5.2.5. Коэффициент обратной связи

Вследствие уменьшения толщины базы W возрастает градиент концентрации , из-за чего увеличивается поток неосновных носителей из эмиттера в базу, то-есть возрастает ток ток эмиттераI_э. Чтобы сохранить ток эмиттера постоянным необходимо уменьшить напряжение на эмиттерном переходе. Иными словами, если поставлено условие: I_э = const, (следовательно), то при увеличении коллекторного напряженияU_к должно происходить уменьшение эмиттерного напряжения U_э.

Это влияние коллекторного напряжения U_к на ток через эмиттерный переход можно рассматривать как внутреннюю обратную связь в биполярном транзисторе.

Коэффициент обратной связи по напряжению в биполярном транзисторе в схеме с общей базой показывает, как изменится напряжение на эмиттерном переходе при единичном изменении напряжения на коллекторном переходе при условии, что ток эмиттера поддерживается постоянным:

. (5.31)

Ненулевое значение коэффициента обратной связи обусловлено эффектом модуляции толщины базы .

Уравнение (5.31) можно записать в виде

, (5.32)

где - дифференциальное сопротивление базы, учитывающее эффект модуляции толщины базы.

Значение дифференциального сопротивления базы связано с дифференциальным сопротивлением эмиттерного перехода соотношением

. (5.33)

Рассмотрим влияние конструктивно-технологических параметров перехода на коэффициент обратной связи.

Поскольку , то. Учтем, что, так как градиент постоянен. Зависимость ширины базы от напряжения на коллекторебыла получена ранее. Тогда

.

Следовательно, выражение для коэффициента обратной связи по напряжению _эк в биполярном транзисторе в схеме с общей базой в зависимости от конструктивно‑техноло­гиче­ских параметров имеет следующий вид:

. (5.34)

Подставив те же параметры биполярного транзистора, что и в предыдущем примере, получаем _эк = –1,1 10^-5. Знак “–” в выражении для _эк означает, что при увеличении напряжения на коллекторе U_к происходит уменьшение напряжения на эмиттере U_э.