
книги из ГПНТБ / Регулирование качества продукции средствами активного контроля
..pdfЕсли в момент времени t = |
0 на |
вход ключа подана ступенька |
тек а |
|
|
/ б |
1 > Н |
Г ' |
то коллекторный ток нарастает по экспоненте до значения / к п . Дли тельность положительного фронта ^+ф определяется из уравнения заряда базы [141]
|
|
|
t+ = x\n |
|
^ і — , |
|
(506) |
|
|
|
|
/ |
6 |
1 - |
Р |
|
|
где |
т — эффективное время жизни |
|
носителей. |
|
|
|||
|
Выражение |
(506) |
показывает, |
что |
длительность |
фронта умень |
||
шается в основном с ростом тока базы Ли. |
|
|
||||||
|
Накопление концентрации неосновных носителей в базе продол |
|||||||
жается после |
окончания изменения |
внешних токов |
транзистора и |
|||||
заканчивается |
за время |
|
|
|
|
|
||
|
|
|
*„ = ( 2 - З К , |
|
(507) |
|||
где |
т н — постоянная времени накопления носителей. |
|
|
|||||
|
Коэффициент в формуле (507) характеризует степень завершен |
|||||||
ности экспоненциального процесса. |
|
|
|
( |
||||
|
В момент скачкообразного изменения тока базы от значения /бі |
|||||||
до |
отрицательного |
значения / б 2 транзистор не может |
мгновенно |
|||||
выйти из состояния насыщения, так как заряд не может |
измениться |
|||||||
скачком, а также не может мгновенно |
измениться и распределение |
заряда в базе. В течение времени рассасывания неосновных носите
лей |
ток |
коллектора |
остается |
практически |
равным |
значению |
||||||
тока |
насыщения / к н . |
Время |
рассасывания |
tv |
можно |
определить |
||||||
из уравнения заряда базы |
|
|
|
|
|
^ |
|
|
||||
|
|
|
|
^p |
= |
, H l n 7 |
f ^ - . |
|
|
|
(508) |
|
|
|
|
|
|
|
|
'кн |
, |
|
|
|
|
Формула (508) справедлива, |
если |
длительность |
отпирающего |
|||||||||
сигнала значительно превышает величину т„. |
|
|
|
|
||||||||
Как видно |
из выражения |
(507), время |
рассасывания |
можно |
||||||||
уменьшить, |
увеличив |
запирающий сигнал / б г и уменьшив |
степень |
|||||||||
насыщения N0. После окончания стадии рассасывания |
начинается |
|||||||||||
формирование |
отрицательного |
фронта. С точки |
зрения изменения |
|||||||||
заряда в базе |
эта стадия |
является |
продолжением |
предыдущей. |
Транзистор в этой стадии работает в активном режиме, и ток кол лектора уменьшается пропорционально заряду от / к = / К н до / к = 0.
Время отрицательного фронта
/кн |
. |
t- = , \ n l |
. |
Ф |
- / б . |
388
Переходные процессы ключа в действительности развиваются сложнее, так как необходимо учитывать влияние коллекторной ем
кости Ск , которая увеличивает время |
формирования фронтов ^+ф |
||||
и ^~ф. Кроме того, распределение |
неосновных |
носителей |
в |
базе |
|
является нелинейным, в результате |
процесс рассасывания |
затяги |
|||
вается [141]. Однако для практических |
расчетов |
приведенные |
фор |
мулы являются достаточно точными, тем более что при выборе зна чений т и т н могут быть допущены погрешности.
Схемы логических блоков. В аналоговых и цифровых вычисли тельных устройствах логические схемы служат для преобразования двоичных сигналов. В аналоговых устройствах двоичные сигналы
Рис. 177. Диодные схемы для выполнения логических операций «И» и «ИЛИ»
используются в качестве управляющих переменных. В цифровых устройствах все переменные представлены в двоичной системе счис ления.
Логические схемы обычно используются для выполнения опера ций «И», «ИЛИ», «НЕ». Сигнал на выходе схемы «И» появится, если на всех его входах присутствуют входные переменные. Сигнал на выходе схемы «ИЛИ» появится, если хотя бы на одном из его
входов присутствует |
входной |
сигнал. |
Устройство |
«НЕ» |
выдает |
||||||
выходной сигнал, когда на его входе сигнал отсутствует. |
Логиче |
||||||||||
ские схемы можно построить на электромагнитных |
реле, электрон |
||||||||||
ных лампах, полупроводниковых |
диодах |
и транзисторах, а также на |
|||||||||
ферротранзисторных |
ячейках. В |
современных |
устройствах |
наибо |
|||||||
лее |
часто |
применяются |
полупроводниковые |
логические |
схемы |
||||||
[84, |
134, 159], так как |
они |
обладают достаточным |
быстродействием |
|||||||
и надежностью в работе, |
а также имеют |
небольшие |
габариты |
и |
|||||||
потребляют |
небольшую |
мощность от |
источников |
питания. |
На |
рис. 177, а приведена диодная схіема, выполняющая операцию «И». Двоичные переменные 0 и 1 представлены соответственно уровнями
напряжения 0 и + ( 1 0 — 1 0 0 В ) . |
Напряжение |
Е в схеме |
равно |
единичному уровню сигнала. Сопротивление R |
много больше |
пря |
|
мого сопротивления диодов ДІ — ДП |
и определяется током нагрузки, |
589
на |
которую работает схема. |
Если хотя |
бы одно из напряжений |
UBXi |
равно нулю, то диод Di |
проводит ток |
и напряжение на выходе |
схемы соответствует нулевому уровню. За счет нулевого сопротив
ления диода на выходе схемы |
появится |
напряжение помехи |
|||
// |
— £ / ? 0 ' |
~ |
Е |
R |
|
|
|
Rm+R |
|
|
R |
где Roi — сопротивление диода ДІ В прямом направлении. |
|||||
Если все n напряжений |
на |
входе равны |
Е, то все диоды заперты |
и напряжение на выходе соответствует единичному уровню. Однако
за счет обратных токов / 3 диодов напряжение на выходе |
отличает |
ся от £ и равно |
|
^ в ы х = E — n/3R. |
|
Соотношение полезного сигнала и помехи определяются |
перепадом |
напряжения на выходе схемы |
|
AU = E—nI3R-^-. |
(509) |
Максимально допустимое число входов п можно определить из фор мулы (509)
Ё |
Г] |
Л ^ |
Roi |
(510) |
|
max |
]_ |
Е |
R |
||
|
|||||
На рис. 177,6 приведена диодная схема, выполняющая опера |
|||||
цию «ИЛИ». При наличии положительного сигнала £ / В Х г |
хотя бы на |
||||
одном из входов на выходе схемы появится |
напряжение |
с/В Ы х |
|||
в ы х |
R + |
Roi |
|
|
При отсутствии сигналов на всех входах сигнал на выходе ра вен нулю.
Синхронизация работы импульсных схем обычно производится с помощью генератора тактовых импульсов. В этом случае необхо димо предусмотреть в логической схеме «И» еще один вход, на ко торый поступают тактовые импульсы, тогда выходные сигналы фор мируются в моменты времени, заданные передним и задним фрон тами тактовых импульсов. Длительность переходных процессов в логических схемах определяется теми же параметрами, что и в клю чевых схемах. Практически длительность тактовых импульсов долж на быть в 5—10 раз больше постоянной времени Г, определяющей скорость нарастания фронта импульса
Т = Сп — ,
R + Roi
где С п — паразитная емкость, определяемая параметрами нагрузки и монтажом.
На практике широко распространены транзисторные логические схемы. Они являются более экономичными по сравнению с диодны-
390
ми, так как не ослабляют входной сигнал. На рис. 178, а приведена схема операции «НЕ». Роль логического элемента «НЕ» выполняет транзисторный ключ. Если на входе такого элемента сигнал отсутст вует, то транзистор заперт и на его выходе напряжение соответству ет единичному уровню (отрицательный потенциал « — Е ) . Если на вход схемы подать отрицательный потенциал, то транзистор от-
|
|
3 |
|
|
кроется |
и на выходе |
напряжение |
будет соответствовать |
нулевому |
уровню |
(30—50 мВ). |
|
|
|
Последовательное |
соединение |
транзисторов образует |
логиче |
|
скую схему «И—НЕ» |
(рис. 178,6). Сигнал на выходе схемы появит |
ся при отсутствии сигналов на всех ее входах. Если выход схемы по дать на элемент «НЕ», то общая схема будет выполнять опера цию «И».
Параллельное соединение транзисторов образует логическую схему «НЕ—ИЛИ» (рис. 178, б). Логическую схему «ИЛИ» можно получить, соединив выход данной схемы с элементом «НЕ».
При импульсном управлении транзисторными логическими схе мами переходные процессы рассчитываются так же, как в транзис торных ключах, которые уже рассматривались выше [141, 159].
391
Релаксационные схемы с двумя устойчивыми состояниями. При построении различных вычислительных устройств находят широкое применение релаксационные схемы с двумя устойчивыми состояния ми. К релаксационным схемам относятся триггерные схемы и схемы мультивибраторов.
Триггерные схемы используются как быстродействующие запо минающие элементы для хранения одной двоичной единицы, а так-
Рис. 179. Схемы симметричных транзисторных триггеров:
а — с разделенными входами; б — со счетным запуском
же для управления ключевыми и логическими схемами. На рис. 179, а приведена схема симметричного транзисторного триггера. На личие положительной обратной связи приводит к тому, что триггер всегда находится в одном из устойчивых состояний — когда один транзистор, например Ти полностью открыт, а второй, например 72 , полностью закрыт. Промежуточное состояние является неустойчи вым. Предположим, что имеет место состояние, при котором через оба транзистора протекают равные коллекторные токи / к і и /ь-г- При
392
этом в реальной схеме из-за наличия флуктуации в какой-то момент один из токов увеличится на небольшую величину, пусть, например,
это ток / к 1 . Тогда |
отрицательный потенциал |
коллектора |
транзисто |
ра 7"і уменьшится. |
Это вызовет уменьшение |
тока базы |
транзисто |
ра Т2, что приведет к возрастанию потенциала коллектора Т2, а сле довательно, к дальнейшему увеличению тока / к і . Этот процесс, раз виваясь лавинообразно, приведет к тому, что транзистор 7\ полно стью откроется, а Т2 закроется. Для переключения схемы в другое
устойчивое |
состояние необходимо приложить |
к базе закрытого |
||
транзистора |
отрицательный импульс |
или положительный |
импульс |
|
к базе открытого транзистора. |
|
|
|
|
При расчете триггера параметры |
схемы |
необходимо |
выбрать |
|
так, чтобы |
закрытое состояние одного транзистора обусловливало |
открытое состояние другого [42]. Для определенности будем считать,
что Ті открыт, а Т2 закрыт. Для |
того чтобы транзистор был |
закрыт, |
|
необходимо обеспечить положительный потенциал на его базе U52, |
|||
т. е. |
|
|
|
^бг = |
^ко max — ' |
* ^> 0, |
(511) |
R1 + R2 |
Ri-i |
R2 |
|
где / к о max — максимальное значение теплового тока.
Величину смещения выбирают, исходя из требований к переход ному процессу. Поэтому, чтобы не вызвать глубокого запирания, за даются: Ее, < 0,2£к -
Необходимо учитывать, что быстродействие триггера зависит от
величины сопротивления R 2 |
: чем больше R 2 , тем ниже быстродейст |
|||||
вие триггера. |
|
|
|
|
|
|
Для насыщенного транзистора базовый ток определяется током |
||||||
обратной связи и током цепи |
смещения: |
|
||||
/ б і = |
EK~/KfK |
RK |
- / с м , |
(512) |
||
|
|
Ri + |
|
|
||
где / с м = — • |
|
|
|
|
|
|
/?2 |
|
|
|
|
|
сопротивлением R K |
Коллекторный ток в основном |
определяется |
|||||
|
/ |
- |
1 |
« ! |
* - |
(513 |
Для выполнения условия насыщения необходимо, чтобы |
||||||
|
|
Л » > ^ - |
|
(514) |
||
Из уравнений (512) — (514) |
можно определить сопротивление об |
|||||
ратной связи |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
1к |
|
R\K,RK |
|
|
1 |
« |
. Isa. |
(515) |
|
|
|
|
|||
|
|
|
|
|
»ICH |
|
Значение ßmm соответствует |
|
минимальной температуре. |
393
Из уравнения |
(515) |
следует, что |
сопротивление |
R i определяется |
в основном величиной |
коллекторной |
нагрузки /?„. Сопротивление R K |
||
обычно известно |
из условий согласования триггера |
с нагрузкой. |
Для обеспечения максимального быстродействия необходимо выби рать сопротивление R K с учетом граничной частоты транзистора и схемы запуска триггера. Расчет динамических параметров тригге ра основан на рассмотрении переходных процессов в транзисторных ключах. Обычно триггеры управляются большими запускающими сигналами, поэтому расчет переходных процессов сводится к расче ту переходных процессов в системе двух ключей без обратной свя зи [42, 141].
Переключение (запуск) триггера может осуществляться двумя способами. В первом способе переключение триггера осуществляет ся либо подачей спусковых импульсов одинаковой полярности пооче редно на базу каждого из транзисторов, либо подачей импульсов чередующейся полярности на базу одного и того же транзистора (см. рис. 179). Этот режим называется режимом разделенных вхо дов. Во втором режиме, режиме счетного входа спусковые импуль сы одной и той же полярности подаются одновременно через разде лительные конденсаторы и диоды на базы или коллекторы обоих транзисторов (рис. 179,6). При счетном запуске наличие форсирую щих конденсаторов С является принципиально необходимым. В этом случае они не только способствуют ускорению переходного процес са, но и «запоминают» предыдущее состояние триггера и тем самым обеспечивают правильное переключение. Если запуск осуществляет ся на базы транзисторов, то длительность запускающих импульсов должна выбираться так, чтобы обеспечить надежное переключение триггера (при недостаточной длительности может не успеть запе реться открытый транзистор, при слишком большой длительности резко ухудшается длительность фронта на коллекторе отпирающе гося транзистора). Подробный расчет триггерных схем в статиче ском и динамическом режимах приведен в работах [42, 141].
В различных схемах вычислительных устройств применяются мультивибраторы, которые являются релаксационными генератора ми импульсов прямоугольной формы. Они также применяются в ка честве автоматических переключателей. Различают два режима ра боты мультивибраторов — автоколебательный и ждущий. В автоко лебательном режиме мультивибраторы обычно имеют симметрич ную схему (рис. 180, а ) . В отличие от триггера в этой схеме не суще ствует устойчивого состояния равновесия. Схема находится в одном из устойчивых состояний в течение определенного промежутка вре мени, пока происходит разряд емкости, подсоединенной к базе за крытого транзистора (например, емкости С2 ) через проводящий транзистор 7V По мере разряда емкости положительное напряже
ние на базе закрытого транзистора |
уменьшается. Когда напряжение |
||
станет отрицательным и достаточным для открывания |
транзисто |
||
ра Tz, произойдет |
опрокидывание |
схемы. Переходные |
процессы |
в мультивибраторе |
протекают аналогично триггерной схеме. Время, |
394
в течение которого происходит разряд емкости, определяет постоян ную времени релаксации. В условиях малого изменения температур для определения постоянных времени релаксации можно пользо ваться приближенными формулами:
Г ^ с у ^ In (l H - ^ ) ;
7 V ^ C , K 6 1 l n ( l + ^ - ) .
\ Ей j
Расчет параметров мультивибратора дан в работах [42, 141].
•л.
о
Рис. 180. Схемы мультивибраторов:
а— симметричного транзисторного; б — заторможенного
Вждущем режиме мультивибратор имеет одно устойчивое со стояние. Под действием запускающего сигнала схема из исходного устойчивого состояния переходит в квазиустойчивое и самостоятель-
395
но возвращается в исходное состояние (рис. 180,6). В исходном со стоянии транзистор Ті открыт. Запуск схемы осуществляется пода чей на базу транзистора Т2 отрицательного импульса или положи тельного импульса на базу транзистора 7Ѵ
Время, в течение которого схема находится в квазиустойчивом состоянии, равно длительности импульса на выходе заторможенно го мультивибратора. Длительность импульса на выходе схемы оп ределяется процессом перезаряда емкости С2 , т. е.
Следующий запускающий импульс можно подавать после того, как напряжение на емкости С2 станет равным исходному значению. Это время называется временем восстановления схемы
Запускающий импульс должен быть достаточно коротким, и его влияние на происходящие в схеме процессы после начала опрокиды вания не учитывается.
Расчет и разновидности схем идущих мультивибраторов приве дены в работах [42, 141].
Счетчики импульсов. Счетчики импульсов применяются для под счета числа импульсов, а также для их распределения и преобразо вания. Широкое применение нашли счетчики импульсов в триггерных схемах, которые можно разделить на двоичные, десятичные
иреверсивные [147, 100, 144].
Всхемах двоичных счетчиков все триггеры соединяются последо вательно. Для п последовательно соединенных триггеров емкость счетчика N будет равна N = 2™.
На рис. 181, а приведена блок-схема двоичного счетчика для под счета N импульсов. Импульсы поступают на счетный вход первого триггера. Выход первого триггера подсоединен к счетному входу второго триггера и т. д. до п-го триггера. Работу схемы можно пояс нить циклограммой, приведенной на рис. 181,6. Триггер перебрасы вается из одного положения в другое при поступлении каждого сле дующего импульса. На циклограмме «0» и «1» представлены уров
нями напряжения. Когда триггер 7\ переходит из положения «1» в положение «0», положительный импульс поступает на вход тригге ра 7*2, и он изменяет свое состояние. Переброс триггера из положе
ния |
«1» в положение «0» |
приводит к перебросу триггера Т3. |
На |
рис. 181 кроме состояний |
всех триггеров во времени записано |
число импульсов, поступивших на вход счетчика в двоичной системе счисления. Как видно из циклограммы, каждое двоичное число опи сывает состояние всех триггеров в данный момент времени. На триг гере Ті записан младший разряд числа, на триггере Т2 — второй от начала и т. д. Индикацию состояния каждого триггера можно осу ществить с помощью неоновых лампочек, подключенных к одному
396
из выходов каждого триггера. Кроме того, число импульсов, посту пивших на счетчик, можно определить по показаниям миллиампер метра, если выход каждого триггера через сопротивление опреде ленной величины подключить к миллиамперметру.
Значительное распространение получили десятичные счетчики. Преимущество десятичных счетчиков заключается в удобстве счи-
ßxog |
„о |
J " |
J " ,1" |
„О" |
|
0— |
|||||
|
|
|
|
Л Л Л Л А К А А
J |
5 |
Рис. 181. Блок-схема и |
|
DUO'* 00W] ООН1 |
0100' 0WV ОНО' Olli' 1000 |
циклограмма |
работы дво |
ичного |
счетчика |
ö
іывания показаний, так как десятичная система является более при вычной.
Десятичные счетчики состоят из последовательного соединения одинаковых блоков-декад. Первая декада отсчитывает число им пульсов до девяти, при поступлении десятого импульса производит ся сброс показаний до нуля в первой декаде и поступает импульс во вторую декаду. Вторая декада отсчитывает десятки импульсов, третья — сотни и т. д. Декады можно строить из четырех триггеров или из десяти по кольцевой схеме [147, 100].
397