Архангельский М.В._2154_контрольная работа

Министерство цифрового развития, Связи и Массовых Коммуникаций Российской Федерации Ордена Трудового Красного Знамени федеральноегосударственноебюджетное образовательное

учреждениевысшегообразования «Московский Технический Университет Связи и Информатики»

(МТУСИ)

Кафедра«Электроники»

Контрольная работа:

попредмету: «Электроника» Вариант 01

Выполнил: студент гр. БСТ2154 Архангельский М.В.

Принял: к.т.н Каравашкина В.Н.

Москва 2023

Задание:

1.Нарисовать логическую схему на 2 входа, реализующую заданную в таблице 2 логическую функцию. Студенты, у которых последняя цифра № студенческого билета четная – рисуют схему на nМДП ключах, нечетная – на КМДП ключах

2.Пояснить как работает схема при заданной в таблице 2 комбинации входных сигналов. 3. Нарисовать структуру ключа.

Исходные данные:

Вариант №01 (студенческий билет №ЗБСТ21001)

Поскольку последняя цифра студенческого билета нечётная, то схема будет сделана на КМДП ключах.

Выполнение:

Логическая схема по исходному варианту представлена на рисунке 1.

Рисунок 1 — Логическая схема

На схеме VT1,VT2 – p-канальные транзисторы, VT3,VT4 – n-канальные. VT1 и VT3 образуют первый КМДП ключ, VT2 и VT4 соответственно второй.

В нашем случае при значениях напряжений ниже пороговых на X1 и X2, затворы n-канальных транзисторов VT3 и VT4 будут закрыты, тогда выход элемента будет подключен через открытые p-канальные транзисторы VT1 и VT2 к узлу с потенциалом +E, соответственно на выходе элемента будет логическая 1.

Далее была нарисована структура КМДП ключа, как показано на рисунке

2.

Рисунок 2 – Структура КМПД ключа

Контрольные вопросы:

1) Как осуществляется фотолитография?

1. Подготовленная к фотолитографии кристаллическая кремниевая подложка с идеально обработанной поверхностью.

2.Создание защитного слоя SiO2, например окислением кремния.

3.Нанесение на защитный слой фоторезиста – светочувствительного вещества, которое под действием света полимеризуется и затвердевает.

4.Наложение на фоторезист фотошаблона – стеклянной фотопластинки, на которую сфотографировано с большим уменьшением необходимое чёрно-белое изображение.

5. Засветка. Свет проникает сквозь прозрачные участки фотошаблона и засвечивает под ними фоторезист.

6.Удаление фотошаблона.

7.Смывка незасвеченного фоторезиста растворителем, не действующим на засвеченный фоторезист.

8.Травление слоя SiO2 плавиковой кислотой (не действует на засвеченный фоторезист).

9.Смывка засвеченного фоторезиста.

2) Почему ток и мощность, потребляемые КМДП-ключом в процессе переключений растёт пропорционально частоте переключений?

Потому что КМДП-ключ потребляет энергию только в процессе переключения на перезаряд паразитных ёмкостей, значит, чем чаще происходят переключения, тем больше энергии расходуется.

Список литературы:

1.Игумнов Д.В., Костюнина Г.П., Основы полупроводниковой электроники – М.: Горячая линия – Телеком, 2011.

2.Власов В.П., Каравашкина В.Н., Аринин О.В., Практикум по курсу «Электроника» / МТУСИ. –М., 2014.

3.Власов В.П., Каравашкина В.Н. Электроники: учебное пособие/ МТУСИ.

–М.; 2018.