Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Строение и свойства стеклокристаллических материалов на основе горных пород и шлаков (г. Чимкент, 8-10 октября 1974 г.) [сборник статей] 250-летию АН СССР посвящается

.pdf
Скачиваний:
11
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
19.96 Mб
Скачать

но

числу

криоталлов,

зародившихся

в

процессе ПТ.

 

 

 

 

Скорость

зарождения

сферблитов

Т

( Тлт Тпт, ) определя­

лась

как

J - dn/dtm

-

тангенс

угла

наклона

зависимости чао-

л а

зародившихся сферолитов в единице

 

объема от

времениtm .

Точность определения -.'корости зарождения составляет

не

более

20/о,

точность

определения температуры

не более

5°С.

На

рис. I

представлены кривые зависимости приведенной скорости зарожде­

ния

сферолитов

J / l m

 

01 температуры

Т «=Тпр ,

Для

обоих сте­

кол

с временем

варки

I

и20

чао. эти зсллсиыости практически

одинаковы

и

хают вид

крива* с максимумом при

Tm =

48$°С и ши­

риной 90°С,

причем J

m

=t '

(Tm }

= 10^

мм“ ^мин“ ^

Темпера­

тура

Tm совпадает

с

температурой

минимума зчдотйик и на

кри­

вой

ДТА,

но

превышает

 

температуру

стеклования

Ту =

^60° С

на

2543. Ту.определялась дилатометрически, причем излом на кривой

лиЬейтого

расширения

был

очень слабо выражен. Температура Tm

на

зтой кривой

совпадает

с температурой начала течения отекла.

На

гривой

ДТА

Ту отвечает началу эндотермического минимума

(как и должно

быть,

если

считать, что эндотермика вызвана уве­

личением теплоемкости и поглощением тепла при релаксации струк­

туры стекла при его размягчении

/ 5

/ ) .

В работе Д / указывалось,

что

при приближении к Ту со сто­

роны более высоких температур свободная энер1ия активации стру­

ктурных

перестроек Щ,

( ф й -

возможно,

совпадает

со свобод­

ной энергией

активации

вязкого

течения

Фу ) в выражении

для*

1 »Я »рГ-(Ф я+Ф *)/А Т ],

Ф*Ч6-ггС3/ Н

^

) г

 

(I)

 

быстро

растет и достигает

больших значений в

области Т^

(высо­

кая

вязкость

с текл а ).

Это

может быть причиной

того ,

что

макси­

мум

скорости

зарождения будет лежать'вблизи

Ту. ,

Tm 5

Ту .

Кроме

ф д

и, в то же время, благодаря большим значениям

(или

Фу ) ,

возможен

рост

энергии упругих напряжений в стекле,

который приводит к росту барьера на пути образования кристал­

лического аародыша Ф * , как

за счет уменьшения выигрыша сво—

х ) Эти данные,как и данные

по влиянию длительности ПТ на ско­

рость зарождения (см. ниже)

не совпадают с данными работы2 / /,

в которой отмечается резкое уменьшение кристаллизационной спо­ собности такого же по составу стекла по мере увеличения време­ ни его варки. Возможно, это связано с иными условиями варки стекла.

бодной энергии

A f кристаллизации

из-за

разницы в молярных объ­

емах

стекла и

кристаплз, так а

за

счет

увеличения поверхнос­

тной

энергии б

из-за затрудненности

(высокая вязкость) реа­

лизации наиболее выгодных взаимных ориентаций структурных эле­ ментов в стекле на границе кристалл-стекло. Это танка должно

способствовать

тому,

что

Tm

$

 

Тд

, если упругие

на пряхе нил

не успевают

ре лансировать

(за

счет

вязкого

течения)

за

время

зарождения

кристаллического

зародыша.

скорости

зарождения c ie -

Перейдем

к

проблеме

зависимости

ролитоз

от

времени варки

стекла

и

от

времениtor

.

На

р и с .2

 

приведены

кривые

П

( tn r

)

для

зремеии

варки

t &

=

I ,

10,

20

час. при

1500

С.

Для tnr

от

0

до

30

мин. какого-либо влияния

времени

варки

на

скорость

зарождения

кристаллов

обнаружено

не

было-в пределах точности эксперимента. Именно для этого интер­

вала времени ПТ и определялась скорость зарождения,

приведен­

ная на рис. I .

Однако,

по

мере

роста tnr, зависимостьn (tm )

начинает

отличаться

 

от

прямолинейной в

сторону

уменьшенияП ,

т . е . уменьшается I

= d n / d t „ T ,

причем

"перелои"

наступает

при 1пт

= 2 ,4 , 6

час.

для

t » =

1,1С,2П ч а с .,

соответственно.

Наиболее

вероятным

нам

представляется

еле дувшее

обьлснепке'.За-

рождеиз

кристаллов

2

А ^ О ' С а С Ь з Qg наиболее быстро

идет в

объеме стекло на некоторых активных центрах -

областях,

где

барьер Фя + Ф *

на

пути

образования

зародышей

наименьший.Это

могут быть, в. донном

случае, например, полуамор*ные

или

аморф­

ные,

но не рассосавшиеся

остатки

продуктов

реакции

з

твердой

я а з е ,

"границы

раздела1» эз'г

между

частицами

этих

продуктов и

окружающим стеклом,

имеющим

несколько

иной

состаз,

чем

ати

частицы.

Пусть М -

число активных

центров,

J - г о

типа

в

едини­

це объема

стекла,

а ;

-активности

центров,

определяемые

как

вероятности зарождения кристаллика на этом центре за единицу

времени.

Тогда,

очевидно, (эта задача была рассмотрена,

напри­

мер,

в

/ 6

/ , где

учитывается

также и влияние

захвата

активных

центров

растущими кристаллами)

 

 

 

 

 

 

I = £ I ;, - l ^ d H i / d t x - N i a i t

 

 

 

 

 

 

 

 

Л;

 

/ л ; Ж ) ]

'

(2)

 

где Xi

~ онорооть зарождения

кристаллов *на

центрах i

- г о

ти­

па,

rij

-

чиопо

крио та длин ов,

зародившихся

на

центрах

i за вре­

мя

t

 

 

 

 

 

 

 

 

51

Еоди цмеетоя только один тип активных центров и

их

акти­

вность

не

зависит

от

времени, то

 

 

 

 

 

 

 

 

П =

S „ [ l - o x f ( - < x t ) ] '

l a d n / d t

= ( л С - п . ) а

( 3 )

 

В случае, когда активность центра обусловлена его повер­

хностью

 

$ а ,

можно написать

а

= а в 5 а ,

если - объем

т/

, то

а =a„t/" ;

a s,a v- -

коэффициенты пропорциональности,

завися­

щие от Т по типу

X

(I)* Согласно

(2),

при увеличении

t = tirr

скорость

роста

X

числа криоталлинов

А

уменьшается,

что на-

блюдаетоя на опыте (рис. 2 .) Далее в результате увеличения

длительности

 

варки

отекла от I

до 20

чао.,

аморфные частицы

"непров

ра"

распадаются на более мелкие частицы, т .е ,

раотут

A/i0 ,

На ,

а следовательно,

растет

А ,

что

также

наблюдает­

ся на опыте

(рис.

2 . ) , в то же время частицы

раооаоываются,

границы их вое более размываются, активность частиц как цент­ ров зарождения уменьшается, хотя общая поверхность частиц пос­ ле их распада увеличивается. Поэтому, неомотря на рост актив­

ных центров

/^произведение

( Н ,- А) а ■ I

при малых t n£

4, I

ч ас.,

когда

может остаться

неизменным 1 * Л (,а ,

что, по-видимому, и имеет место в нашем случае (рио. 2 ).

 

Таким образом, скорость

зарождения криоталлов 2 Д/з^О •

•СаО‘3 fli02 в зависимости от

температуры представляется

кривой

в виде максимума шириной около 90°С и положением Im

« 4В5°С,

причем

Т/г

выше Tj на 25°С.

Близость Т j

и Т т

объясняется

большим значением энергии активации структурных перестроек и ростом энергии упругих напряжений по мере понижения темпера­

туры вблизи

Т<| .

 

 

 

 

Скорость зарождения кристаллов не завиоит от времени вар­

ки отекла (1-20 час.)

для времени зарождения менее I чао.

и

уменьшается

начиная с

trrr*

2;4',6

ч ас., соответственно,

для

врЪеииварки отекла 1;Ю^20

чао..

Это объясняетоя увеличением

числа активных центров зарождения кристаллов в отекла и умень­ шением их активнооти со временен жарки отекла.

Ли т е р а т у р а :

1. В.Н» Филиповмч, А.М.Калинина. ?0 свлэи температуры манмикума скорости зарождения кристаллов в стеклах о температурой стеклования", X* нворгаа. материалы, 1971, 2 * * М* 1844-

1848.

2 . Й.М.Бобкова "Кристаллизационная способность оидикатнмх оте-

32

кол в зависимости от условий синтеза", X. неорган, матери­ алы, 1972, 8, №6, II3 I-II3 5 .

3 . В.Н.Филипович, А.М.Калинина "Метода определения окорооти зарождения кристаллов и ее зависимость от времени в процес­ се кристаллизации стекла? Сборник совещания по механизму и кинетике кристаллизации, 1969, стр. II0 -I22, Минск, Иэд. "Наука и техника".

4. В.Н.Оилипович, А.М.Калинина "Кинетика кристаллизации.диси­ ликата лития из простых и.сложных стекол". Х.неорган.мате-

риалы, 1970, 6, » 2 , 351-356.

5. В.Н.Филипович, А.М.Калинина ”0 природе и взаимосвязи изме­ нений свойств стекол при отекловании". Стеклообразное ооо-

тояние. Труды пятого

всесоюзного

совещания. Лениград/ 26-30

мая 1969. Изд. "Наука", ЛенинградД971. стр. 28-34.

6 . 9

Waikov, J). Kct&hchLev

„The

tole

ofactive

centers

in

the

kinetics

oj

new

phase

foimation

У. Cii&t.

Giowth,

-/972, 15M

,

--<34.

 

 

 

 

 

Т.А.АБДУВАЛИЕВ, С.Т.СУЛЕЙИЕНОВ, Г.В.ОРЛОВА

 

 

УСЛОВИЯ

СИТАЛЛИЗАЦИИ

ЛИДИРУЮЩИХ

СТЕКОЛ

 

 

 

 

ОСНОВНОГО СОСТАВА

 

 

По общепризнанным, представлениям процесс ликвации распла­ вов и стекол рассматривается полезный явлением при кристалли­ зации, обеспечивающим ее объемный характер. Положительный эф­ фект рассматривается как физический фактор - обеспечения ог - ромной поверхности раздела фаз и снижения энергетического ба­ рьера кристаллизации. При этом не всегда трактуются важные по­ ложения химизма процесса, Извеотно, что лучшую кристаллизаци­ онную способность проявляют стехиометрические составы. В этом случае, вполне объясним успешный опыт многих исследователей по кристаллизации пироксеновых составов. Пирокоен, благодаря

свойству

широкого изоморфизма способен вобрать в себя многие

"примеси", обеспечив составу практическую мономинеральность.

Рассматривая с этих позиций вопросы кристаллизации лидирую­

щих стекол можно отметить три

случая:

 

I .

Процесс ликвации

обеспечивает

благоприятную ассоциа­

цию кристаллографического соответствия фаз,

выделяющихся я»

33

ликвационных капель и матрицы.

2 . Кикроликвация равномерная и объемная я обеспечивает выделение большого количества миврокриотадлов, работавших как равномерно распределенная механическая затравка.

3. Никроликвация - как процесс дифференциации, обеспечи­ вает основной массе - матрице стекла, состав близкий к стехио­ метрии.

Только эти случаи способны обеспечить объемную кристал­ лизацию. Этим и объясняется Toi факт, что при использовании ряда инициаторов кристаллизации исследователи получают лиди­ рующие стекла, которые не дают объемной криоталлизации.

I ) Тефрито-базальтовые стеш и, с добавкой фтористого каль­ ция, сваренные при температуре 1450° ± Ю°С (в течении 1,5 ча­ сов), обнаруживают микроликвациовную структуру (рис. I ) . По всему объему стекла наблюдаются каплевидные неоднородности, размером 0,2-0,3 мк.

Механизм расслоения в подобных стеклах хорошо объяовин

теорией

экранирования

Вейля / I / .

 

В

процессе варки

стекла, т .е . При высокой температуре,

воны фтора способны

аамещать поляризованные моотиковые ионы

киолорода о близким

ионным радиусом

« 1,32-1,36 А; V ' *

1,32 А) в хремнеииодородвых группировках. При охлаждении стек­ ли взаимосвязь иона фтора в группировке SiOjF ослабевает и усиливаются требования к экранирующей способности четвертого аниона. В связи о этим становится выгодным обратное замещение иона фтора ионом кислорода и Такое обратное замещение при бла­ гоприятных условиях ооущеотвляется /2 /. Ионы фтора, выталкива­ емые из координаццрнной сферы иона кремния, переходят в коор­

динационные оферы других ионов, причем зтот переход идет

в

направлении от катионов о большей силой поля к катионам

о

меньшей силой поля. В нашем олучае в малощелочиои стекле та­ кими катионами должны быть ионы кальция с силой поля равной

1,78,

против 26 для

Ионы фтора обуславливают

расслоение,

т .е .

участки о ослабленными энергетическими связями

/3 /, Соз­

даются микрообласти близкие го составу флюориту. Низкотемпера­ турная обработка отеход подтверждает подобное положение выде­ лением первичного флюорита /4 /.

Тефрито-бавальтовые стекла отиооятоя к пирокоеновым сос­ тавам к при криоталлизации в качестве основной фазы дают ав­ гит. В данном случае, низкотемпературный флюорит служит под-

ЛРО/УУС/сони в

Рио, 3* ИК опектры витрофир-иавеоткового стекле, содержащего

7 Beo,Jfe Т10^ •

36

'структуры удается получить, когда количество Tio2 достигает 7% и более.

Ез-за сравнительно низкой раотворимост" Ti02 в витрофир-

-известково!' отекла ухе при его охлаждении наблюдается выделе­ ние перекристаллизованного реликтового материала в виде рути­ ла и продукта взаимодействия с расплавом - сфена. Последующий нагрев стекла приводит к кристаллизации за счет ликвационных капель большого количества равномерно распределительных мик­ рокристаллов сфена, который вместе с первичными выделениями рутила и сфена служит механической затравкой кристаллизации, способствующей практически одновременному выделению основной

фазы - волластонита и образованию объемной оиталлической струк­

туры.

3. Тефрито-базальтовое стекло по составу близко мономине ральному пироксеновому. При кристаллизации такого стекла его фазовый состав йреимущественно авгитовый, однако,кристаллиза­ ционные свойства не достаточны для ситаллизации в разумных тех­ нологических параметрах. Использование фосфорного ангидрида в роли инициатора кристаллизации показало чрезвычайно сложное его влияние на кристаллизацию стекол, причем,характер влияния

определяется количеством вводимого инициатора.

 

 

Добавка 0,5 - 1%

F20t; вызывает микроликвацию стекла

(рис.

4 а ),

в то же время не

приводит к фазовым перераспределениям,

т .е .

не нарушает практической стехиометрии пироксенозого

сос­

тава. Получен материал оиталлической структуры обработкой стен -

ла в течение 2 часов при £JO°C.

 

Введение

добавки в пределах

так хе вызывает микро­

ликвацию (рис.

46), однако,значительно

ухудшается кристалли­

зационная способность и осложняется фазовый состав закристал­ лизованного стекла. ГриСталлизация начинается значительно поз­ же (9С0°С) и в качестве первой фазы выделяется геленит. При 950°С появляются авгит, магнетит и плагиоклаз. Таким образом, фосфорный ангидрид во взятых количествах не дал самостоятель­ ной фазы, но способствовал сложной дифференциации стекла, на­ рушив стехиометрию матрицы. Увеличение содержания P20j - более 5% усиливает процеос дифференциации стекла, приводит к появле- н: л апатита в снижению содержания геленита. При вводе 8/. P20j геленит исчезает совершенно, а преобладающей фаэой становится зпатит.

Таким обравом, не зависимо от вводимого количества, фос-.

38

форннй ангидрид вызывает микроликвацию тефрито-базальтового отекла. Механизм раослоения монет быть объяснен следующим об­

разом:

Пптиокись фосфора-типичный отеклоибразующий окиселгпроч-

ность единичной

связи Р-0 - 88—II I ккал., т .е . больше 80 ккал

и ион фосфора в

стекле принимает тетраэдрическую координацию.

При различии в валентности между структурообразующими ионами кремния и фосфора обеспечиваются условия фазового рас­ слоения. Для обеспечения электронейтральности, одна связь фос­ фор-кислород для тетраэдра [ Р О ^ ” должна быть двойной. Нали­ чие такого типа двойных связей иона кислорода внутри структур­ ной решетки создает условия для легкого выделения фосфатных группировок из решетки силикатов, которые находятся в стекло­ образном состоянии. Происходит фазовое расслоение на два вида стекла: одно из них фосфатное, а другое силикатное.

Сложное минералообраэование в составах со значительным содержанием фосфорного ангидрида связано с изменением коорди­ нации катиона алюминия. Свободная валентность в фосфорнокисло­ родных группах может быть компенсирована за очет вхождения в структурную решетку трехвалентного алюминия и в этом случае последнему обеспечивается четверная координация. Именно это и обуславливает криоталлизацию геленита Ca^AI [S'iAIO?] , в кото­ ром алюминий входит и в катионную и в анионную часть, при после­ дующей термообработке стекла. Выделение самостоятельной фосфор­ содержащей фазы - апатита при увеличении концентрации фосфор- < ного ангидрида до 55» и более приводит к отбору из системы не­ которого количества ионов кальция и онижению основности стек­ ла. Этим и объясняется исчезновение геленита.

Таким образом, рассмотренные примеры подтверждают выска­ занные положения о роли диквационных явлений в стекле при его направленной кристаллизации и необходимости существования оообых благоприятных асооциаций, обеспечивающих объемное выделе­ ние желаемой фазы.

Л и т е р а т у р а :

1. W. Weyf, Symposium on nuefeation and C-njstalli- latioti in Grtasses and 77)efts.

E c / a n d P u S f . Д m e n . C e i c t m . S o c . J n e . Q h i o , 1 9 G 2 ,

3 7 - 3 8 .

2 . S.U.Рабинович. О поведении фтора в силикатных стеклах."Иэв,

39

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ