книги из ГПНТБ / Власов В.Ф. Электронные и ионные приборы Учеб.пособие для радиотехн.вузов и фак

системе функциональная зависимость между токами и напря­ жениями триода задаётся в виде:

Для измерения Я-параметров необходимо обеспечение режи­ мов холостого хода во входной цепи и короткого замыкания в выходной цепи, что нетрудно сделать как для плоскостных, так и для точечных триодов.

Связь между системами параметров

При практических расчётах может встретиться необходимость перехода от одной системы параметров к другой системе или от параметров в одной схеме включения триода к параметрам в другой схеме включения. Формулы для такого перехода можно получить, решая соответствующие уравнения относительно неза­ висимых переменных, например:

*) Д л я п ер ем ен н о й с о с т а в л я ю щ е й .

640

Сравнивая последнее выражение с ур-нием (23.6), находим, что:

В табл. 23.2 приведены полученные таким образом формулы перехода от одной системы параметров к другой.

Т а б л и ц а 23.2

642

Продолжение

Определение параметров по характеристикам

Параметры полупроводниковых триодов могут быть опреде­ лены по статическим характеристикам методами, подобными тем, которые применяются для определения параметров элек­ тронных ламп. Для этой цели лучше всего брать характеристи­ ки, снятые для той же схемы включения триода и для той же системы переменных. В противном случае параметры непосред­ ственно не определяются и необходимо делать перерасчёт.

Следует отметить, что значения параметров полупроводни­ кового триода, определённые из статических характеристик, мо-

гут быть использованы для расчётов только в диапазоне низких частот, где параметры триода являются чисто активными и не зависят от частоты:

Рассмотрим для примера методику определения Л-парамет- ров плоскостного триода, включённого по схеме с общей базой. Для определения всех параметров необходимо иметь два семей­ ства характеристик, например входное и выходное. По выход­ ному семейству могут быть определены параметры Л22 и 1г2\

(рис. 23.26а) :

по входному семейству — параметры Ли и Л[2 (рис. 23.266):

Определив эти параметры и пользуясь далее формулами пере­ хода (табл. 23.2 и 23.3), легко найти другие параметры триода.

В табл. 23.4 указаны примерные значения параметров полу­ проводниковых триодов в диапазоне низких частот.

644

Зависимость параметров триода от режима и температуры

При практическом использовании данных о параметрах того или иного триода следует иметь в виду, что величина пара­ метров триода зависит от того, в какой точке характеристики они оп­ ределяются. На рис.

23.27 и 23.28 показана зависимость парамет­ ров триода типа П6 от тока эмиттера, а на рис. 23.29 и 23.30 —

от напряжения коллек­ тора. Ввиду того что на практике наблюдается большой разброс пара­ метров триодов, на ри­ сунках штриховкой по­ казаны области, внут­ ри которых лежат зна­

чения параметров при различных режимах работы. Из характе­ ристик видно, что из всех парметров триода наибольшее измене­ ние испытывают параметры Ли и Л22 при изменении тока эмит­

Как видно из графиков, величина Л21 практически не зависит от температуры до 100 -*-120°С, а величина входного сопротив­ ления Лп несколько возрастает. Сильная зависимость от тем­ пературы наблюдается у параметров Л[2 и Лм ,

Величина температуры, начиная с которой наблюдается рез-

646

60■е

¥)■4 чштшш/шитнтщть

го

Ок,6

л -5 -10 -15 -го -25 -30

Рис. 23.29

Рис. 23.31

647

кое увеличение коэффициента обратной связи по напряжению Ахг и выходной проводимости h22, определяется соотношением между собственной и примесной проводимостями материала, из

большей ширины запретной зоны Ai^ и соответственно малой собственной проводимости кремния удаётся изготавливать «а предельные температуры до 150°-ь 170°С и более.

§ 23.5. Динамический режим полупроводниковых триодов

Общие сведения

При работе триода в схеме в его выходную цепь обычно вклю­ чается сопротивление нагрузки ZH, а во входной цепи действует некоторый генератор сигнала Е с с внутренним сопротивлением Zc (рис. 22.33). В этом случае во время работы изменяются все токи и напряжения триода и такой режим принято называть ди­ намическим.

Связь между токами и напряжениями при этом определяется уже не двумя уравнениями, как в статическом режиме, а че­ тырьмя. К двум уравнениям, описывающим поведение трио­ да в статическом режиме,

и . - МЛ>и„-„», • (23.23)

~ fv ( U к) 1э = co n s

следует добавить ещё два:

Характеристики и параметры триода, работающего в дина­ мическом режиме, называют динамическими. Они могут сущест-

648

венно отличаться от соответствующих характеристик и пара' метров статического режима, так как определяются не толькосвойствами триода, но и характером схемы, в которую этот триод включён. Строго говоря, в этом случае мы имеем дело уже с ха­ рактеристиками и параметрами не триода, а схемы.

Рассмотрим основные динамические параметры и характе­ ристики триода как усилителя и свяжем их с соответствующими статическими параметрами и характеристиками.

Динамические параметры полупроводникового триода

Динамическими параметрами полупроводникового триода1 называются величины, связывающие малые изменения токов и напряжений триода в динамическом режиме.

Динамические параметры могут быть введены в любой сис­ теме и так же, как и статические, зависят от способа включения триода. Практически удобно пользоваться следующими дина­ мическими параметрами:

т. е. сопротивление, которое, представляет входная цепь триодз для входного тока 1\ при наличии нагрузки в выходной цепи.

Рассматривая триод в динамическом режиме как четырёхпо­ люсник, к которому со стороны выхода подключена нагрузка ZK„ легко получить формулы, дающие связь динамических парамет­ ров со статическими. Для схемы, изображённой на рис. 23.34, можно написать следующие уравнения:

6 4 9