Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Семенов Н.А. Техническая электродинамика учеб. пособие для электротехн. ин-тов связи

.pdf
Скачиваний:
302
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
23.29 Mб
Скачать

метричной линии. В ней могут распространяться ТЕМ-волны двух типов.

Синфазная волна (СФ) соответствует одинаковым фазам про­ водников / и 2 и противоположной ей іфазе экрана і(3), который служит обратным проводом. Дл я этой волны Линия .аналогична ко­ аксиальному кабелю с разделенным внутренним проводником1 ). Антифазная волна (АФ) соответствует противоположным фазам проводников / и 2 (они образуют линию) и нейтральному экрану. По сравнению с открытой двухпроводной линией при тех ж е а и сі емкость Сі у экранированной линии с антифазной волной несколько больше, а характеристическое сопротивление 'соответственно мень­ ше. Оно рассчитывается по приближенной (формуле ,(при D>10a):

2 асо :

Arch

d

D 2 4 (d2 — a2)

(10.33)

 

D2 + 4(d2 + a2) J

 

 

 

 

Обычно в экранированной линии используют антифазную вол­ ну. Двухпроводную экранированную линию применяют в тех 'слу­ чаях, когда нагрузка симметрична ^например, вход симметричного вибратора — антенны, состоящей из двух одинаковык проводов).

Ч е т ы р е х о р о в о д н а я л и н и я (рис. 10.11) представляет со-

.а) с<Р

1 ГТт

V - 4

Рис. 10.11

 

 

 

 

бой две параллельные двухпроводные линии /—2

и 3—4, располо­

женные одна под другой. В ней распространяются

два типа ТЕМ-

волн. Синфазная волна

имеет иоле, симметричное относительно

вертикальной

плоскости,

что (соответствует одинаковым потенциа­

л а м и токам

левых и правых проводов (примерно такую же

струк­

туру имеет поле двухпроводной линии, (состоящей

іиз двух

прово­

дов прямоугольного сечения размерами Х2с?г).

Напряженности

') Синфазную волну называют также однотактной и четной, антифазную — противофазной, двухтактной и нечетной.

поля СФ волны, как и у двухпроводной линии, убывают с расстоя­ нием от ЛИНИИ ІПО закону 1/г2 і(нри r^>d\).

Поле антифавной іволньї обладает центральной симметрией от­ носительно продольной оси линии. Поле этой волны сконцентриро­ вано вокруг линии сильнее, чем у СФ волны, так как Е и Я при удалении от оси линии убывают по закону 1/г3. Соответственно меньше излучение такой линии на высоких частотах и прием волн, из окружающего пространства.

Четырехпроводную линию летко превратить в одномодовую, 'сое­ динив попарно ее провода в ряде точек вдоль линии. Возможны

два варианта таких линий: симметричная

с волной

СФ

(соединены

провода 1 м 3, 2 и 4) и перекрещенная

с волной

АФ

(соединены

накрест лежащие провода 1 и 4, 2 и 3).

В обоих 'случаях

из-за уве­

личения емкости С\ характеристическое 'сопротивление линии при­ мерно їв два раза меньше, чем у двухпроводной с такими же про­ водами. Дли синфазной и антифазной волн оно рассчитывается по приближенным формулам ,(при d>6a) :

(10.34>

Сравнение этого выражения с ф-лой ,(10.30) дли Z c 0 двухпроводной линии позволяет установить, что Z £ 0 > Z c 0 / 2 > Z * 0 .

Коэффициент 'затухания четырехщроводной линии определяется,, прежде всего, сопротивлением линии на единицу длины. При d>6a, когда эффект близости практически не оказывается, оно в. два раза меньше, чем у двухпроводной линии, так как соединены параллельно по два провода. Однако и Z c четырехпроводной ли­ нии примерно в два раза меньше, чем двухпроводной, поэтому ве­ личина коэффициента затухания остается почти прежней. У сим­ метричной линии она на '20—30% меньше, чем у перекрещенной.

Предельная мощность четырехпроводной линии

примерно в дв а

раза больше, чем двухпроводной.

 

Симметричные четырехпроводные линии часто

используются в

качестве антенного фидера мощных передатчиков кв, ев и дв диа­

пазонов; здесь ценятся ее меньший коэффициент затухания и удоб­ ство соединения с передатчиком и 'антенной. Перекрещенные фи­ деры получили наибольшее распространение на приемных радио­ центрах, где наиболее важна их лучшая помехозащищенность,, обусловленная сильной концентрацией поля вокруг линии.

10.5. Линии над землей

М Е Т О Д И З О Б Р А Ж Е Н И Й В Э Л Е К Т Р О Д И Н А М И К Е

Линии связи и антенные фидеры обычно расположены параллель­ но поверхности земли. На низких частотах (f<0,lfC p (см. табл. 3.1) почву можно считать проводником. Вели, кроме того, і/<о-108 , мо-

249»

дуль коэффициента отражения от почвы | Г | > 0 , 9 и можно рас­ сматривать поверхность земли как идеально проводящую. Эти со­ ображения применимы также к линиям, параллельным металли­ ческим поверхностям для любой частоты. Поля линий, параллель­ ных хорошо проводящим поверхностям, определяют с помощью метода изображений.

Метод изображений был рассмотрен в 5.3 для электростатиче­

ских задач. В электродинамике он применим

только при

анализе

поля над плоской идеально проводящей поверхностью

5

(гранич­

ное условие Ех

|S = 0 B 3 T O M

случае сохраняется). Источником

пере­

менного поля

является система

токов, которую можно рассматри­

 

 

вать как сумму элементарных электри­

і

ческих излучателей

(см. параграф 7.2).

Покажем,

что

идеально

проводящую

 

 

 

 

плоскость, над которой находится лю­

 

 

бая система токов (рис. 10.12), можно

 

 

заменить системой токов-изображений,

 

 

антисимметричной

токам-оригиналам

 

 

(токи равны по величине, расположе­

 

 

ны

симметрично

относительно

5, но

Рис. 10.12

 

направлены

противоположно).

Сум­

 

марное поле этих двух систем токов

 

 

 

 

будет удовлетворять граничному

усло­

вию на S. Для этого достаточно рассмотреть электрическое поле в

произвольной точке М на

поверхности

S,

создаваемое

элементар­

н ы м и отрезками с токами

Л и 1[. Расстояние

от них

до

точки М

одинаково, следовательно, одина'ковы величина и запаздывание по фазе векторов Et и Е[ ; эти векторы синфазны и антисимметричны (т. е. симметричны векторы Ei и Е,') . Очевидно, что суммарный вектор E = E i + E,' всегда нормален к поверхности S.

ОДНОПРОВОДНАЯ л и н и я

Одиночный провод над землей совместно со своим изображением эквивалентен двухпроводной линии (рис. 10.13). Неомогря на ряд недостатков, он до сих пор применяется «а второстепенных линиях связи для передачи сигналов и электропитания аппаратуры. При расчете параметров волны, распространяющейся вдоль одиночного провода, нужно иметь в виду, что генератор и нагрузка включены между линией и землей (плоскостью симметрии), поэтому при том же токе напряжение в однопроводной линии будет в ' два раза меньше, чем в двухпроводной. Емкость «провод—земля» такой линяй в два раза больше, чем емкость «провод—провод», поэтому характеристическое сопротивление провода над землей также рав­

но половине Z c двухпроводной линии

[ф-ла (10.30)].

 

Коэффициент затухания [по ф-ле

(10.31)]

не изменяется, так

каїк отсутствие второго проводника уменьшает

в два раза

потери.

При реальной земле с конечной проводимостью

необходимо

учиты-

вать потери й заземлениях на 'концах линии; сопротивление зазем­ ления R3 зависит от его конструкции и проводимости почвы в дан­ ном месте.

Току-изображению соответствуют реальные обратные токи, рас­ пределенные в поверхностном слое земли с убывающей плотностью

по мере удаления от оси провода. Эквива­

 

лентная плотность поверхностных токов оп­

 

ределяется

ф-лой

(10.7),

где

оэ находится

 

из решения

аналогичной

статической

за­

 

дачи. Основная часть тока проходит в поло­

 

се шириной порядка 2d под проводом. Если

 

трасса

провода криволинейна,

то

токи в

 

земле повторяют все изгибы трассы, даже

 

если она

образует

замкнутую

петлю

(без

 

электрического контакта в точке пересече­

 

ния). Поэтому для успешной работы линии

 

важно выбирать почву с хорошей проводи­

 

мостью вдоль всей трассы и

избегать,

на­

Гис. 10.13

пример,

скальных

участков,

обладающих

 

очень низкой

проводимостью.

Как

правило,

сопротивление земли,,

как обратного провода, значительно меньше R3 и в расчетах не учитывается.

На высоких частотах земля уже не эквивалентна идеальному или хорошему проводнику. Кроме того, конечная проводимость провода существенно меняет структуру электромагнитного поля' волны, которая из ТЕМ превращается в поверхностную.

ДВУХПРОВОДНАЯ ЛИНИЯ

Двухпроводная линия над землей эквивалентна перекрещенной четырехпроводной с антифазной волной (рис. 10.116). При d2>l0di. влияние земли на параметры волны в линии незначительны. Одна­ ко здесь необходимо учитывать возможность появления синфазной волны '(провода 1 и 2 синфазны, а земля образует обратный про­ вод) с полем, (идентичным полю однопроводной линии. Совместное рашространение антифазлой и синфазной волн нарушает режим» питания нагрузки, так как сумма напряжений этих волн на п р о ­ водах линии не симметрична.

10.6. Полосковые линии

СИММЕТРИЧНАЯ И НЕСИММЕТРИЧНАЯ ЛИНИИ

Полосковые (или ленточные) линии получили широкое распростра­ нение в связи с внедрением в технику свч технологии печатных схем [17]. Они используются преимущественно в сантиметровом И; дециметровом диапазонах. Их изготавливают на основе диэлек­ трических пластин, покрытых металлической фольгой толщиной?

251.

10-r-'lO0 IMIKJM. Используются •высокочастотные диэлектрики: фторо­ пласт, полистирол, полмолефины, стеклоткань, пропитанная фторо­ пластом или юремниеарга.ничеакой смолой.

Рис. 10.14

Несимметричная линия (рис. 10.14а) конструктивно наиболее проста, однако имеет существенный недостаток: часть волны рас­ пространяется в воздухе и вызывает нежелательные связи іс дру­ гими элементами схемы. Симметричная линия (рис. [10.146) «(ди­ электрический сэндвич» — практически полностью экранирована. При ширине (внешних пластин a^w+\(4-^5)b иоле на их краях практически отсутствует; їв этом случае иолооковая линия эквива­ лентна коаксиальной с очень узкими щелями во .внешнем провод­ нике.

Коэффициент затухания линии со 'Сплошным диэлектриком оп­ ределяется в основном потерями в диэлектрике. Этот источник потерь почти полностью устраняется в воздушной линии (рис. 10.14в), у которого проводящие ленты расположены по обе сторо­ ны тонкого диэлектрического листа и .'соединены между собой; опоры этого листа удалены в область, где поле практически отсут­ ствует. Широкие пластины у всех линий заземляются и соединя­ ются между собой.

т и п ы в о л н

Основной їв полосшвой линии является волна типа ТЕМ. Диэлек­ трический слой имеет конечные размеры, поэтому у его границы в воздухе образуется поверхностная .волна. Однако поле этой іволньї столь мало по сравнению с полем в диэлектрике, что отличие

.структуры волны в линии от поперечной, особенно у симметрич­ ных конструкций, может не учитываться.

Возникновение іволн высшего порядка исключается, если экви­ валентная ширина ленты w+Aw и расстояние между внешними пластинами 2b + t меньше половины длины волны в диэлектрике ли­ нии: w-r-Aw<\kt2 и ! 2b-W<V2. Выполнение этих условий на мак­ симальной частоте обеспечивает одномодовость линии в рабочем диапазоне.

Эквивалентная ширина ленты больше геометрической w за счет краевого эффекта. Величина эквивалентного расширения рас­ считывается по формуле

я |_ \

2b)

Ab

\ t

0,96 + 1,1*. (Ю.35)

 

Приближенная формула для Aw дает погрешность

не более 2%

при t/e<0,4.

 

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ

 

X а р а к т ер и с т и ч е с к о е с о п р о т и в л е н и е

симметричной

линии определяется емкостью С\ единицы ее длины. Последняя оп­ ределяется по формуле для плоского конденсатора из трех пластин с учетом дополнительной емкости, вызванной краевым эффектом.

Эквивалентная площадь ленты единичной длины

равна

w+Aw;

расстояние между ней и пластинами b; два конденсатора

включе­

ны параллельно. Поэтому C\ = 2ea(w+Aw)/b,

откуда

по ф-ле (10.9)

z = b . — * — .

 

 

(Ю.36)

2 w + Л да

 

 

 

Эта формула справедлива три w + t~^0fob.

При

w+t=0,4b по­

лученный результат следует увеличить на 4%.

 

 

Характеристическое сопротивление несимметричной линии со сплошным диэлектриком примерно їв два раза больше, чем най­ денное по ф-ле (10.36), так как оно определяется 'емкостью между

лентой

и одной пластиной: Z*c =ZBb/i(w+Aw).

 

Поле несимметрич­

ной линии шире, чем у симметричной: Лш>26

.и определяется при­

ближенным

соотношением Aw=i2b + (t/я) |[1 +1п(1 +0Ь/г]. Точность

2-^5%

дают

формулы для симметричных

и

несимметричных ли­

ний с воздушным заполнением, полученные И. С. Ковалевым [18].

 

200(6-/)

/ при

\ . z

=

2 0 0 ( 6 - 0

/

при

\ .

 

2 С

= У г (да +

Ъ) \W<2b)'

 

с

 

Ye(w+b—t)\W>2bj'

 

 

z „c =

«Х» (

при

\

е с л и

t

< 0 f

1 Ъ.

(10.37)

'

 

0

/е(да+6)\я> > 2Ь)

 

 

 

 

 

v

К о э ф ф и ц и е н т

з а т у х а н и я

а = а д

+ апр.

Составляющая

а д определяется универсальной

ф-лой

(8.43). Анализ потерь в про­

водниках

представляет

сложную

задачу

из-за

 

неравномерного

распределения поля вдоль их поверхности. іВ первом приближении будем считать, что плотность тока по периметру ленты 2(w + t) одинакова, а сопротивление пластин такое же, как ленты. Тогда суммарное сопротивление, приходящееся на единицу длины линии,

и коэффициент затухания в «соответствии

с ф-лами

i( 10.11)

опре­

деляется как

 

 

 

 

 

 

2RS

^

flt

_

%s

 

/1 г, о о \

H l = 2ТаГ+1Г '• ""Р -

2Z7

-

2Zc(w + t)

'

V"'™'

При обычных соотношениях размеров линии потери в пласти­ нах несколько меньше, а в ленте больше, чем при сделанных до­ пущениях.

П р е д е л ь н а я

. м о щ н о с т ь симметричной лоагоставой ли­

нии, определяемая

пробоем, в 1,54-2 раза меньше, чем у прямо­

угольного (волновода с теми же поперечными размерами. При пе­ редаче (непрерывных сигналов допустимая мощность ограничивает­ ся нагревом диэлектрика. Симметричная линия может пропустить

мощность, їв 1,6 раза большую, чем

несимметричная

или коакси­

альная линии.

 

 

 

ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛОСКОВЫХ

ЛИНИЙ

 

 

Полосковые линии используются преимущественно

в

диапазоне

3 4 - 1 0 ІГГІЦ для передачи небольших

мощностей. Их

преимущество

по сравнению с полыми 'волноводами состоит в простоте изготов­ ления, компактности и малой стоимости. Короткие отрезки линий можно построить и для более высоких частот, если приемлем ко­ эффициент затухания порядка нескольких децибел на метр.

Особенно велики преимущества полооковых линий, изготавли­ ваемых методом печатных схем, при построении малогабаритных функциональных узлов (например, частотных фильтров) на свч. С этой целью такие линии успешно применяются, начиная с сотен мегагерц.

В іминиат-юрных интегральных схемах свч используются как более технологичные несимметричные микрополосковые линии. Ширина ленты обычно составляет w=0,54-0,5 мм. Чтобы умень­ шить проникновение поля и воздух применяют диэлектрик с вы­ соким значением е = 54 - 10 .

 

 

ЗАДАЧИ

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.1 Вычислить электрические

характеристики

коаксиального

кабеля

(Zc ;

v; a°=ct°p + a ° ; Рпред)

на частотах

200 МГц и 20 ГГц. Конструктивные

 

харак­

теристики: внутренний

проводник

— стренка

из 7 проводов диаметром

 

0,267 мм

каждый

(максимальный

диаметр

стренки

0,8 мм); внешний

проводник из

медной

оплетки

£> = 2,3 мм; сплошная

изоляция

из

полиэтилена

е=2,25;

tg б = 2- Г0~Ч

Определить также fKp

волн Ни и £<н-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ответ: Zc=75

Ом;

v=200

Мм/с;

Р п Р е Д = 17,4 кВт; a°=,a n ° p +

а°

=0,124+

+0,0036=0,128

дБ/м

при /=200

МГц;

а ° = а ° р

+ а£ =

1,24+0,36= 1,60

дБ

при f = 20 ГГц; f ^ ' = 2 4

ГГц;

 

 

=51 ГГц.

 

 

 

 

 

 

 

 

10.2. Определить

электрические параметры (Zc.

v, a ° p , Рпред)

двухпровод­

ной линии на частоте

10 МГц. Линия

находится в воздухе

и выполнена

из мед­

ных

проводов

2а = 4 мм, расстояние

между

которыми 2d = 40 мм.

 

 

 

 

Ответ: Zc = 360 Ом; v = c\ a ° p

=1,58 дБ/км;

Р п Р е Д = 1 4 1

кВт при £ к р

= 1 МВ/м.

 

10.3. Определить

и

а „ р

четырехпроводных

медных линий

(симметрич­

ной

и перекрещенной)

в

воздухе

при 2 а = 4

мм; 2di = 2d2 = 40 мм

и

частоте

10

Мгц

(см.

рис.

10.11).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Ответ: Zcc=20\

Ом; Z*=159

Ом; а°==1,41 дБ/км;

а°£=1,79 дБ/км.

 

 

 

Глава 11.

ОБЪЕМНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ

11.1.Основные свойства и параметры

ЭВОЛЮЦИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ РЕЗОНАТОРОВ

Резонатор может долгое время поддерживать периодические ко­ лебания, вызванные внешним импульсом. Резонатор обладает ча­ стотной избирательностью по отношению к внешнему гармоничес­ кому воздействию: амплитуда его колебаний максимальна на ре­ зонансной частоте и уменьшается по мере удаления от нее. Коле­ бания в электромагнитных резонаторах представляют собой вза­ имное превращение электрического и магнитного полей. Резона­ торы широко используются в радиотехнических устройствах, яв­ ляясь неотъемлемой частью многих усилителей, большинства гене­ раторов, приемников, частотных фильтров и измерителей частоты.

Простейшим электромагнитным резонатором является колеба­ тельный LC-контур. Легко установить, что запас электрической энергии создается в конденсаторе, а запас магнитной — в катушке индуктивности. Переход энергии от электрического поля к магнит­ ному сопровождается пространственным перемещением энергии из конденсатора в индуктивность. Размеры контура должны быть малы по сравнению с длиной волны. Уже в метровом диапазоне волн контур перестает работать удовлетворительно: сказываются межвитковые емкости катушек, индуктивности вводов и пластин конденсатора. Увеличение частоты требует уменьшения размеров катушки и конденсатора, что влечет за >собой снижение допусти­ мой колебательной мощности.

В диапазоне дециметровых и более коротких волн (частично и в метровом диапазоне) применяют резонаторы, в которых элек­ тромагнитные колебания возникают внутри ограниченного объема; поэтому их называют объемными.

Постепенное превращение контура в объемный резонатор по­ казано на рис. 11.1. Пусть контур (рис. 11.1а) рассчитан на весьма высокую частоту и имеет всего один виток. Включение параллель­ но ему еще нескольких витков (рис. 11.16) увеличивает частоту колебаний этой системы и уменьшает вредное излучение в прост­ ранство. Объединение всех витков в оплошную поверхность враще­ ния (рис. 11.1в) приводит к полностью экранированному торо­ идальному резонатору с еще более высокой частотой колебаний; этот резонатор относится к классу квазистационарных. Квазиста-

ционарные резонаторы имеют четко выраженные области сущест­ вования электрического и магнитного полей, которые эквивалент­ ны емкости и индуктивности; можно считать, что такой резонатор представляет собой полностью экранированный колебательный кон­ тур. Размеры квазистационарного резонатора малы по сравнению с длиной волны Ло его собственных колебаний.

Рис. 11.1

Раздвинув пластины конденсатора, превратим .границу резона­ тора в выпуклую поверхность, например, (сферическую .(рис. 11.1 г).

Собственная частота при этом еще (более увеличится

и длина

вол­

ны Хо станет сравнимой с размерами резонатора.

Теперь

весь

объем резонатора почти в равной степени заполнен

электрическим

и магнитным полями, поэтому не удается выделить отдельные об­ ласти то .свойствами емкости и индуктивности. Поле в объемном резонаторе такого типа можно представить в виде суммы парци­ альных волн, последовательно отражающихся от его стенок. Ре­ зонанс возникает в том случае, если циркулирующая внутри резо­ натора волна приходит в определенную точку всегда в одной и той же фазе. Такое синфазное 'сложение полей значительно увели­ чивает амплитуду колебаний.

Существенные изменения произошли при освоении оптического диапазона, в котором длины волн Х0 намного меньше размеров ре­ зонатора. При этом пришлось отказаться от замкнутых объемов с металлическими стенками. Открытые объемные резонаторы, гене­ рирующие оптические волны, сохранили лишь часть отражающей стенки. В простейшем іслучае они представляют 'собой систему из двух противостоящих зеркал, изготовленных из многослойного ди­ электрика, которые отражают друг к другу электромагнитную волну.

СОБСТВЕННЫЕ И ВЫНУЖДЕННЫЕ КОЛЕБАНИЯ

С о б с т в е н н ы е к о л е б а н и я, как известно из теории колеба­ тельных контуров, возникают в резонаторе при внешнем импульс­ ном воздействии, когда в него поступает порция энергии. После процесса установления они становятся квазигармоничеакими зату­ хающими и зависят от времени по закону:

еі в <' =еі 6 >с< е - ^ с ,

 

(ИЛ)

где (Ос собственная круговая

частота колебаний,

Tc =2Q0 /<»C —

постояняая^рвмени резонатора,

Q0—собственная

добротность ре­

зонатора, ©с = «о + і/тс = соо!11 + i/'(2Q0 ) ] — 'комплексная

собственная

частота колебаний.

 

 

 

У объемного резонатора существует целый ряд 'собственных колебаний, каждому из которых 'соответствует определенная струк­ тура поля и определенные значения сз0 и Qo. Поэтому внешний электромагнитный импульс создает в резонаторе сложное коле­

бание, состоящее из ряда частотных

составляющих

вида (11.1).

В ы н у ж д е н н ы е к о л е б а н и я

Обусловлены

внешними пе­

риодическими воздействиями, при этом энергия в систему посту­ пает каждый период. Если частота этих колебаний совпадает с одной из резонансных частот юо колебательной системы, возни­ кает резонанс, сопровождающийся резким увеличением амплитуды колебаний. Запасы электрической и магнитной энергии в резона­ торе при резонансе в среднем за период одинаковы, так что энер­ гия целиком переходит из одного ісоетояния в другое. Линия связи от внешнего источника доставляет в колебательную систему толь­ ко сравнительно небольшое количество энергии, необходимое для восполнения тепловых потерь.

ПАРАМЕТРЫ РЕЗОНАТОРА В РЕЖИМЕ ВЫНУЖДЕННЫХ КОЛЕБАНИЙ

Р е з о н а н с н а я ч а с т о т а

или

<»о =

2я./о лишь незначительно

отличается от собственной

частоты

а)0 =

|сос | =<ос 1^1 + ( 1 / 2 Q 0 ) 2 «

»<й($1 + 1/(SQо)]. Например, при

Q0 =120 это различие составляет

менее 10- 3 %. Величина / 0 определяется геометричесиими размера­ ми резонатора и структурой электромагнитного поля раоомапри- вае№о.го колебания. Исследование определенного типа колебаний независимо от других возможно лишь в сравнительно узкой полосе вблизи /о, если другие типы колебаний имеют резонансные часто­

ты, достаточно далекие от / 0

или не связаны с возбуждающим уст­

ройством.

 

 

 

 

 

Д о б р о т н о с т ь

Qo можно

определить

через энергетические

параметры. В теории контуров

Qo = u>oL/R,

где L — индуктивность

катушки, R—сопротивление

потерь. Умножим

числитель и знаме­

натель этой формулы на Я:

 

 

 

 

Qo =

- ї — =

G>0

=

,

где

W=WM+W3=-^-LI2-\- -^-Си2 = Ы2 энергия, накопленная в резо­ наторе при резонансе. Она рав'на_удвоен'ной магнитной энергии в индуктивности в силу того, что WM=W9. PO=RJ2 — средняя за пе­ риод Т мощность потерь їв резонаторе.

9—2

257

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ