книги / Методы повышения параметров БИС

ложки [55]. Поскольку молекулярные источники создают пото­ ки с косинусоидальным распределением вещества по сечению, то некоторого улучшения равномерности эпитаксиального слоя можно добиться за счет перераспределения вещества, попадаю­ щего на-подложку, при азимутальном вращении последней. Вве­ дение неподвижных или вращающихся диафрагм, как и увеличе­ ние расстояния между источником и подложкой, также увеличи­ вает площадь равномерного слоя, но снижает скорость эпитакси­ ального роста.

Одним из достоинств молекулярно-лучевой эпитаксии являет­ ся возможность с высокой точностью контролировать интенсив­ ность и химический состав молекулярных пучков, а также крис­ таллическую структуру эпитаксиальных слоев непосредственно в процессе их выращивания и на основании полученных данных при необходимости корректировать рабочие параметры процесса [135].

Сочетание молекулярно-лучевой эпитаксии с ионной или ла­ зерной обработкой позволяет улучшить структуру выращивае­ мого слоя, снизить уровень его дефектности [90]. Возможны два варианта использования ионных пучков. В первом ионный пучок направляется на подложку, где под его воздействием не только происходит очистка поверхности, но и изменяется структура, например постоянные решетки подложки приближаются к пос­ тоянным решетки растущего слоя. В другом варианте выращива­ ние производится из ионизированного пучка, полученного в ре­ зультате облучения молекулярного пучка потоком электронов. При этом удается снизить, толщину переходного слоя, а также получать бездефектные, полностью однородные по толщине ио­ нокристаллические пленки большой площади.

Весьма перспективно использование импульсного лазерного отжига в сочетании с методом молекулярно-лучевой эпитаксии. При этом исключается необходимость поддерживать температу­ ру всей подложки на уровне 450...900 °С, зона нагрева ограни­ чена лишь участком непосредственного воздействия лазерного пучка и проникает в. глубь образца всего на единицы микромет­ ров. б отличие от метода молекулярно-лучевой эпитаксии, при котором лишь часть примеси внедряется в выращиваемую плен­ ку,- а резкий профиль распределения примеси получается лишь в определенном температурном диапазоне, комбинированный ме­ тод значительно упрощает процесс изготовления эпитаксиальных слоев и позволяет получить концентрацию примеси в очень ши­ роком диапазоне.

Современное оборудование для молекулярно-лучевой эпитак­ сии представляет собой системы, состоящие из нескольких сое­

141

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

2. А л е к с а н д р о в Ю. М. и др. Рентгеночувствнтельные резисты для субмикронной лито1рафии /Ю. М. Александров, К. А. Валиев, Л. В. Реликов и др. //Микроэлектроника. - 1983. - 12, вып.1. - С. 3-10.

3. А л е к с а н д р о в Ю. М. и др. Использование синхротрошюго излу­ чения в рентгеновской лнтографии/Ю. М. Александров, Н. В. Гревцев, А. Д. Кривоспицкий и др .//Электрон, пром-сть. - 1980. - № 5. - С. 41 - 45.

//Физика и техника полупроводников. -1977 . - 1 1 , № 11. - С. 2072-2083.

6.А л ь т м а н Л., К о э I! Ч. Программа создания сверхбольших БИС //Электроника. —1977. —50, № 12. —С. 40-51.

7.А л ь т у д и н о в Ю. К. и др. Импульсное ионное и лазерное легиро­ вание материалов/Ю. К. Альтудииов, В. К. Аникин, Ю. А. Быковский и др.//Обзоры по электрон, технике. Сер. 6, Материалы. - М., 1983. —Вып.

11(993). - С. 1-46..

8.Б а р и н о в В. В., С к в и р а А. В. Большие интегральные схемы на

токовых ключах//3 арубеж. электрон, техника. — 1980. —N* 7. —С. 12—

ИЗ .

9.Б а т а л о в Б. В., Н о р е н к о в И. П. Системы автоматизированного

проектирования сверхБИС//Микроэлектроника. - 1980. - 9, вып. 5. -

С.401-412.

10.Б а х т и н П. А., М а х о в В. И. Сверхпроводниковые устройства на

тур с р -п переходами методом облучения ионами высокой (1-2,5 МэВ) энергии//Легирование полупроводников ионным внедрением/Пер. с англ, под ред. В. С. Вавилова, В. М. Гусева. - М.:Мир, (971. - С. 446-464.

12. Б е р е з и н Г. Н. и др. Оптические основы контактной фотолито­ графии. —М.: Радио и связь, 1982. —104 с.

13. Б о б е к Э., Д е л л а Т о р р е Э. Цилиндрические магнитные дцмены/Пер. с англ. под. ред. М. А. Боярченкова, В. К. Роева. - М.: Энергия,

их применение в логических схемах//ТИИЭР. -1980 . —70, №1. -гС. 58-66.

143

16.Б о к о в Ю. С. Фото-, электроно- и ренттснорезисты. - М.: Радио и связь, 1982. - 136 с.

17.Б .о к о в Ю. С. и др. Рентгеиолкгография и ее применснне/Ю. С. Бо­ ков, А. Д. Кривоспицкий, В. П. Лаврищев и др .//Электрон, пром-сть. -

1977. - № 6. - С. 93-99.

18. В а л и с в К. А. Проблемы создания элементной базы сверхвысокой степени интеграции для ЭВМ//МикрЬэлектроника. - 1980. - 9, выл. 6. -

С.480-487.

19.В а л и е в К. А. и др. Эффект фототравлеиня полимеров под дейст­ вием вакуумного улътрафиолета/К. А. Валиев, Л. В. Великов, С. Д. Душсн-

ков и др. //Письма в ЖТФ. - 1982. - 8, выл. 1. - С. 33—36.

20.В а л и е в К. А. и др; Новый метод исследования разрешающей спо­ собности электронореэистов с помощью .субмикронной маски - шаблона, находящейся в контакте с резнстом/К. А. Валиев, Л. В. Великов, С. Д. Душенков и др.//Микроэлектроника. - 1982. 11, вып. 5. - С. 447-450.

21.В а л и е в К. А. и др. О новых методах микролитографии и записи оптической информации с использованием эффекта фототравления полимеров/К. А. Валиев, Л. В. Великов, С. Д. Душенков и др .//Письма в

ЖТФ. - 1982. - 8. вып. 1. - С. 48-52.

22. В а л и е в К. А. и др. Физические процессы дефектообраэования и травления при ионной шггогряфин пленок двуокиси. кремння/К. А. Ва­ лиев, В. А. Данилов, К. А. Дракии и др .//Микроэлектроника. - 1982. - 11, вып. 4. - С. 323-328.

23. В а л и е в К. А. и др. Эффект травления позитивных электронных и рентгеновских резистов при облучении ионами средних энергий/К. А. Ва­ лиев, В. А. Данилов, С. В. Пешсхонов и др.//Микроэлектроника. - 1983. — 12, вып. 3 . - С. 195-201.

24. В а л и е в К. А., О р л и к о в с к и й А. А. Полупроводниковые ин­ тегральные схемы памяти на биполярных транзисторных структурах. - М.: Сов. радио, 1979. - 296 с.

25.В а л и е в К. А., О р л и к о в с к и й А. А. Элементная база высоко­ производительных ЭВМ//Вестн. АН СССР. - 1982. - N4 3. - С. 62 -75 .

26.В а р н е л л Г. Л. и др. СБИС на МОП- и биполярных транзисторах, изготовленные с применением электронно-лучевой литографии//ТИИЭР. -

19 8 3 .-7 1 ,№ 5 .- С . 8 2 -П 7 .

27.В а с е н к о в А. А. н др. Микропроцессорные интегральные схе­ мы — основа ЭВМ четвертого поколения//Микроэлектроника и полупро­

водниковые приборы. —М., 1979. - Вып. 4. - С. 3 -17 .

28.В в е д е н и е в фотолитографию/Под ред. В. П. Лавршцеоа. - М.: Энергия, 1977. —400 с.

29.В е к ш и н а Е. В., Ф у р с и н Г. И. Биполярные активные элементы

БИС//Электрон. пром-ов. — 1981. - № 4. - С. 4 -1 4 .

30.В о й т о в и ч И. Д. Анализ импульсных логических элементов на джоэефсоновских гистерезисных криотронах. — К.: Ин-т кибернетики УССР, 1978. - 45 с.

31.В о л к В. П. и др. Изготовление элементов ИС с микронными и субмнкрониыми размерамн/В. П. Волк, С. А. Неустроев, С. М. Фокина,

В. Г. Яковенко//Электрон. пром-сть. - 1980. - Вып. 1. —С. 12-15.

32. В о л к о в А. Ф. и др. Электронные устройства на основе слабосвя­ занных сверхпроводннков/Под ред. Н. В. Зарицкого. - М.: Сов. радио, 1 9 7 8 .- 137 с.

33. В ы ч и с л и т е л ь н а я техника за рубежом в 1980 году. - М.: ИТМнВТ, 1 9 8 1 .-2 7 7 с.

144

3 5 . Г а л у з о В. Е. и др. Полупроводниковые биполярно-полевые структуры//Эарубеж. электрон, техника. - 1981. - № 10. - С. 3-50.

36. Г а м и л ь т о н П. Сверхбыстродействующие л-канальные МОП ИС на кремнии//Электроника. - 1980. - 53, № 27. - С. 4-5.

37.Г. л у ш к о в В. М., Д е р к а ч В. П., К а п и т о н о в а Ю. В. К реше­ нию проблемы автоматизации проектирования ЭВМ и их компонентов //Микроэлектроника. - 1975. - № 6. - С. 531-535.

38.Г л у ш к о в В. М., Д е р к а ч В. П., К и я ш к о Г. Ф. К вопросу о состоянии проблемы автоматизации проектирования больших интеграль­ ных схем//Кнбернетика. - 1976. - N* 6. - С. 44-49.

39. Г л у ш к о в В. М., Д е р к а ч В. П., К и я ш к о Г. Ф. Важнейшие задачи в области автоматизации проектирования больших интегральных схем//УСиМ. — 1977. - № 6. - С. 88-92.

- 40. Г л у ш к о в В. М. и др. Автоматизированная система управления технологическими процессами в микроэлектронике (Киш-70)/В. М. Глуш­ ков, В. П. Деркач, Г. Т. Макаров и др .//Методы миниатюризации и автома­ тизации производства компонентов ЭВМ,- К.; 1972. - С. 3-11.

41. Г и а п А. К., Д у б р о в и н Ю. В. Особенности ионного проекцион­ ного легирования. Сер, Радиоэлектрон, и вычисл. техника. - К.: О-во „Знание" УССР, 1978. - 22 с.

42.Г о л ь ц о в а М. В. Обзор новостей//Зарубеж. электрон, техника. - 198-3. —N* 9. - С. 97—108.

43.Г о т р а 3. К), и др. Импульсный лазерный отжиг ионнонмплаатиро-

ванных полунроводш1ковых материалов//Зарубеж, электрон, техника. - 1983.- N » 6 .- С . 3 -77 .

44. Г р а б о в с к и Й Б. А. и др. Вероятностное описание процесса дви­ жения электронов средних энергий в мишени в приближении непрерыв­ ных потерь. - К., 1972. - 113 с. Препринт (АН УССР, Ин-т кибернетики,

72-64).

45.Г р а б о в с к и й Б. А. и др. Система интегральных уравнений пере­ носа электронов средних энергий в двухслойной мишени//Микроэлектро-

ника. - 1982. —11, вып. 6. - С. 551-556.

46.Г р а н к и и И. М. и др. Высокоразрешающая неорганическая фото­ литография. - К.: Вища шк. Изд-во при Киев, ун-те, 1983. - 53 с.

47.Г р е в ц е в II. В, и др. Источники „мягкого" рентгеновского излу­ чения в промышленном производстве СБИС//Элсктрон. пром-сть. -

198 0 .- № 5. - С . 36-41.

48. Г р е й л и и г П. Т. и др. Применение электрошю-лучевой литогра­ фии для изготовления быстродействующих цифровых интегральных схем на GaAs/П. Т. Грейлинг, Р. Э. Ли, Ф. С. Оэдемир и др.//ТИИЭР. - 1982. - 70, № 1. - С. 66-75.

49. Г р и и Р. и др. Первое ППЗУ емкостью 16384 бит со стиранием ин­ формации УФ-светом/Р. Грин, Г. Перлегос. П. Солсбери и др.//Электроиика. - 1977. - 50, № 5. - С. 44-48.

50. Г р и т ч е н к о В. Н. и др. Полупроводниковые приборы и интег­ ральные микросхемы//Итоги науки и техники/ВИНИТИ. Сер. Электрони­

С.339-343:

53.Г у щ н и М. Б. и др. Модель эволюции профиля фоторсэистин-

ной защитно Л маски в процессе иошю-лучевого травления/М. Б. Гущин,

145

Р. Д. Иванов, Е. С. Лабутин и др.//Электрон, техника. Сер. 3, Микроэлект­ роника. —1979. - Вып. 2 (8). - С. 90-97.

54.Г х и в а л а Т. Р. Джозефсоновская тсхнология//ТИИЭР. - 1982. - 70, № 1 , - С. 33-44.

55.Д е н и с о в' А. Г. и др. Оборудование для молекулярно-лучевой эпнтакаш//Обзоры по электронной технике. Сер. 7. Технология, органи­

зация производства и оборудование. - М., 1981. — Вып. 17 (828). -

С.3-52.

56.Д е и и с р в А. Г. и др. Молекулярно-лучевая эпитаксия (приборная реалнзацня)//Обзоры по электрон, технике. Сер. 7,Технология, организация

производства и оборудование. - М., 1981. - Вып. 16 (827). - С. 3 -84.

57.Д е р к а ч В. П. О некоторых физико-технологических проблемах вычислительной техники//Кнбернетика. - 1982. - № 5. - С. 46 -54.

58.Д о р к а ч В. П. О некоторых особенностях современной конструк­ тивно-технологической базы ЭВМ и тенденциях ее развития//УСиМ. —

1976.- х№ 6 .- С . 29-37.

59.Д е р к а ч В. П. О некоторых задачах, возникающих при управлении электронно-лучевыми технологическими процессами изготовления мик- росхеМ//Фиэ.-технол. вопр. кибернетики. - К., 1967. - Вып. i. —С. 3-22.

60.Д е р к а ч В. П. и др. Возможность плазмохимического травления при формировании полупроводниковых микросхем с воздушной изоля­ цией типа ,декаль”/В. П. Деркач, Ю. И. Дикарев, В. М. Корсунскнй и др. //Физ.-технол.вопр. кибернетики. - К., 1979. г- С. 13— 1.

*61. Д е р к а ч В. П. и др. Исследование плазмохимического травления дисилицндов металлов переходной гру1Шы//Физ.-технол. вопр. кибернети­

ки. - К., 1983. - С. 3-8.

62. Д е р к а ч В. П. и др. Реакционная диффузия в тонких пленках ме­ таллов переходной группы на монокристаллическом кремнии/В. П. Дер­ кач, А. Й. Золотопуп, И. В. Медведев и др.//Физ,-технол. вопр. кибернети­ ки. - К., 1982. - С. 26-31.

63. Д е р к а ч В. П.; К и я ш к о Г. Ф., К у х а р ч у к М. С. Символьный метод автоматизировашюй подготовки программ электронно-лучевого экспонирования микроструктур// Электрон, техника. Сер. 9, Экономика

исистемы упр. - 1982. - Вып. 1 (42). - С. 22-24.

64.Д е р к а ч В. П. и др. Элсктронио-эондовые устройства. —К.: Наук, думка. 1974. - 267 с.

65.Д е р к а ч В. П. и др. К выбору критериев оценки эффективности сис­ тем автоматизированного проектирования БИС/В. П. Деркач, Г. Ф. Кияшко,

В.Б. Хачатрян и др.//УСиМ. - 1975. - № 6. - С. 103-106.

66.Д е р к а ч В. П,, К о р с у и с к и й В. М. Электролюмннесцентные устройства. —К.: Наук, думка, 1968. - 301 с.

67.Д е р к а ч В. П., К о р с у н с к и й В. М. Электронная и ионная ли­ тография как ключевая проблема развития элементной базы вычислитель­ ной техники//УСиМ. - 1982. - № 1. - С. 122-124.

68.Д е р к а ч В. П., К о р с у и с к и й В. М. Некоторые теоретические проблемы электронной лнтографии//Микроэлсктроника. - 1982. - 11, вып. 4 . - С. 291-310.

69.Д е р к а ч В. П. и др. Физико-технологические исследования с целью совершенствования воздушной изоляции элементов полупроводниковых интегральных микросхем/В. П. Деркач, В. М. Корсунскнй, И. В. Медведев

идр.//Физ.-технол. вопр. кибернетики. - К., 1979. - С. 3 -12.

70.Д е р к а ч В. П. и др. Об интегральном уравнении, описывающем

процесс взаимодействия потока ускоренных электронов с мишенью /В. П. Деркач, В. М. Корсунскнй, О. Н. Одарнч и др.// Докл. АН УССР. Сер. А. - 1979. - № 12. - С. 1031-1035.

146

71 . Д е р к а ч В. П. и др. Моделирование процессов, происходящих в резисте при электроино-лучевом экспонировашш//Микроэлектроника. - 1984. - 12, вып. 4. - С. 302-310.

72. Д е р к а ч В. П., К р а в е ц В. Л. О решении одного класса задач микроэлектроники методами дискретной оптим1тции//Физ.-технол. вопр. кибернетики. - К., 1982. - С. 3-13.

73. Д е р к а ч В. П., К у х а р ч у к М. С. Электронная литография как эффективное средство для освоения субмцкроиных размеров элементов БИС//Микроэлсктроника. - 1980. - 9, вып, 6. - С, 498-516.

74.Д е р к а ч В. П., М а к а р о в Г. Т. Об одном варианте специализи­ рованной вычислительной машины для управления электронно-лучевыми технологическими процессами изготовления мнкросхем//Фиэ.-техноп. вопр: кибернетики. - К., 1967. - Вып. 1. - С. 23-34.

75.Д е р к а ч В. П. и др. Принципы построения высокоточных быстро­ действующих цифро-аналоговых преобразователей для электронолито­ графических установок и методы их технической реалиэащш/В. П. Деркач, Г. Т. Макаров, В. М. Власенко и др .//Электронная литография и ее применение в микроэлектронике: Материалы Всесоюз. науч.-техн. конф. Москва, окт., 1975 г. Сер. 3. Микроэлектроника. - М., 1976. - Вып. 1 (53).- С . 23-26.

76.Д е р к а ч В. Г1. и др. Полупроводниковые переключающие приборы на основе аморфных и иоликристаллических материалов и их применение

ввычислительной технике//Однородные вычислительные системы и сре­ ды: Материалы Ш Всесоюз. конф. - Таганрог, 1972. - С. 380-386..

77.Д е р к а ч В. П., С т р и н ж а М. В. Жидкие кристаллы в вычисли­ тельной технике//Примснение жидких кристаллов в вычислительной технике: Сб. науч. тр. - К., 1980. - С. 3-15.

78. Д е р к а ч В. П., С т р и н ж а М. В. Состояние и перспективы раз­ вития жидкокристаллической техники отображения//Применение жидких кристаллов в вычислительной технике: Сб. науч. тр. - К., 1980. - С. 1557.

79. Д ж е н и э Ф. Б. Трехмерность V -МОП-структур - фактор сущест­ венного повышения плотности упаковки БИС//Электроника. - 1977. -

50, N«17. - С. 36-44=

80 . Д ж о н е о н У. С. и др. Электрически стираемое ППЗУ емкостью 16К на туннельном эффекте с побайтовым измерением хранимой информации/У. С. Джонсон, Дж. Л. Кун, Э. Л. Решпшгер и др.//Электроника. -

иперспективы развития//Электроника. - 1979. -г 52, № 16. - С. 23-36. 82. Д и к а р е в Ю. И. и др. Плазмо-химическое травлениев технолопш

.//Зарубеж. электрон, техника. - 1978. - № 2. - С. 3-50; № 3. - С. 3-52.

83.Е л и н с о н М. И. Оптоалектроннка. - М.: Знание, 1977. - 64 с.

84.Е ф и м о в И. Е. и др. Микроэлектроника. Физические и технологи­ ческие основы, надежность: Учеб, пособ. - М.: Высш. шк., 1977.-416 с.

8 5 .3 а к р о е в а Н. М. и др. Особенности технологии высококачествен­ ных КМДП СБИС//Электрон. пром-сть. - 1981. - № 4. - С. 50-53.

86 .3 а с е д В. С., Ф е д о т о в Я. А. Влияние межсоединений на плот­ ность компоновки элементов и размеры кристалла интегральной схемы //Электрон, техника. Сер. 3, Микроэлектроника. - 1982, - Выл. 5 -6 . -

147

89.И в е р с е н У. Р. ЦМД ЗУ с уменьшенными геометрическими разме­ рами элементов//Электроника. - 1979. - 52, № 15. - С. 4 -5 .

90.И д е и Р. С. Сравнение перспективности различных приборов на

/Дж. Мейер, Л. Эриксон, Дж. Девис; Пер. с англ, под ред. В. М. Гусева. - М.: Мир, 1973. - 296 с.

92.И с п о л ь з о в а и и е электронно-лучевой обработки для уменьше­ ния размера элементов//Электроника. —1979. - 52, № 7. - С. 15—16.

93.К а л н и б о л о т с к и й 10. М. и др. Расчет и конструирование микросхем/Ю. М. Калниболотскнй, Ю. В. Королев, Г. И. Богдан и др.//К.: Вшца шк. Головное изд-во, 1983. - 279 с.

94.К е й п и с Г. Современное состояние и перспективы развития тех­

нологии БИС: Обзор//Электроника. - 1979. —5 2 , № 19. - С. 24-34.

95. К и р е е в В. 10. и др. Субмнкронная технология интегральных схем//Итоги науки и техники. Электроника. - 1982. - 14. - С. 76-133.

96. К и р е е в В. Ю. и др. Получение субмикронных размеров в пленках различных материалов методом реактивного ионно-лучедого травления /В. Ю. Киреев, В. В. Кузнецов, В. 11. Лаврищев и др .//Микроэлектрони­ ка. - 1981, - 10, вып. 6. - С. 494-499.

97.К и р и л е н к о А. Г. и др. Рентгеиолитография в мнкроэлектронике//3арубеж. радиоэлектроника. —1980. —№ 1. —С. 36-57.

98.К о з е й к и и Б. В. и др. Физико-технологические особешюсти ион­ ного легирования монокристаллического и эпитаксиального арсенида гал­

лия для монолитных СВЧ устройств/Б. В. Козейкии, В. В. Перинский, Е. Б. Соколов и др.//Обзоры по электрон, технике. Сер. 7. Технология, организация пр-ва и оборуд. - М., 1983. - Вып. 5 (933). - С. 1-49.

, 99. К о з л о в а Н. Д. Контакты Джозефсона: технология изготовления, свойства и области применения: Обзор//Радиоэлектроника за рубежом. — 1979.-№ 10.- С . 3-55.

100.К о р н го ш и н Н. Д. Методы переноса изображения в производстве полупроводниковых приборов и ИС//Зарубеж. электрон, техника. - 1977. - № 18 /164/. - С. 3-411

101.К р а в ч е н к о Л. И. ИС субнаносекундного диапазона на основе

арсенида галлия//Микроэлектроника. — 1980. - 9, вып. 5. - С. 387-400.

102.К р е м е р Г. Гетероструктурные биполярные транзисторы и инте­ гральные схемы//ТИИЭР. - 1982. - 70,№ 1. - С. 17-32.

103.К р е м л е в В. Я., М о ш к и н В. И. функционально-интегрирован­

ные элементы Б№С//Электрон. пром-сть. —1976. —№ 5. —С. 50-61.

104. К у п е р Дж. А. Предельные значения параметров полевых транзис­ торов для логических схем//ТИИЭР. - 1981. —69, № 2. - С. 101-108.

105. К у р н о с о в А.И .,Ю д » н В.В. Технология производства полу­ проводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб, пособие. — 2-е иэд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1979. - 367 с.

106.К у с т о в В. Л., П е к а р ч у к С . Б. Увеличение скорости плазмохимического травления радиационным стимулированием десорбции про­ дуктов реакции//Письма в ЖТФ. - 1981. - 7, вып. 4. - С. 200-204..

107.Л а б у и о в В. А. и др. Пористый кремний в полупроводниковой элеК1ронике//Зарубеж. электрон, техника. - 1978. - № 15. - С: 3 -48.

108.Л а б у и о в В. А., Б о р и с е н к о В. Е. Современные методы леги­ рования полупроводников и перспективы их развития//3арубеж. элект­ рон, техника. - 1977. - № 13. - С. 3-60.

109.Л а в р и щ е в В.П. Перспективы развития и основная проблема пе­

реноса иэображений//Электрон. пром-сть. - 1980. - № 5. - С. 10—14.

148

110. Л а в р и щ е в В. П. Перспективы применения ионно-лучевой лито­ графии в микроэлектронике//Электрон. пром-сть. - 1981. - № 3. -

роника. - 1979. - 52, № 8. —С. 26-44.

112.Л а II м е н Дж. Пути обеспечения малых размеров элементов СБИС //Электроника. —1980. —53, № 14. - С. 26-43.

113.Л и т о в ч е и к о В. Г. О некоторых новых возможностях получе­ ния приборных н экспериментальных структур путем использования ион­ ной имплантацин//Методм миниатюризации и автоматизации производст­

ва компонентов ЭВМ. - К., ИК АН УССР, 1974. - С. 3-17.

114. Л и х а р е в К. К., У л ь р и х Б. Т. Системы с джозефсоновскими контактами. —М.: Иэд-во Моек, ун-та, 1978. - 447 с.

115. Л о н г С. И. и др. Сверхскоростные интегральные схемы на GaAs /С. И. Лонг, Б. М. Уэлч, Р. Цукка и др.//ТИИЭР. - 1982. - 70, № 1. - С. 44-58.

Н б . М а г д и ч Л. И., Мо л ч а н о в В. Я. Акусгооптнческие устройства

иих применение. —М.: Сов, радио, 1978. - П1 с.

117.М е й с о н Б. Новые технологические методы создания ЦМД ЗУ //Электроника. - 1979. - 52, № 15. - С. 3-4.

/Н. С. Немцева, О. Г. Нестерова, В. И. Суэтинов и др.// Микроэлектрони­

121.Н о с о в К). Р., Ши л и н В. А. Полупроводниковые приборы с заря­ довой связью. - М.: Сов. радио, 1976. - 141 с.

122.О в ч а р о в В. Ф. идр. Пластины большого диаметра в производст­

ве БИС и СБИС//Зарубеж. электрон, техника. - 1977. -№ 20. - С. 3-50:

№21.- С . 3-52.

123.О р л и к о в с к и й А. А. Перспективы быстродействующих бипо­

лярных интегральных схем//Микроэлектроника. - 1981. - 10, вып. 3. -

С.195-205.

124.П а ш л и Р. и др. Высококачественная МОП^гехнология фирмы

Intel — средство улучшения характеристик цифровых БИС/Р. Пашлн, К. Коконен, Э. Болек и др.//Электроника. - 1977. - 50, № 17. - С. 27-35. 125. П л а з м о - х и м и ч е с к о е и ионно-химическое травление микросгруктур/В. Ю. Киреев и др. - М.: Радио и связь, 1983. - 126 с.

126.П о п о в В. К., К о н д р а ш о в а А. Т. СВЧ плазмо-химическая обработка//Обзоры по электрон, технике. Сер. 7, Технология, организация производства и оборудование, 1982. - Вып. 22 <922). - С. 1-44.

127.П о с а Дж. Сверхбыстродействующие МОП-траизисторы, превосхо­ дящие по скорости переключенияарсенид-пшлиевыеприборы//Электроии-

ка. - 1981. - 54, № 23. - С. 3-4.

128.П о с а Дж. Переход Джоэефсона, переключающийся за 1 пс//Электроннка. —1981. —54, № 9. - С. 5-6.

129.П о с а Дж. Прибор Джоэефсона, не содержащий нереходов//Элект-

131. П р е с с Ф. П. Фотолитографические методы в технологии полупро­ водниковых приборов и интегральных микросхем. - М.: Сов. радио,

1978. - 96 с.

♦

149

132. Р с ч н ц к н й В. И. Акустические радиокомпоненты, использующие неренэлучение и отражение: Обзор//Зарубеж. радиоэлектроника. -1976. - № 7.-С . 43-68.

133. Р е ч и ц к и й В. И.. Технология изготовления акустических радиокомпонентов: Обэор//Зарубеж. радиоэлектроника. - 1977. — № 9. -•

С.32-51.

134.Р ж а н о в А. В., С в и т а ш е в К. К. Полупроводниковая микро­ электроника и технический прогресс//Микроэлектроника. 1982. -

11, вып. 6 .- С . 499-511.

135. Р ж а н о в А. В. и др. Методы контроля состояния поверхности и проблемы эпитаксии из молекулярных пучков//Микроэлектроника. -

1980. - 9, вып. 4. - С. 292-301.

136. Р у б ц о в И. Н. и др. Проекционная фотолитография в производст­ ве БИС//Обзоры по электрон, технике. Сер. Полупроводниковые прибо­

ры. - М., 1980. - Вып. 2 (699). - С. 1-73.

137. Р у м о в О. Т. и др. Проекционная электронная литография//Обэоры по электрон, технике. Сер. 2, Полупроводниковые приборы. - М., 1979. - Вып. 13 (672). - С. 3-55.

138.Р э й с м э н А. Переход к микронным и субмикронным размерам

втехнике интегральных схем//ТИИЭР. - 1983. - 71, № 5. - С. 6-24.

139.Р я б о в С. Н. и др. Физико-химические особенности процессов плаз­ мо-химического травлення//Обзоры по электрон, технике. Сер. 7. Техно­ логия, организация производства и оборудование. - 1981. - Вып. 20

(844).- С . 1-74.

140. С а ч е н к о А. В., С н и т к о О. В. Приборы зарядовой связи: Обзор//Полупроводннковая техника и микроэлектроника. - 1974. - № 15. -

С.3-13.

141.С в е р х м и н и а т ю р н ы е джозефсоновскне мостики// Радио­

электроника эа рубежом. - 1980. - № 21. - С. 49-53.

элементной базы//Полупроводннковая техника и микроэлектроника.. - 1975, -№ 2 1 .-С . 3-19.

144. С е к е н К., Т о м п с е т М. Приборы с переносом заряда/Пер. с англ, под ред. В. В. Поспелова, Р. А. Суриса. - М.: Мир, 1978. - 327 с.

145.С и а к к о у М. Физические основы записи информации/Пер. с нем.

И.Д. Гурвнца; Под ред. В. Г. Королькова. - М.: Связь, 1980. - 191 с.

146.С л о б о д н и к М. Л. Поверхностные акустические волны и мате­ риалы для устройств на поверхностных акустических волнах/ДИИЭР. - 1976. -6 4 , № 5.- С . 10-26.

147.С м о л е н с к и й Г. А. и др. Цилиндрические магнитные домены /Г. А. Смоленский, М.' А. Боярченков, Ф. В. Лисовский и др.// Микро­ электроника. - 1972. - 1, вып. 1. - С. 26-43.

148.С о л и м а р Л. Туннельный эффект в сверхпроводниках и его нри-

меиение/Пер. с англ. А. Ф. Волкова, Э. М. Эпштейна. - М.: Мир, 1974. -

428с.

149.С о л о м о н П. М. Сравнение полупроводниковых приборов для

скоростных логических схем//ТИИЭР. - 1982. - 70, № 5. - С. 88-112.

150.С т е п а н е н к о И. П- Основы микроэлектроники: Учеб, пособие. - М.: Сов. радио, 1980. - 424 с.

151.Т е х н о л о г и я ионного легирования/ Пер.сяпон. С. Намбы; Под ред. П. В. Павлова. - М.: Сов. радио, 1974. - 160 с.

152.У о л л е р Л. Нанесение изолирующих окислов на поверхность ИС при низких температурах//Электроника. —1981. - 54, № 26; —С. 3-4.

150