Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Маркова В.Н. Малютки ПТ

.pdf
Скачиваний:
9
Добавлен:
29.10.2023
Размер:
2.96 Mб
Скачать

лекторный вывод, выходной ток снимается с внутреннего слоя коллектора. Диапазон час­ тот — от 10 кгц до 10 Мгц.

Маломощные р-п-р-п переключатели могут быть использованы как элементы цепей с дву­ мя устойчивыми состояниями, элементы па­ мяти, кольцевые счетчики, а также в переклю­ чающих и ключевых схемах. Мощные приборы можно применять вместо газонаполненных ти­ ратронов. Они имеют улучшенные по сравне­ нию с лампами свойства: малые падения на­ пряжения в проводящем состоянии, высокие скорости переключения, большие пиковые токи и отсутствие накала. Это открывает широкие возможности для принципиально нового их применения.

В связи с новым направлением в радио­ электронике — микроминиатюризацией схем в целом и схемных элементов в частности, а также с переходом на малые мощности в вы­ числительных устройствах все существующие типы приборов оцениваются сейчас с точки зрения их пригодности в твердых и тонкопле­ ночных схемах. На первый план выдвигаются требования простоты технологии, воспроизво­ димости параметров триодов, их надежности и универсальности, а также возможности объединения в одном приборе функций схем­ ного узла.

Большой интерес вызывают канальные триоды, предназначенные для схем с непо­ средственной связью. Не менее интересны и планарные приборы,, у которых на окисном слое может быть выполнена тонкопленочная схема. Четырехслойные переключатели как

101,

приборы с отрицательным сопротивлением представляют один из основных классов сов­ ременных приборов. В настоящее время инже­ неры стремятся конструировать схемные узлы в одном приборе, разрабатывают двухэмиттерные и двухколлекторные устройства (послед­ ние работают как сумматоры). Возможно, что через несколько лет на смену единичным трио­ дам придут интегральные устройства, основан­ ные на различных принципах работы и имею­ щие различную технологию. Сейчас можно с уверенностью сказать, что без компактных программных устройств, работающих на по­ лупроводниках, немыслимо завоевание космо­ са, нельзя экономично осуществлять автома­ тизацию производственных процессов, невоз­ можно создать искусственный мозг — «мозгсправочник».

В развитии электронной техники большое значение имеет решение вопросов, связанных с уменьшением веса и занимаемых приборами площадей, а также со снижением потребляе­ мой ими мощности. Но это еще не все. Самое главное — это обеспечение надежности и дол­ говечности работы полупроводниковых прибо­ ров. Универсальные интегральные узлы, сде­ ланные в одном кристалле, являются теми «кирпичиками», из которых можно собрать любую сложную машину. И в схеме мощного усилительного каскада, и в высокочастотной переключающей схеме за основу можно взять одни и те же триоды к тетроды. Это значи­ тельно удешевит технологию изготовления электронной аппаратуры, даст возможность быстро заменять отдельные приборы.

102

Мы назвали несколько перспективных на­ правлений развития полупроводниковой элек­ троники. Но возможно, что с развитием хи­ мии, электронно-лучевой и ядерной техники будут найдены принципиально новые решения для конструирования полупроводниковых ми­ кроминиатюрных приборов. Новое не заставит себя ждать. Будущее за нашими друзьями — малютками ПТІ

 

ЛИТЕРАТУРА

Б о л т а к с

Б. И. Диффузия в полупроводниках.

Физматгиз. М.,

196!.

Полупроводниковые приборы и их применение. Сб. под ред. Я. А. Федотова. «Советское радио». М., 1960— 1964.

Полупроводниковые приборы с отрицательным со­ противлением. Сб. под ред. С. А. Горяйнова. Госэнерго-

издат. М , 1962.

Производство полупроводниковых приборов. Пере­ вод с англ, под ред. Г. Д. Глебова. Оборонгиз, 1962.

Ф е д о т о в

Я. А., Ш м а р ц е в Ю.

В. Транзисторы

«Советское радио». М., 1960.

 

Ф е д о т о в

Я- А. Основы физики

полупроводнико­

вых приборов.

«Советское радио». М.,

1963.

 

О С Н О В Н Ы Е У С Л О В Н Ы Е О Б О З Н А Ч Е Н И Я

В и Вк

— коэффициент

передачи

соответственно

 

тока базы и тока коллектора;

 

 

 

ß Hac

— коэффициент

передачи

тока

базы

в

 

режиме

насыщения;

 

 

 

 

 

0 „ и 0

— коэффициент

диффузии

соответствен’

 

но электронов и дырок, см2/сек;

 

Об

— коэффициент

диффузии

носителей

в

 

базе;

 

 

 

 

 

 

 

 

£ КИ[(

— средняя

кинетическая

энергия

элек­

 

трона;

 

 

 

 

 

 

 

 

Д£

— ширина

запрещенной зоны, эѳ;

 

 

 

— основание

натуральных

логарифмов

 

(«= 2,71828...);

 

 

 

 

 

 

/а н jfg

— предельная

частота усиления соответ­

 

ственно по коэффициенту передачи то­

f макс

ка и по эффективности переноса;

 

— максимальная

частота

генерации;

 

ft

— полоса

частот;

 

 

 

 

 

G — градиент концентрации примесей (<?=

 

_сШ\

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~ dxj

 

 

 

 

 

 

 

 

ls / ко, /у, / 0 — ток соответственно насыщения,

обрат­

 

ный ток коллектора, ток утечки и ге­

 

нерации;

 

 

 

 

 

 

 

/э а

— ток соответственно эмиттера и коллек­

 

тора;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— ток диффузии;

 

 

 

 

 

/кя— ток насыщения коллектора;

 

 

 

К — коэффициент

усиления

по мощности;

k — постоянная

 

Больцмана

(ft = 1,38 X

 

X КН3 дж/ярад) ;

 

 

 

 

 

Ln и Lp— диффузионная

длина смещения

соот­

 

ветственно

электронов

и

дырок

в

р-

 

и п-слое, ли;

 

 

 

 

 

 

A'fj и /Ѵд— концентрация

соответственно доноров

 

и акцепторов,

слг*;

 

 

 

 

 

Пп и пр — концентрация

электронов

соответ­

ственно в п- и p-слое, ел-3;

 

 

Ршкс— предельная мощность рассеяния;

Рп и рр— концентрация дырок

соответственно в

п-

и

p-слое, елг-3;

 

 

 

 

q— заряд

электрона (q= 1,60 • 10~19), k\

RaaT— внешнее

сопротивление,

сопротивле­

ние нагрузки;

 

 

 

 

 

Rpac— распределенное

сопротивление;

 

гвх, гэ> г нас и гоб— сопротивление

соответственно

входа,

эмиттерного перехода, насыщения и

объемное

базы;

 

 

 

 

 

S„ — площадь

перехода;

 

 

 

 

5 К — площадь

коллекторного перехода;

Т — температура, °К;

 

 

 

 

tne — время переключения;

 

 

 

 

^пр — время

пролета

неосновного

носителя

от эмиттера к коллектору;

 

 

 

tx — время

формирования

переднего

фрон­

та

импульса;

 

 

 

 

 

~ta и — время соответственно

задержки

и на­

растания тока;

 

 

 

 

 

ta — длительность импульса до

запирания

эмиттера;

 

 

 

 

 

 

?р и /ф — время соответственно восстановления (рассасывания) и формирования фронта;

taK и ^вык — время соответственно включения и вы­ ключения;

ІІЭ и UK— напряжение соответственно на эмит­ тере и коллекторе;

^ДР — дрейфовая скорость носителей, см/сек:

°д иф ~ скорость диффузии носителей, см/сек-,

w — ширина базы;

105

а— коэффициент передачи тока эмиттера, коэффициент усиления по току;

«о — коэффициент передачи тока на низких частотах;

а ’ — коэффициент эффективности коллекто­ ра;

ß — эффективность переноса;

Y— эффективность

эмиттера;

(tn и |Лр — подвижность

соответственно электро­

нов и дырок,

см/в ■сеіс;

Qs.-ек и Q6 — удельное сопротивление, соответствен­ но эмиттерной, коллекторной и базо­ вой областей, ом-см;

т„ — время жизни электронов (неосновных носителей в p-слое), сек;

хр— время жизни дырок (неосновных но­ сителей в «-слое), сек;

Ф — контактная разность потенциалов.

СОДЕРЖАНИЕ

П реди слови е...................................................................

 

 

3

7

Физические основы работы транзисторов. . .

 

Структура и

принцип

действия плоскостного

7

т р и о д а .........................

передачи

т о к а

17

Коэффициент

21

Распределение объемного заряда . . .

.

Основные требования, предъявляемые к ПТ при

 

различных

режимах

р аб оты ..........................

25

 

Типы тран зи сторов .....................................................

 

42

 

Транзисторы, работающие на неосновных носи­

42

телях ............................................................................

 

 

 

Транзисторы, работающие на основных носите­

73

лях ..................................................................................

 

 

 

Транзисторы

с отрицательным сопротивлением

90

Литература......................................................................

 

 

103

 

Основные условные обозначения

 

104

МАРКОВА ВАЛЕНТИНА НИКОЛАЕВНА

ГОЖЕНКО НОННА АНАТОЛЬЕВНА

М А Л Ю Т К И ПТ Второе издание

Печатается по решению Редак­ ционной коллегии научно-попу­ лярной литературы Академии наук Украинской ССР

Редактор Н.М. Титова Обложка художника Р. И. Калыша Художественный редактор

В. П. Кузь

Технический редактор Б. А. Пиков-

ская

Корректор Г. М. Столярчук_______

БФ 03319. Зак. Ѣ 273. Изд. № 207. Тираж 70 000. Бумага № 2, 70Х90'/з2. Печати, листов 3,375+1 вкл. Условн. печ. листов 4,0. Учетно-изд.

листов

3,85. Подписано к печати

8.6 1967

г. Цена 12 коп.

Издательство «Наукова думка»,

Киев, Репина, 3.

Киевская книжная типография № 5 Комитета по печати при Совете Ми­ нистров УССР, Киев, Репина, 4.

Цена 12 коп.

о

*

Г

’ f

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ