Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
ФОМЭ / лекции по ФОМЭ / Гальваномагнитные явления.ppt
Скачиваний:
132
Добавлен:
12.03.2015
Размер:
371.71 Кб
Скачать

Гальваномагнитные

явления

Гальваномагнитные явления Магниторезистивный эффект

Литература:

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы. Учебник для вузов. 6-е изд., стер. – Спб.:

Издательство «Лань», 2002.- 480 с., ил.

1

Эффект Холла

Эффект, открытый американским физиком Эдвином Гербертом Холлом в 1879 году, заключается в явлении возникновения попереч- ной разности потенциалов в полупроводнике, по которому протекает электрический ток и суще- ствует магнитное поле Н, перпендикулярное на-

правлению тока.

Физическая природа эффекта Холла заключается в том, что на движущийся носитель тока в магнитном поле с индукцией В действует сила Лоренца

Fл q v,B , Н,

(1)

где v –скорость носителя; q – его заряд.

2

B I

-U

х

vn

+Uх

 

 

 

 

 

δ

a

Рис. 1. Эффект Холла

Направление силы Лоренца определяется пра- вилом левой руки. Если проводник n-типа проводи- мости, то электроны будут смещаться влево к внеш- ней стороне пластины, за- ряжая её отрицательно (рис. 1).

В полупроводника p-типа проводимости при том же направлении тока сила Лоренца будет смещать дырки в том же направлении. При этом левая внешняя сторона пластинки зарядится положительно.

3

Если угол между вектором скорости носителей v

и вектором маг-

нитной индукции B равен 90о, то величина силы Лоренца рассчитывается по

формуле

 

 

Fл=qvB,

 

(2)

где v – средняя дрейфовая скорость носителей заряда, м/c.

 

Электрическое поле между поперечными гранями пластинки равно

Eх

U х

 

, В/м,

(3)

а

 

 

 

где Uх (0,6…1)·10-4 В - разность потенциалов между поперечными гранями

пластинки, называемая эдс Холла; а – ширина пластинки (рис. 1).

Поле Ех действует на электроны с силой F=-qEх, направленной против силы Лоренца Fл. При выполнении условия Fл=F поперечное электрическое

поле уравновешивает силу Лоренца и дальнейшее накопление электрических зарядов на боковых гранях пластины прекращается. Тогда из равенства

qvB=qEх следует Eх=vB. Дрейфовая скорость носителей тока определяется из

выражения

v

j

 

 

 

qn

,

(4)

где j – плотность тока, А/м2, n – концентрация электронов, м-3.

4

Тогда выражение для поля Ех приобретает вид.

 

 

Ех

1

 

Вj.

(5)

 

 

qn

 

 

 

 

 

Умножив обе части равенства (6.15) на ширину

пластинки а, получаем формулу для эдс Холла

 

 

 

U х

1

Вja , В.

(6)

 

 

qn

 

 

 

 

 

 

Формула (6) обычно записывается в виде

 

 

 

U х Rх Вja

,

(7)

где

 

 

 

 

 

 

Rх

1

– коэффициент Холла, м3/Кл.

 

qn

 

 

 

 

 

 

 

 

5

С учетом разброса средней скорости дрейфа электронов в полупроводнике значение коэффициента Холла определяется из выражения

Rх

А

,

(8)

qn

 

 

 

где А=1,18 для полупроводников с преимущественным рассеянием носителей заряда на тепловых колебаниях кристаллической решетки; А=1,93 при рассеянии на ионизированных примесях.

Для дырочных полупроводников коэффициент Холла рассчитывается по формуле

Rх

А

,

(9)

qp

 

 

 

где q и p –заряд и концентрация дырок, соответственно.

6

При смешенной электронно-дырочной проводимости величина коэффициента Холла рассчитывается по формуле

Rх

А n p

,

(10)

 

 

 

qni n p

 

 

 

где μn и μp – подвижности

электронов и

дырок,

соответственно.

Из формулы (6.20) следует, что в собственных полупроводниках при выполнении условия ni=pi значение

коэффициента Холла равно

Rх

А n n

2 p p 2

.

(11)

 

 

 

q n n p p 2

 

7

Преобразователи Холла

Это гальваномагнитные полупроводниковые

приборы, основанные на использовании эффекта Холла.

ЭДС преобразователя Холла конечной длины рассчитывается по формуле

 

 

 

 

 

l

 

BJ

 

l

,

(12)

U

х

R

х

Bjaf

 

 

R

х

f

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

a

 

a

 

 

где J – ток через преобразователь, А; δ – толщина преобразователя, м; l – длина преобразователя; а

ширина преобразователя;

 

l

- поправочная

f

 

 

 

 

a

 

функция, график которой приведен на рис. 2.

8

1,0

 

l

 

 

 

 

 

 

 

0,8

f

 

 

 

 

a

 

 

 

0,6

 

 

 

 

 

0,4

 

 

 

 

l

 

 

 

 

δ

 

 

 

 

 

0,2

 

 

 

 

а

 

 

 

 

l /а

 

 

 

 

 

 

0

1,0

2,0

3,0

4,0

Рис. 2. Зависимость поправочной функции f(l/a)от размеров

преобразователя

9

Материалом для преобразователя Холла служит монокристаллическая пластинка из Ge или InSb. Эти материалы характеризуются высокой подвижностью электронов. Также используются тонкие пленки с толщиной δ=0,01…0,1 мкм, нанесенные на диэлектрическую подложку методом испарения в вакууме. В этом случае материалами служат HgSe, HgTe, сплавы HgSe-HgTe, в которых подвижность электронов достигает значения 1 м2/ (В·с).

Конструкция преобразователя Холла показана на рис. 3. Для устранения неэквипотенциальности выходных электродов 2-2 в схеме подключения преобразователя предусмотрен переменный резистор Rк. Предельная частота работы преобразователей Холла достигает 10…100 МГц.

1

 

Рис. 3. Конструкция

 

преобразователя Холла

2

 

Rк

1-1 – входные электроды;

2

 

2-2 – выходные

 

электроды;

 

 

2

 

Rк компенсирующий

1

 

10