
книги из ГПНТБ / Физические основы электротермического упрочнения стали
..pdf• Глава третья
М Е Х А Н И Ч Е С К И Е С В О Й С Т В А
ЭЛ Е К Т Р О Т Е Р М О О Б Р А Б О Т А Н -
НО Й С Т А Л И
Н Е К О Т О Р Ы Е П О Л О Ж Е Н И Я ФИЗИЧЕСКОЙ Т Е О Р И И ПРОЧНОСТИ М Е Т А Л Л О В И СПЛАВОВ
ВИДЫ ПЛАСТИЧЕСКОЙ ДЕФОРМАЦИИ
Кристаллическая структура металлов и сплавов, даже хорошо отожженных, имеет значительное количество различных дефектов. Плотность дислокаций в отожженных металлах обычно составляет 104—108 см~2- Так как линия дислокации не может оборваться внут ри кристалла, она должна либо образовать замкнутую петлю, либо оканчиваться в дислокационном узле или на поверхности кристал ла. Поэтому в металле и в моно-, и в поликристаллическом состоянии существуют сложные двух- и трехмерные дислокационные сетки. Франк показал [301], что если в кристалле равновероятно встре чаются дислокации различных систем, то они могут стремиться образовать трехмерную сетку с ячейками примерно одинаковой длины. Равновесное состояние узлов такой сетки будет определять ся равенством нулю геометрической суммы векторов Бюргерса составляющих дислокаций (так называемый закон Кирхгофа) и равновесием линейных натяжений этих дислокаций.
Размер ячейки сетки Франка в хорошо отожженных кристаллах колеблется от нескольких до сотен микрон, а углы разориентировки соседних ячеек — от 1 до 30' [302, 303]. В кристаллах очень ма лых размеров («усах», мелких частицах) трехмерная сетка не суще ствует, что во многом предопределяет поведение их при деформации. Около включений и частиц выделений часто наблюдаются скопле ния дислокаций или изолированные дислокационные петли, обра зование которых связано с появлением напряжений вследствие различных термических коэффициентов линейного расширения мат рицы и частиц (при изменении температуры) либо различных сжимаемостей матрицы и частиц (при обработке гидростатическим дав лением).
Наконец, в структуре отожженного кристалла возможно обра зование призматических дислокационных петель (например, при захлопывании вакансионных пустот, микропор).
Можно выделить три основных вида дислокаций в кристалле: полные, расщепленные и частичные, вершинные [304]. Полная
дислокация не содержит никаких протяженных дефектов, кроме своего узкого ядра, и окружена совершенным материалом. Так как она устойчива, то должна иметь такой вектор Бюргерса, при кото-
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
10 |
|
|
|
Устойчивый |
вектор |
Наблюдаемое |
Наиболее |
часто |
|
Структура |
|
наблюдаемые |
|||||
|
Бюргерса полной |
направление |
|||||
|
плоскости |
сколь |
|||||
|
|
дислокации |
скольжения |
жения |
|||
оцк |
1 |
|
|
< 1 П > |
{110}, {112} |
||
— |
<ш> , |
< Ю 0 > |
|||||
|
|
|
|
||||
гцк |
4~ <по> |
|
<по> |
{111} |
|
||
ГПУ |
1 |
|
|
' <1120> |
{0001} |
||
~2 |
<1120>,<0001> |
||||||
Алмаза |
4- < 1 1 0 > |
|
< 1 Ю > |
{111} |
|
||
|
|
|
|||||
NaCl |
4- |
<по> |
|
< 1 Ю > |
{110} |
|
|
CsCl |
|
<юо> |
|
<юо> |
{110} |
|
ррм исключалась бы возможность снижения ее энергии вследствиедиссоциации на частичные дислокации. Кроме того, вектор Бюр герса должен соединять эквивалентные (по химическому подо»
Рис. 122. Возможные способы укладки плотноупакованных слоев.
бию и геометрическому окружению) атомы решетки. Примеры полных устойчивых дислокаций приведены в табл. 10 [304].
Представление о расщепленных и частичных дислокациях вво дится обычно с помощью рассмотрения возможных способов упа ковки атомов в решетке, а также дефектов такой упаковки. На рис. 122
показана |
плотноупакованная плоскость ГЦК или ГПУ решетки |
(в первом случае это плоскости {111}, во втором — {0001}). Сле |
|
дующий |
(над показанным в плоскости рисунка) атомный слой мо |
жет занимать одно из трех положений, условно обозначенных А, В, С. При укладке слоев в порядке ... АВСАВС ... возникает ГЦК
решетка (рис. 123), при последовательности ... АВАВАВ... — ГПУ решетка. Если, например, в ГЦК решетке порядок следования плоскостей нарушен, то возникает дефект упаковки. В последова
тельности ...А ВО ВС А ... пропущена Л-плоскость |
и возникает |
де- |
|
i |
|
фект упаковки вычитания; в последовательности ... |
АВСАСВСАВС |
|
вставлена лишняя |
С-плоскость |
и |
возникает дефект упаковки внедре ния.
Для ОЦК решетки порядок упа ковки плоскостей может быть задан указанием двух последовательных позиций для чередования плоскос-
Рис. 123. |
Упаковка плоскостей |
Рис. |
124. |
Последовательность |
||||||
в |
последовательности |
а — |
упаковки |
плоскостей |
{112} |
в |
||||
...АБСА... |
(ГЦК |
решетка), б — |
ОЦК |
решетке, содержащей |
де |
|||||
...АВАВ... |
(ГПУ решетка). |
фект |
упаковки: |
|
|
|||||
|
|
|
|
|
• — атомы в плоскости (110), совпа |
|||||
тей |
{100} |
или {110} в |
форме... |
д а ю щ е й |
с плоскостью р и с у н к а , О —• |
|||||
атомы в с меж ных плоскостях . |
|
|||||||||
ABA |
В... Для плоскостей {112} су |
|
|
|
|
|
|
|||
ществует более сложная последовательность ... ABCDEF |
ABCDEF..,•• |
|||||||||
Дефект упаковки |
в ОЦК решетке соответствует |
последовательности |
||||||||
...ABCDCDEFA... |
[305] |
(рис. 124). |
|
|
|
|
|
|
||
В плотноупакованных структурах векторы Бюргерса дислока |
||||||||||
ций |
равны по величине и направлениям |
сторонам |
гексагонов |
|||||||
(см. |
рис. |
122). При движении дислокации с |
вектором Бюргерса |
|||||||
ВВ', |
которая проходит между двумя соседними |
плотноупакованны- |
||||||||
ми плоскостями, соответствующими, к примеру, положениям А |
и В, |
|||||||||
возможна |
более сложная траектория атомных перемещений, так |
|||||||||
как |
между |
начальным В и конечным В' |
положениями |
существует |
||||||
положение упаковки С (рис. 125). В этом случае перемещение |
ВВ' |
|||||||||
осуществляется |
без расщепления. |
При |
расщеплении |
дислокации |
на частичные с заключенным между ними дефектом упаковки вы
читания первая частичная дислокация вызывает перемещение |
из |
В в С, вторая — восстанавливает порядок, перемещая атомы |
из |
С в В'. Если энергия дефекта упаковки у (дополнительная энергия атомного слоя единичной площади при его сдвиге из В в С) велика,
то атомы отклоняются от трассы ВВ' |
незначительно, если у очень |
||||||||||||
мала, то перемещение следует |
по пути ВС В' |
и дислокация |
с b = |
||||||||||
= ВВ' |
расщепляется на |
две |
частичные |
с |
векторами |
Бюргерса |
|||||||
|
|
|
|
Ьх = |
ВС и |
b2 = СВ', между |
которыми |
||||||
|
|
|
|
образуется |
полоса |
дефекта |
упаковки |
||||||
|
|
|
|
вычитания |
[304]. |
Расщепление |
будет |
||||||
|
|
|
|
устойчивым |
при Ь2 >- b\ + |
^2- |
|
||||||
|
|
|
|
|
На стыке двух полос дефектов упаков |
||||||||
|
|
|
|
ки (расположенных в двух пересекающих |
|||||||||
|
|
|
|
ся |
плоскостях |
{111}) возникает двойной |
|||||||
|
|
. |
|
узел, который расщепляется на два трой- |
|||||||||
Рис. |
125. |
Атомные смещения |
|
' |
|
|
|
|
|
|
|
» |
|
при |
движении дислокаций с |
н ы х |
|
У з л а ' |
соединенных |
вершинной |
|||||||
b = ВВ' |
между плоскостями |
Дислокацией. В зависимости от кристал- |
|||||||||||
плотной упаковки в ГЦК ре- |
лографических |
условий |
в месте |
пересе- |
|||||||||
шетке [304]. |
|
чения могут возникать вершинные дисло |
|||||||||||
|
|
|
|
кации различных |
типов. |
|
|
||||||
Деформация |
скольжением. |
Если |
дислокация |
проходит |
через |
||||||||
весь |
кристалл, |
то это вызывает |
смещение |
одной |
части |
кристалла |
относительно другой на величину вектора Бюргерса и относитель
ная деформация е равна |
(L — полная длина плоскости скольже |
|
ния). При незавершенном |
сдвиге е = |
. - j - = ~jr> г Д е I — путь, |
пройденный дислокацией. |
|
|
Плоскость скольжения можно определить как плоскость решет ки, проходящую через вектор Бюргерса и ось дислокации. Скорость пластической деформации е при скольжении зависит от числа дви жущихся дислокаций р,- и скорости их движения vA. Таким образом,
е = р , Ь У Д .
Однако дислокация может перемещаться и в направлении, пер пендикулярном ее плоскости скольжения. Такое перемещение — переползание — наблюдается, например, при взаимодействии крае вой дислокации и вакансии. Скорость деформации при перепол зании
и D |
2я |
2 |
,-тп\ |
E = = P i b ~ k T a |
1 — ^ |
|
(7 2 > |
In
ГА
где г, — размер ядра дислокации, а% — коэффициент, определяемый размером вакансии в данном объекте, D — коэффициент диффузии.
Краевая дислокация может перемещаться скольжением только в своей плоскости и покидает ее, лишь переползая в другую пло скость скольжения. Нерасщепленная винтовая дислокация в прин-
ципе может перемещаться скольжением в любой плоскости решетки, в которой лежит ось дислокации, и поэтому возможно ее попереч ное скольжение. Известные ограничения накладываются лишь в связи с высокими напряжениями, необходимыми для скольжения на плоскостях с большими индексами, а также в связи с расщепле нием винтовых дислокаций на частичные. В кристаллах с плотноупакованной решеткой образовавшиеся при расщеплении частич ные дислокации являются не чисто винтовыми [306 ], а если у дислока ции есть краевая компонента, то дислокация уже не может покинуть плоскость, в которой произошло расщепление. Тем не менее рас щепленные винтовые дислокации могут перемещаться поперечным скольжением за счет временного соединения частичных дислокаций на некоторой длине линии дислокации (образование так называе мой перетяжки) с последующим расщеплением в плоскости попереч ного скольжения [306]. Чтобы образовалась перетяжка, требуется повышение действующего в плоскости скольжения напряжения сдвига для преодоления отталкивания между частичными дислока циями. Если винтовая дислокация после выхода в плоскость поперечного скольжения вновь возвращается в плоскость, парал лельную первоначальной, то происходит двойное поперечное сколь жение. Такой механизм типичен для огибания различных препят ствий скольжению (например, частиц избыточных фаз).
Процесс поперечного скольжения в кристаллах с плотноупакованной решеткой хорошо изучен (см., например, работы [304, 306— 309]. Способы реализации поперечного скольжения в металлах с ОЦК решеткой исследованы менее детально (например, встречают ся утверждения об отсутствии расщепления в упаковке этого типа [304]). А так как именно они характерны для феррита сталей, оста новимся на них более подробно.
Направления (111) являются осями зоны трех плоскостей {112}, и для винтовой дислокации в ОЦК решетке оказывается ве
роятной диссоциация |
на три частичные дислокации 1 в трех |
пере |
||||||||
секающихся плоскостях по схеме [311] |
|
|
|
|
||||||
а |
|
|
|
а |
|
а |
+ |
а |
|
|
Т |
111 |
= |
|
6~ |
111 |
+ «Г 111 |
Г |
111 |
|
|
|
|
|
|
|
4- |
+ |
|
Ф |
|
|
|
|
на |
плоскости |
на плоскости |
на плоскости |
|
||||
|
|
|
(121) |
|
(112) |
|
(211) |
|
||
1 Митчелл [310] получил качественную оценку относительных |
энергий |
|||||||||
дефектов упаковки различных |
типов. Она основана на подсчете числа сильно ис |
|||||||||
каженных связей (расстояний между атомами и углов связей) |
в соседнем |
с дефек |
||||||||
том упаковки атомном |
слое и в следующем. В порядке |
возрастания энергий их |
||||||||
можно расположить в ряд |
|
|
|
|
|
|
|
|
||
—g— < 111 > на плоскостях |
(112) —двойниковый |
дефект |
упаковки; |
|
||||||
|-<110> |
на {110}; |
- J |
(111) |
на {112} и ~ |
< 111 > |
на {ПО}. |
|
Такая симметричная конфигурация (рис. 126, |
а) неустойчива |
1312] и переходит в три другие конфигурации |
(в зависимости от |
направления приложенного напряжения), в которых одна частич ная дислокация располагается вдоль линии пересечения двух двой-
|
|
Рис. |
126. |
Строение диссоциированной винтовой дислока |
|
|||||||||||
|
|
ции |
на |
плоскостях: |
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
|
|
а — { " 2 } |
' а - |
Р — сидячие, |
у — |
с к о л ь з я щ а я |
к о н ф и г у р а ц и и ) , |
|
||||||||
|
|
б — {110} ( а — сидячая, |
Р — с к о л ь з я щ а я конфигурации) . |
|
||||||||||||
ииковых |
дефектов |
упаковки. Ширина |
г\ каждого из них зависит |
|||||||||||||
от |
энергии |
дефекта |
упаковки |
на |
плоскостях |
{112}: ц = |
—. |
|||||||||
Можно показать, что зеркально-симметричные |
конфигурации, кото |
|||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
рые, казалось |
бы, должны возникнуть при |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
замене |
знака |
напряжения |
на обратный, |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
энергетически |
невыгодны, так как при этом |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
возникают двойные дефекты упаковки с |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
высокой энергией. Именно с этим обстоя |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
тельством связывают авторы работ [310, |
|||||||||
|
|
|
|
|
|
|
313, 314] асимметрию |
скольжения на плос |
||||||||
Рис. |
127. |
Диссоциация |
костях |
(112). |
Асимметрия |
напряжения |
||||||||||
сдвига |
в прямом и обратном направлениях |
|||||||||||||||
винтовой |
|
дислокации |
||||||||||||||
|
на плоскостях {112} оказывается значитель |
|||||||||||||||
-2- {111) |
на |
плоскостях |
||||||||||||||
ной. Так, в монокристалле железа напряже |
||||||||||||||||
семейства |
{112}: |
|
|
ние |
сдвига |
в направлении |
двойникования |
|||||||||
а — |
нестабильная |
симмет |
при |
143° К составляет 36 кГ/мм2, |
а в про |
|||||||||||
ричная к о н ф и г у р а ц и я , |
б — |
тивоположном — 44 кГ/мм2. |
В работе [311], |
|||||||||||||
устойчивая |
к о н ф и г у р а ц и я в |
|||||||||||||||
поле |
н а п р я ж е н и я |
т, |
в — |
однако, обращено внимание на то, что плос |
||||||||||||
с к о л ь з я щ а я |
на |
|
плоскостях |
|||||||||||||
{112} конфигурация . |
|
кости |
{112} в |
ОЦК решетке не являются |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
плоскостями симметрии |
и можно |
ожидать |
|||||||
асимметрии |
барьеров |
Пайерлса — Набарро для |
движения |
дисло |
каций в прямом и обратном направлениях и объяснить этот эффект,
не привлекая концепцию расщепления. Для осуществления сколь жения по одной из плоскостей {112} показанная на рис. 127 конфи гурация должна перестроиться в скользящую за счет объединения, например, частичных дислокаций А и С.
Рис. 128. Перестройка винтовой
дислокации ~ (III), диссоции рованной на плоскостях {110}
в скользящую конфигурацию.
Рис. 129. Переход винтовой дис
локации от устойчивой диссо циированной на плоскостях {112} к скользящей на плоскос
тях {011} .
Полная дислокация у [1111 краевой или смешанной ориента ции может диссоциировать на плоскости (011), при этом обра зуются три частичные дислокации по схеме
|
- £ - [111]= ^ [ 0 1 1 ] + |
- |
f [211] + -!-[011). |
|||||||
Поскольку |
направления |
< 111> |
являются |
осями |
зоны трех плос |
|||||
костей типа |
{ПО}, |
винтовая |
дислокация |
может |
диссоциировать |
|||||
[313, 314] |
по |
схеме |
(рис. |
127, |
б) |
|
|
|
|
|
- f - [ i l l ] |
= -g-[ol и |
+ |
-£-[iio] |
+ - f - t i o i ] |
+ -J-[ПИ |
|||||
|
|
1 |
|
на |
|
4- |
|
|
Ф |
|
|
|
на плоскости |
плоскости |
на плоскости |
|
|||||
|
|
(011) |
|
(110) |
|
|
( Ю 1 ) |
|
Последняя частичная дислокация является вершинной и распола гается вдоль линии пересечения трех дефектов упаковки, причем в отличие от диссоциации на плоскостях {112}, существование зеркально-симметричной конфигурации на плоскостях {110} воз можно, поскольку в ОЦК решетке они являются плоскостями сим метрии. Для скольжения по одной из плоскостей {110} такая кон фигурация должна перестроиться, образуя скользящую конфигу рацию по схеме, приведенной на рис. 128.
Для описания поперечного скольжения в ОЦК решетке необхо димо рассмотреть также переход скольжения винтовой дислокации из плоскостей {112} в плоскости {ПО}. Последовательность одно го из возможных вариантов [310] такого перехода представлена на рис. 129. Переход частичной дислокации В из плоскостей {112}
в плоскости {110} возможен и простым поперечным скольжением, однако дефект упаковки, связанный с частичной дислокацией
- g - ( l l l ) в плоскостях {110}, обладает большой энергией, и поэто му более вероятным представляется следующая схема:
|
|
а |
|
а |
6 |
111 |
~8~ |
011 |
411 |
~ |
+ |
1 ? |
||
|
ф |
|
ф |
ф |
на плоскости |
на плоскости |
вершинная |
(112)(011) дислокация
Дислскации А и С объединяются, образуя частичную дисло
кацию |
[111] по реакции |
|
- f l l l l ] 4- - f - [ l l l ] = - f [ l T l ] , |
и дислокация у[111 ]приводит, наконец, к перестройке дислокаций в скользящую конфигурацию на плоскости (011) по реакции
- ^ - [ 4 T l ] + |
- f [ 1 П ] = |
- J - [ 2 T l ] + - f - [0Tl] . |
Последние две реакции |
происходят |
под действием внешних напря |
жений.
Отмеченные особенности расщепления винтовых дислокаций в ОЦК решетке не только затрудняют поперечное скольжение по
мере уменьшения у я |
, как это наблюдается в металлах с ГЦК решет |
||||
кой, но |
и в равной |
степени — и в |
этом |
заключается |
своеобразие |
металлов |
с ОЦК решеткой — уменьшают |
подвижность дислокаций |
|||
в первичной плоскости скольжения. |
|
|
|
||
Степень расщепления, ширина возникающих дефектов упаковки |
|||||
и подвижность винтовых компонент |
чувствительны |
к величинам |
энергии дефектов упаковки. Несмотря на отсутствие «адежных ко личественных данных о величинах у я для металлов с ОЦК решеткой
[311], удалось |
установить существенные |
качественные |
различия в |
||
дислокационной |
структуре |
деформированных |
образцов |
материалов |
|
с сильно отличающимися |
значениями |
у д . |
Так, в хроме, леги |
рованном элементами первого большого периода (железом, кобаль том, марганцем), когда величина у я существенно снижается, мето
дом |
электронной |
микроскопии обнаружено [315] резкое уменьше |
ние |
подвижности |
винтовых компонент дислокаций по сравнению |
с краевыми. |
|
При подсчетах величин расщепления винтовых дислокаций в металлах с ОЦК решеткой обычно получаются крайне малые зна чения ширины дефектов упаковки. Например, в железе ширина расщепления в системах {110} и {112} составляет примерно 1,2 | Ь\ [313]. Поэтому не удивительно, что попытки экспериментального наблюдения расщепления оказались практически безуспешными
1311]. По-видимому, понятие расщепления дислокации в металлах с ОЦК решеткой имеет другой смысл, чем в случае металлов с ГЦК решеткой, и это расщепление следует рассматривать как осо бого рода асимметрию ядра винтовой дислокации [313]. В метал лах с ОЦК решеткой величина энергии дефекта упаковки влияет и на переход от деформации скольжением к деформации двойникованием.
Деформация двойникованием. Различие между дислокационными механизмами двойникования и скольжения предопределяется ве личинами векторов Бюргерса, описывающих данный вид деформа ции дислокаций. При скольжении величина атомных смещений рав на расстоянию между ближайшими атомами в направлении сдвига, а при двойниковании она составляет только часть этого расстояния. Вектор Бюргерса двойникующей дислокации является лишь частью вектора тождественной трансляции, и поэтому двойникующая дис локация не может самопроизвольно образоваться в совершенной решетке, в то время как самопроизвольное образование дислокаций скольжения при достаточно высоком уровне действующих напря жений возможно. Таким образом, двойникующие дислокации могут образовываться только при дислокационных реакциях расщепле ния дислокаций скольжения.
В литературе обсуждалась, правда, принципиальная возмож ность перехода сразу целого небольшого объема в двойниковое положение с образованием маленьких зародышей линзовидных двойников. Механизм такого гомогенного образования двойников был предложен Орованом [316]. Необходимые напряжения ока
зались равными т 5 , д в = |
где |
у0 — удельный |
относительный |
|
сдвиг при двойниковании |
(для |
а-железа т 5 | Д В = |
950 |
кГ/мм2). |
Однако этот механизм вызывает серьезные возражения. В расче
тах Орована не учтена энергия дефектов упаковки в |
энергетиче |
||
ском балансе гомогенного зарождения, и рассчитанные |
по |
Оровану |
|
значения напряжений зарождения |
следует (при правильном учете |
||
уд ) увеличить. Экспериментально |
гомогенное зарождение |
не на |
|
блюдалось. |
|
|
|
Описанные в литературе дислокационные механизмы, в отли чие от проблематичного варианта гомогенного зарождения, допус кают возможность образования зародышей двойников при вполне достижимых уровнях напряжений сдвига и уже получили прямое экспериментальное подтверждение [317, 318]. В настоящее время детально разработаны несколько дислокационных механизмов двойникования: механизмы Коттрелла — Билби [317], Шлизвика [312], Огавы — Мэдина и Мюллера — Паркера [318], Пристнера — Лесли [319] и др. Все они основаны на том кристаллографически
давно установленном |
факте, |
что |
двойникование |
в ОЦК решетке |
|
происходит |
вследствие |
сдвига |
в |
серии смежных |
плоскостей {112} |
на величину |
< 111 > |
в каждой плоскости. |
|
Дислокационные механизмы позволяют объяснить строгую по* следовательность величин атомных смещений в каждой последующей плоскости растущего двойника, используя идею полюсной модели размножения дислокаций, подобной известному механизму Фран ка — Рида для размножения дислокаций скольжения. Двойникующая частичная дислокация, например, по модели Коттрелла — Бил-
би, возникает при диссоциации полной |
дислокации - £ ( 1 1 1 ) |
на |
|
плоскости |
{112} по схеме |
|
|
|
- Я - [ 1 1 1 ] - * - £ [ 1 1 2 ] + |
-£[1ГТ], |
|
при этом |
образуются частичная чисто кр.аевая сидячая -+[112] |
и |
|
|
|
О |
|
частичная |
винтовая - £ [111] дислокации, |
соединенные между собой |
дефектом упаковки. Движение винтовой дислокации - £ [ 1 П ] в од ной из плоскостей (Г21) и (211) зоны [111] приводит к росту много слойного двойника, так как вращение дислокации-£ [1 l l ] вокруг одной из точек стыка с нерасщепленным участком полной дислокации
— [111], как вокруг полюса, сопровождается смещением в следую щую плоскость семейства (121) или (2l 1), поскольку дислокация -£[111] имеет винтовую компоненту вектора Бюргерса, перпен дикулярную плоскости (Г21) или (211).Описанная выше схема рас
пада полной дислокации-£ [111] не дает выигрыша в энергии при сравнении квадратов векторов Бюргерса, такой распад может про исходить только в поле действия внешних сил. Напряжения, необ
ходимые для начала работы полюсного |
механизма, т д в = т0 |
+ |
, |
|||||
где |
т0 — сопротивление |
движению |
двойникующих |
дислокаций |
||||
[317]. Для железа величина сдвиговых |
|
напряжений, |
если |
считать |
||||
у д » |
150 эрг/см2, Тдв |
= |
т0 + 180 кГ/мм2, |
что легко может |
быть до |
|||
стигнуто у различных |
концентраторов |
напряжений |
(см. стр. |
203, |
а также работу [320]). В соответствии с другими возможными меха
низмами роста |
двойников |
величина т д в может |
быть еще меньшей |
(например, т д в |
== т0 + - | g - |
[321]). Однако для |
начала работы двой |
никового источника всегда требуется локальная концентрация на пряжений, так как необходимый уровень напряжений сдвига обыч но не может быть достигнут в макрообъемах металла.
Следует отметить, что величина пластической деформации двойникованием очень невелика, особенно в поликристаллических мате риалах. Максимально возможная величина Пластической деформа ции в оптимально ориентированном монокристалле составляет 41,4% и быстро уменьшается с отклонением от оптимальной ориен-