Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Физические основы электротермического упрочнения стали

..pdf
Скачиваний:
29
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
42.37 Mб
Скачать

• Глава третья

М Е Х А Н И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А

ЭЛ Е К Т Р О Т Е Р М О О Б Р А Б О Т А Н -

НО Й С Т А Л И

Н Е К О Т О Р Ы Е П О Л О Ж Е Н И Я ФИЗИЧЕСКОЙ Т Е О Р И И ПРОЧНОСТИ М Е Т А Л Л О В И СПЛАВОВ

ВИДЫ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ

Кристаллическая структура металлов и сплавов, даже хорошо отожженных, имеет значительное количество различных дефектов. Плотность дислокаций в отожженных металлах обычно составляет 104—108 см~2- Так как линия дислокации не может оборваться внут­ ри кристалла, она должна либо образовать замкнутую петлю, либо оканчиваться в дислокационном узле или на поверхности кристал­ ла. Поэтому в металле и в моно-, и в поликристаллическом состоянии существуют сложные двух- и трехмерные дислокационные сетки. Франк показал [301], что если в кристалле равновероятно встре­ чаются дислокации различных систем, то они могут стремиться образовать трехмерную сетку с ячейками примерно одинаковой длины. Равновесное состояние узлов такой сетки будет определять­ ся равенством нулю геометрической суммы векторов Бюргерса составляющих дислокаций (так называемый закон Кирхгофа) и равновесием линейных натяжений этих дислокаций.

Размер ячейки сетки Франка в хорошо отожженных кристаллах колеблется от нескольких до сотен микрон, а углы разориентировки соседних ячеек — от 1 до 30' [302, 303]. В кристаллах очень ма­ лых размеров («усах», мелких частицах) трехмерная сетка не суще­ ствует, что во многом предопределяет поведение их при деформации. Около включений и частиц выделений часто наблюдаются скопле­ ния дислокаций или изолированные дислокационные петли, обра­ зование которых связано с появлением напряжений вследствие различных термических коэффициентов линейного расширения мат­ рицы и частиц (при изменении температуры) либо различных сжимаемостей матрицы и частиц (при обработке гидростатическим дав­ лением).

Наконец, в структуре отожженного кристалла возможно обра­ зование призматических дислокационных петель (например, при захлопывании вакансионных пустот, микропор).

Можно выделить три основных вида дислокаций в кристалле: полные, расщепленные и частичные, вершинные [304]. Полная

дислокация не содержит никаких протяженных дефектов, кроме своего узкого ядра, и окружена совершенным материалом. Так как она устойчива, то должна иметь такой вектор Бюргерса, при кото-

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

10

 

 

Устойчивый

вектор

Наблюдаемое

Наиболее

часто

Структура

 

наблюдаемые

 

Бюргерса полной

направление

 

плоскости

сколь­

 

 

дислокации

скольжения

жения

оцк

1

 

 

< 1 П >

{110}, {112}

<ш> ,

< Ю 0 >

 

 

 

 

гцк

4~ <по>

 

<по>

{111}

 

ГПУ

1

 

 

' <1120>

{0001}

~2

<1120>,<0001>

Алмаза

4- < 1 1 0 >

 

< 1 Ю >

{111}

 

 

 

 

NaCl

4-

<по>

 

< 1 Ю >

{110}

 

CsCl

 

<юо>

 

<юо>

{110}

 

ррм исключалась бы возможность снижения ее энергии вследствиедиссоциации на частичные дислокации. Кроме того, вектор Бюр­ герса должен соединять эквивалентные (по химическому подо»

Рис. 122. Возможные способы укладки плотноупакованных слоев.

бию и геометрическому окружению) атомы решетки. Примеры полных устойчивых дислокаций приведены в табл. 10 [304].

Представление о расщепленных и частичных дислокациях вво­ дится обычно с помощью рассмотрения возможных способов упа­ ковки атомов в решетке, а также дефектов такой упаковки. На рис. 122

показана

плотноупакованная плоскость ГЦК или ГПУ решетки

(в первом случае это плоскости {111}, во втором — {0001}). Сле­

дующий

(над показанным в плоскости рисунка) атомный слой мо­

жет занимать одно из трех положений, условно обозначенных А, В, С. При укладке слоев в порядке ... АВСАВС ... возникает ГЦК

решетка (рис. 123), при последовательности ... АВАВАВ... — ГПУ решетка. Если, например, в ГЦК решетке порядок следования плоскостей нарушен, то возникает дефект упаковки. В последова­

тельности ...А ВО ВС А ... пропущена Л-плоскость

и возникает

де-

 

i

 

фект упаковки вычитания; в последовательности ...

АВСАСВСАВС

вставлена лишняя

С-плоскость

и

возникает дефект упаковки внедре­ ния.

Для ОЦК решетки порядок упа­ ковки плоскостей может быть задан указанием двух последовательных позиций для чередования плоскос-

Рис. 123.

Упаковка плоскостей

Рис.

124.

Последовательность

в

последовательности

а —

упаковки

плоскостей

{112}

в

...АБСА...

(ГЦК

решетка), б —

ОЦК

решетке, содержащей

де­

...АВАВ...

(ГПУ решетка).

фект

упаковки:

 

 

 

 

 

 

 

• — атомы в плоскости (110), совпа ­

тей

{100}

или {110} в

форме...

д а ю щ е й

с плоскостью р и с у н к а , О —•

атомы в с меж ных плоскостях .

 

ABA

В... Для плоскостей {112} су­

 

 

 

 

 

 

ществует более сложная последовательность ... ABCDEF

ABCDEF..,••

Дефект упаковки

в ОЦК решетке соответствует

последовательности

...ABCDCDEFA...

[305]

(рис. 124).

 

 

 

 

 

 

В плотноупакованных структурах векторы Бюргерса дислока­

ций

равны по величине и направлениям

сторонам

гексагонов

(см.

рис.

122). При движении дислокации с

вектором Бюргерса

ВВ',

которая проходит между двумя соседними

плотноупакованны-

ми плоскостями, соответствующими, к примеру, положениям А

и В,

возможна

более сложная траектория атомных перемещений, так

как

между

начальным В и конечным В'

положениями

существует

положение упаковки С (рис. 125). В этом случае перемещение

ВВ'

осуществляется

без расщепления.

При

расщеплении

дислокации

на частичные с заключенным между ними дефектом упаковки вы­

читания первая частичная дислокация вызывает перемещение

из

В в С, вторая — восстанавливает порядок, перемещая атомы

из

С в В'. Если энергия дефекта упаковки у (дополнительная энергия атомного слоя единичной площади при его сдвиге из В в С) велика,

то атомы отклоняются от трассы ВВ'

незначительно, если у очень

мала, то перемещение следует

по пути ВС В'

и дислокация

с b =

= ВВ'

расщепляется на

две

частичные

с

векторами

Бюргерса

 

 

 

 

Ьх =

ВС и

b2 = СВ', между

которыми

 

 

 

 

образуется

полоса

дефекта

упаковки

 

 

 

 

вычитания

[304].

Расщепление

будет

 

 

 

 

устойчивым

при Ь2 >- b\ +

^2-

 

 

 

 

 

 

На стыке двух полос дефектов упаков­

 

 

 

 

ки (расположенных в двух пересекающих­

 

 

 

 

ся

плоскостях

{111}) возникает двойной

 

 

.

 

узел, который расщепляется на два трой-

Рис.

125.

Атомные смещения

 

'

 

 

 

 

 

 

 

»

при

движении дислокаций с

н ы х

 

У з л а '

соединенных

вершинной

b = ВВ'

между плоскостями

Дислокацией. В зависимости от кристал-

плотной упаковки в ГЦК ре-

лографических

условий

в месте

пересе-

шетке [304].

 

чения могут возникать вершинные дисло­

 

 

 

 

кации различных

типов.

 

 

Деформация

скольжением.

Если

дислокация

проходит

через

весь

кристалл,

то это вызывает

смещение

одной

части

кристалла

относительно другой на величину вектора Бюргерса и относитель­

ная деформация е равна

(L — полная длина плоскости скольже­

ния). При незавершенном

сдвиге е =

. - j - = ~jr> г Д е I — путь,

пройденный дислокацией.

 

 

Плоскость скольжения можно определить как плоскость решет­ ки, проходящую через вектор Бюргерса и ось дислокации. Скорость пластической деформации е при скольжении зависит от числа дви­ жущихся дислокаций р,- и скорости их движения vA. Таким образом,

е = р , Ь У Д .

Однако дислокация может перемещаться и в направлении, пер­ пендикулярном ее плоскости скольжения. Такое перемещение — переползание — наблюдается, например, при взаимодействии крае­ вой дислокации и вакансии. Скорость деформации при перепол­ зании

и D

2

,-тп\

E = = P i b ~ k T a

1 — ^

 

(7 2 >

In

ГА

где г, размер ядра дислокации, а% — коэффициент, определяемый размером вакансии в данном объекте, D — коэффициент диффузии.

Краевая дислокация может перемещаться скольжением только в своей плоскости и покидает ее, лишь переползая в другую пло­ скость скольжения. Нерасщепленная винтовая дислокация в прин-

ципе может перемещаться скольжением в любой плоскости решетки, в которой лежит ось дислокации, и поэтому возможно ее попереч­ ное скольжение. Известные ограничения накладываются лишь в связи с высокими напряжениями, необходимыми для скольжения на плоскостях с большими индексами, а также в связи с расщепле­ нием винтовых дислокаций на частичные. В кристаллах с плотноупакованной решеткой образовавшиеся при расщеплении частич­ ные дислокации являются не чисто винтовыми [306 ], а если у дислока­ ции есть краевая компонента, то дислокация уже не может покинуть плоскость, в которой произошло расщепление. Тем не менее рас­ щепленные винтовые дислокации могут перемещаться поперечным скольжением за счет временного соединения частичных дислокаций на некоторой длине линии дислокации (образование так называе­ мой перетяжки) с последующим расщеплением в плоскости попереч­ ного скольжения [306]. Чтобы образовалась перетяжка, требуется повышение действующего в плоскости скольжения напряжения сдвига для преодоления отталкивания между частичными дислока­ циями. Если винтовая дислокация после выхода в плоскость поперечного скольжения вновь возвращается в плоскость, парал­ лельную первоначальной, то происходит двойное поперечное сколь­ жение. Такой механизм типичен для огибания различных препят­ ствий скольжению (например, частиц избыточных фаз).

Процесс поперечного скольжения в кристаллах с плотноупакованной решеткой хорошо изучен (см., например, работы [304, 306— 309]. Способы реализации поперечного скольжения в металлах с ОЦК решеткой исследованы менее детально (например, встречают­ ся утверждения об отсутствии расщепления в упаковке этого типа [304]). А так как именно они характерны для феррита сталей, оста­ новимся на них более подробно.

Направления (111) являются осями зоны трех плоскостей {112}, и для винтовой дислокации в ОЦК решетке оказывается ве­

роятной диссоциация

на три частичные дислокации 1 в трех

пере­

секающихся плоскостях по схеме [311]

 

 

 

 

а

 

 

 

а

 

а

+

а

 

 

Т

111

=

 

6~

111

+ «Г 111

Г

111

 

 

 

 

 

 

4-

+

 

Ф

 

 

 

 

на

плоскости

на плоскости

на плоскости

 

 

 

 

(121)

 

(112)

 

(211)

 

1 Митчелл [310] получил качественную оценку относительных

энергий

дефектов упаковки различных

типов. Она основана на подсчете числа сильно ис­

каженных связей (расстояний между атомами и углов связей)

в соседнем

с дефек­

том упаковки атомном

слое и в следующем. В порядке

возрастания энергий их

можно расположить в ряд

 

 

 

 

 

 

 

 

—g— < 111 > на плоскостях

(112) —двойниковый

дефект

упаковки;

 

|-<110>

на {110};

- J

(111)

на {112} и ~

< 111 >

на {ПО}.

 

Такая симметричная конфигурация (рис. 126,

а) неустойчива

1312] и переходит в три другие конфигурации

(в зависимости от

направления приложенного напряжения), в которых одна частич­ ная дислокация располагается вдоль линии пересечения двух двой-

 

 

Рис.

126.

Строение диссоциированной винтовой дислока­

 

 

 

ции

на

плоскостях:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

а { " 2 }

' а -

Р — сидячие,

у

с к о л ь з я щ а я

к о н ф и г у р а ц и и ) ,

 

 

 

б — {110} ( а — сидячая,

Р — с к о л ь з я щ а я конфигурации) .

 

ииковых

дефектов

упаковки. Ширина

г\ каждого из них зависит

от

энергии

дефекта

упаковки

на

плоскостях

{112}: ц =

—.

Можно показать, что зеркально-симметричные

конфигурации, кото­

 

 

 

 

 

 

 

рые, казалось

бы, должны возникнуть при

 

 

 

 

 

 

 

замене

знака

напряжения

на обратный,

 

 

 

 

 

 

 

энергетически

невыгодны, так как при этом

 

 

 

 

 

 

 

возникают двойные дефекты упаковки с

 

 

 

 

 

 

 

высокой энергией. Именно с этим обстоя­

 

 

 

 

 

 

 

тельством связывают авторы работ [310,

 

 

 

 

 

 

 

313, 314] асимметрию

скольжения на плос­

Рис.

127.

Диссоциация

костях

(112).

Асимметрия

напряжения

сдвига

в прямом и обратном направлениях

винтовой

 

дислокации

 

на плоскостях {112} оказывается значитель­

-2- {111)

на

плоскостях

ной. Так, в монокристалле железа напряже­

семейства

{112}:

 

 

ние

сдвига

в направлении

двойникования

а

нестабильная

симмет­

при

143° К составляет 36 кГ/мм2,

а в про­

ричная к о н ф и г у р а ц и я ,

б —

тивоположном — 44 кГ/мм2.

В работе [311],

устойчивая

к о н ф и г у р а ц и я в

поле

н а п р я ж е н и я

т,

в —

однако, обращено внимание на то, что плос­

с к о л ь з я щ а я

на

 

плоскостях

{112} конфигурация .

 

кости

{112} в

ОЦК решетке не являются

 

 

 

 

 

 

 

плоскостями симметрии

и можно

ожидать

асимметрии

барьеров

Пайерлса — Набарро для

движения

дисло­

каций в прямом и обратном направлениях и объяснить этот эффект,

не привлекая концепцию расщепления. Для осуществления сколь­ жения по одной из плоскостей {112} показанная на рис. 127 конфи­ гурация должна перестроиться в скользящую за счет объединения, например, частичных дислокаций А и С.

Рис. 128. Перестройка винтовой

дислокации ~ (III), диссоции­ рованной на плоскостях {110}

в скользящую конфигурацию.

Рис. 129. Переход винтовой дис­

локации от устойчивой диссо­ циированной на плоскостях {112} к скользящей на плоскос­

тях {011} .

Полная дислокация у [1111 краевой или смешанной ориента­ ции может диссоциировать на плоскости (011), при этом обра­ зуются три частичные дислокации по схеме

 

- £ - [111]= ^ [ 0 1 1 ] +

-

f [211] + -!-[011).

Поскольку

направления

< 111>

являются

осями

зоны трех плос­

костей типа

{ПО},

винтовая

дислокация

может

диссоциировать

[313, 314]

по

схеме

(рис.

127,

б)

 

 

 

 

- f - [ i l l ]

= -g-[ol и

+

-£-[iio]

+ - f - t i o i ]

+ -J-[ПИ

 

 

1

 

на

 

4-

 

 

Ф

 

 

 

на плоскости

плоскости

на плоскости

 

 

 

(011)

 

(110)

 

 

( Ю 1 )

 

Последняя частичная дислокация является вершинной и распола­ гается вдоль линии пересечения трех дефектов упаковки, причем в отличие от диссоциации на плоскостях {112}, существование зеркально-симметричной конфигурации на плоскостях {110} воз­ можно, поскольку в ОЦК решетке они являются плоскостями сим­ метрии. Для скольжения по одной из плоскостей {110} такая кон­ фигурация должна перестроиться, образуя скользящую конфигу­ рацию по схеме, приведенной на рис. 128.

Для описания поперечного скольжения в ОЦК решетке необхо­ димо рассмотреть также переход скольжения винтовой дислокации из плоскостей {112} в плоскости {ПО}. Последовательность одно­ го из возможных вариантов [310] такого перехода представлена на рис. 129. Переход частичной дислокации В из плоскостей {112}

в плоскости {110} возможен и простым поперечным скольжением, однако дефект упаковки, связанный с частичной дислокацией

- g - ( l l l ) в плоскостях {110}, обладает большой энергией, и поэто­ му более вероятным представляется следующая схема:

 

 

а

 

а

6

111

~8~

011

411

~

+

1 ?

 

ф

 

ф

ф

на плоскости

на плоскости

вершинная

(112)(011) дислокация

Дислскации А и С объединяются, образуя частичную дисло­

кацию

[111] по реакции

 

- f l l l l ] 4- - f - [ l l l ] = - f [ l T l ] ,

и дислокация у[111 ]приводит, наконец, к перестройке дислокаций в скользящую конфигурацию на плоскости (011) по реакции

- ^ - [ 4 T l ] +

- f [ 1 П ] =

- J - [ 2 T l ] + - f - [0Tl] .

Последние две реакции

происходят

под действием внешних напря­

жений.

Отмеченные особенности расщепления винтовых дислокаций в ОЦК решетке не только затрудняют поперечное скольжение по

мере уменьшения у я

, как это наблюдается в металлах с ГЦК решет­

кой, но

и в равной

степени — и в

этом

заключается

своеобразие

металлов

с ОЦК решеткой — уменьшают

подвижность дислокаций

в первичной плоскости скольжения.

 

 

 

Степень расщепления, ширина возникающих дефектов упаковки

и подвижность винтовых компонент

чувствительны

к величинам

энергии дефектов упаковки. Несмотря на отсутствие «адежных ко­ личественных данных о величинах у я для металлов с ОЦК решеткой

[311], удалось

установить существенные

качественные

различия в

дислокационной

структуре

деформированных

образцов

материалов

с сильно отличающимися

значениями

у д .

Так, в хроме, леги­

рованном элементами первого большого периода (железом, кобаль­ том, марганцем), когда величина у я существенно снижается, мето­

дом

электронной

микроскопии обнаружено [315] резкое уменьше­

ние

подвижности

винтовых компонент дислокаций по сравнению

с краевыми.

 

При подсчетах величин расщепления винтовых дислокаций в металлах с ОЦК решеткой обычно получаются крайне малые зна­ чения ширины дефектов упаковки. Например, в железе ширина расщепления в системах {110} и {112} составляет примерно 1,2 | Ь\ [313]. Поэтому не удивительно, что попытки экспериментального наблюдения расщепления оказались практически безуспешными

1311]. По-видимому, понятие расщепления дислокации в металлах с ОЦК решеткой имеет другой смысл, чем в случае металлов с ГЦК решеткой, и это расщепление следует рассматривать как осо­ бого рода асимметрию ядра винтовой дислокации [313]. В метал­ лах с ОЦК решеткой величина энергии дефекта упаковки влияет и на переход от деформации скольжением к деформации двойникованием.

Деформация двойникованием. Различие между дислокационными механизмами двойникования и скольжения предопределяется ве­ личинами векторов Бюргерса, описывающих данный вид деформа­ ции дислокаций. При скольжении величина атомных смещений рав­ на расстоянию между ближайшими атомами в направлении сдвига, а при двойниковании она составляет только часть этого расстояния. Вектор Бюргерса двойникующей дислокации является лишь частью вектора тождественной трансляции, и поэтому двойникующая дис­ локация не может самопроизвольно образоваться в совершенной решетке, в то время как самопроизвольное образование дислокаций скольжения при достаточно высоком уровне действующих напря­ жений возможно. Таким образом, двойникующие дислокации могут образовываться только при дислокационных реакциях расщепле­ ния дислокаций скольжения.

В литературе обсуждалась, правда, принципиальная возмож­ ность перехода сразу целого небольшого объема в двойниковое положение с образованием маленьких зародышей линзовидных двойников. Механизм такого гомогенного образования двойников был предложен Орованом [316]. Необходимые напряжения ока­

зались равными т 5 , д в =

где

у0 — удельный

относительный

сдвиг при двойниковании

(для

а-железа т 5 | Д В =

950

кГ/мм2).

Однако этот механизм вызывает серьезные возражения. В расче­

тах Орована не учтена энергия дефектов упаковки в

энергетиче­

ском балансе гомогенного зарождения, и рассчитанные

по

Оровану

значения напряжений зарождения

следует (при правильном учете

уд ) увеличить. Экспериментально

гомогенное зарождение

не на­

блюдалось.

 

 

 

Описанные в литературе дислокационные механизмы, в отли­ чие от проблематичного варианта гомогенного зарождения, допус­ кают возможность образования зародышей двойников при вполне достижимых уровнях напряжений сдвига и уже получили прямое экспериментальное подтверждение [317, 318]. В настоящее время детально разработаны несколько дислокационных механизмов двойникования: механизмы Коттрелла — Билби [317], Шлизвика [312], Огавы — Мэдина и Мюллера — Паркера [318], Пристнера — Лесли [319] и др. Все они основаны на том кристаллографически

давно установленном

факте,

что

двойникование

в ОЦК решетке

происходит

вследствие

сдвига

в

серии смежных

плоскостей {112}

на величину

< 111 >

в каждой плоскости.

 

Дислокационные механизмы позволяют объяснить строгую по* следовательность величин атомных смещений в каждой последующей плоскости растущего двойника, используя идею полюсной модели размножения дислокаций, подобной известному механизму Фран­ ка — Рида для размножения дислокаций скольжения. Двойникующая частичная дислокация, например, по модели Коттрелла — Бил-

би, возникает при диссоциации полной

дислокации - £ ( 1 1 1 )

на

плоскости

{112} по схеме

 

 

 

- Я - [ 1 1 1 ] - * - £ [ 1 1 2 ] +

-£[1ГТ],

 

при этом

образуются частичная чисто кр.аевая сидячая -+[112]

и

 

 

О

 

частичная

винтовая - £ [111] дислокации,

соединенные между собой

дефектом упаковки. Движение винтовой дислокации - £ [ 1 П ] в од­ ной из плоскостей (Г21) и (211) зоны [111] приводит к росту много­ слойного двойника, так как вращение дислокации-£ [1 l l ] вокруг одной из точек стыка с нерасщепленным участком полной дислокации

— [111], как вокруг полюса, сопровождается смещением в следую­ щую плоскость семейства (121) или (2l 1), поскольку дислокация -£[111] имеет винтовую компоненту вектора Бюргерса, перпен­ дикулярную плоскости (Г21) или (211).Описанная выше схема рас­

пада полной дислокации-£ [111] не дает выигрыша в энергии при сравнении квадратов векторов Бюргерса, такой распад может про­ исходить только в поле действия внешних сил. Напряжения, необ­

ходимые для начала работы полюсного

механизма, т д в = т0

+

,

где

т0 — сопротивление

движению

двойникующих

дислокаций

[317]. Для железа величина сдвиговых

 

напряжений,

если

считать

у д »

150 эрг/см2, Тдв

=

т0 + 180 кГ/мм2,

что легко может

быть до­

стигнуто у различных

концентраторов

напряжений

(см. стр.

203,

а также работу [320]). В соответствии с другими возможными меха­

низмами роста

двойников

величина т д в может

быть еще меньшей

(например, т д в

== т0 + - | g -

[321]). Однако для

начала работы двой­

никового источника всегда требуется локальная концентрация на­ пряжений, так как необходимый уровень напряжений сдвига обыч­ но не может быть достигнут в макрообъемах металла.

Следует отметить, что величина пластической деформации двойникованием очень невелика, особенно в поликристаллических мате­ риалах. Максимально возможная величина Пластической деформа­ ции в оптимально ориентированном монокристалле составляет 41,4% и быстро уменьшается с отклонением от оптимальной ориен-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ