книги / Оптические методы контроля интегральных микросхем
..pdf
t l родолжёние Нралож. 1
Возможные причины |
Методы анализа |
Основное (вспомога |
тельное) оборудование |
Несвоевременное |
вы |
Вскрытие корпусов ИС |
Микроскоп, |
|
явление |
попавшего в |
и визуальный осмотр для |
масс-спектрометр |
|
корпус красителя |
вслед |
обнаружения дефектов |
(приспособление |
|
ствие малого или |
слиш |
корпусов ИС |
для вскрытия кор |
|
ком большого диаметра |
Идентификация ино |
пусов, самописец) |
||
отверстия, а также изме |
родных включений |
|
||
нение размеров |
отвер |
|
|
|
стия при различных дав |
|
|
||
лениях, |
температурах |
|
|
|
или других меняющихся |
|
|
||
условиях |
окружающей |
|
|
|
среды |
|
|
|
|
Появление |
|
трещин |
Определение |
дефекта |
||
при |
воздействии |
влаги, |
визуальным осмотром |
|||
загрязнения, |
содержа |
Уточнение |
природы |
|||
щие |
свободные |
ионы |
коррозии |
или |
трещин |
|
хлора |
|
|
применением маломощ |
|||
Появление трещин вы |
ного РЭМ |
|
||||
водов и их поломка из-за |
Дополнительный кон |
|||||
приложенных |
растяги |
троль с помощью обору |
||||
вающих напряжений |
дования, |
основанного на |
||||
Деградация вследствие |
методе |
рентгеновской |
||||
замены золотого |
покры |
флюоресценции или Оже* |
||||
тия никелем |
коррозии |
спектроскопии |
|
|||
Появление |
|
|
|
|||
из-за изгиба выводов по сле золочения [39—-41]
Оптический ми кроскоп с увеличе
нием 200—400х . Маломощный РЭМ
сувеличением
1000х (оборудова ние, использующее метод рентгенов ской флюоресцен ции и Оже-спек- трометрии)
Недостаточно |
большой |
Электрические |
испыта |
||
угол между проволочным |
ния |
и |
уста |
||
соединением |
и |
контакт |
Вскрытие ИС |
||
ной площадкой |
корпусе |
новление причины |
отка |
||
Наличие |
в |
за визуальным |
осмот |
||
проводящей частицы |
ром |
|
нали |
||
Притяжение частицы и |
Подтверждение |
|
|||
последующее |
|
короткое |
чия дефекта с помощью |
||
замыкание после подачи |
двухзондового пробника |
||||
электрического смещения |
и осциллографа |
|
|
||
на выводы |
в |
процессе |
Идентификация частиц |
||
испытаний на вибрацию |
микрозондовым анализом |
||||
Микроскоп, пробник, осциллог раф (оборудование для микрозондового анализа)
113
Продолжение прилож. 1
Возможные причины |
Методы анализа |
Основное (вспомога-' |
тельное) оборудование |
|
|
|
|
|
V. |
|
|
Кристалл |
или |
место |
Проверка |
прочности |
|||
его |
присоединения по |
на сдвигающие усилия |
|||||
крыты органическими за |
Наблюдение |
за |
сте |
||||
грязнениями, |
препятст |
пенью смачиваемости по |
|||||
вующими |
достаточной |
верхности |
|
орга |
|||
смачиваемости |
поверхно |
Идентификация |
|||||
сти |
|
|
кристалла |
нических загрязнений |
|||
Приварка |
|
|
|
|
|||
при комнатной |
атмосфе |
|
|
|
|||
ре, |
вызывающая |
окисле |
|
|
|
||
ние зоны эвтектики |
|
|
|
||||
Несоответствующий |
|
|
|
||||
температурный |
|
режим |
|
|
|
||
операции |
(температура |
|
|
|
|||
границы раздела |
была |
|
|
|
|||
меньше +400°С) |
[42] |
|
|
|
|||
Устройство для испытания на воз действие сдвиго вых усилий, микро скоп с вертикаль ной подсветкой (оборудование для снятия крышек корпусов)
Неправильная настрой |
Первичные |
|
испытания |
Оборудование |
|||||||||||
ка |
рабочего |
режима |
на |
прочность |
проволоч |
для термоциклиро |
|||||||||
ультразвукового генера |
ных соединений к воздей |
вания,. прибор для |
|||||||||||||
тора, |
|
вызывающая |
де |
ствию растягивающей си |
испытания |
прово |
|||||||||
формационное |
упрочне |
лы |
и визуальный |
кон |
лочных соединений |
||||||||||
ние |
(наклеп) |
концевого |
троль |
для |
определения |
на растяжение, оп |
|||||||||
участка проволоки [37] |
распределения |
прочности |
тический |
микро |
|||||||||||
|
|
|
|
|
|
проволочных |
|
соединений |
скоп, РЭМ |
|
|||||
|
|
|
|
|
|
до термоциклирования |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
Термоциклирование |
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
|
Испытания |
|
на |
проч |
|
|
||||
|
|
|
|
|
|
ность |
проволочных |
со |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
единений |
на |
растяжение |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
|
после |
термоциклирова |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
ния, визуальный |
осмотр |
|
|
||||||
|
|
|
|
|
|
при |
|
помощи |
РЭМ |
де |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
фектных соединений |
|
|
|
||||||
Частички |
золотого |
Рентгенография |
|
(по |
РЭМ, рентгенов |
||||||||||
шлака, |
|
образующегося |
зволяет выявлять частич |
ское оборудование, |
|||||||||||
как |
следствие |
излишка |
ки и дефекты с размера |
оборудование для |
|||||||||||
золота, |
|
применяемого |
ми до 25,4 мкм, однако |
измерения |
шума, |
||||||||||
при выполнении операции |
ее |
эффективность |
сни |
вызванного |
соуда |
||||||||||
крепления кристалла без |
жается экранизацией ме |
рением |
частиц |
||||||||||||
использования |
азота |
таллическим корпусом) |
(микрозонд |
для |
|||||||||||
Остатки |
припоя, |
обра |
Измерение |
|
шума, |
вы |
идентификации ча |
||||||||
зующиеся |
при |
недоста |
званного |
соударениями |
стиц) |
|
|||||||||
точном |
контроле |
каче- |
частиц в корпусе при ви- |
|
|
||||||||||
115
Продолжение прилож. 1
Возможные причины |
Методы анализа |
Основное (вспомога |
тельное) оборудование |
ства исполнения |
опера |
брации (может |
быть ис |
|||||
ции герметизации |
|
|
пользовано |
при |
любом |
|||
Остатки |
проволочных |
типе корпуса, однако не |
||||||
соединений, |
включающие |
поддается |
стандартиза |
|||||
в себя различного |
рода |
ции и не может иденти |
||||||
завитки |
и |
частицы |
де |
фицировать частицы, ко |
||||
фектных проволочных со |
торые заклинились в кор |
|||||||
единений, |
поврежденных |
пусе) |
|
|
||||
рабочим инструментом |
|
|
|
|||||
Чешуйки |
золота, |
от |
|
|
|
|||
слоившиеся от подложки |
|
|
|
|||||
в керамических корпусах |
|
|
|
|||||
Кристаллики |
кремния, |
|
|
|
||||
образовавшиеся |
|
|
при |
|
|
|
||
скрайбировании и непол |
|
|
|
|||||
ностью удаленные |
(иног |
|
|
|
||||
да они электростатически |
|
|
|
|||||
притягиваются |
к |
|
кри |
|
|
|
||
сталлу) **) |
|
|
|
|
|
|
|
|
Возникновение |
стати |
Измерение входных ха |
Самописец, ме |
|||||||
ческого разряда из-за |
рактеристик |
участков |
таллографический |
|||||||
оператора |
(его емкость |
Проверка |
микроскоп с верти |
|||||||
около 300 пФ) |
|
коллектор — эмиттер |
и |
кальной |
подсвет |
|||||
Увеличение восприим |
эмиттер — база |
входных |
кой и увеличением |
|||||||
чивости |
входных |
цепей |
транзисторов на наличие |
200—300х |
(зонды, |
|||||
ИС к воздействию стати |
коротких замыканий |
|
травящие |
реакти |
||||||
ческих разрядов из-за не |
Исследование |
входных |
вы) |
|
||||||
больших |
и |
неглубоких |
транзисторов под микро |
|
|
|||||
областей переходов |
скопом |
поверхно |
|
|
||||||
|
|
|
|
Удаление с |
|
|
||||
|
|
|
|
сти кристалла металлиза |
|
|
||||
|
|
|
|
ции и оксидной пленки |
|
|
||||
|
|
|
|
Повторная |
проверка |
|
|
|||
|
|
|
|
под |
микроскопом |
вход |
|
|
||
|
|
|
|
ных |
транзисторов. |
Лег |
|
|
||
|
|
|
|
кое |
протравливание |
|
|
|||
|
|
|
|
кремния может |
помочь |
|
|
|||
|
|
|
|
выявить дефекты |
|
|
|
|
||
117
