газовых “загрязнений” , попадающих внутрь гер­ метичного корпуса, возможно также выделение нежелатель­ ных газовых веществ из материалов, находящихся внутри кор­ пуса МЭИ СВЧ. Их наличие ускоряет протекание коррозион­ ных процессов.

При изготовлении МЭИ СВЧ находят применение поли­ мерные электроизоляционные материалы на основе эпоксид­ ных смол. Они используются для закрепления ЭРК на плате, плат к корпусу; местной “герметизации” ЭРК и др. Эти же материалы используют для защиты резистивных элементов. Ж идкие компаунды, используемые для этого, представляют собой многокомпонентные системы, состоящие из смолы, отвердителя, катализатора, наполнителя, красителя и других добавок. Каждый из компонентов играет определенную роль в формировании эксплуатационных свойств композиций и од­ новременно может влиять на электрофизические параметры резистивной пленки.

К защитным материалам, используемым в производстве МЭИ СВЧ, относятся: жидкий герметик на основе эпоксидной смолы ЭД-20; компаунд Ф-47 на основе фенолформальдегид­ ной смолы; эмаль АС-95 и др.

Наиболее опасными веществами, присутствующими в по­ лимерных материалах, являются ионы щелочных металлов, хлора, фтора, а такж е активные вещества, содержащие ами­ ногруппы, оксид углерода и др. Наибольшее коррозионное действие на проводниковую структуру хром - медь - серебро оказывают эпоксидные компаунды, такие, как ЭК-23, ЭКХО, ЭК-91, содержащие в своем составе алифатические амины, применяемые в качестве отвердителей. Наименьшее коррози­ онное действие оказывают компаунды с ангидридными и по­ лиамидными отвердителями.

Изменения сопротивлений резисторов после 1000-часово­ го хранения в нормальных условиях для тонкопленочных ре­ зисторов из сплава РС-3710 при защите его составом ЭД-20 составили 0 ,0 6 ... 0,1 %.

Заключение

Микроэлектронные изделия СВЧ-диапазона - неотъем­ лемая часть большинства радиоэлектронных средств (РЭС). Их использование с другими микроэлектронными изделиями позволило улучшить технико-экономические характеристики РЭС. Накоплен большой опыт в области разработки и экс­ плуатации МЭИ СВЧ, создана база для их промышленного производства.

Повышение эффективности производства МЭИ СВЧ не­ разрывно связано с совершенствованием их конструкции и технологии изготовления, основу которой составляют прин­ ципы технологического проектирования.

Технологическое проектирование рассмотрено авторами как система организационно-технических мероприятий, кото­ рую условно можно представить в виде замкнутой цепочки, состоящей из отдельных звеньев, расположенных по окружно­ сти (см. рис. 8.1).

Основными элементами этой цепочки являются: техноло­ гическая документация - материалы - оборудование - произ­ водственные рабочие - производственная среда - технологиче­ ские процессы и маршруты.

В центре замкнутой окружности находится предмет раз­ работки и производства - МЭИ СВЧ, - конструктивно-тех­ нологические особенности которого определяют содержание и характеристики основных звеньев.

Руководство по формированию отдельных звеньев и це­ почки в целом осуществляют инженеры-технологи. Им при­ надлежит главенствующая и объединяющая роль - в связи с

чем они поставлены в вершину условного конуса, которая свя­ зана со всеми звеньями системы.

Подробное рассмотрение отдельных элементов системы составило одно из направлений изложения материала книги.

Книга поможет студентам при изучении соответствую­ щих дисциплин, связанных с конструированием и технологи­ ей изготовления МЭИ СВЧ, а практическое использование ее облегчит и ускорит проведение работ по их разработке и внед­ рению в производство.

336

П Р И Л О Ж Е Н И Е

I. Составы растворов для травления некоторых материалов

Материал

 

 

Состав раствора

Параметры

травления

пленки

 

 

 

температу­

скорость,

 

 

 

 

ра, вС

мхм/мин

Медь

Н2 О2 (15 мл) : НС1 (15 мл) : Н2 О (70 мл)

2 0 - 2 5

2

- 3

Алюминий

Н3 РО4

(0 , 1

л) Н20 (0,1 л);

2 0 - 3 0

0,2-0,3

Тантал

Н3 РО4

(50 мл) : HN03 ( 2 0 мл) : СН3СООН (25 мл)

4 0 - 6 0

0,2-0,3

HF ( 1 0

мл) : HNO3 (70 мл)

2 0 - 2 5

0,02

- 0,04

Титан

Н2 О (1

мл)

HNO3 (3 мл) : HF ( 6 мл)

2 0 - 2 5

0,03

- 0,04

Хром

НС1 (в присутствии катализатора-алюминия)

6 0 - 8 0

0,06

- 0,08

Никель

R3 [Fe(CN)6] (330 г/л) : NaOH (500 г/л) : Н20

4 0 - 5 0

0,03 - ОД

Н3 РО4

(17 мл) H N 03 (17 мл) : СНзСООН (66 мл) Н20 (50 мл)

5 0 - 6 0

0,04 - 0,05

Резистивный

HNO3 (50 мл) : HF (50 мл) : Н20 (50 мл)

2 0 - 2 5

0,2 - 0,5

сплав PC - 3710

 

 

 

 

 

 

Двуоксид кремния

HF (9 мл) : NH4 F (30 г) : Н20 (60 мл)

2 0 - 2 5

0,04 - 0,06

Нитрид кремния

Н 3 Р О 4

 

 

160 - 180

0,005 - 0,007

Паста на основе

J2«p (18 г) : KJ (80 г) : вода дистиллированная (60 мл)

2 5 - 3 0

1 0 - 1 5

серебра (3713)

 

 

 

 

 

 

П р и м е ч а н и е . Плотность кислот 7 , г/см3: НС1 - 1,19; Н3РО 4 - 1,81; HNO 3 - 1,4; HF - 1,14.

II. Состав газов и характеристика систем травления некоторых материалов, применяемых в производстве ГИС и полупроводниковых ИС СВЧ

Материал

А1

Сг Au

Ti, Та

SiÛ2

Si Фоторезист

Рабочий газ

Аг

СС1<

СС14 + 02

Аг

CF3 C1

C F 4 + о 2

CHF3

Аг

CF4 + О2 SiCl4l СЬ, SiF4

0 2

Вид травления

Тип системы травления

Ионное

ВЧ диодная с ионным ис­

 

точником, магнетронная

Ионно-химическое

То же

 

Плазмохимическое

Цилиндрические реакторы

Ионное

С ионным источником

Плазмохимическое

Цилиндрический реактор

я

я

я

Ионно-химическое

Планарный реактор

 

Ионное

С ионным источником

Плазмохимнчесхое

Цилиндрический реактор

я

я

я

п

я

я

Характер травления

Анизотропное неселективное

Анизотропное селективное Изотропное высокоселективкое Анизотропное неселективное Изотропное высокоселективное

ля

Анизотропное селективное Анизотропное неселективное Изотропное высохоселективное Изотропное селективное

яя

337

III. Составы электролитов и растворов, применяемых для осаждения металлов и сплавов в производстве ГИС СВЧ

Осаж­

Состав электролита или раствора

Параметры осаждения

даемый

 

темпе-

плот-

ско-

металл

 

ратура

ность

рость,

 

 

раство-

тока,

мкм/ч

 

 

ра, вС

А/дм2

 

Медь

Медь сернокислая - 80 ... 90 г/л,

50-60

0 , 5 - 0,8

7 -1 0

 

калий пирофосфорнокислый - 400 г/л,

 

 

 

калий азотнокислый - 10 г/л, аммиак водный (25 %) - 3 мг/л (pH 8 . . . 8,9)

Золото

Серебро

Н икель

Медь сернокислая - 200... 250 г/л,

15-25

0 , 7 - 1,0

10-14

кислота серная - 50 г/л (плотность

 

 

 

1,84 г/см3), блескообраэующая до­

 

 

 

бавка - 0,6 мл/л, вода дистилли­

 

 

 

рованная - до 1 л (pH 8 - 9 )

 

 

 

Днцианоаурат калия - 9 ... 10 г/л,

15-25

0,6 - 0,7

6 - 7

калий лимоннокислый одноэамещен-

 

 

 

ный - 60... 80 г/л, кобальт сернокис­

 

 

 

лый 1 г/л, вода дистиллированная -

 

 

 

до 1 л (pH 4,5 ... 4,7)

 

 

 

Серебро азотнокислое - 36... 43 г, ка­

15-25

0,1-0,3

2 - 6

лий железосинеродистый - 100... 150 г,

 

 

 

калий углекислый -

40... 50 г,

 

 

 

калий роданистый -

100... 180 г, вода

 

 

 

дистиллированная до - 1 л

 

 

 

Никель сернокислый - 200 г/л,

15-25

0 , 5 - 0,6

1 0 - 1 2

натрий хлористый -

10 г/л,

 

 

 

натрий фтористый - 6 г/л,

 

 

 

нафталин - 1,5 дисульфокислоты,

 

 

 

динатриевая соль -

4 г/л,

 

 

 

вода дистиллированная - до 1 л

 

(pH 5,8 .. .6,3)

 

 

О лово

Двухлористое олово - 5... 8 г/л,

15-25

0,4 - 0,5

(хими­

тиомочевина - 35... 45 г/л,

 

 

ческое)

кислота серная (плотность 1,84 г/см3) -

 

 

 

30... 40 г/л, вода дистилли­

 

 

 

рованная до - 1 л

 

 

Осаж­

даемый

металл

Сплав Sn-Bi

Состав электролита или раствора

Параметры осаждения

 

темпе­

плот­

ско­

 

ратура

ность

рость,

 

раство-

тока,

мкм/ч

 

ра,*С

А/дм2

 

Олово сернокислое - 30.. .40 г/л,

1525

0,25 - 1

1 0 - 1 2

кислота серная ( 7 = 1,84 г/см3) - 1 0 0 .. . 115 г/л; висмут азотно­ кислый - 0 , 3 . . . 0 , 8 г/л, натрий хлористый - 0 , 3 . . . 0 , 8 г/л, препа­ рат ОП-Ю, клей мездровый - 2 . . . 5 г/л; спирт этиловый рек­ тификованный - 50 мл/л, вода дистиллированная - до 1 л

IV. Состав и техническая характеристика основного технологического оборудования, используемого в производстве МЭИ СВЧ

Оборудо­

Тип

Назначение

Техническая

вание

 

 

характеристика

Д л я о с а ж д е н и я т о н к и х п л е н о к

Установка УВН-75Р-3 вакуумная

механизи­

рованная

Установка УВН-74ПЗ вакуумного напыления

Установка УВН-75П1 вакуумного напыления

Для

нанесения

Производительность -

в вакууме пленок

115 подложек* за цикл;

металлов и ди­ число напыляемых ма­

электриков

спо­

териалов: распыляе­

собами

ионно­

мых - 1 ; испаряемых -

плазменного

и

3

электронно-лу­

 

чевого

испаре­

 

ния

 

 

Производительность -

Для

нанесения

в вакууме про­ 40 подложек за цикл,

водящих слоев с

число напыляемых ма­

резистивным

териалов: резистивных

подслоем;

 

обес­

- 1 ; проводниковых - 1

печивает

 

дву­

 

стороннее

нане­

 

сение

покрытий

 

и металлизацию

 

отверстий

 

 

Производительность -

Для

ионного

распыления

и

90 подложек за цикл;

электронного ис­

число напыляемых ма­

парения

резис­

териалов - 5

тивных и прово­

 

дящих

материал

 

лов

 

 

 

 

Д л я ф о т о л и т о г р а ф и ч е с к о й о б р а б о т к и

Линия Ти- тан-ОФ, в составе ко­

торой:

Для

нанесения

Производительность -

полуавто­ ПНФ-60ЦД-130-3

мат нанесе­

слоя

фоторезис­

400 подложек в час; чи­

ния фоторе­

та методом цен­

сло одновременно обра­

зиста

трифугирования

батываемых подложек

 

 

 

- 4 шт.; работает в руч­

ном и автоматическом режимах

Здесь и далее размер подложек 60 х 48 мм.

Соседние файлы в папке книги