Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Проектирование и расчет

.pdf
Скачиваний:
39
Добавлен:
27.10.2023
Размер:
20.93 Mб
Скачать

индуктивный характер импеданса колебательной системы, соот­ ветствующий частотам со, 2со и Na, распространяется также на частоты (1 -f- 1/2)со и (N — 1/2)со, то возможно возникновение па­ раметрических колебаний [21]. Параметрические колебания помимо засорения спектра обусловливают участки с отрицательным соп­ ротивлением на динамической характеристике I0(U0), что может вызвать автоколебательные процессы в цепи смещения. При при­ нудительном изменении напряжения £У0 или частоты внешнего воздействия со в этом случае может обнаружиться несколько обла­ стей автомодуляции с гистерезисными явлениями. Например, в процессе экспериментального исследования [78] при изменении частоты выявлено две взаимопересекающиеся зоны автомодуля­ ции, первая из которых, соответствующая основному резонансу, располагалась в области более низких частот со по сравнению со второй, обязанной, по-видимому, параметрическому возбуждению субгармоники.

Узкополосность колебательных цепей не исключает полностью паразитные эффекты в умножителях частоты. Весьма распростране­ но скачкообразное изменение амплитуды высокочастотных коле­ баний при медленном изменении какого-либо из параметров схемы [22], а также возникновение в спектре выходного сигнала допол­ нительных составляющих, обусловленных низкочастотной авто­

модуляцией

[79,

80]. При этом

повышается уровень

флюктуации

амплитуды,

который

существенно возрастает

при

ослаблении

связи

с нагрузкой [3].

Все эти

эффекты сопровождаются появле­

нием

участков

с отрицательным

сопротивлением

на

динамической

характеристике / 0 (с70 ). Динамическая характеристика / 0 (с70) формируется под влиянием высокочастотных колебаний и, как по­

казано в [81,

82], на некотором участке повторяет

по характеру за­

висимость

амплитуды колебаний

высокой частоты

от

напряжения

смещения

U0.

Для устранения

в зависимости / 0

(с70)

S-образных

участков, наиболее опасных с точки зрения возникновения пара­

зитных

эффектов,

необходимо

устранить

расстройку

колебатель­

ной системы с изменением амплитуды высокочастотных

колебаний.

Это

достигается

стабилизацией

усредненной емкости

варикапа

за

счет

использования комбинированного

смещения [1, 29]. При

этом

часть напряжения смещения создается автоматически за счет

тока

/ 0 ,

протекающего в сопротивлении Rc, а другая часть задается

внешним

источником.

Следует отметить, что при использовании в умножителях ча­ стоты варакторов, обладающих малым изменением дифференциаль­ ной емкости закрытого р-п перехода, усредненная емкость, вноси­

мая варактором в колебательную систему, хорошо стабилизируется при полностью автоматическом смещении. При этом удается полу­ чить линейные амплитудные характеристики [14, 15], необходимые для обеспечения малых искажений при умножении частоты сигна­ лов с модулированной амплитудой. Для иллюстрации целесооб­ разно сравнить экспериментальные амплитудные характеристики умножителей частоты с варакторами, имеющими степень нели­ нейности v = 1/5 [14, 15] и v = 1/3 [62]. В последнем случае зави­ симость выходной мощности от входной заметно нелинейна.

Достаточная узкополосность колебательных цепей и опти­ мальные способы смещения, к сожалению, не исключают полностью паразитные эффекты. Исследование, проведенное Драгоне [23, 24],

показало, что при выполнении условий достаточной узкополосности и оптимального смещения устойчивость стационарного режима умножителя частоты может быть гарантирована, если полосы про­ пускания Д/// колебательных контуров, входящих в состав умно­ жителя частоты, не уменьшаются при переходе от возбудителя и нагрузке. Это означает, что добротность нагруженного входного контура умножителя частоты должна быть не меньше добротности нагруженного выходного контура. Кроме того, эквивалентная добротность ненагруженного контура, настроенного на 2-ю гармонику, должна быть не больше добротности нагруженного входного контура и не меньше добротности нагруженного выход­ ного контура. Эквивалентная добротность ненагруженного конту­

ра, настроенного на 2-ю

гармонику, можег

быть

определена

G помощью эквивалентных

схем, приведенных

в [24,

61, 73].

С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы

1. L u e t t g e n a u G., D і г n b а с h Р. Н., D u f f і n M. V.

 

High

power

at

 

1000 mc using semiconductor devices.

I R E Wes-

 

con Conv. Rec., I960, P. 3, p.

 

13—26.

 

 

 

 

 

 

 

2.

M а с і a g

W.

J . Solid—state

S-band

single

 

band

suppressed

 

carrier transmitter. «5-tb Nat. Convention

Military

Electr.»

 

1961, v. 1, p. 341—345.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3.

I s о b e

Т.,

 

M і у a k a w a

 

J .

Harmonic

 

generators

using

 

variable capacitor diode and its exciting power sources. Fujitsu.

 

1963,

3,

p.

 

227—241.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

4.

Д а у н е ,

С а т ф и н .

Полупроводниковый

передатчик

деци

 

метрового диапазона для передачи телеметрической

 

информа

 

ции.

 

«Электроника», 1964,

17,

стр. 52—57.

 

 

 

 

 

5.

F е 1 d m а п

 

N. Е. Communication satellite output

devices

 

Microwave

J . , 1965, № 11,

p. 69—72, 74, №

12, p. 87, 89—92

 

94,

97.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

6.

С о о p e r

B.

 

F .

C , W e l l s

G.

A. Six times

multiplier

 

with

 

two watts

output

at 2700

mhz. Proc. I R E E

Australia,

1969,

 

October,

p.

340—341.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

7.

П и л и п е ц

 

Ю.

С , П о л о в к о в

И.

П.

Варакторные

 

умножители частоты на полосковых линиях

передачи для по­

 

лупроводниковых

усилительно-умножительных

 

цепочек

СВЧ.

 

В сб. «Полупроводниковые

приборы и их применение»,

под ред.

 

Я. А. Федотова, вып. 23. Изд-во «Советское

 

радио»,

1970,

 

стр.

 

145—171.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

8.

Р a g е С.

Н. Harmonic generation with ideal

rectifiers

P I R E

 

1958,

10,

p.

1738.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

9.

Б e p M a H Л.

С. Нелинейная

полупроводниковая

 

емкость.

 

Физматгиз,

1963.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

10.

C h a n g

J .

J . , F o r s t e r

J .

H . , R y d e r

R .

 

M. Semi­

 

conductor junction varactor with high voltage sensitivity.

I E E E

 

Trans.,

ED-10,

 

1963,

№' 4,

p.

281—287.

 

 

 

 

 

 

11.

С T e p ц e p.

 

Прогресс

в

развитии

источников

 

мощности

 

СВЧ. «Зарубежная радиоэлектроника», 1966, №

 

7.

стр

 

121—130.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

12.

М а г k а г t

Е.,

J u a n

S.

High-efficiency,

high-order,

idler-

 

less

 

frequency

 

 

multipliers

 

using

hyperabrupt

 

varactors

RCA

 

Rev.,

1965,

 

3,

p. 400—423.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

13.

U t s u n o m i y a

Т.,

Н а г а

Н. An

analysis

on performance

 

limitations of variable capacitance diode used as frequency mu'l

 

tiplier.

J . 1EE of

Japan,

1965,

3,

p. 467—474.

 

 

 

 

14.

S c h a f f n e r

G.,

C o c h r a n

 

J . Varactor

diodes

and cir­

 

cuits

for high power

output

linear response. Wescon

64,

 

Techni­

 

cal

papers,

pt

3

Electron

devices.

Component

parts,

 

 

1964,

 

12.3.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

15.

Ill e ф ф и e p.

Мощные

генераторы

гармоник

 

на

варакторах

 

с накоплением

заряда.

«Электроника»,

1964,

20,

стр. 3—9.

16

Фирма

«Сильвания».

 

Варакторы,

работающие

 

на

принципе

 

эффекта

смыкания

перехода — новый

путь повышения

к. п. д.

 

генераторов гармоник. «Электроника»,

 

1967, № 8, стр. 70—71.

17.

М о л л , К р а к а у э р ,

Ш е н. Плоскостные

р-п диоды

с на­

 

коплением заряда. ТИРИ, 1962, № 1,

стр. 61—71.

 

 

 

 

18.

М о л л,

Г а м и л ь т о н .

Физическое

моделирование

 

диода

 

со

ступенчатым

восстановлением

для

проектирования

 

генера­

 

торов

импульсных

и

гармонических

сигналов.

 

ТИИЭР,

1969,

 

7,

стр.

15—27.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

19.

Д ж о н с т о н,

Б у т р о й д.

 

Умножители

частоты

 

на не­

 

линейных

Элементах

 

с

накоплением

заряда.

 

ТИИЭР,

 

1968,

 

2,

стр.

36—46.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

20 W o o d Н. В . , H i l l D. R . , K n i g h t V. Н., B a r o n R . C . High-power varactor frequency-doubler choins. Electrical Com­ munication, 1966, v. 41, № 3, p. 320—340.

21.X а я с и Т. Вынужденные колебания в нелинейных системах. Пер. с англ., под ред. А. И. Лурье. Изд-во иностранной лите­ ратуры, 1957.

22. Б о г а ч е в

В.

М., К р а в ц о в

Ю. А. О гармоническом

воздействии

на

систему двух контуров, связанных нелиней­

ной

емкостью.

«Известия вузов»,

Радиофизика, 1963. № 6,

стр.

1202—1215.

 

 

23Д р а г о н е. Свойства умножения без потерь с N = 2" по от­ ношению к составляющим AM и ФМ, выраженные через па­ раметры рассеяния. ТИИЭР, 1966, № 12, стр. 361—362.

24. D г a g о n е

Q.

Phase

and

amplitude

modulation

in

high-ef­

ficiency

varactor

frequency

 

multipliers.

BSTJ,

 

1967, № 4,

p.

775—834.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

25. Н а в р о ц к и й

В.

И.,

 

В и з e л ь

А.

А.,

В о р о ­

н е н к е

 

В.

П. Экспериментальное

 

исследование

умно­

жителей

частоты

на

полупроводниковых

диодах

в

диапазоне

18—70 ГГц. В сб. «Полупроводниковые приборы и их приме­

нение»,

под ред. Я. А. Федотова, вып. 23.

Изд-во

«Советское

радио»,

1970,

стр.

246—260.

 

 

 

 

 

 

 

26. Ш н е й д е р ,

С н е л л .

Гибридный

интегральный утроитель

частоты

10

ГГц, ТИИЭР,

1970,

№ 9,

стр. 112—113.

 

Б а р р а с.

Пленарные

 

диффузионные

варакторные

диоды

миллиметрового

диапазона

из

GaAs.

 

ТИИЭР,

 

1967,

№ 7,

стр.

117—118.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

27.П е т р о в Б. Е. Вопросы использования варикапов в кас­ кадах умножения частоты радиопередатчиков. Канд. диссер­ тация. МЭИС, 1965.

28.П е т р о в Б. Е. Умножение частоты с использованием р-п переходов в режиме частичного отпирания, ч. I. В сб. «Полу­ проводниковые приборы в технике электросвязи», под ред.

 

И . Ф . Николаевского, вып. 5.

Изд-во

«Связь».

1970, стр. 19' —

 

215.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

29.

Ф е й р л и

Конструирование

полупроводниковых

rem ра

 

торов

СВЧ. «Электроника», 1963,

41,

стр.

13—20.

 

30.

Б а к . Возникновение

паразитных

сигналов

в

варакторных

 

утроителях

частоты.

ТИИЭР,

1965,

№ 10,

стр.

1881 — 1882

31.

Б р а г и н с к и й

В.

В.,

Д и а н о в а

 

В.

А.,

 

М ус-

 

т е л

ь

Е.

Р. Исследование работы умножителя частоты

 

использующего нелинейную емкость р-п перехода. «Радио­

 

техника

и

электроника»,

1961,

7,

стр.

1173—1177.

 

32.

Д и а н о в а

В. А.,

М а н е ш и н Н

 

К.,

М у с т е л ь

Е. Р.,

 

П а р ы г и н

В. Н. Умножитель

частоты на

нелинейной ем­

 

кости с добротными контурами. «Радиотехника и электроника»,

 

1964,

6,

стр.

1079—1081.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

33.

В а г t n і k

J . Single state versus cascad harmonic

generator

 

for local oscillator. Microwave J . 1962, №

9,

p.

204—210.

34.

Л и з о н. Диффузионные

эффекты

в варакторном

умножителе

 

частоты.

ТИРИ,

1963,

№ 7,

стр.

1059—1060.

 

 

 

 

35.

Н а 1 1

R.

Harmonic

generators:

is

the

step

recovery

diode

 

best.

Electronic

design,

 

1965,

№ 2,

p.

28—31.

 

 

 

36.

H a 1 1

R. Step-recovery

diodes

add

snap

of

frequency

multi­

 

plication.

Microwaves,

1965,

9,

p.

70—75.

 

 

 

 

37.

П а р ы г и н

В. H . ,

М а н е ш и н

 

Н.

К. Умножение ча­

 

стоты на диффузионной емкости. «Радиотехника и электро­

 

ника»,

1966,

7,

стр.

1275—1284.

 

 

 

 

 

 

 

 

38.

Н a m і 1 t о n

S.,

H a l l

R. Shunt-mode

harmonic

genera­

 

tion

using

step recovery

diodes.

Microwave J . 1967

April, № 5,

p.69—78.

39.S t a 1 e у L . К Design at a high performance S-band varactor

 

frequency

multiplier. «Ргос. Nat. Electron. Conf., Chicago*,

 

1962,

p.

181 — 193.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

40.

P а й T,

Б л e й p.

Бортовой

полупроводниковый

приемоот-

 

ветчик дециметрового диапазона с обратной связью

по частоте

 

модуляции.

«Электроника»,

1963,

 

43,

стр.

49—53.

41.

Е в т я н о в С.

И.

Ламповые

генераторы.

Изд-во

«Связь»,

 

1967.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

42.

Л о у э л л,

К и с е .

Полупроводниковые

СВЧ

генераторы,

 

использующие генерацию гармоник. «Зарубежная радиоэлект­

 

роника»,

1961,

2.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

43.

J u d d

S.

V. High-order multipliers

without idlers. The Radio

 

and

electronic

engineer,

1967, v.

34, № 1 (July),

p. 31—38.

44.

В u г с k h a r d t

С.

B. Analysis

of

varactor

 

frequency mul­

 

tipliers for arbitrary capacitance variation and drive level. BSTJ,

 

1965, № 4, p. 675—692.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45.

H о с о в

Ю.

Р.

Полупроводниковые

импульсные

диоды.

 

Изд-во

«Советское

радио»,

1965.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

46.

П е т р о в

Б.

Е. Умножение

частоты

с использованием р-п

 

переходов

в режиме частичного отпирания, ч. 2. В сб. «Полу­

 

проводниковые

приборы

в

технике

электросвязи»,

под ред.

 

И. Ф. Николаевского, вып. 7. Изд-во «Связь»,

1971.

47.

П е т р о в

Б. Е. Умножение

частоты на нелинейной

емкости

 

р-п

перехода. В сб. «Полупроводниковые

приборы и их приме­

 

нение»,

под ред. Я. А,

Федотова,

вып.

10.

Изд-во

«Советское

 

радио»,

1963.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

48.М о м о т Е. Г. Генератор с шунтирующим диодом и его при­ менение. Госэнергоиздат, 1959.

49.

R о u 1 s t о n

D.

J . Frequency multiplication using

the

charge

 

storage effect: an analysis for

high

efficiency

high

power ope­

 

ration.

Int. J . Electronics,

 

1965,

v.

XV1I1, № 1, p. 73—86.

 

50.

H e.d

d e r l

у D. L , An

analysis

of

a

circuits

for

generation

 

of high order harmonic using

an

ideal nonlinear capacitor. I R E

 

Trans.,

ED-9,

1962,

№ 6,

 

p.

484—491.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

51.

E p e M и H С.

A.,

M о к e e в

О. К.,

Н о с о в

 

Ю. Р. По­

 

лупроводниковые диоды с накоплением заряда

и их применение.

 

Изд-во

«Советское

радио»,

 

1966.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

Г о р б а ч е в

А

 

И., К у к а р и н С .

В.

Полупроводнико­

 

вые СВЧ диоды. Изд-во «Советское

радио»,

1968.

 

 

 

 

53.

М а г т е й.

Полосовые

фильтры

с

встречными

стержнями.

 

«Зарубежная

 

радиоэлектроника»,

1963,

№ 7,

стр.

 

131 —155.

54.

М а т т е й .

Новый

 

метод

 

расчета

полосовых

фильтров

СВЧ и

 

его связь с другими методами. «Зарубежная

радиоэлектроника»,

 

1961,

 

9,

стр.

57—84.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

55.

Б о г а ч е в

В.

М.,

К у н и н а

С.

Л. ,

П е т р о в

 

Б.

Е.,

 

П о п о в

И.

А. Расчет

каскадов полупроводниковых

передат­

 

чиков. Изд. МЭИ, 1964, стр. 139—163.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

56.

П е т р о в

Б.

 

Е. К

вопросу о

полиномиальной

аппроксима­

 

ции характеристик нелинейных элементов. «Радиотехника»,

 

1964,

 

2,

стр. 3—12.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

57.

Б р у е в и ч А. Н.,

Е в т я н о в

С И .

Аппроксимация

не­

 

линейных

характеристик

и спектры при гармоническом

воздей­

 

ствии. Изд-во «Советское радио»,

1965.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

58.

K a u f m a n

J . ,

D о u t h е t t

D. Harmonic generation using

 

idling

 

circuits. P I R E ,

I960,

№ 4,

p.

790.

 

 

 

 

 

 

 

 

59.

Л и в ш и ц

В.

 

В.,

Р а б и н о в и ч-В и з е л ь

 

 

А.

А.

 

Умножители

частоты

на

нелинейной

емкости диода

с

резким

 

р-п переходом. «Радиотехника и

электроника»,

1963,

12,

 

стр.

2055—2065.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

60.

У ц у н о м и я,

Ю а н ь .

 

Теория,

расчет

и работа

умножите­

 

лей частоты на элементе с переменной реактивностью

при мак­

 

симальном к. п. д. ТИРИ,

1962, №

1, стр. 76—85.

 

 

 

61.

К а у 1 і е Н. The

 

design

of

varactor

frequency

multipliers

for

 

mobile communication. Solid-state

design,

1965,

 

2,

3.

 

62.

С г о s s

H .

 

H . Frequency

multiplication

varactor

of

U H F .

 

QST

amateur

radio,

1962,

10,

p.

60—62.

 

 

 

 

 

 

 

63.

W о n s о n

R. C. Designing

U H F varactor

multipliers.

Elect­

 

ronic

equipment

engng.,

1963, №

12,

p.

48—52.

 

 

 

 

 

64.

R a f u s e

R.

P.

 

Recent

 

developments

in

parametric

multi­

 

pliers. «Ргос. Nat. Electron. Conf.,

Chicago*,

1963,

p.

461—470.

65.

T a H г.

Расчет

мощного

многозвенного

 

удвоителя

частоты

 

с взаимно согласованными

параметрическими диодами. ТИИЭР,

 

1967, № 10, стр. 117—118.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

66.

П а р к е р,

Г р е й з е л.

 

Стабильный

удвоитель

 

частоты на

 

последовательно-параллельной решетке из

восьми

диодов.

 

ТИИЭР,

1970,

4,

стр. 79—80.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

67. Л е й б о в и ч. Варакторная схема для генерации третьей и четвертой гармоник с высоким к. п. д. ТИИЭР, 1963, № 7, стр. 1045—1046.

68.

X о р т о н. Умножение частоты мощных сигналов

цепочками

 

варакторов

со

стержневыми выводами.

ТИИЭР,

1967,

№ 7,

 

стр.

126—127.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

69.

S h a f f п е г

G. Designing high-power

varactor

 

multipliers.

 

Electronic

equipment

engineering,

1967,

№ 1,

p.

81—84.

 

70.

S h a f f n e r

Q. High-power varactors

 

in multipliers. Electro-

 

technology,

1967,

v.

79,

1,

p. 81—86.

 

 

 

 

71.

P e n f i e l d

P R a f u s e

R.

P.

 

Varactor

 

application.

 

MIT

Press,

1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

72.

D і a m о n d

B .

J . Idler

circuits

in

varactor

frequency

mul­

 

tipliers. I E E E

Trans., CT-10, 1963, № 1, p. 35—45.

 

 

73.

К а у 1 і e

H .

Large-signal

varactor harmonic generator equiva­

 

lent

circuits. I E E E

 

Trans.,

VC-12,

1963,

№ 1, p. 108-124.

74.

П e T p о в

Б.

E .

КПД варакторных

умножителей

частоты о

 

холостым контуром,

настроенным

на вторую гармонику. В сб.

 

«Полупроводниковые

приборы

и

их

применение»,

под

ред.

 

Я.

А. Федотова, вып. 20.

Изд-во «Советское радио»,

1968.

 

75.

U h 1 і е г

A.

Similarity

consideration

for varactor

 

multipliers.

 

Microwave J . , 1962,

№ 7,

p. 55—59.

 

 

 

 

 

 

76.Ш e ф ф H e p. Новый взгляд на коаксиальные резонаторы для

варакторных умножителей. «Электроника», 1965, № 10. стр. 3—14.

77.

В 1 a k е s 1 е е

D.

A.

Practical tripler

circuits. QST

amateur

 

radio, 1966, №

3,

p. 14—19.

 

 

 

78.

Г л о т о в

И.

А. О

релаксационных

колебаниях

в

контуре

 

с нелинейной емкостью р-п перехода. В

сб. «О применении ем­

 

кости р-п перехода полупроводниковых приборов в радиотех­

 

нических

схемах»,

под ред. И. С. Гоноровского.

Оборонгиз,

 

1962, стр. 62—71

 

 

 

 

 

79.Н і n е s М. Е. Microwave power sources using varactor har­ monic generation. Microwave J . , 1963, № 4, p. 74—79.

80. Р а б и н о в и ч-В и з е л ь А . А.,

Г е р ц е н ш т е й н M. E .

О

релаксациях в умножителях частоты на нелинейной емко­

сти

«Радиотехника и электроника»,

1963, № 4, стр. 725—727.

81.М а к д е й д. Отрицательное сопротивление плоскостных дио­ дов на высокой частоте. ТИРИ, 1961, № 5, стр. 1117.

82.М а к д е й д. Объяснение одного типа отрицательного сопро­ тивления в плоскостных диодах на высокой частоте. ТИРИ, 1962, № 1, стр. 112—113.

6.АМПЛИТУДНАЯ МОДУЛЯЦИЯ

6.1. ВВЕДЕНИЕ

В настоящее время амплитудная модуляция (AM) как вид управления колебаниями высокой частоты распростра­ нена довольно широко. Транзисторные передатчики с AM используются как в диапазонах гектометровых и декаметровых волн (например, для связи на море, / = 1,5-^-25 МГц [1]), так и в диапазоне метровых волн (самолетные тран­

зисторные передатчики, например,

работают на частотах

/ = 118-ГІ36 МГц [1, 2J). Особенно

широко

транзисторные

передатчики с AM применяются для целей

диспетчерской

связи и городского вещания (/ = 27

МГц [1,3]), для обеспе­

чения связи в походных условиях (/ = 50 МГц [3,4]) и в по­ движных радиостанциях самого различного назначения у = 804-106 МГц [5]).

Транзисторные передатчики с AM, как правило, исполь­ зуются в тех системах связи, где главными являются тре­ бования простоты и надежности конструкции и не столь важным оказывается высокое качество передачи. При AM более простыми, чем при частотной модуляции (ЧМ), полу­ чаются приемные устройства. При наличии многих абонен­ тов приема это кроме увеличения надежности работы ведет также к существенному выигрышу в стоимости всей систе­ мы [6].

Из всех способов осуществления амплитудной модуляции [7] в транзисторных передатчиках применяется в основном модуляция на коллектор и усиление модулированных ко­ лебаний. Положительным качеством первого способа являет­ ся высокий коэффициент полезного действия (к. п. д.) высо­ кочастотных каскадов. К достоинству второго способа от­ носится его универсальность по отношению к усилению как AM колебаний, так и колебаний ЧМ и однополосного сиг­ нала, что позволяет один и тот же передатчик использовать при различных режимах работы.

Наряду с указанными способами осуществления AM перспективен сравнительно новый способ модуляции изме­ нением связи выходного каскада с антенной с помощью не­ линейных реактивных элементов [8—10]. Реактивным моду­ лятором может служить как нелинейная емкость сегнето­ електрика (вариконд) или р-п перехода (варикап), так и не­ линейная индуктивность, выполненная из высокодобротного ферромагнитного материала. Предпочтительным оказывает­ ся реактивный модулятор на варикапе, так как варикапы обладают большей добротностью, чем сегнетоэлектрики или ферромагнетики, и могут рассеивать большие мощно­ сти [11]. Кроме того, благодаря особенностям вольткулоновой характеристики, варикапы позволяют получить высокую линейность модуляционной характеристики при глубине модуляции вплоть до 100% [9].

6.2.СХЕМЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ АМПЛИТУДНОЙ

МОДУЛЯЦИИ

Рассмотрим теперь основные схемы амплитудной моду­ ляции. К простейшим видам AM относится модуляция на коллектор и модуляция на базу.

При коллекторной модуляции (рис. 6.1) модулирующее напряжение подается в коллекторную цепь высокочастот­ ного каскада с помощью трансформатора, который, с одной стороны, развязывает цепи питания модулятора и генера­ тора, а с другой согласовывает выход модулятора с нагруз­ кой, которую представляет для модулятора высокочастот­ ный генератор. В процессе модуляции оконечный высоко­ частотный каскад работает в критическом и перенапряжен­ ном режимах.

Базовая модуляция осуществляется изменением напря­ жения смещения или амплитуды возбуждения на базе гене­ раторного транзистора. При этом оконечный высокочастот­ ный каскад работает в критическом и недонапряженном ре­ жимах. Схемы базовой модуляции можно найти в [13, 14]. Как правило, в транзисторных передатчиках не находит

применения

модуляция

одного типа

и используется ком­

бинированная модуляция. Например, коллекторная AM

с дополнительной модуляцией

на

один или два

пред-

оконечных

каскада. Это

связано

с особенностями

работы

транзистора

[12]. Дополнительная

модуляция (подмодуля-

ция) уменьшает напряженность режима оконечного каскада

326

и тем самым линеаризует модуляционную характеристику и облегчает тепловой режим предоконечного каскада [12]. Это особенно важно при работе на высоких частотах, когда коэффициент усиления по мощности (Кр) выходного каскада невелик.

Надо отметить, что на высоких частотах, как правило, не только оконечный, но и предоконечный каскад работает в режиме максимального значения Кр. В этом случае его

ПреВоконечньнІ Оконечный

I . J

Модулятор

Рис. 6.1. Схема выходных каскадов передатчика при коллекторной

модуляции.

выходная мощность слабо зависит от сопротивления на­ грузки, и поэтому мощность, поступающую в оконечный каскад, можно считать примерно постоянной. Кроме того, при сильной связи предоконечного каскада с оконечным промежуточный контур должен иметь высокий к. п. д., чтобы Кр оставался максимальным.

Предположим теперь, что модулирующее напряжение подается на базу оконечного каскада. В процессе модуля­ ции изменяется его входное сопротивление, что свидетель­ ствует (при постоянстве входной мощности) об изменении амплитуды напряжения или тока входного сигнала. Это снижает эффективность базовой модуляции на высоких ча­ стотах. К тому же, существование у ВЧ транзисторов ве­ личины допустимого пробивного напряжения по эмиттер-

ному переходу накладывает дополнительные ограничения на применение базовой модуляции.

По названным причинам базовую модуляцию можно рекомендовать лишь для низкочастотных транзисторных передатчиков (/ < 10 МГц), у которых коэффициент уси­ ления по мощности Кг велик и промежуточные контуры могут работать с низким к. п. д.

При дальнейшем изложении материала будем рассмат­ ривать только коллекторную модуляцию и модуляцию из­ менением связи.

6.3.РЕЖИМ ОКОНЕЧНОГО КАСКАДА ПЕРЕДАТЧИКА

6.3.1. Коллекторная модуляция

Режим высокочастотного генератора при амплитудной модуляции рассчитывается в основном так же, как и при отсутствии модуляции, и при расчете можно пользоваться материалами гл. 1. Здесь же остановимся только на неко­ торых особенностях расчета.

При модуляции важным показателем качества передачи является линейность модуляционной характеристики. Под

модуляционной

характеристикой понимается

зависимость

амплитуды первой

гармоники

коллекторного

напряжения

UKL

от постоянной

слагающей

коллекторного

напряжения

UK0.

Зависимость

(7К 1 ((7К 0 ) будет близка

к линейной, если

коэффициент формы (по напряжению) gu

= UKJ/UK0

г про­

цессе модуляции меняется мало.

 

 

 

 

Коэффициент формы коллекторного напряжения, как

следует из гл.

1, легко стабилизируется

в случае

исполь­

зования ключевого или близкого к нему режима [15J. Имен­ но этот режим будем считать целесообразным для обеспе­ чения возможно большей линейности модуляционной харак­ теристики. Емкость коллекторного контура в этом случае определяется из соотношения (1.85). Если режим не клю­ чевой, линейность модуляционной характеристики обеспе­ чивается при минимальной емкости С к (см. рис. 6.1). При отсутствии дополнительной емкости, включенной парал­ лельно выходу транзистора, во временной зависимости кол­ лекторного напряжения в области малых напряжений наблюдается некоторое уплощение [16, 17], что благо­ приятствует эффекту линеаризации модуляционных ха­ рактеристик.

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ