книги / Оптические методы контроля интегральных микросхем
..pdfПРИЛОЖЕНИЕ Т
и производственного брака И С, методы их анализа и используемое рубежным данным)
Возможные причины |
Методы анализа |
Основное (вспомога- |
тепьиое) оборудование |
Загрязнение |
ионными |
Испытание схемы |
включениями в |
процессе |
Вскрытие и исследова |
обработки и (или) при |
ние зондовым методом |
|
корпусироваиии |
|
Исследование транзи |
Нарушение координат сторов по отдельности,
ных шагов на начальном |
включая |
испытательный |
||||||||
этапе |
разработки схемы |
транзистор |
порогово |
|||||||
или неверный выбор ша |
Измерение |
|||||||||
гов при создании метал |
го |
напряжения |
и |
под |
||||||
лизации затвора |
|
тверждение |
визуальным |
|||||||
Неправильное |
наложе |
контролем |
корреляции |
|||||||
ние маски |
|
|
низкого |
порогового |
на |
|||||
|
|
|
|
|
пряжения и |
неправиль |
||||
|
|
|
|
|
ного наложения маски |
|||||
|
|
|
|
|
Определение присутст |
|||||
|
|
|
|
|
вия примеси с помощью |
|||||
Наличие большой |
сту |
Оже-спектроскопин |
зон |
|||||||
Проверка |
схемы, |
|||||||||
пени в |
структуре поли |
дирование |
|
контроль |
||||||
кристалл — окисел—уча |
Визуальный |
|||||||||
сток |
металлизации |
над |
на |
подтверждение нали |
||||||
сформированной ступень |
чия |
замыканий |
и(или) |
|||||||
кой окисла, которая |
об |
обрывов и контроль кон |
||||||||
разуется |
при |
создании |
тактных |
площадок с по |
||||||
контакта |
|
|
мощью РЭМ с целью ис |
|||||||
|
|
|
|
|
следования качества |
по |
||||
|
|
|
|
|
крытия окисла |
и метал |
||||
|
|
|
|
|
лизации |
|
|
|
|
|
Микроскоп С
вертикальным ос вещением (МВО> с увеличением
200—300х (зон ды, Оже-элек- тронный спектро метр)
Микроскоп с вертикальным освещением с уве личением 300—
500х (РЭМ, тес тер, зонды)
Статический разряд по |
Измерение |
характери |
|
рядка Е -10—6 Дж |
или |
стик входного прибора |
|
больше |
кон |
Визуальный |
контроль |
Несовершенство |
до и после удаления за |
||
тактной площадки (ма щитной окисной пленки лое поперечное сечение и травления металлиза проводящей зоны, ко ции
торое может вызвать излишнее нагревание и, следовательно, расплав ление алюминия)
Графопостроитель, фазокон трастный МВО с увеличением 200—
300х
101
Продолжение прилож. 1
Возможные причины |
Методы анализа |
Основное (вспомога |
тельное) оборудование |
глассивации |
с |
контакт |
|
|
|
|
|
||||||
ной поверхности |
систе |
|
|
|
|
|
|||||||
новые |
свойства |
|
|
|
|
|
|||||||
мы |
металлизации |
с |
до |
|
|
|
|
|
|||||
бавлением |
|
компонентов |
|
|
|
|
|
||||||
к алюминию |
(например, |
|
|
|
|
|
|||||||
системы |
— |
металлизации |
|
|
|
|
|
||||||
тантал |
|
нитрид |
.— |
|
|
|
|
|
|||||
хром — золото) |
[37, 38] |
|
|
|
|
|
|||||||
Отклонение |
соедини |
Электрические |
измере |
Микроскоп |
и |
||||||||
тельных |
проводников |
от |
ния между каждым вы |
РЭМ (осциллограф |
|||||||||
контактных площадок на |
водом и подложкой |
и оборудование для |
|||||||||||
малый |
|
угол |
вследствие |
Визуальный |
контроль |
вскрытия |
корпу |
||||||
использования |
|
метода |
после вскрытия |
корпуса |
сов) |
|
|
||||||
«обратной |
сборки» (ме |
и микрофотографирова |
|
|
|
||||||||
тод 2010 MIL-STD-883 |
ние |
|
|
|
|
||||||||
не допускает отбраковки |
|
|
|
|
|
||||||||
таких ИС) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Наличие малых прово |
|
|
|
|
|
||||||||
дящих |
частиц |
в |
герме |
|
|
|
|
|
|||||
тичном корпусе |
проводя |
|
|
|
|
|
|||||||
Притяжение |
|
|
|
|
|
||||||||
щих |
|
частиц |
силовыми |
|
|
|
|
|
|||||
выводами |
|
|
проводя |
|
|
|
|
|
|||||
Попадание |
|
|
|
|
|
|
|||||||
щих частиц в |
простран |
|
|
|
|
|
|||||||
ство между соединитель |
|
|
|
|
|
||||||||
ными |
проводниками |
и |
|
|
|
|
|
||||||
подложкой |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
Малый |
угол |
|
между |
Электрические |
измере |
Микроскоп |
и |
||||||
проволочными |
соедине |
ния на каждом выводе и |
РЭМ (осциллограф, |
||||||||||
ниями |
|
и |
контактными |
подложке |
контроль |
оборудование |
для |
||||||
площадками |
вследствие |
Визуальный |
вскрытия |
корпу |
|||||||||
применения |
«обратной» |
после вскрытия корпусов |
сов) |
|
|
||||||||
методики |
|
выполнения |
Микрофотографирова |
|
|
|
|||||||
проволочных |
соединений |
ние |
|
|
|
|
|||||||
(приварка сначала к вы |
|
|
|
|
|
||||||||
воду, а затем к контакт |
|
|
|
|
|
||||||||
ной |
площадке |
кристал |
|
|
|
|
|
||||||
ла) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Возникновение «бугор |
|
|
|
|
|
||||||||
ков» кремния по |
краям |
|
|
|
|
|
|||||||
кристалла |
после |
опера- |
|
|
|
|
|
||||||
109
