
- •Гальваномагнитные
- •Эффект Холла
- •Если угол между вектором скорости носителей v
- •Тогда выражение для поля Ех приобретает вид.
- •С учетом разброса средней скорости дрейфа электронов в полупроводнике значение коэффициента Холла определяется
- •При смешенной электронно-дырочной проводимости величина коэффициента Холла рассчитывается по формуле
- •Преобразователи Холла
- •Материалом для преобразователя Холла служит монокристаллическая пластинка из Ge или InSb. Эти материалы
- •Применение преобразователей Холла
- •Параметры преобразователей Холла
- •Магниторезистивный эффект
- •Из соотношения (3) следует, что величина электрического поля Холла Ех равна
- •Отклонение траектории движения носителей тока от направления поля Е равносильно
- •Подставляя в это выражение значение φ из формулы
- •Магниторезисторы
- •датчики
- •Для оценки чувствительности магнитодиода к магнитному полю, по аналогии с преобразователями Холла, используют

Гальваномагнитные
явления
Гальваномагнитные явления Магниторезистивный эффект
Литература:
Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов. 6-е изд., стер. – Спб.:
Издательство «Лань», 2002.- 480 с., ил.
1


Эффект Холла
Эффект, открытый американским физиком Эдвином Гербертом Холлом в 1879 году, заключается в явлении возникновения попереч-
ной разности потенциалов в полупроводнике, по которому протекает электрический ток и суще- ствует магнитное поле Н, перпендикулярное на-
правлению тока.
Физическая природа эффекта Холла заключается в том, что на движущийся носитель тока в магнитном поле с индукцией В действует сила Лоренца
Fл q v,B , Н, |
(1) |
где v –скорость носителя; q – его заряд.
2

B I
-U |
х |
vn |
+Uх |
|
|
||
|
|
|
δ
a
Рис. 1. Эффект Холла
Направление силы Лоренца определяется пра- вилом левой руки. Если проводник n-типа проводи- мости, то электроны будут смещаться влево к внеш- ней стороне пластины, за- ряжая её отрицательно (рис. 1).
В полупроводника p-типа проводимости при том же направлении тока сила Лоренца будет смещать дырки в том же направлении. При этом левая внешняя сторона пластинки зарядится положительно.
3

Если угол между вектором скорости носителей v |
и вектором маг- |
||||
нитной индукции B равен 90о, то величина силы Лоренца рассчитывается по |
|||||
формуле |
|
|
|||
Fл=qvB, |
|
(2) |
|||
где v – средняя дрейфовая скорость носителей заряда, м/c. |
|
||||
Электрическое поле между поперечными гранями пластинки равно |
|||||
Eх |
U х |
|
, В/м, |
(3) |
|
а |
|||||
|
|
|
где Uх (0,6…1)·10-4 В - разность потенциалов между поперечными гранями
пластинки, называемая эдс Холла; а – ширина пластинки (рис. 1).
Поле Ех действует на электроны с силой F=-qEх, направленной против силы Лоренца Fл. При выполнении условия Fл=F поперечное электрическое
поле уравновешивает силу Лоренца и дальнейшее накопление электрических зарядов на боковых гранях пластины прекращается. Тогда из равенства
qvB=qEх следует Eх=vB. Дрейфовая скорость носителей тока определяется из |
||||
выражения |
v |
j |
|
|
|
qn |
, |
(4) |
где j – плотность тока, А/м2, n – концентрация электронов, м-3.
4

Тогда выражение для поля Ех приобретает вид.
|
|
Ех |
1 |
|
Вj. |
(5) |
|
|
|
qn |
|||||
|
|
|
|
|
|||
Умножив обе части равенства (6.15) на ширину |
|||||||
пластинки а, получаем формулу для эдс Холла |
|
||||||
|
|
U х |
1 |
Вja , В. |
(6) |
||
|
|
qn |
|||||
|
|
|
|
|
|
||
Формула (6) обычно записывается в виде |
|
||||||
|
|
U х Rх Вja |
, |
(7) |
|||
где |
|
|
|
|
|
|
|
Rх |
1 |
– коэффициент Холла, м3/Кл. |
|
||||
qn |
|
||||||
|
|
|
|
|
|
|
5

С учетом разброса средней скорости дрейфа электронов в полупроводнике значение коэффициента
Холла определяется из выражения
Rх |
А |
, |
(8) |
|
qn |
||||
|
|
|
где А=1,18 для полупроводников с преимущественным рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях кристаллической решетки; А=1,93 при рассеянии на ионизированных примесях.
Для дырочных полупроводников коэффициент Холла рассчитывается по формуле
Rх |
А |
, |
(9) |
|
qp |
||||
|
|
|
где q и p –заряд и концентрация дырок, соответственно.
6

При смешенной электронно-дырочной проводимости величина коэффициента Холла рассчитывается по формуле
Rх |
А n p |
, |
(10) |
|||
|
|
|
||||
qni n p |
||||||
|
|
|
||||
где μn и μp – подвижности |
электронов и |
дырок, |
соответственно.
Из формулы (6.20) следует, что в собственных полупроводниках при выполнении условия ni=pi значение
коэффициента Холла равно
Rх |
А n n |
2 p p 2 |
. |
(11) |
|
|
|||
|
q n n p p 2 |
|
7

Преобразователи Холла
Это гальваномагнитные полупроводниковые
приборы, основанные на использовании эффекта Холла.
ЭДС преобразователя Холла конечной длины рассчитывается по формуле
|
|
|
|
|
l |
|
BJ |
|
l |
, |
(12) |
||
U |
х |
R |
х |
Bjaf |
|
|
R |
х |
f |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
|
|
a |
|
a |
|
|
где J – ток через преобразователь, А; δ – толщина преобразователя, м; l – длина преобразователя; а –
ширина преобразователя; |
|
l |
- поправочная |
|
f |
|
|
||
|
||||
|
a |
|
функция, график которой приведен на рис. 2.
8

1,0 |
|
l |
|
|
|
|
|
|
|
||
0,8 |
f |
|
|
|
|
a |
|
|
|
||
0,6 |
|
|
|
|
|
0,4 |
|
|
|
|
l |
|
|
|
|
δ |
|
|
|
|
|
|
|
0,2 |
|
|
|
|
а |
|
|
|
|
l /а |
|
|
|
|
|
|
|
|
0 |
1,0 |
2,0 |
3,0 |
4,0 |
Рис. 2. Зависимость поправочной функции f(l/a)от размеров
преобразователя
9

Материалом для преобразователя Холла служит монокристаллическая пластинка из Ge или InSb. Эти материалы характеризуются высокой подвижностью электронов. Также используются тонкие пленки с толщиной δ=0,01…0,1 мкм, нанесенные на диэлектрическую подложку методом испарения в вакууме. В этом случае материалами служат HgSe, HgTe, сплавы HgSe-HgTe, в которых подвижность электронов достигает значения 1 м2/ (В·с).
Конструкция преобразователя Холла показана на рис. 3. Для устранения неэквипотенциальности выходных электродов 2-2 в схеме подключения преобразователя предусмотрен переменный резистор Rк. Предельная частота работы преобразователей Холла достигает 10…100 МГц.
1 |
|
Рис. 3. Конструкция |
|
преобразователя Холла |
|
2 |
|
|
Rк |
1-1 – входные электроды; |
|
2 |
|
2-2 – выходные |
|
электроды; |
|
|
|
|
2 |
|
Rк – компенсирующий |
1 |
|
10 |
|
|