- •1.1 Полупроводник, виды проводимости в полупроводнике, рекомбинация в полупроводнике.
- •1.2 Образование p–n перехода, его свойства, вольтамперная характеристика.
- •2 Полупроводниковые диоды.
- •2.2 Выпрямительный диод
- •2.3 Высокочастотный диод
- •2.4 Импульсный диод
- •2.5 Стабилитрон
- •2.6 Стабистор
- •2.7 Варикап
- •3. Транзисторы
- •3.1 Типы транзисторов, классификация, маркировка транзисторов
- •3.2 Биполярные транзисторы
- •3.2.2 Схемы включения биполярного транзистора
- •3.2.3 Вольтамперные характеристики биполярного транзистора.
- •3.2.5 Коэффициенты усиления биполярного транзистора.
- •Параметры биполярного транзистора.
- •3.2.8 Составной биполярный транзистор.
- •3.3 Полевой транзистор.
- •3.3.1. Понятие, элементы и типы полевых транзисторов.
- •3.3.3 Условные обозначения и схемы включения полевых транзисторов.
3.3.3 Условные обозначения и схемы включения полевых транзисторов.
На рисунок 3.24 представлены условные обозначения полевых транзисторов с неизолированным затвором.

Рисунок 3.24 – Условное обозначение полевых транзисторов с неизолированным затвором с каналом типа-n (а) и каналом типа-p (б).
Для отображения типа проводимости канала используется стрелка на затворе. Как видно из рисунка, если стрелка смотрит в канал, то это означает, что канал имеет проводимость типа-n. Стрелка на затворе направленная от канала говорит о том, что канал имеет проводимость типа-p. Канал в обозначении полевого транзистора представлен перемычкой между истоком и стоком.
Условные обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом представлены на рисунок 3.25.

Рисунок 3.25 – Условное обозначение полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом типа-n (а) и типа-p (б).
Из рисунка видно, что затвор не имеет гальванической связи с каналом. При рассмотрении принципа действия полевого транзистора с изолированным затвором было сказано, что подложка соединена с истоком для обеспечения стекания объёмного заряда на исток. Это отображено и в условном обозначении в виде перемычки, на которой размещена стрелка. Направление стрелки говорит о типе проводимости канала - в сторону канала для проводимости типа-n и в сторону от канала для проводимости типа-p.
Условное обозначение для полевого транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом представлены на рисунок 3.26. Как видно, отличие их от условного обозначения для полевого транзистора с встроенным каналом состоит в изображении канала пунктиром.

Рис. 3.26 – Условные обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором и индуцированным каналом типа-n (а) и типа-p (б).
Рассмотрим виды включения полевых транзисторов. Как и для биполярных транзисторов, полевые транзисторы включаются так, что один из выводов будет общим для входных и выходных выводов. В результате могут иметь место схемы включения с общим истоком, с общим стоком и с общим затвором. Наиболее распространена схема с общим истоком. На рисунке 3.27 представлены полевые транзисторы без изолированного затвора с каналом типа-n и типа-p, включённые по схеме с общим истоком. При включении полевых транзисторов необходимо правильно указать полярность напряжений между истоком и стоком и на затворе относительно истока.

Рисунок 3.27 – Включение полевого транзистора с неизолированным затвором по схеме с общим истоком с каналом типа-n (а) и типа-p (б)
Полярность напряжения между истоком и стоком должна быть такой, чтобы основные носители канала двигались от истока к стоку. Поэтому следует обратить внимание на то, какая проводимость канала, что обозначается стрелкой.
На рисунке 3.27,а представлен полевой транзистор с каналом типа-n, где основными носителями заряда являются электроны. Чтобы электроны двигались от истока к стоку необходимо приложить отрицательный потенциал к истоку, который будет отталкивать электроны от истока, а положительный заряд к стоку, который будет притягивать электроны к стоку. На рисунке 3.27,б представлен полевой транзистор с каналом типа-p, где основными носителями зарядов являются дырки – положительные заряды. Поэтому, с учётом сказанного, к истоку должен быть приложен положительный заряд, а к стоку - отрицательный.
В полевом транзисторе с неизолированным затвором важно не ошибиться в полярности напряжения прикладываемого к затвору относительно истока. Как отмечалось выше, полярность напряжения должна быть такой, чтобы p-n переход между затвором и каналом был под обратным напряжением. Если ошибочно на затвор подать прямое напряжение, то произойдет тепловой пробой p-n перехода (он сгорит). На рисунке 3.27,а канал типа-n, тогда затвор типа-p и на затвор необходимо прикладывать отрицательный заряд, а на исток - положительный. На рисунке 3.27,б полевой транзистор с каналом типа-p, тогда затвор типа-n и к затвору прикладывается положительный потенциал.
3.3.4 Семейства статических вольтамперных характеристик полевых транзисторов.
У полевого транзистора, как и у биполярного рассматриваются входные и выходные характеристики. Кроме этих характеристик, у полевого транзистора рассматриваются ещё стоко – затворные характеристики.
Входные характеристики у полевого транзистора с неизолированным затвором представляют В.А.Х. p-n перехода при обратном напряжении (рисунок 2.3,б). Величина обратного тока незначительна. У полевых транзисторов с изолированным затвором ток затвора равен нулю и поэтому для них вообще не имеет смысла говорить о входной В.А.Х. На основании изложенного у полевых транзисторов не рассматриваются входные В.А.Х.
Выходные
характеристики полевых транзисторов
представляют зависимость тока стока
(
)
от напряжения на стоке (
)
при определённом значении напряжения
на затворе. На рисунке 3.28,а представлены
выходные характеристики полевого
транзистора с неизолированным затвором.

Рисунок 3.28 – Семейства статических выходных и стоко – затворных характеристик полевого транзистора с неизолированным затвором.
При
нулевом потенциале на затворе (
)
сечение канала максимально, его
сопротивление минимально, что обеспечивает
наибольшее значение тока стока при
конкретных значениях стокового
напряжения. Эта характеристика занимает
самое верхнее положение в семействе
выходных характеристик. При установке
некоторого напряжения на затворе (
)
увеличивается толщина запирающего слоя
(рисунок 3.21), уменьшается сечение канала,
возрастает его сопротивление, что ведёт
к уменьшению тока стока при тех же
значениях стокового напряжения. Эта
характеристика располагается ниже
предыдущей характеристики. Аналогично
объясняется поведение остальных выходных
характеристик.
На
рисунке 3.28,б представлено семейство
стоко – затворных характеристик полевого
транзистора с неизолированным затвором.
Эти характеристики показывают, как
изменяется ток стока при изменении
напряжения на затворе для определённого
значения напряжения на стоке. Они
строятся с помощью семейства выходных
статических характеристик, на которых
выбирается определённое значение
напряжения на стоке (
)
и проводится вертикальная линия до
пересечения со всеми характеристиками.
В точках пересечения берётся значение
тока стока (
)
и значение напряжения затвора (
),
при котором снималась эта характеристика.
Найденные значения откладываются на
координатных осях стоко – затворной
характеристики. С увеличением напряжения
стока увеличивается ток стока, что
вызывает более высокое расположение
стоко – затворных характеристик.
При
определённом значении напряжения на
затворе запирающий слой затвор – канал
полностью перекрывает канал и прекращается
протекание тока стока. Это напряжение
называется напряжением
отсечки
(
).
Выходные и стоко – затворные характеристики для полевых транзисторов с изолированным затвором с встроенным и индуцированным каналом имеют одинаковый вид и представлены на рисунке 3.29. Особенностью этих транзисторов является то, что к затвору может прикладываться напряжение различной полярности.

Рисунок 3.29 – Семейства статических выходных (а) и стоко – затворных (б) характеристик полевого транзистора с изолированным затвором с встроенным и индуцированным каналами.
Рассмотрим
выходные характеристики (рисунок
3.29,а). При нулевом напряжении на затворе
(
)
ток стока определяется омическим
сопротивлением канала и величиной
напряжения между истоком и стоком (
).
Допустим, что канал типа-n.
Тогда при отрицательном потенциале на
затворе происходит обеднение канала,
и ток стока будет иметь меньшее значение
при тех же напряжениях на стоке, и
характеристики идут ниже характеристики
с нулевым напряжением на затворе. При
положительном потенциале на затворе
(
)
происходит обогащение канала, и ток
стока имеет большее значение при тех
же значениях напряжения на стоке, и
характеристики идут выше характеристики
с нулевым напряжением на затворе.
Семейство стока – затворных характеристик строится аналогично рассмотренному выше, т.е. с помощью семейства выходных характеристик. Из-за возможности прикладывать к затвору и положительный потенциал, стоко – затворные характеристики теперь продолжаются и в первый квадрант.
При
определённом уровне отрицательного
потенциала на затворе полностью
останавливается движение электронов
в канале, и ток стока прекращается. Это
напряжение на затворе называется
напряжением
отсечки (
).
