Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Смирнова Н.А. Методы статистической термодинамики в физической химии учеб. пособие

.pdf
Скачиваний:
151
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.12 Mб
Скачать

на использовании приведенных величин. Потенциал Леннард-Джон- са (и некоторые другие потенциалы) может быть записан в виде произ­ ведения энергетической константы е (глубина потенциальной ямы) на функцию безразмерного аргумента х = г/а, зависящего от расстоя­

ния [см. формулу ( Х . 2 8 ) ] :

 

U = E 7 ^ - j ;

(XI.58)

Функция у однозначно определена параметрами тип

потенциала

[для

потенциала

6—12 ? (Х) = 4 пXе)].

Введем приведенные

без­

размерные параметры:

 

 

 

 

 

 

 

 

 

r

Г* =

kT

 

( X I . 59)

 

 

 

 

г* = — ;

 

 

 

 

 

 

CT

 

 

Я

 

 

и приведенный второй вириальный

коэффициент

 

 

 

 

 

 

п*

в г

 

 

( X I . 60)

 

 

 

 

2

 

Ь

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

тсЛ/0стЗ

 

 

 

где Ь =

2/ЗтгЛ/0 о3

учетверенный собственный объем

молекул

(кон­

станта

уравнения Ван-дер-Ваальса).

В

соответствии

с формулами

( X I . 5 7 ) — ( X I . 6 0 )

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1 о*).

 

В ; =

3 | | е , (k T

 

}W - 1 |( ] df ] = - 3 \ T*

- l ) r " d r * =

 

- Ï P '

- ) ( T N T ) - ' J

 

 

 

 

о V

 

/

 

 

о

 

 

 

 

 

 

=

В'2(Т*).

 

(XI.61)

Для всех веществ, молекулы которых взаимодействуют согласно од­

ному и тому же закону [допустим, согласно потенциалу 6—121,

функ­

ция у (г*) одна и та же, так что для веществ данного

класса

зависи­

мость В2*(Т*)

универсальна. Зависимости В2*(Т*)

для

случая

потенциала Леннард-Джонса и некоторых других модельных потенциа­

лов типа ( X I . 5 8 )

табулированы*.

Обычный путь

практического расчета второго вириального коэф­

фициента при заданной температуре состоит в следующем. Исходя из данных, которые имеются относительно парного потенциала для рассматриваемого вещества, останавливаются на той или иной форме зависимости и (г) и используют табличные значения е и а

таблицах

приводятся

обычно величины ~

°К

и o  ;

иногда

также

значения

Ь, см3/моль).

Для данной температуры

Т определяют

приве-

 

 

kT

 

 

 

 

 

денную

величину Т* = ——. По таблице

зависимости

В2*(Т*)

для

потенциала рассматриваемого типа находят В2*(Т*)

и

затем

 

 

 

Вг(Т) =ЬВ'2(Т)*.

 

 

 

 

( X I . 62)

* Наиболее ценное пособие для расчетов —монография [2].

340

Решают и обратную задачу: на основании измеренных эксперимен­ тально значений второго вириального коэффициента при различных температурах находят параметры потенциала парного взаимодейст­ вия для данного вещества. Форма потенциала при этом задается за­ ранее. Один из способов расчета состоит в следующем. Из опыта опре­ деляют величину

 

 

в2 2 )

( X I . 63)

В силу равенства (XI.62)

 

экспер

 

 

 

 

 

KR=

в2 i-Z-L .

( X L 64)

 

 

B2

•kT,

 

 

 

 

 

 

 

В2*

kT\

 

Функциональная зависимость

— задана; известны

также ве­

личины Кв ,

и Т2: Таким образом, единственным неизвестным яв­

ляется параметр s, и соотношение

(XI.64) может быть использовано

для нахождения этого параметра. Решать задачу можно методом по­

вторных проб и ошибок. Величину

г/k следует варьировать

до тех

пор, пока правая часть выражения

(XI.64),

найденная по

таблице

при выбранном г/k (и температурах

7\ и Т2),

не совпадет с

левой

частью, определенной из опыта. За начальное

значение часто берут

величину г/k = 0,77 Тс, где Тс — критическая

температура

(данное

приближенное соотношение установлено на основании принципа соот­ ветственных состояний и обобщения опытных данных). После того

как

величина е определена и, следовательно, известны

точные значе­

ния

В2*(Т*) и Вг*{Т*),

можем

найти величину Ъ:

 

 

 

0 2 ( Г

г )

(1 = 1,2) ,

(XI.65)

а отсюда параметр а.

 

 

 

 

Покажем, далее, что с помощью формулы (XI.57) для модели раз­ реженного газа, в котором между частицами — твердыми шарами, —

действуют

силы

притяжения,

получаем уравнение состояния, анало­

гичное уравнению Ван-дер-Ваальса.

Рассматриваем потенциал вида

 

 

и (г) =

о о

при

0 < г < <т

 

 

и [г) < 0

при

г > 0

(потенциал

типа

потенциала

Сюзерленда; рис. 43, в). Предположим,

что температура сравнительно высокая и во всей области отрицатель­

ных значений и (r)

(r) |< kT. Интеграл Ь2 представим следующим

образом:

 

 

 

 

 

 

 

оо

/

и (Г)

\

1

/

и (Г)

ч

: 2к j

I e

k T

— 1 I гЧг = J

I е

k T

— 1 | r*dr +

341

оо i

а (Г)

ч

 

а

оо

л \ \

к Т

~ l ) r i ^ ~ — 2 n § r i ^ ~ ~ k Y § u ( r ï r * d r =

о V

 

/

0

 

о

оо

( X I . 66)

В ходе преобразований мы учли, что при

и(г)

kT ,

.и(г)

г < о « кТ = 0 ; при г > 0

Ufr)

использовали

разложение

e

~ 1— ~г,

приняв

во внимание,

что -j^jr- 1.

Подстановка

выражения ( X I . 6 6 )

в ( X I . 5 6 ) дает

 

2

2KN-

 

(r)r*dr = Ь

RT

( X I . 67)

 

 

 

 

где b =-r-KN0<33

— учетверенный

собственный

объем

молекул, и

 

 

 

со

 

 

 

 

 

 

 

(r) r^dr •

 

( X I . 68)

 

: — 2ltW2

J

U

 

 

положительная величина, не зависящая от температуры и характери­ зующая интенсивность сил притяжения.

Ограничившись в вириальном уравнении членом порядка 1/Ѵ, получим

4 - l + 4

e

l

+ r l r ( » - £ г Ѵ

(ХІ.69)

RT

 

у

V \

RT)

 

К аналогичному виду можно привести уравнение Ван-дер-Ваальса. Действительно, согласно ( X I . 17)

 

 

 

Р =

RT

 

а

 

 

 

 

 

 

 

-

 

r e ­

 

 

 

 

 

 

 

 

iz — Ь

 

V 2

 

 

 

 

Для

разреженного газа

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

1

/

*

,

 

 

 

v — ь

 

 

 

1 +

— .

 

 

 

1 - т )

 

у

\

V

 

 

так

что

 

 

 

 

 

 

 

1 + т)-^г=т

 

v I

RT)

( X I . 70)

 

р = т1

 

 

RT

(

Ь \

a

RT

 

 

1

 

 

Уравнения состояния

( X I . 6 9 )

и ( X I . 7 0 )

совпадают.

 

Запишем формулу для расчета фугитивности газа малой

плотности,

в вириальном уравнении которого можно ограничиться членом со вторым вириальным коэффициентом. В рассматриваемом приближе-

342

НИИ

~

RT

ß 2

RT

RT

В2

 

P

V

P

Р

1+4г

 

 

 

 

 

V

Так как поправочный член Bz/V в знаменателе мал по сравнению с единицей, с точностью до членов первого порядка малости,

 

nf

ру

 

Ѵ=*

+ ß 2 и V

= ß 2 .

(XI.71)

 

P

Р

 

После подстановки зависимости (XI.71) в формулу (XI.16) получим

RTlnf=RT\np

+ B2(T)p.

(XI.72)

С помощью формул (XI.57) и (XI.72), следовательно, можем теорети­ чески рассчитать величину фугитивности газа небольшой плотности при заданных значениях р и Т, основываясь исключительно на дан­ ных о потенциале парного взаимодействия молекул.

Полученные выше результаты относятся к чистым газам. Для смеси газов вириальное разложение также можно представить в фор­ ме (XI.21), однако вириальные. коэффициенты следует уже считать функциями не только температуры, но и состава. Зависимость от со­ става имеет форму

где В — второй вириальный коэффициент смеси заданного

состава

(индекс 2 опустили), .^-второй вириальный коэффициент,

связанный

с наличием парных взаимодействий типа і—/. Величину

Bij

можно

рассчитать по формуле (XI.57), подставив в нее потенциал

парного

взаимодействия между молекулами і и /.

 

 

В заключение, однако, отметим, что чисто физическое рассмотре­ ние, основанное на допущении об аддитивности и ненасыщаемости взаимодействий, не оправдывается для систем с химическими превра­ щениями (например, в случае паров муравьиной или уксусной кислот, содержащих значительное количество димеров). При сильной ассоциа­ ции в вириальном разложении для газа, состоящего из мономеров и димеров, недостаточно учитывать только член со вторым вириальным коэффициентом; уже при малых давлениях вириальное разложение может расходиться (хотя тройные группы и группы более высокого порядка практически отсутствуют). Вывести уравнение состояния газа с химическими превращениями проще всего путем рассмотрения си­ стемы как идеальной газовой смеси, в которой концентрации ассоци-

атов

определяются законом действующих масс (см. выражения

для

констант равновесия в гл. I X , §

15), а общее давление равно p = 2

pu

где рі

 

 

i

— парциальное давление

і-го молекулярного индивида (ассоци-

ата, мономера). Некоторые вопросы, связанные с применением зако­ на действующих масс к ассоциированным растворам, будут обсуж­ даться в гл. X I V , § 5. Выводы этого параграфа можно применить не только к растворам, но и к газам.

343

XII. ТВЕРДЫЕ ТЕЛА

Характерное отличие твердого тела от веществ в других агрегат­ ных состояниях состоит в том, что атомы твердого тела совершают лишь малые колебания около некоторых положений равновесия. Устойчи­ вому равновесному состоянию твердого тела отвечает кристалличе­ ская структура — правильное периодическое расположение атомов или, если говорить более строго, правильное расположение точек, около которых колеблются атомы*. Эти точки, определяющие равно­ весные положения атомов, называют узлами кристаллической ре­ шетки.

Вещества находятся в кристаллическом состоянии при температу­

рах от О °К и до некоторого значения

Тпл, зависящего от давления

(однако, чтобы заметно изменить Тпл,

нужны весьма высокие давле­

ния). Температура плавления для различных веществ меняется в широких пределах в зависимости от характера взаимодействий в си­ стеме. Единственное вещество, которое при атмосферном давлении остается жидким вплоть до абсолютного нуля, — гелий, особые свой­ ства которого находят объяснение в свете квантовой статистической теории. Кристаллизация гелия происходит только при высоком дав­

лении (при

р = 25 апгм Г к р и с т

= 1,5 °К).

Частицы,

расположенные в

узлах кристаллической решетки, бу­

дем называть структурными элементами. Структурными элементами могут быть атомы (алмаз), молекулы ( Н 2 0 , С 2 Н 4 ), ионы (например, ионы Na+ и Cl" в кристалле поваренной соли). В зависимости от ха­ рактера сил, связывающих атомы или молекулы в твердом теле,

различают кристаллы

пяти

классов

(классификация по типам

связей):

 

 

 

 

 

1 )

ионные кристаллы

(NaCl,

LiF);

 

 

2)

кристаллы с ковалентной связью (алмаз, карбид кремния);

3)

молекулярные кристаллы, в которых взаимодействие между

молекулами является чисто ван-дер-ваальсовым

(Ar, СН4 );

4)

кристаллы с

водородными

связями

( Н 2 0 ,

HF);

5)

металлы (Na,

Ca,

Си).

 

 

 

Понимание природы кристаллического состояния и специфики связей разного типа может дать квантовая теория твердого тела. В задачу этой теории как одна из основных проблем входит изучение электронных состояний системы многих атомов, образующих перио-

* В аморфных телах, в отличие от кристаллических, атомы колеблются около беспорядочно расположенных точек. Аморфное состояние твердого тела является метастабильным. Во многих случаях, однако, аморфное состояние сох­ раняется в течение очень долгого времени и перехода в устойчивое кристалличес­ кое состояние практически не наблюдается.

344

дическую решетку (зонная теория твердого тела, некоторые качест­ венные результаты которой были изложены в гл. V I I I , § 4). Рассмот­ рение основного электронного состояния системы затрагивает проб­

лему

энергии

кристаллической решетки (энергии связи), рассмотрение

возбужденных

состояний, с оценкой их вероятностей при различ­

ных

температурах, — проблему электронного вклада в температур­

ную зависимость термодинамических функций. В квантовой теории движения электронов и ядер обычно предполагают квазинезависимы­ ми. В соответствии с этим приближением термодинамические функции будут включать независимые вклады: электронную составляющую и составляющую, обусловленную движением ядер, которые образуют решетку («решеточная» составляющая). Вклад электронной составляю­ щей в термодинамические функции металла (именно для металлов эта составляющая может быть наиболее существенна) был оценен ранее

(гл.

V I I I ,

§ 5); было найдено,

что при обычных температурах

вклад

электронов

в теплоемкость металла очень мал. В настоящей

главе

мы

будем

изучать решеточную

составляющую.

 

Атомы (нейтральные или ионизованные) в кристалле периодиче­ ски смещаются от положения равновесия, колеблются. В случае двух- и многоатомных молекул, помимо смещения центра инерции молекулы, происходят вращение молекулы как целого и внутримолекуляр­ ные колебания. Вращение молекул, не обладающих сферической сим­ метрией, является в кристалле заторможенным, так как потенциаль­ ная энергия взаимодействия соседних молекул зависит от их относи­ тельной ориентации. Если затормаживающий потенциал велик, то вместо вращения наблюдаются вращательные качания молекул около положения равновесия — такой ориентации, которая отвечает мини­ муму потенциальной энергии. Возможно, что имеется несколько ориен­ тации, отвечающих минимуму энергии взаимодействия соседей, и тогда более или менее часто, в зависимости от высоты потенциального барьера, молекулы будут менять свою ориентацию, а в промежутках совершать качания около одного из положений равновесия. Враща­ тельные качания молекул называют часто либрационными коле­ баниями.

Дальнейшее статистическое рассмотрение будет относиться к крис­ таллам, в которых структурными единицами являются атомы, нейт­ ральные или ионизованные (одноатомные кристаллы, ионные крис­ таллы типа NaCl).

Качественное объяснение особенностей термодинамических свойств кристаллов по сравнению с жидкостями и газами вытекает из сказан­ ного выше.

Правильное расположение атомов в кристалле — такое, что рас­ стояние между ближайшими соседями не сильно отличается от энер­ гетически наиболее выгодного для пары (расстояние d0 на рис. 43, а),— объясняет, почему внутренняя энергия кристалла ниже, чем внутрен­ няя энергия жидкости при той же температуре. С правильностью структуры, очевидно, связана также меньшая величина энтропии кристалла по сравнению с энтропией жидкости.

Перейдем к выводу количественных соотношений.

345

§ 1. Энергия кристаллической решетки

За нуль отсчета энергии кристалла принимают суммарную энер­ гию изолированных структурных элементов (атомов, молекул или ионов —смотря по типу кристалла) при О °К. Таким образом, энер­ гию кристалла отсчитывают от энергии гипотетического предельно разреженного газа при О °К*.

Энергия одноатомного кристалла, если не учитывать электронной составляющей (а мы договорились электронные состояния не рас­ сматривать), запишется в виде

£ = t / 0 + £ K O J 1 ,

( X I I . 1 )

где U0 — энергия статической решетки,

т. е. такой

решетки, в кото­

рой все атомы занимают равновесные

положения;

Екол — энергия

колебаний атомов. В случае кристаллов, образованных двух- и много­ атомными молекулами, помимо членов, стоящих в правой части (XII.1), следует учитывать также энергию вращательного движения молекул и энергию внутримолекулярных колебаний.

Величина U0 в выражении (XII.1), вообще говоря, зависит от тем­ пературы, поскольку положения равновесия атомов вследствие ан­ гармоничности их колебаний с температурой изменяются (наблюда­ ется термическое расширение кристаллов). Если не учитывать эффек­ тов, связанных с ангармоничностью нулевых колебаний, величину U0 следует приравнять минимальному значению потенциальной энер­ гии рассматриваемой системы частиц и считать не зависящей от тем­ пературы (см. § 2).

Для характеристики энергии кристалла обычно используют по­ ложительную величину, называемую энергией кристаллической ре­ шетки. Эту величину определяют как энергию, необходимую для раз­

деления кристалла на

невзаимодействующие

структурные

единицы,

т. е. для превращения

кристалла в разреженный газ из атомов, моле­

кул или ионов. При 0° К речь идет, очевидно, об энергии

кристалла

£о°к с обратным знаком:

 

 

 

£ к . Р . = £ 0 о К

= U 0 — £0 кол-

( X I I . 2 )

Здесь Еокод—энергия

нулевых колебаний. Для многих кристаллов

эта величина мала по

сравнению

с энергией

статической

решетки

(в частности, для ионных кристаллов она составляет не более одного

процента от значения U0), и тогда

приближенно можем записать:

£к.Р .

£/„.

( X I I . 3 )

Значения энергии решетки для различных кристаллов могут силь­

но отличаться в зависимости от типа связи (табл. 12).

 

* Уточним, что в случае металлов имеют в виду газ из нейтральных

атомов,

в случае ионных кристаллов — газ из

разъединенных положительных

и отри­

цательных ионов.

 

 

346

 

 

 

Т а б л и ц а 12

 

Тип кристалла

Формулормула

E к.p..

 

 

 

ккал/моль

Ионный

NaCl

185

 

 

LiBr

191

С

ковалентной

С (алмаз)

170

связью

SiC

283

Металлический

Na

26

 

 

Ni

101

Молекулярный

Ar

1,8

 

 

C H 4

2,4

С

водородными свя­

H 2 0

12

зями

 

H F

7

Энергию атомных и молекулярных кристаллов можно определить экспериментально на основании данных о теплоте возгонки (субли­ мации) кристалла, т. е. данных о величине Д Я = Qp процесса

[А] = (А),

где квадратные скобки относятся к кристаллу, круглые — к газу. Конечное состояние должно отвечать предельному разрежению газа, поэтому, вообще говоря, требуется вводить поправки на неидеаль­ ность газа в условиях опыта. Используя данные о температурной за­ висимости теплоемкостей кристалла и газа, можем рассчитать энталь-

т

пию сублимации Д Я 0 при абсолютном нуле (ДЯ0 = Д Я Т J ДСр ДГ,

 

= Сргаз — Ср1В).

 

 

и

гдеДСр

Приравняв энтальпию сублимации при 0° К

энергии

сублимации, получим:

= £ к . Р . = — £„•

 

 

ДЯ 0 = Д £ 0

( X I I . 4

Энергия решетки ионного кристалла при 0° К равна изменению

энергии

в следующем

процессе:

 

 

[ А + Х - 1 0 о К

(А%.к + ( Х " Ѵ К ,

(XI1.5)

где А +

и X" — обозначают соответственно катион и анион.

Экспери­

ментально энергию ионной решетки определяют, рассматривая цикл

Борна — Габера.

 

 

 

при Т = 0° К требует

Теоретический расчет

энергии

кристалла

оценки энергии статической решетки U0 и энергии нулевых колебаний

^окол- Методы оценки величины

Е0коя будут

рассмотрены в следую­

щем параграфе. Здесь мы остановимся на методах расчета

величины

ІІ0, энергии статической решетки при Т = 0. Пренебрегая

влиянием

ангармоничности колебаний при Т — 0,

будем считать, что

величина

U0 есть минимальное значение потенциальной энергии взаимодейст­

вия частиц, образующих

кристалл. Для

расчета этой величины тре­

буется знать потенциал

межчастичного

взаимодействия.

Наиболее

347

доступными для теоретического рассмотрения являются такие одно­ атомные кристаллы, в которых силы сцепления чисто ван-дер-вааль- совы (кристаллы Ar, Кг и др.), и ионные кристаллы, образованные од­ новалентными ионами (например, кристалл NaCl). На этих случаях мы и остановимся. Будем исходить из предположения об аддитивности парных взаимодействий (см. гл. X, § 5), которое используется во всех работах, связанных с теоретическими расчетами энергии кристал­ лов. Задача будет заключаться в установлении связи между энергией статической решетки U0 и параметрами потенциала парного взаимо­ действия.

Кристаллы с ван-дер-ваальсовыми взаимодействиями. Предполо­ жим, что кристалл состоит из N одинаковых нейтральных атомов, силы притяжения между которыми являются чисто дисперсионными, и энергия взаимодействия пары частиц может быть описана с по­ мощью потенциала Леннард-Джонса (Х.21) в форме

 

a

b

 

 

и(г)=

( X I I . 6 )

(первый член в

правой части — потенциал отталкивания,

второй

член — потенциал

притяжения; п

порядка 9—15). Энергия взаимо­

действия щ некоторого г'-го атома

со всеми остальными представится

суммой

 

 

 

гч

где rtj — расстояние между атомами і и /, когда они находятся в по­ ложениях равновесия (узлах). Если кристалл макроскопический, а мы рассматриваем именно такой случай, то поверхностными эффек­ тами можно пренебречь и, учитывая правильность структуры, счи­ тать все атомы кристалла находящимися в одинаковом окружении. Тогда

иі = и2 = • • • = ut = и

(XI 1.8)

и полная энергия межатомных взаимодействий в кристалле равна

U=^-

( X I I . 9 )

(множитель 1/2 появляется в связи с тем, что каждую пару при под­ счете энергии мы должны учесть только один раз). Задача сводится к вычислению энергии взаимодействия одного атома со всеми осталь­ ными. Выберем один из атомов в качестве центрального. Ближайшие соседи его образуют первую координационную сферу; число атомов

первой координационной сферы обозначим

zu Rx —• радиус

первой

координационной сферы. Соответственно

z2

число

атомов

второй-

координационной сферы, расположенных на расстоянии R2 от цент­

рального атома и т . д . (R\ <

R2 < R3 <

... ) . Связь

между

величи­

нами R2,R3...

и расстоянием Rx

между ближайшими соседями зависит

от типа решетки. Для кубической решетки R2

— RXV^',

R3 ~

RiV^ 3

348

и т. д. Энергию взаимодействия центрального атома с окружением можем представить в виде*

R"

R] ) ' ' [RS

R<2

Поскольку ван-дер-ваальсовы силы являются короткодействующими, основной вклад в величину и дадут первые слагаемые суммы (ХИЛО). В самом грубом приближении

U = ZI1RÏ~~RT]''

( Х 1 І Л 1 )

Nz1

Учитывая, что параметры решетки при 0° К должны отвечать миниму­ му потенциальной энергии кристалла, находим

du

an

66

— =0 ;

_ p r _ _ j r = o ,

откуда

а

6

6

( X I I . 13)

RI

R\

п

 

Равновесное расстояние Rx между ближайшими соседями согласно ( X I I . 13) определится соотношением

о 6

Нетрудно убедиться [см. зависимости (Х.24)], что значение Rlt да­ ваемое формулой ( X I 1.15), совпадает с расстоянием d0, на котором энергия взаимодействия изолированной пары молекул минимальна. Такой результат является естественным следствием допущения о том, что в величину и дают вклад только взаимодействия атома с ближай­ шими соседями. Параметр решетки Rx несколько изменится, если мы учтем взаимодействие центрального атома не только с атомами первой координационной сферы, но и с более удаленными атомами. Кроме того, на величину Rx влияют квантовые эффекты, которые проявля­ ются через нулевую энергию колебаний.

* Величину и можно выразить через параметры потенциала а и 6, расстояние Ri между ближайшими соседями и параметры, определяемые типом решетки: для решетки заданного типа (например, простая кубическая, гранецентрированная и т. д.) величины zi, Z 2 , а также значения R2/Ri, R3/R1, ... определены. Здесь соответствующих преобразований выражения для энергии и мы делать не будем, а проведем их позднее для случая ионного кристалла.

349

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ