Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Петренко А.И. Масштабно-временные преобразователи импульсных сигналов

.pdf
Скачиваний:
13
Добавлен:
29.10.2023
Размер:
4.47 Mб
Скачать

ника с большим удельным сопротивлением, нанесенной на мелкоструктурную сетку, при этом накопительный слой обращен к записывающему прожектору. Тонкая металли­ ческая сигнальная пластина расположена со стороны счи­ тывающего прожектора. Так как глубина потенциального рельефа снижается прн увеличении скорости записи, то соответственно уменьшается и время периодического счи­ тывания изображения.

Графеконы удобно применять в системах периодиза­ ции сигналов с одновременным, в случае необходимости, расширением пли сжатием их спектра.

В настоящее время пнтенсивпо ведутся работы по усо­ вершенствованию электронно-лучеплх трубок с накопле­ нием зарядов. Только за 6 лет (с 1957 по 1963 гг.) во Все­ союзную патентно-техническую библиотеку поступило свыше 4G0 иностранных патентов по данному вопросу 116]. Основные разработки ведутся в направлении повы­ шения разрешающей способности, скорости записи, вре­ мени хранения записанной информации и т. д. Поэтому следует подчеркнуть, что данные, приведенные в табл. 1—5, являются ориентировочными, характеризующими средние значения параметров трубок, реализованных в настоящее время.

Для значительного увеличения информационной ем­ кости трубки с накоплением зарядов перспективны мишени ленточного типа [40]. Общий вид узла мишени такой труб­ ки показан на рис. 20, а. Накопительная лента 3 изготов­ ляется отрезками длиной до десятков метров при ширине активной поверхности 57 мм и представляет собой гальва­ нопластическую реплику дифракционной решетки, вы­ полняемой из никеля или меди. Лента имеет ребристую поверхность (примерно 2360 ребер на 1 см длины).

На длинную сторону ребра (рис. 20,6) напылен слой высокоомного диэлектрика, малая сторона ребра остается

70

свободной. Это позволяет избежать замыкания лицевой стороны ленты с обратной стороной предыдущего витка при намотке ленты в рулон и тем самым сохранить накоп­ ленный на ней потенциальный рельеф.

Подготовка мишени проводится в режиме Б. Запись выполняется посредством вторичной эмиссии или бомбар­

дировкой

электронами,

 

 

вызывающей появление

 

 

наведенной проводимо­

 

 

сти. Трубка, описанная

 

 

в работе [40],

работает

 

 

с записью

электронно­

 

 

возбужденной

проводи­

 

 

мостью, при этом плот­

 

 

ность

записывающего

 

 

пучка 1 (рис. 20,я) конт­

а

 

ролируется

входным

 

Рис. 20. Трубка памяти с ленточной

световым сигналом.

После

записи

лента

 

мишенью:

а — общий вид узла мишени; б — накопи­

наматывается на вторую

тельная лента;

1 — записывающий пучок;

катушку 4

(рис. 20, а),

2 — передающая

катушка; 3 — лента; 4

приемная катушка; л — считывающий пу­

откуда ее можно перемо­

 

чок.

тать

обратно

для

счи­

 

 

тывания. Считывание может осуществляться сеточным управлением с модуляцией отражением или быть переза­ рядным. В первом случае промодулированный потенциала^ ми на накопительной пленке ленты обратный луч 5 (рис. 20,а), как и в суперортиконе, усиливается несколькими ка­ скадами электронного умножения и образует выходной сигнал. При этом можно получить свыше 20 000 полутоно­ вых изображений одного кадра при времени хранения ин­ формации 80 ч. Разрешающая способность выше чем 150 строк на 1 мм накопительной ленты.

Кассета с катушками и лентой имеет диафрагмы для

71

прохождения электронов записывающего и считывающего пучков. Поэтому система кассета — трубка включает в себя разборные вакуумные устройства, что является ее недостатком.

5.

ПРИМЕНЕНИЯ ТРУБОК ПАМЯТИ В МАСШТАБНО-ВРЕМЕННОМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕ

На основании проведенного выше сравнительного ана­ лиза существующих типов трубок с накоплением зарядов могут быть сформулированы некоторые рекомендации по их применению для масштабно-временного преобразо­ вания импульсных сигналов [20].

Наибольшей скоростью записи обладает осциллографнческая трубка в режиме накопления зарядов, однако разрешающая способность ее мала, что обусловливает повышенную амплитудную погрешность преобразования и невысокую информационную емкость. При использовании трубки в режиме накопления зарядов необходима предва­ рительная подготовка каждого экземпляра — искусствен­ ное нанесение сигнальной пластины, что допускает ее' применение лишь в лабораторных условиях.

Разрешающая способность выше у потенциалоскопа с барьерной сеткой, но вследствие увеличения элементарной емкости мишени допустимая скорость записи уменьшается. Однако пшрокополосность этой трубки достаточна для ре­ шения различных задач масштабно-временного преобра­ зования импульсных сигналов. К преимуществам потен­ циалоскопа с барьерной сеткой относят сравнительно несложную технологию изготовления, простую систему управления записью и считыванием.

Повышение разрешающей способности с одновременным увеличением скорости записи обеспечивается в трубках с

72

проницаемым потенциалоносптелем, полутоновой записью ц считывавшем сеточным управлением. Преимуществом таких трубок является возможность совмещения внутрен­ него считывания рельефа, зафиксированного на мишени, с получением изображения на экране.

При считывании сеточным управлением амплитуда им­

пульса отметки мало зависит от скорости

считывания.

В результате при переменном коэффициенте

масштабно­

временного преобразования можно не применять комби­ нированные развертывающие напряжения (гл. I). Однако в настоящее время технология изготовления таких трубок сложная и стоимость их высокая.

В последующих главах книги проводится подробный анализ параметров и режимов работы потенциалоскопа с барьерной сеткой и показано его применение в масштабно­ временных преобразователях импульсных сигналов.

ГЛАВА III

ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛО-

СКОПА с б а р ь ер н о й с е т к о й в у с т р о й с т в а х

МАСШТАБНО-ВРЕМЕННОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ

Обычно потенциалоскоп с барьерной сеткой исполь­ зуется для записи зарядного рельефа по глубине (т. е. с передачей полутонов), поэтому большинство проведенных исследований посвящено обоснованию выбора электриче­ ского режима прибора, в котором обеспечивается опти­ мальная линейность вольт-амперных характеристик труб­ ки [38].

В масштабно-временном ппеобразователе импульсных сигналов, где более эффективна запись по геометрической форме, уместна постановка задачи о выборе электрического' режима, обеспечивающего максимальную скорость записи и разрешающую способность, т. е. максимальные значения

AFbx И J г-

Ниже приведен анализ физических процессов в потенциалоскопе с барьерной сеткой, выполненной на основе методики, предложенной в работе [38].

1. ПРОЦЕССЫ . НА МИШЕНИ ПРИ ЗАПИСИ

На рис. 21 показан блок мишени трубки, который со­ стоит из коллектора 1, собирающего вторичные электроны, прошедшие барьерную сетку 2; мишени, одна сторона ко-

74

торой покрыта диэлектриком 3, а другая образована про­ водящей сигнальной пластиной 4.

Элементарная емкость элемента мишени Сь состоит из емкости С2между поверхностью диэлектрика и сигнальной пластиной и емкости Сг между поверхностью диэлектрика

и барьерной сеткой.

Уменьшать

 

 

Сд можно

за

счет

 

увеличения

 

 

расстояния

мишень — барьер­

 

 

ная сетка, что ухудшает раз­

 

 

решающую способность трубки.

 

 

Так

как

импульсы записи

 

 

подаются

на

сигнальную пла­

 

 

стину относительно

барьерной

 

 

сетки,

разность

потенциалов

 

 

между сигнальной пластиной и

4

 

барьерной

сеткой

распределя­

Рис. 21.

Блок мишени по-

ется обратно

пропорционально

тенцпалоскопа с барьерной

емкостям

 

и

С2

 

 

 

сеткой.

 

 

 

 

и

 

С2

= цг/в

(38)

 

 

 

 

 

= и в Сг + С2

где г) =

 

Q

а — коэффициент передачи емкостного дели-

 

 

 

М " 0-2

 

 

 

 

теля.

Чем меньше емкость мишень — сигнальная пластина С2 при постоянной емкости мишень — барьерная сетка Сѵ тем большую амплитуду импульсов записи UBX нужно по­ давать на сигнальную пластину для отклонения потен­ циала мишени от равновесного.

Для упрощения анализа примем следующие прѳдпо-' ложения:

распределение вторичных электронов по энергиям под­ чиняется экспоненциальному максвелловскому закону

(рис. 22);

75

перераспределение вторичных электронов по поверх­ ности мишени при наличии барьерной сетки отсутствует и некоторые вторичные электроны возвращаются в точку своего вылета;

электронный пучок имеет прямоугольное сечение со сторонами Ду и Дх прп равномерном распределении плотности тока по всему се­

чению; перед записью мишень при­

водится к равновесному потен­ циалу U*, отсчитываемому от

 

 

 

потенциала

барьерной

сетки

 

 

 

и а.с

 

также

пренебрегать

 

 

 

Будем

 

 

 

влиянием

пространственного

 

 

 

заряда между мишенью и барь­

 

 

 

ерной сеткой, а также переход­

 

 

 

ными процессами при измене­

 

 

 

нии напряжения на сигнальной

Рпс. 22.

Кривая распреде­

пластине

при

переходе

от

ре­

ления вторичных

электро­

жима записи

к считыванию

и-

нов по энергиям.

 

наоборот.

 

 

 

 

 

 

нии вторичных

 

При

принятом

распределе­

электронов по энергиям плотность

тока

электронов, покидающих мишень

 

в направлении,

пер­

пендикулярном

к мишени, с энергиями в

диапазоне от

U2 до Uz -j-dU2 может быть представлена как

 

 

 

 

 

 

di

1

Uj_

 

 

 

 

 

 

 

V

 

 

 

(39)

 

 

dü2~ Ж °о(>]ле

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

где о0

коэффициент вторичной

э м и сси и материала

ми­

 

шени;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/л — плотность тока пучка;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

£Га — средняя энергия вторичных электронов; 6 — проницаемость барьерной сетки.

Если во время записи на сигнальную пластину подан отрицательный импульс (режим Б-1), ІІЫ< Uo.c и между мишенью и барьерной сеткой действует ускоряющее поле. В результате все вторичные электроны пройдут плоскость барьерной сетки п уйдут на коллектор, при этом

 

/кол = <Т00 /л ,

(4 0 )

так как

 

 

j e L'2dU2= Ü 2.

(41)

 

6

 

Если потенциал мишени выше потенциала барьерной

сетки (t/„ >

Uo.c),

вторичные электроны двигаются в тор­

мозящем поле £/т =

Е/м — U o . c - При заземленной барьерной

сетке U-г =

UM.

 

Этот режим соответствует положительному импульсу записи на сигнальной пластине (режим Б-2), а также отри­ цательному импульсу записи в том случае, когда в про­ цессе заряда элементарной емкости потенциал мишени превысит потенциал барьерной сеткп (режим Б-1-2).

Из всех вторичных электронов пройти плоскость барь­ ерной сеткп и уйти на коллектор смогут только те электро­ ны, скорости которых превышают тормозящую разность

потенциалов

 

 

(42)

U2 > U T Е/м — Uо. с-

Поэтому плотность тока

коллектора

 

 

00

 

 

/кол =

f

% d U 2.

(43)

 

t/м

 

Если и ы < Uo.c (режим Б-1), то

 

/кол

=

СГ0б/л,

(44)

что совпадает с формулой (41).

 

77.

При и ы =

и б.с (режим Б-2)

 

 

Ікon~°<ßjne 3'

(45)

Формулы

(44) и (45) характеризуют

зависимость ]„0л

от потенциалов мишени относительно барьерной сетки и от величины коэффициента вторичной эмиссии а0, которая, зависит от энергии первичных электронов Un — Г.гм— UK.

Вводя понятие действующего коэффициента вторичной эмиссии

 

й;ол

(46)

 

 

0/л ’

 

 

 

получим при UM< Uб.с

о — п0;

(47)

 

 

при U

£7"бх

 

 

 

о =

<т0е Ѵг.

(48)

Таким

образом, уменьшение тока

коллектора при

повышении потенциала мишени и увеличении тормозящего^

поля для вторичных электронов эквивалентно

уменьше­

нию а.

 

При выполнении равенства

 

ІНОЛ~ 0/л

(49)

получаем п = 1 и в соответствии с выражением (48)

UM— Up = TJ2 1ип0,

(50)

где U'p — равновесное значение потенциала мишени, при котором плотность тока коллектора равна плотности тока первичных электронов.

С помощью электронного луча в режиме Б потенциал элемента мишени можно довести только до Up. При подаче ’

78

импульса записи £УВХ на сигнальную пластину потенциал мишени отклоняется от равновесного.

Принимаем равновесный потенциал за начало отсчета потенциала мишени, тогда

U — 17ыUp = и ы— f/2 ln cr0;

t/б.с == — и г 1па0.

 

 

 

На основании выражения (51)

можно четко разграни­

чить режимы записи: режим

Б-1

соответствует

 

и < и б. с =

— t/2ln a0;

(52)

режим В-2

 

 

 

и > и б. с -= — г/21пст0.

(53)

Плотность тока, разряжающего элементарную

емкость

мишени (рис. 21),

 

 

 

/м — Ö/л

/колі

(54)

поэтому в режиме Б-2

 

и

 

 

 

 

hi 00б/л 1 — е

и.

(55)

а в режиме Б-1

 

 

 

Іы= 5/л (1 — а0).

(56)

Изменение потенциала мишени U при этом определяется из формулы

dU = — ^ d t ,

(57)

где С0 — удельная емкость мишени.

Изменение потенциала мишени за время t после начала

его облучения пучком

( .

 

1/(0

 

AU = j =

j ^ dt,

(58)

ио

.79

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ