словленные выходом в междоузлия ионов С1~, встречаются гораздо реже, чем дефекты, связанные с аналогичным явлением* для ионов Ag + . Для кристаллов AgCl и AgBr можно ограничиться рассмотрением таких дефектов, как вакансии на местах ионов Ag + и междоузельные ионы Ag + .
Если в |
кристалле |
имеется эквивалентное |
количество |
катионных |
и анионных |
вакансий, |
а междоузельные ионы |
отсутствуют, говорят |
о дефектах |
по Шоттки |
(рис. 52, б). Катионные и анионные |
вакансии, |
по-видимому, зарождаются на поверхности граней кристалла или на поверхности внутренних микротрещин и затем диффундируют в тол щу кристалла. Образование дефектов по Шоттки имеет место, напри мер, в кристалле NaCl.
Наличием дефектов в структуре решетки обусловлена ионная про водимость кристаллов. Если дефекты являются дефектами по Френ келю, перенос электричества осуществляется при движении вакансий и междоузельных ионов в объеме кристалла, причем в этом процессе обычно участвует практически ион лишь одного знака (как мы заме тили ранее, обычно только катионы или только анионы в значительной степени переходят в междоузлия). Так, в случае кристалла AgBr пе реносчик электричества — катион Ag+ ; измеряемое на опыте число переноса аниона Вг~ равно нулю. При наличии дефектов по Шоттки (кристалл NaCl) перенос заряда осуществляется как катионами, так и анионами в процессе движения катионных и анионных вакансий. Суждения о характере дефектов в кристалле в большой степени осно вываются на экспериментальных данных о числах переноса для катио нов и анионов (также используются данные о тепловом расширении кристаллов, рентгенографические данные и др.).
Равновесные концентрации дефектов по Френкелю или Шоттки (возможно также наличие в кристалле дефектов обоих типов) опреде ляются величинами свободных энергий образования дефектов. Полу чим соответствующие зависимости в предположении, что дефекты мож но считать невзаимодействующими. Поскольку в системе действуют медленно убывающие с расстоянием кулоновские силы, данное пред положение допустимо лишь при очень малой равновесной концентра ции дефектов (строго говоря, при с - > 0 ) . И все же для реальных ион ных кристаллов при температурах заметно ниже температур плавле ния приближение дает удовлетворительные результаты.
Вначале рассмотрим соотношения, определяющие концентрацию дефектов по Френкелю. Будем полагать, что в кристалле имеются только катионные вакансии. Введем следующие обозначения: N — число правильных мест для катионов; N' — число междоузельных мест, доступных для катионов; — число дефектов по Френкелю,
* Отсутствие междоузельных ионов С1~ в кристалле AgCl можно объяснить
о
тем, что эффективный радиус иона С1~ (1,81 А) велик и составляет значительную
о
часть расстояния между соседними катионом и анионом (2,77 А). Выходу иона С1~ в междоузлие препятствуют силы отталкивания, возникающие при таком процессе. Энергия выхода иона Ag + в междоузлие значительно меньше. Анало
гичное объяснение годится и в случае кристалла AgBr. 370
равное числу вакансий (числу занятых междоузлий); gp — изменение термодинамического потенциала Гиббса в результате переноса произ вольно выбранного иона из правильного положения в решетке в не которое произвольно заданное междоузельное положение при постоян стве р и T; f F > Up , hp и sp — изменения соответственно объема, внут ренней энергии, энтальпии и энтропии при указанном процессе*. Параметры решетки считаем постоянным; поэтому ѵр = 0 и
ËF = h F - |
T s F = " F + PVF — T s F = " F — T s F • |
(XII.8 |
Величину gp можно отождествить со свободной энергией образования дефекта.
В силу предположения о независимости дефектов изменение сво бодной энергии системы при образовании ./VF дефектов следует прирав нять величине NF gF . если за конечное состояние принята некоторая определенная конфигурация системы (заданный способ распределе ния в кристалле вакансий и междоузлий.) Чтобы найти действитель ные термодинамические характеристики процесса образования NF дефектов, мы должны учесть еще, каким числом способов данный про цесс может быть реализован. Начальное состояние (правильная ре шетка) реализуется одним способом; для конечного состояния таких
способов множество. Имеется |
- r r - |
, — . / ^ 1 . , — способов распред |
JV-—NF катионов |
|
(/V — /Ѵр |
)І/Ѵр, |
и JVp вакансий по JV пронумерованным узлам решет- |
|
Д7'| |
способов распределения NF катионов |
ки и независимо |
_ N ^ N t |
по междоузлиям. Каждое состояние подсистемы узлов может комби нироваться с каждым состоянием подсистемы междоузлий. Поэтому общее число способов получим, перемножив оба выражения. Обозна чим составляющую энтропии, связанную с числом способов реализа ции состояния с заданным значением NF , через
S K 0 H ( p - f e l n (N — NF )! NF ! (jv'— NF )! NP 1 • (XII.81)
Для идеального кристалла Np = |
0 и 5 К 0 Н ф = 0. |
Изменение |
свобод |
ной энергии при образовании NF дефектов представится |
выражением |
A G = G ( / V F ) - G ( 0 ) = ] V F |
§р-Г5к 0 „ф = |
|
|
|
N\ |
|
N'\ |
|
|
= /VF gF-kT\n |
{ N _ N p ) l |
N p I |
(N'-Np |
)INP\ |
• |
( X I L 8 2 > |
* Величина Up относится к изменению энергии системы при переходе ка
тиона из одного среднего положения (узел) в другое среднее положение ^меж доузлие). Так как при таком переходе изменяются условия взаимодействия ионов с окружением, то изменяется и характер движения ионов, и не только катиона, перешедшего в междоузлие, но также ионов, по соседству с которыми находится вакансия или занятое междоузлие. Поэтому с образованием дефекта связано ненулевое значение s F . Если указанных эффектов не учитывать, то ве личину gF следует приравнять изменению потенциальной энергии ир .
Воспользуемся формулой Стерлинга для факториалов больших чи сел и запишем
AG = NF gP — kT [А/ In N — (N - |
NF ) ln (N — NF ) — 2NF lnNP |
+ |
+ N'\nN' — (N'— |
NF)]n(N' — Np)]. |
(XII.83) |
Равновесное значение Np в кристалле при заданных T, р и N находим из условия минимума свободной энергии:
Щ>~) |
= |
^ - f e r |
[ l n ( A / - t f F ) + l - 2 1 n t f F - 2 + |
|
|
|
NF |
Np |
+ \n(N'~NF |
) + |
l]==g F |
+ W l n N _ N p |
N ' _ N p =0 - (XII.84) |
Учитывая, что согласно |
исходным посылкам |
Np € N, N', |
получаем |
формулу |
|
|
|
Np |
Np |
p), |
(XI 1.85) |
|
k T =K(T, |
где в левой части стоит произведение доли вакантных мест (доля от общего числа узлов) на долю занятых междоузельных мест, — запись в форме «произведения растворимостей». Константа К. связана со сво бодной энергией образования дефекта равенством
Изменение величины К в зависимости от температуры определяется соотношением
ід\пК\ |
hp |
(XII-87) |
hH, = |
где hP — изменение энтальпии |
при образовании |
дефекта. |
Формулы ( X I 1.86) и ( X I 1.87) согласуются с |
опытными данными |
о температурной зависимости концентрации дефектов и могут быть использованы для определения характеристикgF, hp Tsp = hp —gp процесса образования дефекта, если экспериментально определена
зависимость -jf~= f (Т). При высоких температурах, вблизи точки
плавления, использование соотношения (XI 1.87) может, однако, вызвать возражения, поскольку концентрация дефектов становится большой, и не учитывать взаимодействие между ними было бы необос нованным (при 420°С, вблизи точки плавления кристалла AgBr, концентрация дефектов около 3,7%).
Случай дефектов по Шоттки мы подробно разбирать не будем, по
скольку |
вывод совершенно |
аналогичен. При одинаковой |
валентности |
катиона |
и аниона получаем формулу |
|
|
|
|
|
|
go |
|
|
N. |
N. |
- |
- J . |
|
|
~ - |
^ - |
^ е |
k T ~ K , |
(XI 1.88) |
где N — число узлов в подрешетке катионов (анионов); Ns — число катионных (анионных) вакансий, gs — изменение термодинамиче ского потенциала Гиббса при образовании пары изолированных ва кансий, т. е. при переходе одного катиона и одного аниона из узлов внутри кристалла в новые узлы на поверхности. Левая часть форму лы (XII.88) представляет произведение долей катионных N$ IN и анионных Ns IN вакансий.
§ 5. Кооперативные явления
Рассмотрим кристаллическую решетку, в которой для каждого узла существуют два способа, две возможности быть занятыми. Два рода возможных состояний обозначим А и В. В случае бинарного сплава или твердого раствора символы А и В будут относиться к ато мам (молекулам) разного сорта. В модели ферромагнитного вещества два рода состояний — это атомы данного металла (например, железа) с различной ориентацией электронного спина: допустим, А — атом железа с положительной ориентацией спина, В — атом железа с отри цательной ориентацией спина. Вообще говоря, в узлах металлической решетки находятся положительные ионы, но для той модели, которая будет рассматриваться, это несущественно. Для простоты частицы А и В, находящиеся в узлах решетки, будем далее называть всегда ато мами. Оговорим, однако, что А и В не могут быть ионами разного зна
|
|
|
|
|
ка; |
случай |
ионного кристалла |
AB из рассмотрения исключается. |
|
Будем считать кристалл правильным в том отношении, что все |
узлы решетки заняты, все междоузлия |
свободны. Обозначим через |
NA |
И NB |
числа атомов типа |
А и В соответственно; N = NA + N Q — |
общее число атомов в системе |
(число узлов решетки). При заданных |
значениях |
JVA и N B существует •д , ^ |
^ конфигураций, отличаю |
щихся в отношении распределения атомов А и В по узлам решетки. Вероятность некоторой і-й конфигурации пропорциональна величине е х р / ' — — ), где Ut — потенциальная энергия системы в заданной
конфигурации. Энергетически выгодные конфигурации (конфигура ции с меньшими значениями Ut) имеют большую вероятность. В тех системах, которые мы будет рассматривать (А и В — незаряженные частицы или ионы одинакового заряда), сопоставляя энергии различ ных конфигураций, в первом приближении можно учитывать лишь взаимодействие ближайших соседей. Поэтому, говоря об энергии взаи модействия пары частиц, мы будем далее иметь в виду пару ближай ших соседей. Для кристаллической решетки, образованной частица ми А и В, возможны следующие три варианта:
I . Энергии парных взаимодействий типа А — А, В — В и А — В одинаковы. В этом случае всем конфигурациям системы (речь идет о способе распределения частиц А и В по узлам) отвечает одна и та ж е потенциальная энергия. Все конфигурации системы имеют одинако вую вероятность, и распределение атомов А и В по узлам решетки будет полностью беспорядочным (рис. 53, а).
I I . Взаимодействия типа А — В |
энергетически более |
выгодны- |
чем взаимодействия типа А — А и В |
— В. В этом случае потенциал ь- |
. ная энергия системы тем меньше (множитель ехр ^— - ^ j |
тем боль |
ше), чем больше число смешанных пар в системе. Наименьшую потен циальную энергию система будет иметь в такой конфигурации, при которой число пар А — В в системе максимально. Для системы стехиометрического состава это отвечает правильному чередованию ато мов А и В в решетке (рис. 53, б ) , когда каждый атом А окружен ато мами В и наоборот. Такую полностью упорядоченную структуру си-
|
•-/ O-Z |
|
О О • О • • |
€tN Q * N Q 4 * 4 0 |
О О • • О О |
о • • • о • |
а Ч Ъ ^ Ъ ч * |
о • • • • о |
о • о о о • |
«^ХЧЧЯ |
о • • • о о |
• • о • • о а * \ р * Ъ ч * |
• • • о о о |
• о • • • о |
^ц^оХ0 |
• • • О О О |
о о о • о о о ч * Ъ Ѵ о ч * о • • • о о
а |
|
5 |
|
6 |
Рис. 53. |
Распределение частиц А и В по |
узлам |
решетки: |
/ — у з л ы , |
занятые по способу |
А; 2 — узлы, занятые |
по способу В; а — |
беспорядочное распределение; б |
— сверхструктура; в — случай |
«выделения» |
стема будет иметь при Т = 0. С повышением температуры степень упорядоченности будет уменьшаться, но все же в определенной темпе ратурной области (часто весьма широкой) можно будет говорить о существовании в кристалле двух подрешеток, одна из которых занята в основном атомами А, другая — в основном атомами А. Можно вы делить правильные положения атомов А (а-узлы) и правильные поло жения атомов В (ß-узлы); к правильности геометрической структуры решетки добавляется правильность (пусть неполная) в распределении атомов А и В по узлам. В таком случае говорят, что кристалл имеет сверхструктуру.
I I I . Взаимодействия типа А — В энергетически менее выгодны, чем взаимодействия типа А — А и В — В. В этом случае повышается вероятность конфигураций, которым отвечает небольшое число пар смешанного типа. Наблюдается тенденция к распределению атомов таким образом, чтобы имелись области, состоящие преимущественно
из атомов |
одного |
сорта, А или |
В, — так называемое |
«выделение» |
(рис. 53, |
в). |
При |
понижении |
температуры происходит |
расслаи |
вание: система |
из |
микрогетерогенной превращается |
в |
гетероген |
ную. |
|
|
|
|
|
|
Среднее число пар разного рода в системе при заданной температу ре определяется статистически. Упорядочение и выделение с ростом температуры уменьшаются; при высоких температурах распределе ние по узлам в случаях I I и I I I хаотическое, как и в случае I . Темпе-
ратурную границу, разделяющую области упорядоченных и неупо рядоченных структур, будем обозначать Тс*.
Рассмотрение модели решетки, по узлам которой статистически распределены частицы двух сортов (причем в этом распределении су щественную роль играет взаимодействие между ближайшими сосе дями), представляет интерес для решения ряда проблем.
Если под структурными элементами А и В понимать атомы, моле кулы или ионы разного сорта, то модель описывает твердые растворы замещения: металлические сплавы, молекулярные твердые растворы, твердые растворы солей (допустим, это система NaCl — NaBr, где ионы Cl" и В г могут замещать друг друга в подрешетке анионов)**. Идеальные твердые растворы образуют изотопы; большинство же твер дых растворов замещения принадлежит к типу I I или к типу I I I , так что при низких температурах наблюдается либо сверхструктура, либо выделение. Сверхструктуры образуют, например, сплавы ZnCu, AuCu, AuCug.
Наличие сверхструктуры обнаруживается в спектрах рассеяния рентгено вых лучей по появлению дополнительных линий, называемых линиями сверх структуры (при сопоставлении со спектром полностью неупорядоченной систе мы). Появление линий сверхструктуры объясняется следующим обстоятельст вом. В неупорядоченном сплаве средние концентрации атомов А и В не меняются
от плоскости к плоскости; все плоскости |
равноценны. При наличии же сверх |
структуры будут чередоваться |
плоскости, обогащенные соответственно атомами |
А или В, и расстояние между |
идентичными плоскостями будет вдвое больше, |
чем в случае неупорядоченного |
сплава (рис. |
53,6). В результате этого на рентге |
нограммах и обнаруживаются дополнительные отражения (линии сверхструкту ры). Эти линии будут тем интенсивнее, чем сильнее различаются атомные фак торы рассеяния для частиц А и В и чем больше степень упорядоченности.
Проблемы ферромагнетизма и антиферромагнетизма — другой круг вопросов, для решения которых необходимо рассматривать ста тистику ближайших соседей в решетке.
Охарактеризуем кратко, в чем состоят особенности ферромагнитных и анти
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ферромагнитных |
кристаллов по сравнению |
с |
нормальными |
парамегнетиками. |
Вещество называют парамагнитным, если |
его |
магнитная |
восприимчивость |
положительна***. Все вещества, образованные |
атомами (молекулами, |
ионами) |
с |
* Для уточнения необходимо |
указать, |
что при определении |
температуры |
Тс речь |
идет о так называемой дальней упорядоченности |
(см. § 6): при Т < |
Г с |
степень |
дальней |
упорядоченности |
больше |
нуля, |
при |
7 ' > Т С — равна |
нулю. |
** Поскольку речь идет о распределении |
ионов одинакового |
заряда, |
твер |
дые ионные растворы могут быть |
включены вкруг |
рассматриваемых |
объектов. |
Действительно, при замене иона А + |
на ион В + |
(или иона А - на ион В - ) |
кулонов- |
ская составляющая энергии взаимодействия не изменится; однако, составляющие, связанные с близкодействующими силами, будут, вообще говоря, различны.
Именно |
близкодействующие силы будут влиять на |
распределение |
ионов |
А + и |
В + ( А - |
и В - ) по узлам соответствующей подрешетки, |
и при изучении такого |
рас |
пределения в первую очередь надо учитывать взаимодействие между |
ближайши |
ми соседями. |
|
|
|
*** Магнитная восприимчивость определяет величину магнитного момента, индуцированного под действием внешнего магнитного поля:
M =*#,
где M — индуцированный магнитный момент, отнесенный к единице объема вещества; H — напряженность внешнего магнитного поля; у. — магнитная вос приимчивость.
ненулевым суммарным электронным спином (а следовательно, ненулевым маг нитным моментом), являются парамагнитными. Парамагнетизм их связан с ориентацией магнитных моментов (ориентацией спинов) во внешнем магнитном поле. В нормальном парамагнетике взаимодействием между спинами можно пре небречь и считать ориентации спинов независимыми. В отсутствие поля ориента ции спинов в такой системе полностью беспорядочные, суммарный магнитный момент вещества равен нулю. При наличии внешнего поля энергетически более выгодны ориентации спина по полю. Энергия спина в поле напряженности Я есть
и — — [іЯ = — р-Я COS Ѳ,
где (л — спиновый магнитный момент; Ѳ — угол между направлением спина и
направлением поля (ограничимся классическим выражением). Если взаимо действие между спинами отсутствует, то вероятность заданной ориентации спи на (заданного значенияѲ) зависит только от больцмановского множителя
Нетрудно показать, что при низких температурах (kT <(АЯ)
практически все спины оказываются ориентированными по полю. При высоких температурах и сравнительно слабых полях (Й7">[АЯ) магнитная восприимчи вость X образца плотности N/V дается выражением
N |
|
V |
Ш |
т. е. х ~ 1 / Г ( з а к о н Кюри). Нормальными |
парамагнетиками являются, например, |
газообразные кислород, окись азота, соли металлов группы платины, железа. Среди веществ, образованных атомами с ненулевым суммарным спином, имеются, однако, такие, свойства которых сильно отличаются от свойств обыч ных парамагнитных веществ, и в особенности при низких температурах и слабых полях. Это ферромагнетики и антиферромагнетики. Магнитная восприимчивость ферромагнетиков очень велика (значительно больше, чем нормальных парамаг
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
нетиков), и сложным образом зависит от величин Я и Т. |
Ненулевая намагничен |
ность сохраняется в течение длительного времени после |
снятия поля. |
Специфи |
ческие |
особенности ферромагнетика исчезают, однако, при высоких температурах |
(Т> |
Тс, |
где |
Тс |
— точка |
Кюри). |
Антиферромагнетики, |
напротив, |
характери |
зуются |
малой |
магнитной |
восприимчивостью. В |
широкой области |
температур |
она |
заметно |
меньше магнитной |
восприимчивости |
нормальных парамагнетиков, |
а при очень низких температурах практически нулевая. При высоких темпера турах вещество утрачивает свои особые свойства и ведет себя как нормальный парамагнетик.
Особенности свойств ферромагнетиков и антиферромагнетиков свя заны с тем, что между атомами имеется взаимодействие чисто квантовомеханической природы (обменное взаимодействие), энергия которого зависит от взаимной ориентации соседних спинов. Для ферромагне тиков энергетически выгодна параллельная ориентация спинов, для антиферромагнетиков меньшая потенциальная энергия отвечает анти параллельной ориентации. В результате ферромагнетики представ ляют систему с «выделением», антиферромагнетики образуют сверх структуру.
В теории адсорбции и абсорбции используют модель так называе мого решеточного газа, представляющего совокупность молекул, каждая из которых может занимать один узел решетки. Число узлов решетки фиксировано и оно больше, чем число молекул. Для узла возможны два состояния: он может быть либо занятым молекулой, либо вакантным. Адсорбцию на полимере описывают с помощью моде-
ли одномерной решетки; адсорбции на поверхности будет отвечать модель двумерной решетки. Случай трехмерного решеточного газа соответствует адсорбции (например, абсорбции газообразного водо рода палладием). Молекулы решеточного газа можем обозначить сим волом А, вакансии — символом В, и задача в общем виде будет фор мулироваться так же, как и в случае бинарного твердого раствора за мещения. Равновесные свойства системы в значительной степени опре делятся тем, каково различие между энергиями взаимодействия пар типа А — А, В — В и А — В.
Задачи, которые включают рассмотрение статистики ближайших соседей, ставятся также в решеточных теориях жидкостей (дырочные теории) и жидких растворов.
Явления, связанные с процессами упорядочения и разупорядочения в кристаллических системах, получили общее название коопера тивных явлений. В самом названии подчеркивается, что это явление присуще лишь совокупности частиц. Кооперативные явления (обра зование сверхструктуры в сплавах, расслаивание, ферромагнетизм и т. д.) обусловлены тем, что имеется различие в энергиях взаимодей ствия пар ближайших соседей разного типа. Теория кооперативных явлений есть статистическое рассмотрение простой модели, основан ной на следующих допущениях:
1. Решетка является правильной, все узлы ее заняты по способу А или по способу В. Параметры решетки не зависят от конфигурации системы.
2. Из статистической суммы для всей системы можно выделить множитель Zc , который отражает конфигурационную статистику уз лов. Сумма по состояниям для колебаний атомов А и В около положе ний равновесия не зависит от конфигурации системы:
и. ? ^
кг
г |
= гКОл% |
е |
= 2 к о Л 2 с |
(хіі.89) |
|
|
|
|
|
|
î |
|
|
|
|
|
иі |
|
|
|
V |
— T T |
|
|
Z C |
= 2 J e |
, |
( X I 1 . 9 0 ) |
|
|
î |
|
|
где Ut — потенциальная |
энергия системы в і-й конфигурации; |
различ |
ные конфигурации относятся к различным способам распределения частиц А и В по пронумерованным узлам; энергия Ui определяется для статической решетки, когда все частицы находятся в узлах.
3. Потенциальная энергия межмолекулярных взаимодействий в системе аддитивно складывается из энергий взаимодействия пар бли жайших соседей.
Описанная модель была предложена впервые Изингом для описа ния системы положительно и отрицательно ориентированных спинов в ферромагнетике и антиферромагнетике, и поэтому данную модель называют моделью Изинга. Можно сказать, что теория кооперативных явлений представляет статистическую теорию модели. Изинга.
Введем следующие обозначения: N — общее число узлов решетки (N = N\ +NB ); z — координационное число решетки (число бли жайших соседей для одного узла); — энергия взаимодействия пары ближайших соседей типа і — j = А , В, так что имеем набор ве личин ИДА , ывв и идв); Ntj — число пар ближайших соседей типа і—/. Полная энергия межмолекулярных взаимодействий в рассматри ваемой системе имеет величину
^вз = NAA АА N,вв "вв AB "AB (XII.91)
В общем случае следует учитывать также потенциальную энергию атомов во внешнем поле, которая может быть различной для атомов А и В. Так, энергия спина во внешнем магнитном поле зависит от его ориентации и равна х+ = — цН, если спин ориентирован в направле нии поля; Х- = pH, если спин ориентирован против поля. Суммарная
потенциальная |
энергия системы |
в общем случае |
имеет |
вид |
|
|
|
|
У = ^ А Х А + ^ В |
І В + |
^ А А "АА + |
^ В В «ВВ + |
^ А В »AB - |
(XII - 92) |
|
|
|
|
|
где |
Xi—потенциальная |
энергия |
атома |
і |
во |
|
|
|
|
|
внешнем |
поле |
(І-А, |
В). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Формулу |
( X I 1.92) |
можно |
|
упростить, |
так |
|
|
|
|
|
как |
между |
значениями |
N A A |
, |
N B |
B |
и |
N A |
B су |
|
|
|
|
|
ществует |
связь. Д л я , |
нахождения |
этой |
связи |
|
|
|
|
|
сделаем |
следующее |
построение (рис. |
54). Выбе |
|
|
|
|
|
рем |
некоторый |
|
атом |
В |
и соединим его линиями |
|
|
|
|
|
со всеми ближайшими |
соседями, |
в |
|
результате |
|
|
|
|
|
чего получим z линий. |
После того |
как мы про |
|
|
|
|
|
делаем ту же процедуру для |
всех |
других узлов, |
Рис. |
54. |
Схема |
|
занятых |
по способу |
В, на |
|
диаграмме |
будет |
для |
подсчета чис |
|
иметься ZNB линий. Однако |
общее |
число линий |
ла |
пар |
В—В |
|
|
можно подсчитать другим способом, заметив, что |
между каждой парой В — В имеются две линии, |
между |
каждой |
па |
рой А — В — одна |
линия; между парами А — А линий нет. Поэтому |
|
|
|
|
|
|
zNB |
=2NBB+ |
|
NAB. |
|
|
|
|
|
|
|
|
(XI |
1.93) |
Произведя |
аналогичные построения для атомов А , получим равенство |
|
|
|
|
|
|
^ д |
= |
2NAA |
+ МАВ. |
|
|
|
|
|
|
|
|
(XI |
1.94) |
Следовательно, |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
^ А А = |
т |
Л |
- |
Щ |
: |
|
|
^вв = T |
( z N |
B |
- |
*AB) : |
|
(XI |
1.95) |
(и, кроме |
того, NB |
= |
N |
— |
|
N A ) - |
После |
подстановки |
выражений |
( X I 1.95) в |
формулу |
|
(XI 1.92) |
получаем |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
U |
= NA |
|
ХА + |
~Г |
"АА ) + |
NB |
Хв |
+ |
-"вв |
+ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
+ |
NAB |
" А В - - Г " ( |
" А ^ + |
"ВВ) |
І Х в + |
Ѵ |
|
"вв) |
|
+ |
|
|
7.А — Хв + |
"f" |
(«AA - |
"вв) |
+ |
NABw, |
(XI 1.96) |
|
|
|
где |
|
|
|
|
|
|
W = "AB — - y |
("AA + " B B ) • |
|
(XII.97) |
Величина 2a> характеризует |
изменение |
энергии |
системы |
при замене |
пары А — А и пары В — В на две пары А—В, т. е. при процессе |
(А — А) + |
(В — В) = 2 (А — В). |
|
|
В решеточных теориях растворов величину w называют энергией взаи
|
|
|
|
|
|
|
|
мообмена. |
Согласно |
(XII.97) w < 0, |
если |
идВ < Ѵ2 (ЫДА + «вв). |
т. е. если |
образование |
пар смешанного типа |
(А — В) энергетиче |
ски |
более |
выгодно, |
чем образование |
пар |
однотипных |
моле |
кул |
(А — А и В — В ) ; |
w > 0, если «дв > Ѵ2 («ДА + «вв). |
т. е. |
если образование пар А — В энергетически менее выгодно, чем обра зование пар А — А и В — В.
Из выражения ( X I 1.96) следует, что при заданных значениях N и N A И заданном внешнем поле потенциальная энергия системы зависит только от числа пар А — В. Все конфигурации, которым отвечает одно и то же значение /Ѵдв, имеют одинаковую потенциальную энер гию; они, следовательно, равновероятны.
Поскольку мы пользуемся каноническим распределением, число узлов и число атомов данного сорта в системе считаем фиксированным. В случае твердых растворов, когда А и В представляют атомы разного рода (или в случае решеточного газа, когда А — атомы, В — вакан сии), ставится, следовательно, условие: N A = cosnt. В таком случае статистическую сумму (XII.90), с учетом выражения (XII.96), можем
записать |
в виде |
|
|
|
|
|
|
*<*в + Т " в в ) |
|
* А [ * А - * В + |
Т ( " А А ~ " В В > ] |
ZC(N, |
Л/А , T) = е |
kT |
e |
kT |
X |
|
|
|
|
N ABw |
|
х Ц g (N, NA, NAB) e
JVAB
где g (N, NA , NAB) — число конфигураций, |
которым отвечает одна |
и то же значение Л/дв при заданных N и NA ; суммирование проводит |
ся по всем возможным значениям NAB- |
|
В случае ферромагнетиков символы А и В относятся к атомам од |
ного и того же сорта, отличающимся только |
по ориентации спина. |
Поэтому, пользуясь каноническим распределением, мы налагаем лишь
условие N — NA+NB |
— const; величины |
NA И NB являются пере |
менными; для них допустимы все значения от 0 до N . Запишем: |
|
N ( * B + f "Вв) |
N |
2 С (N, Т)=е |
k T . |
S aNA ж |
"А=0