Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Смирнова Н.А. Методы статистической термодинамики в физической химии учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
132
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.12 Mб
Скачать

словленные выходом в междоузлия ионов С1~, встречаются гораздо реже, чем дефекты, связанные с аналогичным явлением* для ионов Ag + . Для кристаллов AgCl и AgBr можно ограничиться рассмотрением таких дефектов, как вакансии на местах ионов Ag + и междоузельные ионы Ag + .

Если в

кристалле

имеется эквивалентное

количество

катионных

и анионных

вакансий,

а междоузельные ионы

отсутствуют, говорят

о дефектах

по Шоттки

(рис. 52, б). Катионные и анионные

вакансии,

по-видимому, зарождаются на поверхности граней кристалла или на поверхности внутренних микротрещин и затем диффундируют в тол­ щу кристалла. Образование дефектов по Шоттки имеет место, напри­ мер, в кристалле NaCl.

Наличием дефектов в структуре решетки обусловлена ионная про­ водимость кристаллов. Если дефекты являются дефектами по Френ­ келю, перенос электричества осуществляется при движении вакансий и междоузельных ионов в объеме кристалла, причем в этом процессе обычно участвует практически ион лишь одного знака (как мы заме­ тили ранее, обычно только катионы или только анионы в значительной степени переходят в междоузлия). Так, в случае кристалла AgBr пе­ реносчик электричества — катион Ag+ ; измеряемое на опыте число переноса аниона Вг~ равно нулю. При наличии дефектов по Шоттки (кристалл NaCl) перенос заряда осуществляется как катионами, так и анионами в процессе движения катионных и анионных вакансий. Суждения о характере дефектов в кристалле в большой степени осно­ вываются на экспериментальных данных о числах переноса для катио­ нов и анионов (также используются данные о тепловом расширении кристаллов, рентгенографические данные и др.).

Равновесные концентрации дефектов по Френкелю или Шоттки (возможно также наличие в кристалле дефектов обоих типов) опреде­ ляются величинами свободных энергий образования дефектов. Полу­ чим соответствующие зависимости в предположении, что дефекты мож­ но считать невзаимодействующими. Поскольку в системе действуют медленно убывающие с расстоянием кулоновские силы, данное пред­ положение допустимо лишь при очень малой равновесной концентра­ ции дефектов (строго говоря, при с - > 0 ) . И все же для реальных ион­ ных кристаллов при температурах заметно ниже температур плавле­ ния приближение дает удовлетворительные результаты.

Вначале рассмотрим соотношения, определяющие концентрацию дефектов по Френкелю. Будем полагать, что в кристалле имеются только катионные вакансии. Введем следующие обозначения: N — число правильных мест для катионов; N' — число междоузельных мест, доступных для катионов; — число дефектов по Френкелю,

* Отсутствие междоузельных ионов С1~ в кристалле AgCl можно объяснить

о

тем, что эффективный радиус иона С1~ (1,81 А) велик и составляет значительную

о

часть расстояния между соседними катионом и анионом (2,77 А). Выходу иона С1~ в междоузлие препятствуют силы отталкивания, возникающие при таком процессе. Энергия выхода иона Ag + в междоузлие значительно меньше. Анало­

гичное объяснение годится и в случае кристалла AgBr. 370

равное числу вакансий (числу занятых междоузлий); gp — изменение термодинамического потенциала Гиббса в результате переноса произ­ вольно выбранного иона из правильного положения в решетке в не­ которое произвольно заданное междоузельное положение при постоян­ стве р и T; f F > Up , hp и sp — изменения соответственно объема, внут­ ренней энергии, энтальпии и энтропии при указанном процессе*. Параметры решетки считаем постоянным; поэтому ѵр = 0 и

ËF = h F -

T s F = " F + PVF — T s F = " F — T s F •

(XII.8

Величину gp можно отождествить со свободной энергией образования дефекта.

В силу предположения о независимости дефектов изменение сво­ бодной энергии системы при образовании ./VF дефектов следует прирав­ нять величине NF gF . если за конечное состояние принята некоторая определенная конфигурация системы (заданный способ распределе­ ния в кристалле вакансий и междоузлий.) Чтобы найти действитель­ ные термодинамические характеристики процесса образования NF дефектов, мы должны учесть еще, каким числом способов данный про­ цесс может быть реализован. Начальное состояние (правильная ре­ шетка) реализуется одним способом; для конечного состояния таких

способов множество. Имеется

- r r -

, — . / ^ 1 . , — способов распред

JV-—NF катионов

 

(/V — /Ѵр

/Ѵр,

и JVp вакансий по JV пронумерованным узлам решет-

 

Д7'|

способов распределения NF катионов

ки и независимо

_ N ^ N t

по междоузлиям. Каждое состояние подсистемы узлов может комби­ нироваться с каждым состоянием подсистемы междоузлий. Поэтому общее число способов получим, перемножив оба выражения. Обозна­ чим составляющую энтропии, связанную с числом способов реализа­ ции состояния с заданным значением NF , через

S K 0 H ( p - f e l n (N — NF )! NF ! (jv'— NF )! NP 1 • (XII.81)

Для идеального кристалла Np =

0 и 5 К 0 Н ф = 0.

Изменение

свобод­

ной энергии при образовании NF дефектов представится

выражением

A G = G ( / V F ) - G ( 0 ) = ] V F

§р-Г5к 0 „ф =

 

 

 

N\

 

N'\

 

 

= /VF gF-kT\n

{ N _ N p ) l

N p I

(N'-Np

)INP\

( X I L 8 2 >

* Величина Up относится к изменению энергии системы при переходе ка­

тиона из одного среднего положения (узел) в другое среднее положение ^меж­ доузлие). Так как при таком переходе изменяются условия взаимодействия ионов с окружением, то изменяется и характер движения ионов, и не только катиона, перешедшего в междоузлие, но также ионов, по соседству с которыми находится вакансия или занятое междоузлие. Поэтому с образованием дефекта связано ненулевое значение s F . Если указанных эффектов не учитывать, то ве­ личину gF следует приравнять изменению потенциальной энергии ир .

371

Воспользуемся формулой Стерлинга для факториалов больших чи­ сел и запишем

AG = NF gP — kT [А/ In N — (N -

NF ) ln (N — NF ) — 2NF lnNP

+

+ N'\nN' — (N'—

NF)]n(N' — Np)].

(XII.83)

Равновесное значение Np в кристалле при заданных T, р и N находим из условия минимума свободной энергии:

Щ>~)

=

^ - f e r

[ l n ( A / - t f F ) + l - 2 1 n t f F - 2 +

 

 

 

NF

Np

+ \n(N'~NF

) +

l]==g F

+ W l n N _ N p

N ' _ N p =0 - (XII.84)

Учитывая, что согласно

исходным посылкам

Np € N, N',

получаем

формулу

 

 

 

Np

Np

p),

(XI 1.85)

 

k T =K(T,

где в левой части стоит произведение доли вакантных мест (доля от общего числа узлов) на долю занятых междоузельных мест, — запись в форме «произведения растворимостей». Константа К. связана со сво­ бодной энергией образования дефекта равенством

gp=-kT\nK.

(XI 1.86)

Изменение величины К в зависимости от температуры определяется соотношением

ід\пК\

hp

(XII-87)

hH, =

где hP — изменение энтальпии

при образовании

дефекта.

Формулы ( X I 1.86) и ( X I 1.87) согласуются с

опытными данными

о температурной зависимости концентрации дефектов и могут быть использованы для определения характеристикgF, hp Tsp = hp —gp процесса образования дефекта, если экспериментально определена

зависимость -jf~= f (Т). При высоких температурах, вблизи точки

плавления, использование соотношения (XI 1.87) может, однако, вызвать возражения, поскольку концентрация дефектов становится большой, и не учитывать взаимодействие между ними было бы необос­ нованным (при 420°С, вблизи точки плавления кристалла AgBr, концентрация дефектов около 3,7%).

Случай дефектов по Шоттки мы подробно разбирать не будем, по­

скольку

вывод совершенно

аналогичен. При одинаковой

валентности

катиона

и аниона получаем формулу

 

 

 

 

 

 

go

 

 

N.

N.

-

- J .

 

 

~ -

^ -

^ е

k T ~ K ,

(XI 1.88)

372

где N — число узлов в подрешетке катионов (анионов); Ns — число катионных (анионных) вакансий, gs — изменение термодинамиче­ ского потенциала Гиббса при образовании пары изолированных ва­ кансий, т. е. при переходе одного катиона и одного аниона из узлов внутри кристалла в новые узлы на поверхности. Левая часть форму­ лы (XII.88) представляет произведение долей катионных N$ IN и анионных Ns IN вакансий.

§ 5. Кооперативные явления

Рассмотрим кристаллическую решетку, в которой для каждого узла существуют два способа, две возможности быть занятыми. Два рода возможных состояний обозначим А и В. В случае бинарного сплава или твердого раствора символы А и В будут относиться к ато­ мам (молекулам) разного сорта. В модели ферромагнитного вещества два рода состояний — это атомы данного металла (например, железа) с различной ориентацией электронного спина: допустим, А — атом железа с положительной ориентацией спина, В — атом железа с отри­ цательной ориентацией спина. Вообще говоря, в узлах металлической решетки находятся положительные ионы, но для той модели, которая будет рассматриваться, это несущественно. Для простоты частицы А и В, находящиеся в узлах решетки, будем далее называть всегда ато­ мами. Оговорим, однако, что А и В не могут быть ионами разного зна­

ка;

случай

ионного кристалла

AB из рассмотрения исключается.

 

Будем считать кристалл правильным в том отношении, что все

узлы решетки заняты, все междоузлия

свободны. Обозначим через

NA

И NB

числа атомов типа

А и В соответственно; N = NA + N Q —

общее число атомов в системе

(число узлов решетки). При заданных

значениях

JVA и N B существует •д , ^

^ конфигураций, отличаю­

щихся в отношении распределения атомов А и В по узлам решетки. Вероятность некоторой і-й конфигурации пропорциональна величине е х р / ' — — ), где Ut — потенциальная энергия системы в заданной

конфигурации. Энергетически выгодные конфигурации (конфигура­ ции с меньшими значениями Ut) имеют большую вероятность. В тех системах, которые мы будет рассматривать (А и В — незаряженные частицы или ионы одинакового заряда), сопоставляя энергии различ­ ных конфигураций, в первом приближении можно учитывать лишь взаимодействие ближайших соседей. Поэтому, говоря об энергии взаи­ модействия пары частиц, мы будем далее иметь в виду пару ближай­ ших соседей. Для кристаллической решетки, образованной частица­ ми А и В, возможны следующие три варианта:

I . Энергии парных взаимодействий типа А — А, В — В и А — В одинаковы. В этом случае всем конфигурациям системы (речь идет о способе распределения частиц А и В по узлам) отвечает одна и та ж е потенциальная энергия. Все конфигурации системы имеют одинако­ вую вероятность, и распределение атомов А и В по узлам решетки будет полностью беспорядочным (рис. 53, а).

373

I I . Взаимодействия типа А — В

энергетически более

выгодны-

чем взаимодействия типа А — А и В

— В. В этом случае потенциал ь-

. ная энергия системы тем меньше (множитель ехр ^— - ^ j

тем боль­

ше), чем больше число смешанных пар в системе. Наименьшую потен­ циальную энергию система будет иметь в такой конфигурации, при которой число пар А — В в системе максимально. Для системы стехиометрического состава это отвечает правильному чередованию ато­ мов А и В в решетке (рис. 53, б ) , когда каждый атом А окружен ато­ мами В и наоборот. Такую полностью упорядоченную структуру си-

 

•-/ O-Z

 

О О • О • •

€tN Q * N Q 4 * 4 0

О О • • О О

о • • • о •

а Ч Ъ ^ Ъ ч *

о • • • • о

о • о о о •

«^ХЧЧЯ

о • • • о о

• • о • • о а * \ р * Ъ ч *

• • • о о о

• о • • • о

^ц^оХ0

• • • О О О

о о о • о о о ч * Ъ Ѵ о ч * о • • • о о

а

 

5

 

6

Рис. 53.

Распределение частиц А и В по

узлам

решетки:

/ — у з л ы ,

занятые по способу

А; 2 — узлы, занятые

по способу В; а —

беспорядочное распределение; б

— сверхструктура; в — случай

«выделения»

стема будет иметь при Т = 0. С повышением температуры степень упорядоченности будет уменьшаться, но все же в определенной темпе­ ратурной области (часто весьма широкой) можно будет говорить о существовании в кристалле двух подрешеток, одна из которых занята в основном атомами А, другая — в основном атомами А. Можно вы­ делить правильные положения атомов А (а-узлы) и правильные поло­ жения атомов В (ß-узлы); к правильности геометрической структуры решетки добавляется правильность (пусть неполная) в распределении атомов А и В по узлам. В таком случае говорят, что кристалл имеет сверхструктуру.

I I I . Взаимодействия типа А — В энергетически менее выгодны, чем взаимодействия типа А — А и В — В. В этом случае повышается вероятность конфигураций, которым отвечает небольшое число пар смешанного типа. Наблюдается тенденция к распределению атомов таким образом, чтобы имелись области, состоящие преимущественно

из атомов

одного

сорта, А или

В, — так называемое

«выделение»

(рис. 53,

в).

При

понижении

температуры происходит

расслаи­

вание: система

из

микрогетерогенной превращается

в

гетероген­

ную.

 

 

 

 

 

 

Среднее число пар разного рода в системе при заданной температу­ ре определяется статистически. Упорядочение и выделение с ростом температуры уменьшаются; при высоких температурах распределе­ ние по узлам в случаях I I и I I I хаотическое, как и в случае I . Темпе-

374

ратурную границу, разделяющую области упорядоченных и неупо­ рядоченных структур, будем обозначать Тс*.

Рассмотрение модели решетки, по узлам которой статистически распределены частицы двух сортов (причем в этом распределении су­ щественную роль играет взаимодействие между ближайшими сосе­ дями), представляет интерес для решения ряда проблем.

Если под структурными элементами А и В понимать атомы, моле­ кулы или ионы разного сорта, то модель описывает твердые растворы замещения: металлические сплавы, молекулярные твердые растворы, твердые растворы солей (допустим, это система NaCl — NaBr, где ионы Cl" и В г могут замещать друг друга в подрешетке анионов)**. Идеальные твердые растворы образуют изотопы; большинство же твер­ дых растворов замещения принадлежит к типу I I или к типу I I I , так что при низких температурах наблюдается либо сверхструктура, либо выделение. Сверхструктуры образуют, например, сплавы ZnCu, AuCu, AuCug.

Наличие сверхструктуры обнаруживается в спектрах рассеяния рентгено­ вых лучей по появлению дополнительных линий, называемых линиями сверх­ структуры (при сопоставлении со спектром полностью неупорядоченной систе­ мы). Появление линий сверхструктуры объясняется следующим обстоятельст­ вом. В неупорядоченном сплаве средние концентрации атомов А и В не меняются

от плоскости к плоскости; все плоскости

равноценны. При наличии же сверх­

структуры будут чередоваться

плоскости, обогащенные соответственно атомами

А или В, и расстояние между

идентичными плоскостями будет вдвое больше,

чем в случае неупорядоченного

сплава (рис.

53,6). В результате этого на рентге­

нограммах и обнаруживаются дополнительные отражения (линии сверхструкту­ ры). Эти линии будут тем интенсивнее, чем сильнее различаются атомные фак­ торы рассеяния для частиц А и В и чем больше степень упорядоченности.

Проблемы ферромагнетизма и антиферромагнетизма — другой круг вопросов, для решения которых необходимо рассматривать ста­ тистику ближайших соседей в решетке.

Охарактеризуем кратко, в чем состоят особенности ферромагнитных и анти­

ферромагнитных

кристаллов по сравнению

с

нормальными

парамегнетиками.

Вещество называют парамагнитным, если

его

магнитная

восприимчивость

положительна***. Все вещества, образованные

атомами (молекулами,

ионами)

с

* Для уточнения необходимо

указать,

что при определении

температуры

Тс речь

идет о так называемой дальней упорядоченности

(см. § 6): при Т <

Г с

степень

дальней

упорядоченности

больше

нуля,

при

7 ' > Т С — равна

нулю.

** Поскольку речь идет о распределении

ионов одинакового

заряда,

твер­

дые ионные растворы могут быть

включены вкруг

рассматриваемых

объектов.

Действительно, при замене иона А +

на ион В +

(или иона А - на ион В - )

кулонов-

ская составляющая энергии взаимодействия не изменится; однако, составляющие, связанные с близкодействующими силами, будут, вообще говоря, различны.

Именно

близкодействующие силы будут влиять на

распределение

ионов

А + и

В + ( А -

и В - ) по узлам соответствующей подрешетки,

и при изучении такого

рас­

пределения в первую очередь надо учитывать взаимодействие между

ближайши­

ми соседями.

 

 

 

*** Магнитная восприимчивость определяет величину магнитного момента, индуцированного под действием внешнего магнитного поля:

M =*#,

где M — индуцированный магнитный момент, отнесенный к единице объема вещества; H — напряженность внешнего магнитного поля; у. — магнитная вос­ приимчивость.

375

ненулевым суммарным электронным спином (а следовательно, ненулевым маг­ нитным моментом), являются парамагнитными. Парамагнетизм их связан с ориентацией магнитных моментов (ориентацией спинов) во внешнем магнитном поле. В нормальном парамагнетике взаимодействием между спинами можно пре­ небречь и считать ориентации спинов независимыми. В отсутствие поля ориента­ ции спинов в такой системе полностью беспорядочные, суммарный магнитный момент вещества равен нулю. При наличии внешнего поля энергетически более выгодны ориентации спина по полю. Энергия спина в поле напряженности Я есть

и — — [іЯ = р-Я COS Ѳ,

где (л спиновый магнитный момент; Ѳ — угол между направлением спина и

направлением поля (ограничимся классическим выражением). Если взаимо­ действие между спинами отсутствует, то вероятность заданной ориентации спи­ на (заданного значенияѲ) зависит только от больцмановского множителя

Нетрудно показать, что при низких температурах (kT <(АЯ)

практически все спины оказываются ориентированными по полю. При высоких температурах и сравнительно слабых полях (Й7">[АЯ) магнитная восприимчи­ вость X образца плотности N/V дается выражением

N

 

V

Ш

т. е. х ~ 1 / Г ( з а к о н Кюри). Нормальными

парамагнетиками являются, например,

газообразные кислород, окись азота, соли металлов группы платины, железа. Среди веществ, образованных атомами с ненулевым суммарным спином, имеются, однако, такие, свойства которых сильно отличаются от свойств обыч­ ных парамагнитных веществ, и в особенности при низких температурах и слабых полях. Это ферромагнетики и антиферромагнетики. Магнитная восприимчивость ферромагнетиков очень велика (значительно больше, чем нормальных парамаг­

нетиков), и сложным образом зависит от величин Я и Т.

Ненулевая намагничен­

ность сохраняется в течение длительного времени после

снятия поля.

Специфи­

ческие

особенности ферромагнетика исчезают, однако, при высоких температурах

(Т>

Тс,

где

Тс

точка

Кюри).

Антиферромагнетики,

напротив,

характери­

зуются

малой

магнитной

восприимчивостью. В

широкой области

температур

она

заметно

меньше магнитной

восприимчивости

нормальных парамагнетиков,

а при очень низких температурах практически нулевая. При высоких темпера­ турах вещество утрачивает свои особые свойства и ведет себя как нормальный парамагнетик.

Особенности свойств ферромагнетиков и антиферромагнетиков свя­ заны с тем, что между атомами имеется взаимодействие чисто квантовомеханической природы (обменное взаимодействие), энергия которого зависит от взаимной ориентации соседних спинов. Для ферромагне­ тиков энергетически выгодна параллельная ориентация спинов, для антиферромагнетиков меньшая потенциальная энергия отвечает анти­ параллельной ориентации. В результате ферромагнетики представ­ ляют систему с «выделением», антиферромагнетики образуют сверх­ структуру.

В теории адсорбции и абсорбции используют модель так называе­ мого решеточного газа, представляющего совокупность молекул, каждая из которых может занимать один узел решетки. Число узлов решетки фиксировано и оно больше, чем число молекул. Для узла возможны два состояния: он может быть либо занятым молекулой, либо вакантным. Адсорбцию на полимере описывают с помощью моде-

376

ли одномерной решетки; адсорбции на поверхности будет отвечать модель двумерной решетки. Случай трехмерного решеточного газа соответствует адсорбции (например, абсорбции газообразного водо­ рода палладием). Молекулы решеточного газа можем обозначить сим­ волом А, вакансии — символом В, и задача в общем виде будет фор­ мулироваться так же, как и в случае бинарного твердого раствора за­ мещения. Равновесные свойства системы в значительной степени опре­ делятся тем, каково различие между энергиями взаимодействия пар типа А — А, В — В и А — В.

Задачи, которые включают рассмотрение статистики ближайших соседей, ставятся также в решеточных теориях жидкостей (дырочные теории) и жидких растворов.

Явления, связанные с процессами упорядочения и разупорядочения в кристаллических системах, получили общее название коопера­ тивных явлений. В самом названии подчеркивается, что это явление присуще лишь совокупности частиц. Кооперативные явления (обра­ зование сверхструктуры в сплавах, расслаивание, ферромагнетизм и т. д.) обусловлены тем, что имеется различие в энергиях взаимодей­ ствия пар ближайших соседей разного типа. Теория кооперативных явлений есть статистическое рассмотрение простой модели, основан­ ной на следующих допущениях:

1. Решетка является правильной, все узлы ее заняты по способу А или по способу В. Параметры решетки не зависят от конфигурации системы.

2. Из статистической суммы для всей системы можно выделить множитель Zc , который отражает конфигурационную статистику уз­ лов. Сумма по состояниям для колебаний атомов А и В около положе­ ний равновесия не зависит от конфигурации системы:

и. ? ^

кг

г

= гКОл%

е

= 2 к о Л 2 с

(хіі.89)

 

 

 

 

 

 

î

 

 

 

 

 

иі

 

 

 

V

T T

 

 

Z C

= 2 J e

,

( X I 1 . 9 0 )

 

 

î

 

 

где Ut — потенциальная

энергия системы в і-й конфигурации;

различ­

ные конфигурации относятся к различным способам распределения частиц А и В по пронумерованным узлам; энергия Ui определяется для статической решетки, когда все частицы находятся в узлах.

3. Потенциальная энергия межмолекулярных взаимодействий в системе аддитивно складывается из энергий взаимодействия пар бли­ жайших соседей.

Описанная модель была предложена впервые Изингом для описа­ ния системы положительно и отрицательно ориентированных спинов в ферромагнетике и антиферромагнетике, и поэтому данную модель называют моделью Изинга. Можно сказать, что теория кооперативных явлений представляет статистическую теорию модели. Изинга.

377

Введем следующие обозначения: N — общее число узлов решетки (N = N\ +NB ); z — координационное число решетки (число бли­ жайших соседей для одного узла); — энергия взаимодействия пары ближайших соседей типа і — j = А , В, так что имеем набор ве­ личин ИДА , ывв и идв); Ntj — число пар ближайших соседей типа і—/. Полная энергия межмолекулярных взаимодействий в рассматри­ ваемой системе имеет величину

^вз = NAA АА N,вв "вв AB "AB (XII.91)

В общем случае следует учитывать также потенциальную энергию атомов во внешнем поле, которая может быть различной для атомов А и В. Так, энергия спина во внешнем магнитном поле зависит от его ориентации и равна х+ = цН, если спин ориентирован в направле­ нии поля; Х- = pH, если спин ориентирован против поля. Суммарная

потенциальная

энергия системы

в общем случае

имеет

вид

 

 

 

 

У = ^ А Х А + ^ В

І В +

^ А А "АА +

^ В В «ВВ +

^ А В »AB -

(XII - 92)

 

 

 

 

 

где

Xi—потенциальная

энергия

атома

і

во

 

 

 

 

 

внешнем

поле

(І-А,

В).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Формулу

( X I 1.92)

можно

 

упростить,

так

 

 

 

 

 

как

между

значениями

N A A

,

N B

B

и

N A

B су­

 

 

 

 

 

ществует

связь. Д л я ,

нахождения

этой

связи

 

 

 

 

 

сделаем

следующее

построение (рис.

54). Выбе­

 

 

 

 

 

рем

некоторый

 

атом

В

и соединим его линиями

 

 

 

 

 

со всеми ближайшими

соседями,

в

 

результате

 

 

 

 

 

чего получим z линий.

После того

как мы про­

 

 

 

 

 

делаем ту же процедуру для

всех

других узлов,

Рис.

54.

Схема

 

занятых

по способу

В, на

 

диаграмме

будет

для

подсчета чис­

 

иметься ZNB линий. Однако

общее

число линий

ла

пар

В—В

 

 

можно подсчитать другим способом, заметив, что

между каждой парой В — В имеются две линии,

между

каждой

па­

рой А В — одна

линия; между парами А — А линий нет. Поэтому

 

 

 

 

 

 

zNB

=2NBB+

 

NAB.

 

 

 

 

 

 

 

 

(XI

1.93)

Произведя

аналогичные построения для атомов А , получим равенство

 

 

 

 

 

 

^ д

=

2NAA

+ МАВ.

 

 

 

 

 

 

 

 

(XI

1.94)

Следовательно,

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

^ А А =

т

Л

-

Щ

:

 

 

^вв = T

( z N

B

-

*AB) :

 

(XI

1.95)

(и, кроме

того, NB

=

N

 

N A ) -

После

подстановки

выражений

( X I 1.95) в

формулу

 

(XI 1.92)

получаем

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

U

= NA

 

ХА +

"АА ) +

NB

Хв

+

-"вв

+

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

+

NAB

" А В - - Г " (

" А ^ +

"ВВ)

І Х в +

Ѵ

 

"вв)

 

+

 

 

378

7Хв +

"f"

(«AA -

"вв)

+

NABw,

(XI 1.96)

 

 

 

где

 

 

 

 

 

 

W = "AB - y

("AA + " B B ) •

 

(XII.97)

Величина 2a> характеризует

изменение

энергии

системы

при замене

пары А — А и пары В — В на две пары А—В, т. е. при процессе

(А — А) +

(В — В) = 2 (А В).

 

 

В решеточных теориях растворов величину w называют энергией взаи­

мообмена.

Согласно

(XII.97) w < 0,

если

идВ < Ѵ2 (ЫДА + «вв).

т. е. если

образование

пар смешанного типа

(А — В) энергетиче­

ски

более

выгодно,

чем образование

пар

однотипных

моле­

кул

(А — А и В — В ) ;

w > 0, если «дв > Ѵ2 («ДА + «вв).

т. е.

если образование пар А — В энергетически менее выгодно, чем обра­ зование пар А — А и В — В.

Из выражения ( X I 1.96) следует, что при заданных значениях N и N A И заданном внешнем поле потенциальная энергия системы зависит только от числа пар А — В. Все конфигурации, которым отвечает одно и то же значение /Ѵдв, имеют одинаковую потенциальную энер­ гию; они, следовательно, равновероятны.

Поскольку мы пользуемся каноническим распределением, число узлов и число атомов данного сорта в системе считаем фиксированным. В случае твердых растворов, когда А и В представляют атомы разного рода (или в случае решеточного газа, когда А — атомы, В — вакан­ сии), ставится, следовательно, условие: N A = cosnt. В таком случае статистическую сумму (XII.90), с учетом выражения (XII.96), можем

записать

в виде

 

 

 

 

 

 

*<*в + Т " в в )

 

* А [ * А - * В +

Т ( " А А ~ " В В > ]

ZC(N,

Л/А , T) = е

kT

e

kT

X

 

 

 

 

N ABw

 

х Ц g (N, NA, NAB) e

JVAB

k T \

(XII.98)

где g (N, NA , NAB) — число конфигураций,

которым отвечает одна

и то же значение Л/дв при заданных N и NA ; суммирование проводит­

ся по всем возможным значениям NAB-

 

В случае ферромагнетиков символы А и В относятся к атомам од­

ного и того же сорта, отличающимся только

по ориентации спина.

Поэтому, пользуясь каноническим распределением, мы налагаем лишь

условие N — NA+NB

const; величины

NA И NB являются пере­

менными; для них допустимы все значения от 0 до N . Запишем:

 

N ( * B + f "Вв)

N

2 С (N, Т)=е

k T .

S aNA ж

"А=0

379

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ