
книги из ГПНТБ / Арифов У.А. Угловые закономерности взаимодействия атомных частиц с твердым телом
.pdfНа рис. 73 приведены осциллограммы распределения вторич ных ионов по энергиям, полученные при бомбардировке грани (001) монокристаллического сплава Мо—W (Mo + 51%W) ионами Rb+ с энергией 1 кэв под углом Ф = 70°. Анализу по энергиям под вергались вторичные ионы, распространяющиеся (в плоскости па дения) под углом Ф = 70°. Осциллограммы 1—•3 снимались в слу чаях, когда плоскость падения совпадала с направлениями [100], [ПО], [010] соответственно. Мишень ориентировалась относительно пучка первичных ионов вращением ее вокруг оси [001] на углы
Ф= 45, 90°.
Вслучае осциллограмм 1 и 3 наблюдается три пика, а в'случае
осциллограммы 2 — два. Измерения |
энергетических положений |
||||||
этих пиков и сравнение их со |
|||||||
значениями |
энергии |
|
ионов, |
||||
определяемых с помощью фор |
|||||||
мул |
(1. |
37) и |
(II. 9) для одно- |
||||
ii двукратных упругих соударе |
|||||||
ний |
бомбардирующего |
иона |
с |
||||
атомами Мо и W, показывают, |
|||||||
что первые два (слева) |
пика |
||||||
соответствуют |
ионам, |
претер |
|||||
певшим |
однократные |
соударе |
|||||
ния |
с |
атомами W и |
Мо, |
а |
|||
крайний высокоэнергетическнй |
|||||||
пик — ионам, |
испытавшим пов |
||||||
торное |
соударение с |
атомами |
|||||
W после рассеяния |
на |
атоме |
|||||
Мо. |
С |
увеличением |
угла |
рас |
сеяния р, как и в случае чистого однородного кристалла,
интенсивность |
(высота) двукратного пика уменьшается |
и |
|
ПРИ Р ~ |
140° превращается в покатую ступеньку в высокоэнерге |
||
тическом |
склоне |
однократного пика ионов Rb+, рассеянных |
на |
атомах W.
Зависимость т|2 от азимутального угла поворота мишени ср (где т)2 — отношение энергии вторичных ионов Rb+, претерпевших дву кратные столкновения с атомом Мо, к энергии первичных ионов Ао) показывает, что значения г)2, найденные измерением энергети ческого положения двукратного пика в зависимости от угла ср, изменяются скачкообразно. Максимумы и минимумы кривой т]2(ср) наблюдаются при определенных углах ср, что связано, повидимому, с упорядоченным расположением атомов Мо и W на грани (100) Мо—W. Поскольку в данном случае углы Ф и 0 сра внительно малы (Ф = 0 < 70°), т. е. не близки к скользящим углам,
характер кривой г|2(Ф) нельзя объяснить изменением числа по вторных столкновений иона, рассеивающегося вдоль различных кристаллографических направлений, что и приводило бы к анало гичным изменениям значения т]2 от ср. Изменение значения т]2 от ср здесь можно объяснить, предположив, что на грани (001) моно
1S0
кристалла сплава Мо — W, атомы их расположены по диагонали равностороннего параллелепипеда о. ц. к. решетки. Если учесть сказанное, то не трудно представить, что поворот кристалла Мо—W вокруг оси [001], лежащей в плоскости падения, вызывает чередо вание атомов одного наименования атомами другого (атома W атомом Мо), и наоборот.
Аналогичные результаты были получены при бомбардировке граней (ПО) и (111) монокристалла сплава Мо—Nb ионами Na+,
К+ и Rb+.
Результаты исследования показывают, что изучение энергети ческих спектров ионов, рассеянных поверхностью монокристалла
М
Рис. 74.
сложного состава, позволяет однозначно определить симметрию расположений атомов различных наименований, из которых со стоит образец, на плоскостях и направлениях. Кроме того, по виду энергетического спектра можно судить о совершенстве граней монокристаллических сплавов.
На рис. 74 приведены полярные диаграммы углового распреде ления вторичных ионов, полученные при бомбардировке грани (001) монокристалла сплава Мо—Nb нонами Na+. Полярные диаграммы 1—4, получены при различных углах падения (45, 60, 70, 80°) первичных ионов, а полярная диаграмма 5 — при продол жительной бомбардировке. Вращение цилиндра Фарадея осуществ лялось вокруг мишени на плоскости рассеяния, проходящей через ось [010] кристалла.
Как и в случае бомбардировки грани (100) монокристалла Мо, угловое распределение имеет тонкую структуру, обусловленную упорядоченной структурой кристалла сплава Мо—Nb. При сравнении расположения максимумов и минимумов, наблюдаемых на фоне углового распределения, оказалось, что структура кри сталла сплава Мо—Nb имеет ту же структуру, что и его компонен
181
ты (молибден и ниобии), т. е. объемно-центрированную кубическую (о. и. к.) решетку.
• Дальнейшие исследования полярных диаграмм углового распре
деления ионов, рассеянных сложными образцами, показали, |
что |
||||||||||
все основные1угловые |
характеристики рассеяния ионов, • завися |
||||||||||
щие от различных параметров столкновения |
(энергии, угла паде- |
||||||||||
^ ■ |
ния |
и |
массы |
бомбардирующих |
ионов, |
||||||
|
ориентации, |
рода и |
температуры |
ми |
|||||||
|
шени), идентичны угловым характерис |
||||||||||
|
тикам рассеяния ионов металлами. |
|
|||||||||
|
В пользу сказанного свидетельству |
||||||||||
|
ет зависимость |
коэффициента |
рассея |
||||||||
|
ния |
ионов ЛГр от |
угла падения, полу |
||||||||
|
ченная при бомбардировке грани (100) |
||||||||||
|
монокристалла |
|
Мо—Nb, |
накаленной |
|||||||
|
до 1400°К, ионами Na+ с различными |
||||||||||
|
начальными |
(1— |
|
кэв; 2—£ 0=1,5; |
|||||||
|
3—Е 0 = 2 кэв) |
энергиями |
(рис. |
75). |
|||||||
|
Таким образом, исследования угло |
||||||||||
|
вого и энергетического распределений' |
||||||||||
|
ионов, |
рассеянных |
монокристаллами |
||||||||
|
сложных образцов, дают информацию |
||||||||||
|
не только о концентрации того или ино |
||||||||||
|
го |
компонента |
в образце, |
но |
об |
их |
|||||
|
расположении |
в |
плоскостях |
и |
припо- |
поверхностных слоях его. Результаты исследования позволяют оп ределить (индицировать) грани и направления, оканчивающиеся атомами различных наименований.
§6. ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СПЛАВОВ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ
В § 3, 4 гл. II рассматривалось изменение углового, про странственного и энергетического распределений рассеянных ио нов в зависимости от температуры монокристаллической мишени, что объяснялось влиянием тепловых колебаний атомов решетки на процесс рассеяния. Большой интерес представляет исследование этих распределений в случае монокристаллической сплавной ми шени, так как, кроме влияния тепловых колебаний атомов решетки, здесь необходимо учитывать и воздействие процесса диффузии атомоз более летучего компонента сплава изнутри на поверхность мишени.
На рис. 76 а представлена серия осциллограмм распределения вторичных ионов по энергиям, полученная при бомбардировке грани (100) монокристалла сплава W—Мо ионами Rb+ с энергией 800 эв. Здесь углы падения первичных и вылета анализируемой части вторичных ионов были равны 70 и 60° соответственно. Анали зу по энергиям подвергались вторичные ионы, лежащие в плоско-
182
(■
t)
~m ts6
Рис. 76
стн рассеяния, параллельной атомному ряду [011] кристалла W—Мо. Осциллограммы 1—6 сняты при различных температурах мишени (1 — 300, 2 — 1000, 3 — 1400, 4 — 1800, 5 — 2000, 6 — 2200°К).
При сравнительно небольших температурах мишени в осцилло грамме распределения вторичных ионов по энергиям наблюдаются три пика в высокоэнергетической области спектра. Измерения энер гетических положений этих пиков показывают, что главные пики / и II спектра соответствуют энергиям ионов, претерпевших одно кратные соударения с атомами Мо и W, а пик III — двукратные соударения с атомом W в направлении [011]. С увеличением темпе ратуры мишени относительная интенсивность пика III уменьшает ся, что связано с тепловыми колебаниями атомов решетки. Даль нейшее увеличение температуры мишени (см. осциллограммы 5 и 6) приводит к превращению пика III в покатую ступеньку, что почти не разрешается в виде пика. Однако при этом появляется пик IV, энергетическое положение которого свидетельствует о по явлении атома Мо, между атомами W в направлении [011]. По следнее произошло в результате диффузии атомов более летучего компонента сплава изнутри на поверхность. Учитывая сказанное, можно утверждать, что в случае сплава W—Мо более летучим компонентом является молибден и наиболее вероятным местом первоначального нахождения его атомов на поверхности мишени служит центр грани (100) монокристалла сплава W—Мо. Послед нее в свою очередь приводит к резкому увеличению плотности упаковки атомов в направлении [ПО] кристалла и соответственно к появлению в спектре пика IV. Такое резкое изменение характера энергетического спектра ионов, рассеянных кристаллами сплава, в зависимости от температуры мишени указывает на возможность исследования динамики диффузии летучих компонентов сложных образцов.
На рис. 76 б показана зависимость относительной интенсивно сти двукратного пика III от азимутального угла поворота мишени ср. Бомбардировались грани (010) монокристалла сплава W—Мо ионами Rb+ с энергией 1200 эв. Полярные диаграммы 1—5 снима
лись |
при различных температурах |
мишени (1 — 1000; 2 — 1400; |
3 — |
1600; 4 — 2000; 5 — 2200°К). |
С увеличением температуры, |
анизотропия пространственного распределения сначала несколько
сглаживается, |
как |
обычно |
в случае однородного |
монокристалла |
(§ 3 гл. II), |
а при |
более |
высоких температурах |
анизотропия не |
сколько восстанавливается и наблюдаются дополнительные мак симумы в других направлениях.
На рис. 77 представлены полярные диаграммы, характеризую щие угловое распределение вторичных ионов, полученные при бом бардировке грани (010) монокристалла сплава Мо—W ионами Na+ с энергией 1500 эв. Угол падения первичных ионов был равен 30°, а распределение вторичных ионов по углам изучалось в плос кости рассеяния, параллельной атомному ряду [100] кристалла.
184
Полярные диаграммы 1—5 сняты при различных температурах мишени: / — 300; 2 — 600; 2 — 900; 4 — 1200; 5 — 1500°К.
Как видно из рисунка, в отличие от полярных диаграмм, полу ченных в случае однородного монокристалла (W или Мо), здесь
М
Рис. 77.
в зависимости от температуры мишени наблюдается сглаживаниетонкой структуры углового распределения. Наблюдаемое в данном случае заметное сглаживание ани зотропии углового распределения, по-видимому, опять связано с обра зованием на поверхности пленки атомов Мо, которые и нарушают выход вторичных ионов вблизи ос новных кристаллографических на правлений мишени.
На рис. 78 представлена зависи мость коэффициента рассеяния ио нов /Ср от угла падения первичных ионов Ф, полученная при бомбарди ровке грани (100) W—Мо ионами Na+ с энергией 1500 эв. Изменение угла падения осуществлялось в пло скости падения, параллельной атом ному ряду [100] кристалла. Кривая 1 соответствует изменению функции Яр/Ф при температуре мишени я^300°К, кривая 2 — при ~1500°К, а
кривая 3 — после нагрева мишени до 1500°К в течение 20 час. Здесь также в зависимости от температуры наблюдается заметное сглаживание анизотропии коэффициента Д'р в зависимости от Ф,
185-
■ что связано с образованием пленки на поверхности мишени. Про должительный нагрев мишени приводит к еще большему сглажи ванию анизотропии кривой КР(Ф) (кривая 3 рис. 78).
Таким образом, анализ энергетического, пространственного и углового распределений ионов, рассеянных поверхностью сплавов, накаленных до различных температур, подтвердил возможность изучения динамики диффузии отдельных компонентов сложного образца по характеру рассеяния ионов.
Как следует из рассмотрения углового и энергетического рас пределений ионов, рассеянных поверхностью мишеней из поликристаллических сплавов, взаимодействие налетающего иона с отдельными атомами происходит независимо от природы мишени. Если йишень представляет собой сплав, энергетический спектр рассеянных ионов содержит пики, соответствующие рассеянию на каждый из компонентов. Поведение этих пиков в спектре в зависи мости от энергии и угла падения первичных ионов идентично из менениям пиков энергетических спектров, полученных в случаях, когда мишени были изготовлены из материалов, представляющих собой компоненты сплава.
Однако сопоставление энергетических спектров ионов, рассеян ных названными мишенями, показывает, что аддитивность в спект рах относится только к положению пиков, но не к форме их. По следнее обусловлено, во-первых, неодинаковой локализацией от дельных компонентов сплава на участке мишени, с атомами которой происходит взаимодействие налетающих ионов, во-вто рых, предварительной тепловой обработкой мишени, вызывающей образование пленки на поверхности сплавной мишени из более летучего компонента сплава, которая и искажает форму пиков; в-третьих, тем, что в случае сплавной мишени в низко- и высоко энергетические области пиков, соответствующих ионам, испытав шим однократные рассеяния с атомами компонентов, попадают
.ионы, претерпевшие многократные соударения с атомами обоих компонентов сплава, что приводи! к иным формам пиков спектра.
Резкое изменение вида энергетического спектра ионов, рассеян ных сплавом, в зависимости от температуры мишени и продолжи тельности ее нагрева, как мы видели выше (§ 2, 3 гл. IV), связано ■с пленкой, образованной в результате диффузии более летучего компонента сплава, и ее распылением (или испарением) под дей ствием ионной бомбардировки.
В случае, когда атомный номер одного из элементов сплава меньше атомного номера падающей частицы, в угловом распреде лении вторичных ионов наблюдаются два максимума в направле ниях, соответствующих углам зеркального и предельного отраже ний. Обнаружение этих максимумов тоже говорит в пользу инди видуальности соударения. С этой точки зрения также объясняется
.отсутствие пиков, относящихся к ионам, испытавшим однократные соударения с атомами легких (m \<n i2) компонентов сплава, в
энергетическом спектре, соответствующем углу рассеяния |3 боль шему, чем предельные углы однократных соударений легких ком понентов сплава, и наличие этих пиков в спектрах, полученных внутри предельного угла.
Рассмотрение углового и энергетического распределений ионов, рассеянных поверхностью сложных (сплавных) образцов, показы вает, что все основные угловые и энергетические характеристики их аналогичны закономерностям, обнаруженным при изучении рас сеяния ионов', мишенями, изготовленными из материалов, пред ставляющих собой компоненты сплава.
Изменения энергетического спектра ионов, рассеянных монокристаллическими сплавными образцами, в зависимости от азиму тального угла поворота мишени связаны с упорядоченным распо ложением различных атомов в узлах кристаллической решетки. Действительно, если, например, в случае монокристалла W—Мо атомы на грани (001) расположены таким образом, что по диагона ли находятся одноименные атомы, то при повороте такой мишени вокруг оси [001] (по азимутальному углу ср) двукратное рассеяние иона на атоме Мо происходит в направлении [100] и на атоме W— в направлении [ПО] и т. д. Это в свою очередь приводит к резкому изменению положения двукратного пика в спектре, что и наблю дается в эксперименте (см. § 4, гл. IV).
Таким образом, обнаруженные особенности углового и прост ранственного распределений ионов, рассеянных сложными (сплав ными) образцами, в основном обусловлены концентрацией от дельных компонентов сплава и изменением их в зависимости от внешних воздействий (температура, бомбардировка и др.). В слу чае монокристаллического сплава особенности распределений за висят от расположения атомов различных наименований в узлах
решетки и от возможности |
перестановки их в процессе диффу |
зии и т. д. |
|
Кроме того, особенности |
рассеяния ионов сложными образца |
ми указывают на возможность использования их для определения узлов решетки на атомном уровне, т. е. устанавливать принадлеж ность атомов к тем или иным наименованиям, уточнять индексы решетки, для изучения динамики диффузии отдельных компонен тов сложного образца, для контроля покрытия поверхности его тем или иным составным компонентом в процессе тепловой обра ботки и т. д.
Результаты исследования позволяют выделить следующие экс периментальные факты.
1. В энергетическом спектре ионов, рассеянных сложным (сплавным) образцом, обнаруживается система пиков, соответст вующих ионам, претерпевшим однократные соударения на атомах компонентов сплава.
2. В случае, когда масса бомбардирующего иона больше массы атома отдельных компонентов сплава, система пиков, относящихся к однократно рассеянным ионам на атомах всех компонентов, на
187
блюдается при малых углах рассеяния. По мере увеличения угла рассеяния и приближения его к предельным углам однократных рассеяний пики один за другим уширяются, а затем исчезают.
3. Сопоставление энергетических спектров вторичных ионов, по лученных при мишенях из образцов материалов, представляющих собой компоненты сплава, и из сплава, показывает, что аддитив ность в распределениях относится только к положению пиков, но не к их форме.
4.В случае, когда масса атома одного из элементов сплава меньше массы бомбардирующего иона, в угловом распределении отмечаются два максимума в направлениях, соответствующих уг лам зеркального и предельного отражений.
5.При монокристаллическом сплаве в зависимости от азиму тального угла поворота мишени, кроме изменения интенсивности
двукратного пика, обнаруживается и периодическое изменение его энергетического положения в спектре, что обусловлено упорядо ченным расположением атомов различных наименований в узлах решетки.
6. В результате исследования выяснена возможность использо вания процесса рассеяния ионов сложным образцом для определе ния наименований атомных узлов кристаллической решетки, пе риодичности расположения атомов различных наименований, ди намики диффузии отдельных компонентов в процессе тепловой обработки и для определения концентрации их.
Г л а в а V
УГЛОВЫЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПРОХОЖДЕНИЯ ИОНОВ СРЕДНИХ ЭНЕРГИЙ ЧЕРЕЗ ТОНКИЕ ПОЛИ- И МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ МЕТАЛЛОВ
До настоящего времени угловые закономерности-'про хождения тяжелых ионов средних энергий (5—50 кэв) через веще ство были почти не изучены. Энергетическое распределение ионов, прошедших через тонкие пленки металлов и полупроводников, рассматривалось в некоторых работах, однако в них не исследова лось изменение этих распределений в зависимости от угловых па раметров прохождения частиц. Ориентационные эффекты, обнару живаемые при изучении прохождения заряженных частиц через кристаллические решетки, открывают новые возможности для ис следования в области твердого тела, в частности, при помощи эф фекта теней удается различать узлы решетки разрезов кристалли ческих плоскостей.
В последние годы проблема определения тормозной способно сти вещества, ее связь со скоростью и сортом частицы, с парамет рами кристаллической решетки интересует многих исследователей. Это обусловлено развитием перспективных направлений современ ной науки и техники, требующих знания характера торможения заряженных частиц в веществе.
Изучение угловых закономерностей прохождения ионов через тонкие пленки металлов может дать новые сведения о характере торможения, потерях энергии и других свойствах частиц при про хождении.
§1. КРАТКИЙ ОБЗОР ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ И ТЕОРЕТИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ УГЛОВОГО И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЙ ИОНОВ, ПРОШЕДШИХ ЧЕРЕЗ П0ЛИ-
ИМОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ ПЛЕНКИ МЕТАЛЛОВ
Всуществующих теоретических исследованиях прохож дения быстрых атомных частиц через вещество [206, 325, 327, 367] дано качественное описание процесса, экспериментальные же дан ные [92, 204, 256, 345, 390, 392] весьма скудны и зачастую противо речивы. Подробно ранние теоретические и экспериментальные ра боты по изучению прохождения ионов через вещество рассмотре-
189