
книги из ГПНТБ / Строение и свойства стеклокристаллических материалов на основе горных пород и шлаков (г. Чимкент, 8-10 октября 1974 г.) [сборник статей] 250-летию АН СССР посвящается
.pdfно |
числу |
криоталлов, |
зародившихся |
в |
процессе ПТ. |
|
|
|||||
|
|
Скорость |
зарождения |
сферблитов |
Т |
( Тлт Тпт, ) определя |
||||||
лась |
как |
J - dn/dtm |
- |
тангенс |
угла |
наклона |
зависимости чао- |
|||||
л а |
зародившихся сферолитов в единице |
|
объема от |
времениtm . |
||||||||
Точность определения -.'корости зарождения составляет |
не |
более |
||||||||||
20/о, |
точность |
определения температуры |
не более |
5°С. |
На |
рис. I |
представлены кривые зависимости приведенной скорости зарожде
ния |
сферолитов |
J / l m |
|
01 температуры |
Т «=Тпр , |
Для |
обоих сте |
||||||
кол |
с временем |
варки |
I |
и20 |
чао. эти зсллсиыости практически |
||||||||
одинаковы |
и |
хают вид |
крива* с максимумом при |
Tm = |
48$°С и ши |
||||||||
риной 90°С, |
причем J |
m |
=t ' |
(Tm } |
= 10^ |
мм“ ^мин“ ^ |
Темпера |
||||||
тура |
Tm совпадает |
с |
температурой |
минимума зчдотйик и на |
кри |
||||||||
вой |
ДТА, |
но |
превышает |
|
температуру |
стеклования |
Ту = |
^60° С |
на |
2543. Ту.определялась дилатометрически, причем излом на кривой
лиЬейтого |
расширения |
был |
очень слабо выражен. Температура Tm |
||
на |
зтой кривой |
совпадает |
с температурой начала течения отекла. |
||
На |
гривой |
ДТА |
Ту отвечает началу эндотермического минимума |
||
(как и должно |
быть, |
если |
считать, что эндотермика вызвана уве |
личением теплоемкости и поглощением тепла при релаксации струк
туры стекла при его размягчении |
/ 5 |
/ ) . |
В работе Д / указывалось, |
что |
при приближении к Ту со сто |
роны более высоких температур свободная энер1ия активации стру
ктурных |
перестроек Щ, |
( ф й - |
возможно, |
совпадает |
со свобод |
||||||
ной энергией |
активации |
вязкого |
течения |
Фу ) в выражении |
для* |
||||||
1 »Я »рГ-(Ф я+Ф *)/А Т ], |
Ф*Ч6-ггС3/ Н |
^ |
) г |
|
(I) |
|
|||||
быстро |
растет и достигает |
больших значений в |
области Т^ |
(высо |
|||||||
кая |
вязкость |
с текл а ). |
Это |
может быть причиной |
того , |
что |
макси |
||||
мум |
скорости |
зарождения будет лежать'вблизи |
Ту. , |
Tm 5 |
Ту . |
||||||
Кроме |
ф д |
и, в то же время, благодаря большим значениям |
|||||||||
(или |
Фу ) , |
возможен |
рост |
энергии упругих напряжений в стекле, |
который приводит к росту барьера на пути образования кристал
лического аародыша Ф * , как |
за счет уменьшения выигрыша сво— |
х ) Эти данные,как и данные |
по влиянию длительности ПТ на ско |
рость зарождения (см. ниже) |
не совпадают с данными работы2 / /, |
в которой отмечается резкое уменьшение кристаллизационной спо собности такого же по составу стекла по мере увеличения време ни его варки. Возможно, это связано с иными условиями варки стекла.
бодной энергии |
A f кристаллизации |
из-за |
разницы в молярных объ |
||
емах |
стекла и |
кристаплз, так а |
за |
счет |
увеличения поверхнос |
тной |
энергии б |
из-за затрудненности |
(высокая вязкость) реа |
лизации наиболее выгодных взаимных ориентаций структурных эле ментов в стекле на границе кристалл-стекло. Это танка должно
способствовать |
тому, |
что |
Tm |
$ |
|
Тд |
, если упругие |
на пряхе нил |
|||||||||
не успевают |
ре лансировать |
(за |
счет |
вязкого |
течения) |
за |
время |
||||||||||
зарождения |
кристаллического |
зародыша. |
скорости |
зарождения c ie - |
|||||||||||||
Перейдем |
к |
проблеме |
зависимости |
||||||||||||||
ролитоз |
от |
времени варки |
стекла |
и |
от |
времениtor |
. |
На |
р и с .2 |
|
|||||||
приведены |
кривые |
П |
( tn r |
) |
для |
зремеии |
варки |
t & |
= |
I , |
10, |
20 |
|||||
час. при |
1500 |
С. |
Для tnr |
от |
0 |
до |
30 |
мин. какого-либо влияния |
|||||||||
времени |
варки |
на |
скорость |
зарождения |
кристаллов |
обнаружено |
не |
было-в пределах точности эксперимента. Именно для этого интер
вала времени ПТ и определялась скорость зарождения, |
приведен |
|||||||||
ная на рис. I . |
Однако, |
по |
мере |
роста tnr, зависимостьn (tm ) |
||||||
начинает |
отличаться |
|
от |
прямолинейной в |
сторону |
уменьшенияП , |
||||
т . е . уменьшается I |
= d n / d t „ T , |
причем |
"перелои" |
наступает |
||||||
при 1пт |
= 2 ,4 , 6 |
час. |
для |
t » = |
1,1С,2П ч а с ., |
соответственно. |
||||
Наиболее |
вероятным |
нам |
представляется |
еле дувшее |
обьлснепке'.За- |
|||||
рождеиз |
кристаллов |
2 |
А ^ О ' С а С Ь з Qg наиболее быстро |
идет в |
объеме стекло на некоторых активных центрах - |
областях, |
где |
|||||||||||||
барьер Фя + Ф * |
на |
пути |
образования |
зародышей |
наименьший.Это |
||||||||||
могут быть, в. донном |
случае, например, полуамор*ные |
или |
аморф |
||||||||||||
ные, |
но не рассосавшиеся |
остатки |
продуктов |
реакции |
з |
твердой |
|||||||||
я а з е , |
"границы |
раздела1» эз'г |
между |
частицами |
этих |
продуктов и |
|||||||||
окружающим стеклом, |
имеющим |
несколько |
иной |
состаз, |
чем |
ати |
|||||||||
частицы. |
Пусть М - |
число активных |
центров, |
J - г о |
типа |
в |
едини |
||||||||
це объема |
стекла, |
а ; |
-активности |
центров, |
определяемые |
как |
вероятности зарождения кристаллика на этом центре за единицу
времени. |
Тогда, |
очевидно, (эта задача была рассмотрена, |
напри |
|||||||
мер, |
в |
/ 6 |
/ , где |
учитывается |
также и влияние |
захвата |
активных |
|||
центров |
растущими кристаллами) |
|
|
|
|
|
||||
|
I = £ I ;, - l ^ d H i / d t x - N i a i t |
|
|
|
|
|
||||
|
|
|
Л; |
|
/ л ; Ж ) ] |
' |
(2) |
|
||
где Xi |
~ онорооть зарождения |
кристаллов *на |
центрах i |
- г о |
ти |
|||||
па, |
rij |
- |
чиопо |
крио та длин ов, |
зародившихся |
на |
центрах |
i за вре |
||
мя |
t |
• |
|
|
|
|
|
|
|
|
51
Еоди цмеетоя только один тип активных центров и |
их |
акти |
|||||||||||||
вность |
не |
зависит |
от |
времени, то |
|
|
|
|
|
|
|
|
|||
П = |
S „ [ l - o x f ( - < x t ) ] ' |
l a d n / d t |
= ( л С - п . ) а |
( 3 ) |
|
||||||||||
В случае, когда активность центра обусловлена его повер |
|||||||||||||||
хностью |
|
$ а , |
можно написать |
а |
= а в 5 а , |
если - объем |
т/ |
, то |
|||||||
а =a„t/" ; |
a s,a v- - |
коэффициенты пропорциональности, |
завися |
||||||||||||
щие от Т по типу |
X |
(I)* Согласно |
(2), |
при увеличении |
t = tirr |
||||||||||
скорость |
роста |
X |
числа криоталлинов |
А |
уменьшается, |
что на- |
|||||||||
блюдаетоя на опыте (рис. 2 .) Далее в результате увеличения |
|||||||||||||||
длительности |
|
варки |
отекла от I |
до 20 |
чао., |
аморфные частицы |
|||||||||
"непров |
ра" |
распадаются на более мелкие частицы, т .е , |
раотут |
||||||||||||
A/i0 , |
На , |
а следовательно, |
растет |
А , |
что |
также |
наблюдает |
||||||||
ся на опыте |
(рис. |
2 . ) , в то же время частицы |
раооаоываются, |
границы их вое более размываются, активность частиц как цент ров зарождения уменьшается, хотя общая поверхность частиц пос ле их распада увеличивается. Поэтому, неомотря на рост актив
ных центров |
/^произведение |
( Н ,- А) а ■ I |
при малых t n£ |
|||
4, I |
ч ас., |
когда |
может остаться |
неизменным 1 * Л (,а , |
||
что, по-видимому, и имеет место в нашем случае (рио. 2 ). |
|
|||||
Таким образом, скорость |
зарождения криоталлов 2 Д/з^О • |
|||||
•СаО‘3 fli02 в зависимости от |
температуры представляется |
кривой |
||||
в виде максимума шириной около 90°С и положением Im |
« 4В5°С, |
|||||
причем |
Т/г |
выше Tj на 25°С. |
Близость Т j |
и Т т |
объясняется |
большим значением энергии активации структурных перестроек и ростом энергии упругих напряжений по мере понижения темпера
туры вблизи |
Т<| . |
|
|
|
|
Скорость зарождения кристаллов не завиоит от времени вар |
|||||
ки отекла (1-20 час.) |
для времени зарождения менее I чао. |
и |
|||
уменьшается |
начиная с |
trrr* |
2;4',6 |
ч ас., соответственно, |
для |
врЪеииварки отекла 1;Ю^20 |
чао.. |
Это объясняетоя увеличением |
числа активных центров зарождения кристаллов в отекла и умень шением их активнооти со временен жарки отекла.
Ли т е р а т у р а :
1. В.Н» Филиповмч, А.М.Калинина. ?0 свлэи температуры манмикума скорости зарождения кристаллов в стеклах о температурой стеклования", X* нворгаа. материалы, 1971, 2 * * М* 1844-
1848.
2 . Й.М.Бобкова "Кристаллизационная способность оидикатнмх оте-
32
кол в зависимости от условий синтеза", X. неорган, матери алы, 1972, 8, №6, II3 I-II3 5 .
3 . В.Н.Филипович, А.М.Калинина "Метода определения окорооти зарождения кристаллов и ее зависимость от времени в процес се кристаллизации стекла? Сборник совещания по механизму и кинетике кристаллизации, 1969, стр. II0 -I22, Минск, Иэд. "Наука и техника".
4. В.Н.Оилипович, А.М.Калинина "Кинетика кристаллизации.диси ликата лития из простых и.сложных стекол". Х.неорган.мате-
риалы, 1970, 6, » 2 , 351-356.
5. В.Н.Филипович, А.М.Калинина ”0 природе и взаимосвязи изме нений свойств стекол при отекловании". Стеклообразное ооо-
тояние. Труды пятого |
всесоюзного |
совещания. Лениград/ 26-30 |
|||||||
мая 1969. Изд. "Наука", ЛенинградД971. стр. 28-34. |
|||||||||
6 . 9 |
Waikov, J). Kct&hchLev |
„The |
tole |
ofactive |
centers |
||||
in |
the |
kinetics |
oj |
new |
phase |
foimation |
’ |
У. Cii&t. |
|
Giowth, |
-/972, 15M |
, |
--<34. |
|
|
|
|||
|
|
Т.А.АБДУВАЛИЕВ, С.Т.СУЛЕЙИЕНОВ, Г.В.ОРЛОВА |
|||||||
|
|
УСЛОВИЯ |
СИТАЛЛИЗАЦИИ |
ЛИДИРУЮЩИХ |
СТЕКОЛ |
||||
|
|
|
|
ОСНОВНОГО СОСТАВА |
|
|
По общепризнанным, представлениям процесс ликвации распла вов и стекол рассматривается полезный явлением при кристалли зации, обеспечивающим ее объемный характер. Положительный эф фект рассматривается как физический фактор - обеспечения ог - ромной поверхности раздела фаз и снижения энергетического ба рьера кристаллизации. При этом не всегда трактуются важные по ложения химизма процесса, Извеотно, что лучшую кристаллизаци онную способность проявляют стехиометрические составы. В этом случае, вполне объясним успешный опыт многих исследователей по кристаллизации пироксеновых составов. Пирокоен, благодаря
свойству |
широкого изоморфизма способен вобрать в себя многие |
||
"примеси", обеспечив составу практическую мономинеральность. |
|||
Рассматривая с этих позиций вопросы кристаллизации лидирую |
|||
щих стекол можно отметить три |
случая: |
|
|
I . |
Процесс ликвации |
обеспечивает |
благоприятную ассоциа |
цию кристаллографического соответствия фаз, |
выделяющихся я» |
33
ликвационных капель и матрицы.
2 . Кикроликвация равномерная и объемная я обеспечивает выделение большого количества миврокриотадлов, работавших как равномерно распределенная механическая затравка.
3. Никроликвация - как процесс дифференциации, обеспечи вает основной массе - матрице стекла, состав близкий к стехио метрии.
Только эти случаи способны обеспечить объемную кристал лизацию. Этим и объясняется Toi факт, что при использовании ряда инициаторов кристаллизации исследователи получают лиди рующие стекла, которые не дают объемной криоталлизации.
I ) Тефрито-базальтовые стеш и, с добавкой фтористого каль ция, сваренные при температуре 1450° ± Ю°С (в течении 1,5 ча сов), обнаруживают микроликвациовную структуру (рис. I ) . По всему объему стекла наблюдаются каплевидные неоднородности, размером 0,2-0,3 мк.
Механизм расслоения в подобных стеклах хорошо объяовин
теорией |
экранирования |
Вейля / I / . |
|
|
В |
процессе варки |
стекла, т .е . При высокой температуре, |
||
воны фтора способны |
аамещать поляризованные моотиковые ионы |
|||
киолорода о близким |
ионным радиусом |
« 1,32-1,36 А; V ' * |
1,32 А) в хремнеииодородвых группировках. При охлаждении стек ли взаимосвязь иона фтора в группировке SiOjF ослабевает и усиливаются требования к экранирующей способности четвертого аниона. В связи о этим становится выгодным обратное замещение иона фтора ионом кислорода и Такое обратное замещение при бла гоприятных условиях ооущеотвляется /2 /. Ионы фтора, выталкива емые из координаццрнной сферы иона кремния, переходят в коор
динационные оферы других ионов, причем зтот переход идет |
в |
направлении от катионов о большей силой поля к катионам |
о |
меньшей силой поля. В нашем олучае в малощелочиои стекле та кими катионами должны быть ионы кальция с силой поля равной
1,78, |
против 26 для |
Ионы фтора обуславливают |
расслоение, |
т .е . |
участки о ослабленными энергетическими связями |
/3 /, Соз |
даются микрообласти близкие го составу флюориту. Низкотемпера турная обработка отеход подтверждает подобное положение выде лением первичного флюорита /4 /.
Тефрито-бавальтовые стекла отиооятоя к пирокоеновым сос тавам к при криоталлизации в качестве основной фазы дают ав гит. В данном случае, низкотемпературный флюорит служит под-

ЛРО/УУС/сони в
Рио, 3* ИК опектры витрофир-иавеоткового стекле, содержащего
7 Beo,Jfe Т10^ •
36

'структуры удается получить, когда количество Tio2 достигает 7% и более.
Ез-за сравнительно низкой раотворимост" Ti02 в витрофир-
-известково!' отекла ухе при его охлаждении наблюдается выделе ние перекристаллизованного реликтового материала в виде рути ла и продукта взаимодействия с расплавом - сфена. Последующий нагрев стекла приводит к кристаллизации за счет ликвационных капель большого количества равномерно распределительных мик рокристаллов сфена, который вместе с первичными выделениями рутила и сфена служит механической затравкой кристаллизации, способствующей практически одновременному выделению основной
фазы - волластонита и образованию объемной оиталлической струк
туры.
3. Тефрито-базальтовое стекло по составу близко мономине ральному пироксеновому. При кристаллизации такого стекла его фазовый состав йреимущественно авгитовый, однако,кристаллиза ционные свойства не достаточны для ситаллизации в разумных тех нологических параметрах. Использование фосфорного ангидрида в роли инициатора кристаллизации показало чрезвычайно сложное его влияние на кристаллизацию стекол, причем,характер влияния
определяется количеством вводимого инициатора. |
|
||
|
Добавка 0,5 - 1% |
F20t; вызывает микроликвацию стекла |
(рис. |
4 а ), |
в то же время не |
приводит к фазовым перераспределениям, |
|
т .е . |
не нарушает практической стехиометрии пироксенозого |
сос |
тава. Получен материал оиталлической структуры обработкой стен -
ла в течение 2 часов при £JO°C. |
|
|
Введение |
добавки в пределах |
так хе вызывает микро |
ликвацию (рис. |
46), однако,значительно |
ухудшается кристалли |
зационная способность и осложняется фазовый состав закристал лизованного стекла. ГриСталлизация начинается значительно поз же (9С0°С) и в качестве первой фазы выделяется геленит. При 950°С появляются авгит, магнетит и плагиоклаз. Таким образом, фосфорный ангидрид во взятых количествах не дал самостоятель ной фазы, но способствовал сложной дифференциации стекла, на рушив стехиометрию матрицы. Увеличение содержания P20j - более 5% усиливает процеос дифференциации стекла, приводит к появле- н: л апатита в снижению содержания геленита. При вводе 8/. P20j геленит исчезает совершенно, а преобладающей фаэой становится зпатит.
Таким обравом, не зависимо от вводимого количества, фос-.
38
форннй ангидрид вызывает микроликвацию тефрито-базальтового отекла. Механизм раослоения монет быть объяснен следующим об
разом:
Пптиокись фосфора-типичный отеклоибразующий окиселгпроч-
ность единичной |
связи Р-0 - 88—II I ккал., т .е . больше 80 ккал |
и ион фосфора в |
стекле принимает тетраэдрическую координацию. |
При различии в валентности между структурообразующими ионами кремния и фосфора обеспечиваются условия фазового рас слоения. Для обеспечения электронейтральности, одна связь фос фор-кислород для тетраэдра [ Р О ^ ” должна быть двойной. Нали чие такого типа двойных связей иона кислорода внутри структур ной решетки создает условия для легкого выделения фосфатных группировок из решетки силикатов, которые находятся в стекло образном состоянии. Происходит фазовое расслоение на два вида стекла: одно из них фосфатное, а другое силикатное.
Сложное минералообраэование в составах со значительным содержанием фосфорного ангидрида связано с изменением коорди нации катиона алюминия. Свободная валентность в фосфорнокисло родных группах может быть компенсирована за очет вхождения в структурную решетку трехвалентного алюминия и в этом случае последнему обеспечивается четверная координация. Именно это и обуславливает криоталлизацию геленита Ca^AI [S'iAIO?] , в кото ром алюминий входит и в катионную и в анионную часть, при после дующей термообработке стекла. Выделение самостоятельной фосфор содержащей фазы - апатита при увеличении концентрации фосфор- < ного ангидрида до 55» и более приводит к отбору из системы не которого количества ионов кальция и онижению основности стек ла. Этим и объясняется исчезновение геленита.
Таким образом, рассмотренные примеры подтверждают выска занные положения о роли диквационных явлений в стекле при его направленной кристаллизации и необходимости существования оообых благоприятных асооциаций, обеспечивающих объемное выделе ние желаемой фазы.
Л и т е р а т у р а :
1. W. Weyf, Symposium on nuefeation and C-njstalli- latioti in Grtasses and 77)efts.
E c / a n d P u S f . Д m e n . C e i c t m . S o c . J n e . Q h i o , 1 9 G 2 ,
3 7 - 3 8 .
2 . S.U.Рабинович. О поведении фтора в силикатных стеклах."Иэв,
39