Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Семенов Н.А. Техническая электродинамика учеб. пособие для электротехн. ин-тов связи

.pdf
Скачиваний:
302
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
23.29 Mб
Скачать

брать ориентацию петли и ее расстояние го до короткозамыкателя, соответ­ ствующие максимуму мощности возбуждения, определить Рmax И А вх•

 

Решение.

Петля

представляет

собой

элементарный

магнитный излуча­

тель с моментом

магнитного тока

[ф-ла

(7.23)] / " т

/ =

і ko ZBOICTSB

=

і 0,79

В-м.

Согласно

(9.24),

при

х0

= а/2 ие

равна

нулю

только

магнитная составляющая

Их.

При коротком

замыкании

(Г=<1)

в

плоскости

z=0

суммарное

поле

пробной

волны Н^вх

= і 2(р7£)Я ^sin | х

cos Р z

достигает

максимума

при

Zo=0,

Л/2

и т.

д. Выберем

і2о=Л/2= 1,875

см.

Нормаль

к

рамке

должна

совпадать

о направлением магнитного поля, т. е. с ортом ех . В данном случае действует

лишь магнитный сторонний ток;

учитывая

малость размеров

рамки, получаем

из ф-лы (9.59) нормированную амплитуду возбуждаемой

волны

0=ZZ7H~H"BX'X

X ( / " т ' ) =

' І^іГ ^0 QCT 0 ' т а к

к а к s i n 1^0 = 1 и cos Р z 0 = l .

 

Теперь

определим мощность

возбуждаемой волны,

учитывая соотношение

$9.29) для

Н$: Р=\ U\*P«=2 УК(

/?т lf/(ZB

ab) =8,8

Вт и .входное сопротив­

ление /?»х=8,8 Ом.

9.16. Определить коэффициент затухания медного круглого волновода диа­

метром 4 см на волне

Нц при

частотах / / f K P = 0 , l ;

0,3;

0,5; 0,7;

0,9; 0,95;

0,99;

в,999; 1,001; 1,01;

1,05;

1,1;

1,5

и

1,9.

Коэффициент

шероховатости стенок

 

к ш

=

= 1,2. Построить частотную характеристику коэффициента затухания.

0,0108;

Ответ: а°=794;

760;

691;

570;

346;

249;

112;

36;

0,0754;

 

0,0299;

9,0075; 0,0054; 0,0027; дБ/м.

 

 

аттенюатор

на волне типа # н

 

в круглом

вол­

9.17. Рассчитать

предельный

с

новоде, работающей

в

диапазоне

частот от

1 до

1000

МГц

затуханием

от

30 до 200 дБ. Аттенюатор заполнен воздухом.

 

 

 

 

 

 

 

 

Решение. Примем

/к р =(Ш

/т

„х=110

ГГц; следовательно, по

табл. 9.4

радиус

«оводе, работающий в диапазоне частот от

1 до

1000

МГц

с

затуханием

от

 

а°=11,820-10-7-10-1О9=1820 дБ/м=И8,2 дБ/см.

 

 

 

 

 

Отсюда

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

l„in

=

30/18,2= 1,65 см;

= 200/18,2 = И см.

 

 

 

Глава 10.

Л И Н И И С ТЕМ-ВОЛНАМИ

10.1. Теория идеальной линии

ВИДЫ ЛИНИЙ

Натравляющие системы, їв которых могут распространяться ТЕМволны обычно называют линиями: Согласно изложенному в 8.4, они должны состоять из двух или нескольких проводников, прост­ ранство между которыми заполнено однородным диэлектриком. Волна ТЕМ (в них является основной и единственной практически используемой. (Размеры линий выбирают обычно такими, чтобы в них не возникали волны высших порядков типа Е и Я. Широко известны іксаксиальная, симметричные щвухпроіводнаїя и четырехпроводная, а также иолосковая линии, по которым распространя­ ются волны от весьма низких частот до ювч диапазона и даже пос­ тоянный ток.

НАПРЯЖЕНИЕ И ТОК В ЛИНИИ

Рассмотрим иоле ТЕМ-волны произвольной двухпроводной ли­ нии (рис. 10.4). По определению оно ісодержит только поперечные

составляющие

E=Ej . ,

Н = Н ±

и

подчиняется

в поперечной плос­

кости уравнениям

Лапла­

 

 

 

 

 

 

 

 

са

(8.11),

откуда следует,

 

 

 

 

 

 

 

 

что в этой плоскости элек­

 

 

 

 

 

 

 

 

трическое

и магнитное по­

 

 

 

 

 

 

 

 

ля

потенциальны.

Поэто­

 

 

 

 

 

 

 

 

му

можно

ввести

инте­

 

 

 

 

 

 

 

 

гральные

величины:

на­

 

 

 

 

 

 

 

 

пряжение

между

прово

 

 

 

 

 

 

 

 

дами,

определив

его

по

 

 

 

 

 

 

 

 

аналогии с (5.5), и ток в

 

 

 

 

 

 

 

 

проводе, в

соответствии

с

Рис.

10.1

 

 

 

 

 

обобщенным

законом

Ам­

 

 

 

 

 

 

 

 

пера

[ур-ние

(2.4)]:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

йл

=ф(2)

-

ф(1) =

-

j

Ё • d 1;

=

Hdl.

(10.1)

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

і

 

 

 

с

 

 

Оба пути интегрирования £12 и

С лежат

в

поперечной

плоско­

сти

Sx

. В'еліичина

Uл

не

зависит

от пути

интегрирования,

так как

2129

поле Е х в пределах S x потенциально. Контурный интеграл

татке

не меняется при любых изменениях контура С, пока он

охватывает

только второй провод, так как Dz=0.

Считаем токи

в проводах

равными по величине и противоположными по знаку: / л

= / л 2 =

І пи

что является необходимым условием

для локализации

поля

в се­

чении ограниченных размеров. Тогда равна нулю циркуляция век­ тора Н по любому контуру, охватывающему оба проводника; івісе линии электрического поля, начинающиеся на одном проводнике, кончаются на другом, так как равны по величине и противополож­ ны по знаку создающие ток суммарные поверхностные заряды на Проводниках.

ТЕЛЕГРАФНЫЕ УРАВНЕНИЯ КАК СЛЕДСТВИЕ УРАВНЕНИЙ МАКСВЕЛЛА

Уравнения для напряжения и тока в линии найдем как следствие уравнений Максвелла (3.14) дли ее электромагнитного поля (при / С т = 0 ) : rotE = —ісо В; rotH = icoD.

Поле волны ТЕМ имеет только поперечные 'составляющие, по­

этому определим проекцию ротора

на 5Х :

( r o t А х ) х = ( V X A L )x =

= ( V хХAj_)x + (ez XdAx/5z)x = e.zXdAJdz;

 

оператор

Гамильтона

представлен

здесь

в виде

V = V x + ezd/dz.

Следовательно, уравне­

ния Маїкавелла для поля волны ТЕМ принимают вид:

 

 

 

 

ег

Х ^ = - і < в В ;

ег x - g

=

icob.

 

(10.2)

Продифференцируем

обе части

равенств (10.1) и подставим в

них ф-лы

(10.2),

предварительно

заменив

 

dl = xdl = (ezXn)dl,

где

п — нормаль к кривой L i 2

или С, лежащая

в плоскости 5 х .

Тогда

 

 

2

 

 

2

 

 

 

2

 

- ^ f - =

-

[ £ ( e z X n)dl

= -

X e 2 )nd/ = - і cofB-ndZ

 

 

1

 

 

1

 

 

 

1

I •

d-b =j)~(e,

X n)dl

=§(^X

e z )nd / =

- i c a ^ b - n d /

 

с

 

 

 

 

с

 

 

с

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(10.3)

Интеграл от магнитной индукции В по кривой Lu

приставляет

магнитный поток Ф\ в пространстве между двумя проводниками, отнесенный к единице длины линии. В шответствии с ф-лой (6.32)

этот

магнитный поток можно записать через собственную

индук­

тивность единицы

длины

линии

ЬІ = ФІ/ІЛ.

Тогда из

первого

равен­

ства

(10.3) получаем dtlnldz

=—m Фі =

m Ljn.

Заметам, что

L x соответствует

внешней

индуктивности,

определенной для

случая

стационарных токов в линии, так как магнитный поток внутри про­ водников в идеальной линии отсутствует.

Интеграл от электрического смещения Ь по 'контуру С пред­ ставляет собой поток электричеокого смещения, отнесенный к еди­ нице длины линии, который по теореме Гаусса [уравнение (2.1)] равен линейной плотности заряда т. Формулы электростатики

(5.12), (5.17) связывают т с

напряжением ІІЛ

через емкость еди­

ницы длины

линии

Ci = x/Un.

Второе

равенство

(10.3)

приводит к

уравнению

dlnldz

= —ісот = —іюСіІ/л .

Следовательно,

уравнения

Максвелла для линии с волной ТЕМ сводятся к известным из тео­

рии цепей телеграфным

уравнениям:

 

d C " =

- і в І , / л , ^ =-\и>Сгип.

(10.4)

dz

d z

 

Отсюда следует, что методы теории цепей дают правильные ре­ зультаты для линии без потерь и с пренебрежимо малыми поте­ рями.

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВОЛНЫ В ЛИНИИ

От ур-ний (10.4) легко перейти к одномерному волновому урав­ нению:

 

d ~ = — Ко Li -j- = — со LiLit/j,.

Обозначив

y\=(o2LiC\,

получим

волновое уравнение:

d2Un/dz2—уо^л

= 0, совершенно

аналогичное

ур-нию (3.22) для на-

пряженноетей

полей. Отсюда найдем решение для прямой волны

в линии: /7Л = 0to^~y°z

Коэффициент распространения волны уо одинаков, записывает­ ся ли уравнение для векторов Е, Н, напряжения U„ или тока / л . В 8.4 было установлено, что коэффициент распространения в ли­ нии с волной ТЕМ равен коэффициенту распространения в диэлек­

трической среде. Поэтому при отсутствии потерь

 

Уо = к — і Кр = і to V L\C\ = і о | / є а ц , а = і k.

(10.5)

Отсюда определяется фазовая скорость эолкы ТЕМ в идеаль. ной линии:

со = 1 ^ 1 1 _

равная скорости распространения плоской однородной волны в безграничном диэлектрике с теми же параметрами; здесь ZB =

—Vliaha

— волновое сопротивление

среды. Так как фазовая око-

рость не зависит от

частоты, линия

для волны

ТЕМ

недисперсна и

групповая

скорость

равна фазовой: « = у. Из

ф л

(10.5)

и (10.6)

вытекает

соотношение для распределенных

параметров

линии:

СВЯЗЬ МЕЖДУ РАСПРЕДЕЛЕНИЕМ ПОВЕРХНОСТНЫХ ЗАРЯДОВ И ТОКОВ

Электрическое поле у поверхности

проводника £ п = стэ/еа нормаль­

но. Магнитное поле волны ТЕМ в

линии, согласно ф-ле (8.1126),

перпендикулярно электрическому и

связано 1С ним (соотношением:

E=ZBH.

 

Вектор Н касателен к поверхности 'идеального проводника и в

соответствии с ф-лой і(2.27) равен по величине плотности поверх­

ностного электрического тока: Нх

—j. Так как Нт

находится їв плос­

кости S x и Нх J_j, .вектор плотности

поверхностного

тока

натрав­

лен вдоль линии, а его величина

 

 

 

 

 

 

І = н х

= %

= Д =

^ V

т. е. j =

a9yeil.

 

(10.7)

Интегрируя ф-лу (:10.7) по (замкнутому контуру

С їв плоскости

<S_L, проходящему

по поверхности проводника, получаем

 

 

 

\dl = x v e

^ C y

u ^ =

 

C-fy-

(10.8)

 

 

с

 

 

 

 

 

 

 

Отношение напряжения к току бегущей

волны в линии равно

ее характеристическому

сопротивлению. И з ф-л

(10.8) и

(10.6)

Z

 

л

=-s"Zb

1

- i f 1 *

 

 

(10.9)

 

С°

/л

Сг

С ^

V

С, •

 

 

Формула І(10.9) удобна для расчета характеристического •сопротивлен'ия линии по электростатической емкости между проводни­ ками на единицу ее длины.

В дальнейшем (будем четко различать наименования двух ха­

рактеристик бегущей

волны: волновое

сопротивление

ZB

(отноше­

ние поперечных составляющих полей

Е ± и Н х )

и

характеристиче­

ское сопротивление

Zc

(отношение

напряжения

к

току). Часто в

литературе эти ipa/зные

величины называют одинаково

волновым

сопротивлением.

10.2. Линии с потерями

СООТНОШЕНИЯ ТЕОРИИ ЦЕПЕЙ

Потери в диэлектрике и проводниках линии учитываются в квазистационариой теории введением .в телеграфные ур-ния (10.4) ком­ плексных шпротин л єний и ироводимостей:

Zi=7?i + Hi)Li и Уі = С?і + ко Сі

• >

вместо реактивных icoLi и ісо С\. Тогда по аналогии с ф-лами (1U.4), (10,5), (10.6), (10.9):

~dT ~ ~ /

і / л '

- — Y

l U j l '

"rfp

Y ^ л -

и,

 

Y =

/ z y i ; Z c =

j / A .

 

(10.10)

Чтобы выделить

вещественную

и

Мнимую

части

ж комплекс­

ных выражений для у и Zc , івоішользуеіміоя формулой бинома Нью­ тона с учетом относительной малости активных шставляющих со­

противления и проводимости: .i?i<C<uLb

Gi<^aCi

 

в

любой линии

с приемлемыми

для

практики

параметрами. Тогда

коэффициент

раопростр анен ия

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Y = Y

W

i = l / ^ i

+

i c u L ^ ^ +

icoCi) =

і о

К І Л "

( 1 - і

- ^ г У / 2

X

x ( i - i A . y / 2 = i U i _ i _ ^ _ +

_ L ^

 

 

 

2coCx

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8 VcaLj

 

 

 

 

откуда определяем коэффициенты затухания и фавы:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

kRy

_

Rx

"

_

kGx

_

1

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

— "-"i^co,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(an P

а д ) г

 

 

 

(10.11)

^

L

8

VooLi

со C j

J

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2ft

 

 

 

 

 

 

где Yo=i& и Z c 0

определены

для

линии

без

потерь

соотношениями

(10.5)

и

(10.9).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Фаїзоваїя скорость іволньї

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V =

T =

l + ( a n P - a « ) V ( 2 ^ ) '

 

 

 

( 1 0 Л 2 )

а «ар актеристичеакое шпротитлевие

линии

 

 

 

 

 

 

2 = і/— — i / A U S e

т/Ж (і _ І AV/2 /i _ j A f 2

=

^

У

Yt

-

У

Сх

+ і coQ

 

У

Сг

V

 

a b j

 

V

 

w c j

 

 

 

- Ч 1 - т Й

 

 

=z» (• -l -a t Pl ) • ( Ш З )

Очевидно, что їв линиях с малыми потерями

(ct<CP)

отличие V

от veila

 

Zc

от Zco 'весьма незначительно.

 

 

 

 

 

 

 

ПОТЕРИ В ДИЭЛЕКТРИКЕ

Величина емкости Сг рассчитывается для каждой конкретной ли­ нии (методами электростатики. Активная шставляющая G\ появ­ ляется за счет проводимости и диэлектрических потерь в среде. Обе эти причины учтены в выражениях (3.8) для комплексной ди-

233

электрической проницаемости: єа = є а — i ( e a i g б + а/со). Поэтому комплексную проводимость У, можно получить, есл« в выражении

для проводимости идеальной среды

заменить є а = еа на га,

Следо­

вательно,

 

 

 

 

 

 

 

Gt -\- і со Сх

• і (eg tg 6 +

 

і со Cj

 

і со Cx

ea

со Ci

ma

Отсюда

активная .составляющая проводимости определяется как

 

 

G1 =

( m t g o +

-^-)C1 .

(10.14)

Второе

слагаемое, справедливое

и для /постоянных токов, мож­

но получить

непосредственно

по ф-ле (5.25), выражающей электро­

статическую

аналогию поля

токов.

 

 

Из выражения (10.14) с помощью ф-лы (10.11) находим

состав­

ляющую коэффициента затухания, определяемую потерями в ди­ электрике:

1 ,

G,

а д = T

——

2

> Гх

1

, /,

„ ,

Го

(10.15)

= —

k

tg б +

-ь—

2

 

\ 5

^

coea,

 

Полученное равенство справедливо для любого типа линий. Как указывалось в 3.2, для любых технических диэлектриков, на­ чиная с частоты / = 50 Гц, можно пренебречь вторым 'Слагаемым в круглых скобках по сравнению с первым. Тогда это равенство пол­ ностью совпадает с полученным ранее соотношением (8.43), где проводимость диэлектрика не учитывалась. Величина а д растет пропорционально частоте, так как k = со]/ea [ia -

ПОТЕРИ В ПРОВОДНИКАХ

Активное сопротивление, приходящееся на единицу длины линии, складывается из сопротивления обоих ее проводников: /?і = /?{1 ) + + R\2). В каждом из'них оно определяется как активная часть от­

ношения Ег

а <о,5й d <0,5А

Рис. 10.2

на поверхности проводника, т. е. падения напряжения на единицу его длины, к току в проводнике. Зависимость R\ от частоты для характерного случая круглого проводника (см. рис. 6.10) рассмотрена в 6.6: Ri прак­ тически постоянно, пока радиус провода меньше толщины скин-- слоя ( а < А ) и R\~l/&.~Y f при а > 2 Д .

При ПрОНИКНОВеНИИ ПОЛЯ В НЄ' идеальный проводник в послед-- нем возникает дополнительное реактивное сопротивление, соот­ ветствующее его внутренней И'Н-

234

дуктивносги. На низких частотах магнитный поток внутри провод­

ника

сравнительно велик и добавление L i S H

к рассчитанному выше

значению внешней индуктивности L \ может

внести существенную

поправку.

 

 

 

 

 

 

Согласно ф-лам і(Ю.ІІ), составляющая

коэффициента

затуха­

ния

сспр, обусловленная

несовершенной проводимостью

-меняется

с частотой так же, ікаїк и

R\.

 

 

 

 

 

Зависимость коэффициента затухания и его составляющих от

частоты наказана на рис. 10.2

(ориентировочные

значения частот

даны для коаксиальной линии).

 

 

 

 

 

ДИСПЕРСИЯ В ЛИНИИ С ПОТЕРЯМИ

 

 

 

Фазовая скорость волны в линии с потерями [ф-ла

(10.12)] зависит

от частоты, так как схпр, а д

и k

меняются с

частотой. Это не про­

тиворечит высказанному

в

8.4

утверждению, что .волны

ТЕМ не

диспергируют, так как в линии с потерями появляется .составляю­ щая Ег и, строго говоря, волну уже нельзя считать поперечной. По­

скольку EZ<^Eх,

дисперсия волны

невелика.

 

от

частоты:

Рассмотрим

ф-лу

(10.12), учитывая зависимости

k~f;

схд~/;

апр постоянно на низких частотах, а на более

высоких

а П р ~

VJ.

Следовательно, на низких частотах

ацр^>ад и второе сла­

гаемое в знаменателе этой формулы а„р

/2k2

~ / - 2 4 - f _ I .

 

Фазовая

скорость

v<ve]1

и растет с частотой. Потери

в проводниках

линии

вызывают

аномальную

дисперсию

волны.

Определим фазовую

ско­

рость їв линии с

коэффициентом

затухания а«ащ>=0,1

1/ікм;

а ° =

= 0,87

дБ/мм

и воздушным диэлектриком

(wE f l =c)

на

частоте

/ =

= 100

кГц.

Итак,

а„р=10 - 4 1/м;

£ = 2,1-Ю"3 1/м.

Тогда

v =

= с(1—1,1-Ю- 3 ), т. е. различие скоростей составляет всего 0,11%.

Коэффициент

затухания

в

диэлектрике

а д

растет с

частотой

быстрее,

чем

ctnp. Поэтому

на

некоторой частоте /щ

диапазоне

мегагерц

или

гигагерц

при

(заполнении

линии

диэлектриком) дос­

тигается

равенство апр = ад ,

т. е. R\IGX=Z20

—L\IC\.

Это

соотноше­

ние называют условием

неискаженной

передачи,

так как

в данном

случае, согласно

ф-ле

(10.12),

v = veil;

da/dco=0 и,

'следовательно,

групповая скорость u = ue ( i =const. Линия недисперсна.

В прошлом, когда 'сообщения по линиям связи передавались на дальние расстояния на зівуковьіх частотам, особое значение прида­

вали выполнению условия R\/Gi = Li/Cu

для чего приходилось ис­

кусственно увеличивать индуктивность

L \ линии. Однако при этом

увеличивался 'коэффициент р и снижалась скорость распростране­ ния волны. Современные 'магнитодиэлектрики позволяют решать эту задачу более успешно, хотя практическая необходимость в этом

почти

отпала.

 

 

 

 

 

 

На

высоких частотах

а д > а П р ,

наблюдается

нормальная диспер­

сия и

знаменатель

ф-лы

(10.12)

с ростом

частоты

стремится

к

^1 +tg2 i6/8). Из-іза

(большой величины k изменение

скорости v

с

ростом частоты

настолько невелико, что практически линия недис­

персна, фазовая

и групповая скорости равны: v=u=vevk.

Характе­

ристическое сопротивление Zc высокочастотных линий |ф-ла (10.13)] также практически равно Zc0, определенному їв отсутствие потерь.

Дисперсию волны и комплексный характер характеристическо­ го сопротивления линии обычно учитывают только на низких ча­ стотах. При /^s'lO кГц погрешность гари использовании ф-л (10.6) и (10.9) вместо (10.12) и (10.13) не превышает долей процентов.

10.3. Коаксиальные линии

СТРУКТУРА ТЕМ-ВОЛНЫ В ЛИНИИ

Поле коаксиальной линии (рис. 10.3) экранировано от внешней среды наружным проводником. Достоинством такой линии по ©рав­ нению с полым волноводом является возможность передачи по ней сигналов низких частот при небольших

поперечных размерах.

Внутренний проводник необходим для существования в линии волны ТЕМ. Однако он же ограничивает воз­ можности этой линии. Плотность то­ ка внутреннего проводника, обратно пропорциональная его периметру, зна­ чительно больше, чем в наружном, по­ этому он является основным источни­ ком потерь. Пробой также возникает

 

 

около внутреннего

проводника, так

Рис.

10.3

как напряженность

поля здесь макси­

 

 

мальна. Устройства для крепления

внутреннего проводника

увеличивают затухание

линии и создают

в ней

отражения.

 

 

ТЕМ

Рис. 10.4

Поле основной волны ТЕМ в диэлектрике коаксиальной линии определяется решением, 'справедливым в равной степени для ста­ ционарного и переменного полей (рис. 10.4а). В соответствии с ф-лами (1.7), (5.15), (10.8), (10.9) и (8.12) имеем:

 

 

hzB

=

и» zB

(10.16)

 

 

г

 

2лг Zc '

 

 

 

 

Так в

проводниках

имеет только

продольную составляющую

jz = H<p\s,

поэтому узкая

продольная щель во внешнем проводнике

линии практически не излучает.

 

 

 

УСЛОВИЕ ОДНОМОДОВОЙ ПЕРЕДАЧИ

Основной їв коаксиальной линии 'Является ТЕМнволиа. Если ра­

диус Ь оболочки коаксиальной

линии сравним с Я, то в линии мо­

гут (распространяться также

«іволноводньїе» волны, т. е. волны

круглого волновода, несколько дафоріміированньїе внутренним про­ водником. Этот проводник увеличивает 'критические частоты іволя по сравнению с полым волноводом того же радиуса.

'Вившей по частоте волной в круглом волноводе является 'вол­

на типа # ц , у которой

Л,К р=б,41а. Аналогичная 'волна в коакси­

альной линии і(риіс. 10.46) также имеет

наинизшую

частоту из

всех волн высшего порядка, но

ее поле

сложнее и описывается

суперпозицией функций

Б6 С С Є Л Я

Jп

 

 

ская длина волны типа

 

(%г) и Вебера Упг)-

Критиче­

# ц в коаксиальной линии с

приемлемой

точностью вычисляется

по приближенной

формуле:

(10.17)

 

Я."» « я ( а + 6),

 

которую можно обосновать (следующим образом. Структура поля, как функция полярного угла <р, имеет один период изменения и почти неизменна по г. При критических условиях окружности со средним радиусом 0,6 (а+Ь) должна .соответствовать одна стоя- ча:я волна, поэтому периметр этой окружности равен ЯКр-

У'словие одномодовой передачи f<f"p устанавливает верхнюю частотную границу использования коаксиальной линии, так как

при одновременном распространении волн типа

ТЕМ и # ц

сигла-

лы 'искажаются.

 

 

Среди волн типа Е минимальной частотой обладает волна ESx

(рис. 10.4в) с XK p~i2(fr—а); в этом случае ноле

неизменно

то по­

лярному углу и стоячая полуволна образуется 'между проводни­

ками на отрезке радиуса

(Ь—а).

Дл я обычных 'Соотношений 'раз­

меров линий критическая

частота

волны типа Ео\ примерно в два-

три раза превышает критичеокую частоту волны # ц .

ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ КОАКСИАЛЬНОЙ ЛИНИИ

Ф а з о в а я с к о р о с т ь

в о л н ы .

Коаксиальные линии использу­

ются обычно на частотах, свыше 60-НІ00 кГц, когда 'влиянием по­ терь на фазовый коэффициент и характеристическое 'сопротивле­ ние вполне можно пренебречь. Поэтому фазовая скорость волны зависит только от проницаемости диэлектрика, заполняющего про-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ