ФОМЭ / лекции по ФОМЭ / ФОЭУк

Ковалентная (гомеополярная) связь

Химическая связь: - ковалентная

Ионная (гетерополярная) связь

Химическая связь: - ионная

Металлическая связь

Химическая связь: - металлическая

Молекулярная связь

Химическая связь: - молекулярная

Аморфные структуры

Структуры: - аморфные

Кристаллические структуры

Структуры: - кристаллические

Поликристаллические материалы

Структуры: - поликристаллические

Аморфно-кристаллические материалы

Структуры: - аморфно-кристаллические

кристаллографических систем

Кристаллографические системы

примитивной

Ячейка элементарная: - примитивная

сложные элементарные ячейки

Ячейка элементарная: - сложная

решетка Браве

Браве решетки

сфалерит

Структуры: - сфалерит

индексы Миллера

Индексы Миллера

Точечные дефекты

Дефекты решетки: - точечные

Дислокация

Дефекты решетки: - дислокации

Главное квантовое число

Квантовые числа

называемой электронной конфигурацией

Электронная конфигурация

Согласно принципу Паули

Паули принцип

называют энергией Ферми

Уровень Ферми

функцией распределения Ферми- Дирака

Функция распределения: -Ферми- Дирака

закон распределения Больцмана

Функция распределения: - Больцмана

соотношением де Бройля

Уравнения: - де-Бройля

Акустические фононы

Фононы: - акустические

Оптические фононы

Фононы: - оптические

Из второго выражения следует, что эффективную массу

Эффективная масса

эффективная масса электрона является постоянной и положительной величиной

Эффективная масса

Скорость непосредственной рекомбинации

Рекомбинация: - скорость рекомбинации

Коэффициент рекомбинации

Рекомбинация: - коэффициент рекомбинации

закона равновесия масс

Закон: - равновесия масс

собственного полупроводника имеет вид

Полупроводники: - собственные

Электронные полупроводники

Полупроводники: - электронные

Дырочные полупроводники.

Полупроводники: - дырочные

полупроводники с высокой концентрацией атомов легирующих примесей

Полупроводники: - вырожденные

функции плотности состояний

Плотность состояний: - функция

термодинамической работы выхода

Работа выхода: - термодинамическая

называют полной работой выхода,

Работа выхода: - полная

пользуются значениями энергетического потенциала

Потенциал энергетический

эффективной плотности состояний в зоне проводимости

Плотность состояний: - эффективная

температурой истощения

Температура: - истощения

температуру появления собственной проводимости

Температура: - собственной проводимости

Излучательная рекомбинация

Рекомбинация: - излучательная

Безизлучательная рекомбинация

Рекомбинация: - безизлучательная

среднее время жизни носителей заряда

Среднее время жизни носителей

Локальные уровни в запрещенной зоне полупроводника

Рекомбинация: - через локальные уровни

Рекомбинационные ловушки

Ловушки: - рекомбинационные

ловушки захвата

Ловушки: - захвата

формулы Шокли-Рида

Уравнения: - Шокли-Рида

скорость поверхностной рекомбинации

Рекомбинация: - поверхностная

неосновными

Носители заряда: - неосновные

неравновесные

Носители заряда: - неравновесные

основными носителями заряда

Носители заряда: - основные

равновесными

Носители заряда: - равновесные

Скорость дрейфа

Носители заряда: - скорость дрейфа

подвижностью носителей заряда

Носители заряда: - подвижность носителей

механизмами рассеяния

Носители заряда: - механизмы рассеяния

скорости насыщения

Носители заряда: - скорость насыщения

появлению дрейфа носителей тока

Ток: - дрейфовый

Удельное сопротивление электронного полупроводника

Электросопротивление удельное

условно можно выделить четыре участка.

Пробой полупроводников

получило название эффекта Ганна

Эффект: - Ганна

электрическим доменом

Домен электрический

первым законом Фика

Закон: - Фика

Диффузионный ток электронов

Ток: - диффузионный

соотношениями Эйнштейна

Уравнения: - Эйнштейна

диффузионной длиной носителей

Длина: - диффузионная

Для полного тока электронов

Ток: - полный

Контакты полупроводников с дырочным и электронным типами проводимости

P-n переход: - физическая структура

полупроводников до контактирования

P-n переход: - зонная диаграмма

ширину обедненного слоя

P-n переход: - ширина обедненного слоя

Приложение обратного смещения

P-n переход: - прямое смещение

инжекция неосновных носителей

P-n переход: - инжекция

обратного смещения

P-n переход: - обратное смещение

Уравнение вольтамперной характеристики p-n перехода

P-n переход: - уравнение ВАХ

дифференциальное сопротивление р-n перехода

P-n переход: - дифференциальное сопротивление

p-n переход обладает электрической емкостью

P-n переход: - емкость

Пробой – это процесс резкого увеличения тока

P-n переход: - пробой

Жидкостная эпитаксия

Эпитаксия: - жидкостная

Газовая эпитаксия

Эпитаксия: - газовая

контакт двух разнородных полупроводников с различной шириной запрещенной зоны

Контакты: - гетеропереходы

энергетические диаграммы полупроводников – широкозонного (N-типа) и узкозонного (p-типа)

Гетеропереходы: - зонная диаграмма

Применение гетеропереходов

Гетеропереходы: - применение

Лазерный диод

Лазерный диод

Контакты между полупроводником и металлом широко

Контакты: - полупроводник-металл

Потенциальный барьер в приконтактном слое

Барьер Шоттки

Выпрямляющий контакт

Контакты: - выпрямляющие

Невыпрямляющий (омический) контакт

Контакты: - невыпрямляющие

дифференциальным уравнением Пуассона

Уравнения: - Пуассона

дебаевская длина экранирования

Длина: - экранирования (дебаевская)

Обогащенный (низкоомный) слой

Слой: - обогащенный

Обедненный (высокоомный) слой

Слой: - обедненный

Инверсионный слой

Слой: - инверсионный

к повышению или понижению электропроводности этой области

Поверхностная проводимость

МДП-структурой называется трехслойная

Полевые транзисторы: - с изолированным затвором

изображение полевого транзистора с каналом n-типа

Полевые транзисторы: - с управляющим p-n переходом

Статические характеристики МДП-транзисторов с изолированным затвором и индуцированным каналом.

Полевые транзисторы: - статические характеристики

Статические характеристики МДП-транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом

Полевые транзисторы: - статические характеристики

Статические характеристики полевых транзисторов с управляющим p-n переходом

Полевые транзисторы: - статические характеристики

полевые транзисторы на основе GaAs

Полевые транзисторы: - с барьером Шоттки

Значение параметров определяется в пологой части

Полевые транзисторы: - параметры

Быстродействие ПТ с затвором в виде р-n переходов обусловлено

Полевые транзисторы: - граничная частота усиления

Токи в биполярном транзисторе с ОБ

Биполярные транзисторы: - схема с ОБ

модуляцией ширины базы

Эффект: - модуляции ширины базы

напряжением Эрли

Эрли напряжение

Коэффициент обратной связи по напряжению

Биполярные транзисторы: - коэффициент обратной связи

Входными параметрами для схемы с общим эмиттером

Биполярные транзисторы: - схема с ОЭ

коэффициентом усиления по току

Биполярные транзисторы: - коэффициент усиления тока базы

Математическая модель транзистора

Биполярные транзисторы: - модель Молла-Эберса

Рассмотрим случай, когда

Биполярные транзисторы: - статические характеристики

Коэффициент поглощения света

Коэффициент: - поглощения света

известно как закон Бугера-Ламберта

Закон: - Бугера-Ламберта

Собственное поглощение

Поглощение света: - собственное

Примесное поглощение

Поглощение света: - примесное

Поглощение света свободными носителями заряда

Поглощение света: - свободными носителями заряда

Поглощение света кристаллической решеткой

Поглощение света: - кристаллической решеткой

Экситонное поглощение света.

Поглощение света: - экситонное

внутренним фотоэффектом

Внутренний фотоэффект

Фоторезисторы.

Фоторезистор

резисторного оптрона

Оптопара: - резисторная

Фотолюминесценция.

Люминесценция: - фотолюминесценция

Катодолюминесценция

Люминесценция: - катодолюминесценция

Электролюминесценция

Люминесценция: - электролюминесценция

Фотогальванический эффект заключается

Эффект: - фотогальванический

фотодиодом.

Фотодиод

Диодная оптопара

Оптопара: - диодная

Контакты такого рода называют нейтральными.

Контакты: - нейтральные

Явление, названное в честь первооткрывателя (1821 г.), немецкого физика Томаса Иоганна Зеебека

Эффект: - Зеебека

величина термоЭДС

ТермоЭДС

Полупроводниковая термобатарея

Термобатарея

Тепло Пельтье

Эффект: - Пельтье

функции теплового насоса

Насос: - тепловой

коэффициент Пельтье

Коэффициент: - Пельтье

Английский физик У. Томсон

Эффект: - Томсона

Физическая природа эффекта Холла

Эффект: - Холла

Направление силы Лоренца

Сила: - Лоренца

значение коэффициента Холла

Коэффициент: - Холла

ЭДС преобразователя Холла

Преобразователь Холла

параметров от магнитного поля

Магнитотранзистор

эффект заключается в увеличении удельного сопротивления

Эффект: - магниторезистивный

название угол Холла

Угол Холла

Магниторезистор представляет

Магниторезистор

Магнитодиоды (рис. 7.15, а) – это диоды с толстой базой

Магнитодиод

магниторезисторные (АМР) датчики представляют

Магниторезисторный датчик

образуется двойной электрический слой

Слой: - двойной электрический

тормозящая сила зеркального изображения

Сила: - зеркального изображения

Термоэлектронная эмиссия осуществляется

Эмиссия: - термоэлектронная

Основные параметры термокатодов

Термокатод

Эффект фотоэлектронной эмиссии

Эмиссия: - фотоэлектронная

Вторичная электронная эмиссия

Эмиссия: - вторичная электронная

Электростатическая (автоэлектронная) эмиссия

Эмиссия: - электростатическая (автоэлектронная)

Диод (рис.8.3, а) – это электронная лампа,

Электронные лампы: - диод

Триод (рис. 8.4)

Электронные лампы: - триод

служит коэффициент токораспределения

Коэффициент: - токораспределения

Тетрод (рис. 8.6, а)

Электронные лампы: - тетрод

Пентод - это электронно-управляемая лампа

Электронные лампы: - пентод

В ВИС используются холодные катоды

Вакуумно-интегральная схема

название тлеющего разряда

Тлеющий разряд

двухэлектродный газоразрядный прибор

Стабилитрон

ионный трехэлектродный или четырехэлектродный прибор

Тиратрон

амплитудное уравнение Шредингера

Уравнения: - Шредингера

Процесс туннелирования электронов

Эффект: - туннельный

название сверхрешетки

Сверхрешетка

процесс называется резонансным туннелированием.

Эффект: - резонансного туннелирования

Квантово-размерными структурами являются объекты

Структуры: - квантово-размер­ные

полевого транзистора на гетероструктурах (ГСПТ)

Полевые транзисторы: - на гетероструктурах

называется квантовая единица сопротивления

Квантовая единица сопротивления

Кулоновская блокада

Кулоновская блокада

принципа неопределенности Гейзенберга

Уравнения: - Гейзенберга

Т-образная транзисторная структура

Одноэлектронный транзистор

Одноэлектронный насос

Насос: - одноэлектронный

схема нанотехнологической установки

Нанотехнологическая установка

фуллерены представляют собой молекулы

Материалы наноэлектроники: -фуллерены

магических чисел.

Магические числа

называемых фуллеридов

Материалы наноэлектроники: -фуллериды

Нанотрубки, представляющие

Материалы наноэлектроники: - нанотрубки

Хиральность – это угол ориентации

Хиральность