24.(Полупроводниковый диод и транзистор)

Односторонняя проводимость контактов двух полупроводников (или металла с полупроводником) используется для выпрямления и преобразования переменных токов. Если имеется один электронно-дырочный переход, то его действие аналогично действию двух-

электродной лампы — диода .Поэтому полупроводниковое устройство, содержащее один p-n-переход, называется полупроводниковым (кристаллическим) диодом. Полупроводниковые диоды по конструкции делятся на точечные и плоскостные. Если через диод в прямом направлении пропустить кратковременный импульс тока, то при этом образуется слой , обладающий р-проводимостью. На границе этого слоя образуется р-п-переход, обладающий высоким коэффициентом выпрямления. Благодаря малой емкости контактного слоя точечные диоды применяются в качестве детекторов(выпрямителей) высокочастотных колебаний вплоть до сантиметрового диапазона длин волн.

p-n-Переходы обладают не только прекрасными выпрямляющими свойствами, но могут быть использованы также для усиления, а если в схему ввести обратную связь, то и для генерирования электрических колебаний. Приборы, предназначенные для этих целей,

получили название полупроводниковых триодов или транзисторов. Для изготовления транзисторов используются германий и кремний, так как они характеризуются большой механической прочностью, химической устойчивостью и большей, чем в других

полупроводниках, подвижностью носителей тока. Полупроводниковые триоды делятся на точечные и плоскостные. Первые значительно усиливают напряжение, но их выходные мощности малы из-за опасности перегрева(например, верхний предел рабочей

температуры точечного германиевого триода лежит в пределах 50 — 80 °С).Плоскостные триоды являются более мощными. Они могут быть типа р-п-р и типа п-р-п в зависимости от чередования областей с различной проводимостью. Транзистор состоит из базы (средняя часть транзистора), эмиттера и коллектора (прилегающие к базе с обеих сторон области с иным типом проводи-

мости). Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а между базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в обратном направлении. Усиливаемое переменное напряжение подает-

ся на входное сопротивление , а усиленное снимается с выходного сопротивления . Протекание тока в цепи эмиттера

обусловлено в основном движением дырок (они являются основными носителями тока) и сопровождается их впрыскиванием — инжекцией — в область базы. Проникшие в базу дырки диффундируют по направлению к коллектору, причем при небольшой толщи-

не базы значительная часть инжектированных дырок достигает коллектора. Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода (притягиваются к отрицательно заряженному коллектору), вследствие чего изменяется ток коллектора. Следовательно, вся-

кое изменение тока в цепи эмиттера вызывает изменение тока в цепи коллектора. Транзистор, подобно электронной лампе,

дает усиление и напряжения, и мощности.

25.(Сила Лоренца. Работа силы Лоренца. Эффект Холла)

Сила, действующая на электрический заряд Q, движущийся в магнитном поле со скоростьюV, называется силой Лоренца и выражается формулой,где В — индукция магнитного поля, в котором заряд движется.

Модуль силы Лоренца , где α — угол между v и В. Сила Лоренца всегда перпендикулярна скорости движения заряженной частицы, поэтому она изменяет только направление этой скорости, не меняя ее модуля. Следовательно, сила Лоренца

работы не совершает. Иными словами, постоянное магнитное поле не совершает работы над движущейся в нем заряженной частицей и кинетическая энергия этой частицы при движении в магнитном поле не изменяется. Если на движущийся электрический

заряд помимо магнитного поля с индукцией В действует и электрическое поле с напряженностью Е, то результирующая сила F, приложенная к заряду, равна векторной сумме сил — силы, действующей со стороны электрического поля, и силы Лоренца: Направление силы Лоренца и направление вызываемого ею отклонения заряженной частицы в магнитном поле зависят от знака заряда Q частицы.

Эффект Холла (1879) — это возникновение в металле (или полупроводнике) с током плотностью j, помещенном в магнитное поле В, электрического поля в направлении, перпендикулярном В к j. Поместим металлическую пластинку с током плотностью j в магнитное

поле В, перпендикулярное j .При данном направлении j скорость носителей тока в металле — электронов — направлена справа налево. Электроны испытывают действие силы Лоренца , которая в данном случае направлена вверх. Таким образом, у верхнего края пластинки возникнет повышенная концентрация электронов (он зарядится отрицательно), а у нижнего — их недостаток (зарядится положительно). В результате этого между краями пластинки возникнет дополнительное поперечное электрическое поле Ев, направленное снизу вверх. Когда напряженность Ев этого поперечного поля достигнет такой величины, что его действие на заряды будет уравновешивать силу Лоренца, то установится стационарное распределение зарядов в поперечном направлении.

Тогдагде а — ширина пластинки; ∆ф — поперечная (холловская) разность потенциалов.

Учитывая, что сила тока I = jS =nevS (S — площадь поперечного сечения пластинки толщиной d, n — концентрация электронов, v — средняя скорость упорядоченного движения электронов,j-плотность тока=env), получимт.е. холловская поперечная разность потенциалов пропорциональна магнитной индукции В, силе тока / и обратно пропорциональна толщине пластинки d.

— постоянная Холла, зависящая от вещества. По измеренному значению постоянной Холла можно: 1) определить кон-

центрацию носителей тока в проводнике (при известных характере проводимости и заряде носителей); 2) судить о природе проводимости полупроводников , так как знак постоянной Холла совпадает со знаком заряда е носителей тока. Поэтому эффект

Холла — наиболее эффективный метод изучения энергетического спектра носителей тока в металлах и полупроводниках.