Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

Elektrichestvo_i_Magnetizm_18lr_sec

.pdf
Скачиваний:
38
Добавлен:
07.03.2015
Размер:
5.29 Mб
Скачать

5.Подсоедините параллельно к конденсатору С1 второй конденсатор С2 и повторите аналогичные измерения для параллельно-соединенных конденсаторов Спарал .

6.Выключите кнопками «Сеть» питание блока генераторов напряжения и блока мультиметров.

Таблица

t, c

С1 =

мкФ

Спарал =

мкФ

U1, B

ln U1

Uпарал , B

ln Uпарал

 

0

 

 

 

 

5

 

 

 

 

10

 

 

 

 

15

 

 

 

 

20

 

 

 

 

25

 

 

 

 

30

 

 

 

 

35

 

 

 

 

40

 

 

 

 

45

 

 

 

 

50

 

 

 

 

55

 

 

 

 

Средняя точка (Приложение 1.1)

Обработка результатов измерений

1. Рассчитайте и запишите в таблицу емкость конденсатора Спарал по форму-

ле для параллельного соединения:

Спарал =С1 +С2 =…мкФ

2.На одном поле чертежа постройте графики зависимостей U1= f(t) и ln U1= f(t) для конденсатора С1 , а на другом Uпарал = f(t) и ln Uпарал = f(t) для кондерасатора Спарал , располагая ось напряжения U с левой стороны, а ось ln U

– с правой.

3.Определите по графикам ln U1= f(t) и ln Uпарал = f(t) угловые коэффициенты К1 и Кпарал линейных зависимостей (см. приложение 1 формула (1)) и

постоянные времени цепи τ

 

= −

1

и τ

 

= −

1

для каждого значения

1

 

парал

 

 

 

К1

 

Кпарал

емкости.

4.Рассчитайте сопротивление вольтметра R по формуле (5) для каждого значения емкости:

111

R

= τ1

= … Ом, R

=

τпарал

= … Ом

 

1

C1

парал

 

Cпарал

 

 

 

5. Оцените относительную погрешность измеренных величин:

δR

= δС2 +δ

К2 δ

К

1

и δR

= δС2

+δК2

δК

,

1

1

1

 

парал

парал

парал

 

парал

где δК1 и δКпарал – погрешности угловых коэффициентов (см. формулу (4) в приложении1).

6.В выводе по работе сделайте анализ полученных экспериментальных зависимостей и оцените точность метода определения постоянной времени.

К о н т р о л ь н ы е в о п р о с ы

1.Какой ток называют квазистационарным? Сформулируйте условие квазистационарности электрического тока.

2.Какие физические законы и формулы используются для получения зависимости напряжения от времени при разряде конденсатора?

3.По какому закону изменяются со временем при разряде конденсатора следующие величины: 1) заряд обкладки, 2) напряжение конденсатора, 3) ток в RC-цепи?

4.Какую величину называют постоянной времени цепи и что она показывает?

5.Как связана постоянная времени RC-цепи с параметрами этой цепи?

6.Укажите режим работы мультиметра при проведении измерений: измеряемая величина, режим и входы для подключения прибора.

7.Какое назначение имеет источник питания в исследуемой электрической цепи?

8.С какой целью в работе строят график зависимости ln U=f(t)?

9.Каким образом можно показать, что опытная зависимость является экспоненциальной? \

10.Как экспериментально определяют постоянную времени цепи, содержащей R и C?

11.Каким способом в данной работе измеряют сопротивление вольтметра? 12.Какие формулы используют в работе для определения следующих величин:

а) постоянной времени цепи, б) сопротивления мультиметра?

13.Как оценивают в работе погрешность определения постоянной времени?

Л и т е р а т у р а

1.Детлаф А.А., Яворский Б.М. Курс физики. –М.: Высшая школа, 1989. –

§§19.1, 27.3.

2.Калашников С.Г. Электричество. –М.: Наука, 1975. – §§ 73, 74.

112

Работа № 15. ИЗУЧЕНИЕ СВОЙСТВ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКА

ЦЕЛЬ: по предельной петле гистерезиса ознакомиться с методом измере-

ния основных характеристик сегнетоэлектриков, исследовать зави-

симость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от на-

пряженности электрического поля.

 

ОБОРУДОВАНИЕ: генератор сигналов специальной формы, миниблок

 

«Сегнетоэлектрик», осциллограф, два мультиметра.

 

 

 

В в е д е н и е

 

Сегнетоэлектрики группа кристаллических диэлектриков, у кото-

рых в некотором интервале температур в отсутствии внешнего элек-

трического поля отсутствует спонтанная (самопроизвольная) поляризо-

ванность PS

( PS - электрический дипольный момент единицы объема ве-

щества вне электрического поля). Величина и направление вектора PS

существенно зависят от электрического поля, механических напряжений,

измерения температуры и др. Впервые сегнетоэлектрические свойства

были подробно исследованы И.В. Курчатовым и П.П. Кобеко у сегнетовой

соли (натрий-каливая соль винной кислоты) NaKC4H4 4H2O, откуда и воз-

никло название этого класса диэлектриков. Примерами сегнетоэлектриков

являются

титанат

бария

ВаТiO3,

триглицинсульфат

(NH2CH2COOH)3 3H2SO4 и др.

 

 

Сегнетоэлектрики имеют важное практическое применение. Напри-

мер, приготовляя сложные диэлектрики на основе сегнетоэлектриков и до-

бавляя к ним различные примеси, можно получить высококачественные

конденсаторы большой ёмкости при их малых размерах.

 

 

 

Сегнетоэлектриками

могут быть только

 

 

 

кристаллические тела, у которых решетка не

 

 

 

имеет центра симметрии. Например, кристал-

 

 

 

лическая решетка титаната бария состоит как

 

 

 

бы из трех встроенных друг в друга кубиче-

 

– Ва2+, – O2–

ских подрешеток: одна образована положи-

– Ti4+,

тельными ионами бария, другая – отрицатель-

Рис. 1

 

ными ионами титана, третья – отрицательны-

 

 

 

ми ионами кислорода (рис. 1). Минимум энер-

гии взаимодействия между положительными ионами титана и отрицатель-

ными ионами кислорода достигается, если они смещаются навстречу друг

другу, нарушая тем самым симметрию элементарной кристаллической

ячейки. Если такое смещение происходит во всех элементарных ячейках

кристалла, то сегнетоэлектрик приобретает очень большой электрический

дипольный момент в направлении этого смещения. В результате сильного

электрического взаимодействия между

отдельными поляризованными

 

 

 

 

 

113

ячейками они располагаются так, что их дипольные моменты параллельны друг другу. Такое расположение дипольных моментов возможно даже в отсутствие внешнего электрического поля. Это и есть спонтанная поляри-

зованость PS .

Сегнетоэлектрики отличаются от остальных диэлектриков рядом особенностей:

1.Большое значение диэлектрической проницаемости ε (~ 105), в то время как у большинства обычных диэлектриков она составляет несколько единиц.

2.Нелинейная зависимость поляризованности от напряженности электрического поля Е.

Это приводит к тому, что диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика зависит от напряженности поля. Для обычных диэлектриков эта величина не зависит от поля и является характеристикой вещества.

3.Обладают диэлектрическим гистерезисом («запаздывание»). Рассмотрим поведение сегнетоэлектрика при циклическом изменении внешнего электрического поля (рис. 2). При Е = 0 в сегнетоэлектрике существу-

ет только спонтанная поляризованность PS . Если макроскопический объём

 

Р

 

 

*

сегнетоэлектрика спонтанно поляри-

 

1

1

зован,

то он

является

источником

 

Рнас

 

сильного электрического поля. С

 

 

 

 

 

РS

 

 

 

этим полем связана большая энергия.

 

Рос

2

 

 

Следовательно, такое состояние яв-

 

 

 

 

 

ляется

энергетически

невыгодным.

 

3 О

6

Е

Система из такого состояния стре-

 

мится перейти к состоянию с мень-

 

–Ек

+Eк Енас

 

 

шей энергией, сохраняя при этом

 

 

 

 

 

спонтанную поляризованность PS .

 

 

5

 

 

Это осуществляется путем разделе-

 

* 4

 

 

ния макроскопического объёма сег-

4

 

 

 

нето-электрика

на

малые области –

Рис. 2

 

 

домены, каждый из которых характе-

 

 

 

 

 

 

ризуется вектором спонтанной поля-

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

ризованности

PS

(рис.

3). Размеры

доменов порядка десятков тысяч ангстрем (порядка микрометра) В пределах одного домена PS всех элементарных ячеек ориентирован в одну сто-

рону, но в разных доменах он ориентирован произвольно, поэтому средняя поляризованность всего сегнетоэлектрика равна нулю (точка 0 на рис. 2 и рис. 3а).

При наложении внешнего электрического поля Е поляризованность сегнетоэлектрика изменяется. Она будет складываться из спонтанной по-

114

ляризованности PC , не зависящей от поля Е, и индуцированной Pинд , вызванной этим полем,

 

 

 

P = PC + Pинд .

 

 

 

Первоначальное увеличение поляризован-

 

 

 

ности происходит из-за роста доменов, с

 

 

 

«выгодной» ориентацией за счет доменов с

 

 

 

«менее выгодной» ориентацией (рис. 3б).

 

 

 

«Выгодной» считается такая ориентация

а) Е= 0 б) 0 < Е < Eнас

дипольных моментов, которая образует

 

 

 

острый угол с направлением внешнего

 

 

 

электрического поля. Наиболее интенсивно

 

 

 

 

 

 

этот процесс протекает для среднего участ-

 

 

 

ка кривой 0-1. В точке 1 поляризованность

 

 

 

всех доменов оказывается ориентирован-

с) Е = Eнас

д) Е > Eнас

ной вдоль поля Е и сегнетоэлектрик пре-

 

Рис. 3

вращается в однодоменный кристалл (рис.

 

3с). Он находится в состоянии насыщения

 

 

 

и характеризуется напряженностью ЕНАС и

поляризованностью РНАС насыщения. Дальнейшее увеличение Е приводит

к незначительному возрастанию поляризованности и кривая 0-1 переходит в линейный участок 1-1* (рис. 3д). Увеличение поляризованности на этом участке происходит за счет индуцированной поляризованности, которая линейно зависит от электрического поля Е

Pинд =ε0 (ε 1)Е,

(1)

где ε0 = 8,85 10–12 Ф/м – электрическая постоянная. Так как при достиже-

нии состояния насыщения поляризованность равна сумме спонтанной и индуцированной поляризованности, то для определения максимальной

спонтанной поляризованности PS необходимо экстраполировать прямую

1-1*. до пересечения с осью Р.

При уменьшении (из точки 1) поля кривая зависимости Р от Е не совпадет с первоначальной и пойдет несколько выше (кривая 1-2). При Е = 0 сегнетоэлектрик не возвращается в неполяризованное состояние, а сохраняет остаточную поляризованность Рост (отрезок 0-2). Это явление на-

зывается диэлектрическим гистерезисом. Таким образом, поляризован-

ность Р не определяется однозначно полем Е, а зависит также от предшествующей истории сегнетоэлектрика.

Для деполяризации сегнетоэлектрика т. е. сведения к нулю остаточной поляризованности, необходимо приложить некоторое поле ЕК обратного

направления. Напряженность ЕК (отрезок 0-3) называется коэрцитивной силой (коэрцитивным полем). При дальнейшем увеличении поля того же

115

направления поляризованность кристалла меняет свое направление и с ростом поля достигает насыщения в точке 4. Дальнейший рост (от точки 4 до 4*) обусловлен действием индуцированной поляризованности. Если вновь изменять напряженность от – ЕНАС до + ЕНАС , то электрическое состояние сегнетоэлектрика будет изменяться вдоль ветви 4*-4-5-6-1-1*. Значение остаточной поляризованности для этой ветви определяется отрезком 0-5, а коэрцитивной силы – отрезком 0-6. Замкнутая кривая 1*-1-2-3-4-4*-5- 6-1-1* называется петлей гистерезиса.

При изменении напряженности поля от – Е до + Е и последующем возвращении от + Е до – Е, где Е – любое значение напряженности поля, удовлетворяющее условию 0 < Е < ЕНАС , будет также получаться петля гистерезиса, называемая частной петлей (частным циклом). Этих циклов может быть бесчисленное множество, при этом вершины частных петель лежат на основной кривой 0-1.

М е т о д и з м е р е н и й

Изучить свойства сегнетоэлектриков и определить их основные харатеристики – поляризованность и напряженность поля при насыщении сегнетоэлектрика, остаточную поляризованность и коэффициентную силу можно с помощью петли диэлектрического гистерезиса. Получить и наблюдать петлю можно с помощью установки, электрическая схема которой приведена на рис. 4.

Два конденсатора С1 и С2 соединяются последовательно и питаются от регулируемого источника переменного напряжения. Конденсатор С2

заполнен обычным «линейным» диэлектриком с постоянной диэлектрической проницаемостью, а конденсатор С1 – сегнетоэлектриком. Параллель-

но соединению конденсаторов включены два сопротивленния. Сопротивление R1 является эквивалентным омическим сопротивлением исследуемо-

го сегнетоэлектрика, а сопротивление R2 . служит для подбора равенства фаз напряжений, подаваемых на вход осциллографа (ОЭ).

Рис. 4 Электрическая схема:

1 – генератор сигналов специальной формы (регулируемый источник постоянного напряжения); 2 – трансформатор; 3, 4 – мультиметры (режим

116

V 20 V, входы COM, V); 5 – осциллограф; С1 – конденсатор с сегнетоэлектрическим изолятором; С2 – конденсатор с изолятором не из сегнетоэлектрика; X, Y – выходы напряжений U X и UY на мультиметры и на соответствующие гнезда осциллографа.

Ёмкость конденсатора С1 и напряженность электрического поля Е1

внутри сегнетоэлектрика рассчитываются по формулам

 

С

=

 

ε0εs

,

(2)

 

 

1

 

 

d

 

 

 

 

 

Е

=

UС1

,

(3)

 

1

 

 

d

 

 

 

 

 

где ε – диэлектрическая проницаемость, s – площадь обкладок, d

– рас-

стояние между ними, UС1 – напряжение между обкладками конденсатора

С1 .

Так как конденсаторы соединены между собой последовательно, то заряды на их обкладках будут одинаковыми

Q =C1UС1 =C2UС2 ,

где UС2 - на конденсаторе С2 . Отсюда

UС1 = C2 UС2 ,

C1

или учитывая (2)

U

С1

=

C2d U

С2

.

 

 

ε εs

 

 

Подставим (5) в (3), получим

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

C1

 

 

Е

=U

 

 

.

 

 

 

 

1

 

 

C1 ε0εs

 

Из соотношения (1) с учетом того, что для сегнетоэлектрика ε ет

 

 

Е

=

Р

.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

ε

ε

 

Тогда уравнение (6) примет вид

 

 

 

0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р

 

=U

 

C1

,

 

ε0ε

C1 ε0εs

 

 

 

 

откуда следует, что

UС2 = s P , C2

(4)

(5)

(6)

>> 1, следу-

(7)

117

то есть, падение напряжения на конденсаторе С1 пропорционально поляри-

зованности сегнетоэлектрика.

Найдем падение напряжения UR 2 на сопротивлении R2 . Ток, текущий через это сопротивление по закону Ома равен

I = UR 2 .

R2

Такой же ток протекает и по участку цепи с сопротивлением (R1 + R2 )

I = UR1

+UR 2

,

 

 

 

R + R

 

 

 

 

 

1

2

 

 

 

где UR1 – падение напряжения на сопротивлении R1 . Из сравнения двух

последних уравнений получаем

 

 

 

 

 

 

UR 2

= UR1 +UR 2

,

R

2

R + R

 

 

 

 

1

2

 

 

где UR1 +UR 2 =UC1 +UC 2 =U – напряжение, подаваемое на вход схемы (рис. 4).

Так как С2 >> С1 и R1 >> R2 , то из (4) следует, что UС1 >> UС2

и

 

 

UR 2 = UC1

,

 

 

 

R

2

R

 

 

 

 

 

1

 

 

откуда с учетом равенства (5), получаем уравнение

 

U

R 2

= R2d

E ,

 

(8)

 

R1

1

 

 

 

 

 

 

 

то есть, падение напряжения на сопротивлении R2 пропорционально на-

пряженности внешнего электрического поля.

Таким образом, из уравнений (7) и (8) видно, что если напряжение UС2 подать на вход вертикальной развертки осциллографа (UY ), а напряже-

ние UR 2 на вход горизонтальной развертки (U X ), то электронный луч в

направлении оси Y будет отклоняться пропорционально поляризованности Р сегнетоэлектрика, а в направлении оси X пропорционально напряжённости внешнего электрического поля Е. За один период синусоидального изменения напряжения электронный луч на экране опишет полную петлю гистерезиса, и за каждый последующий период в точности повторит её. Поэтому на экране будет наблюдаться неподвижная петля.

О п и с а н и е

у с т а н о в к и

118

Электрическая схема установки показана на рис. 4, монтажная схема

– на рис. 5.

Установка для исследования свойств сегнетоэлектриков состоит из генератора сигналов специальной формы, миниблока «Сегнетоэлектрик» - 2, двух мультиметров - 3 и 4 и осциллографа - 5. В качестве исследуемого образца используется титанат бария (BaTiO) – сегнетоэлектрик, который служит изолятором в конденсаторе С1 .

Рис.5 Монтажная схема установки

П о р я д о к в ы п о л н е н и я р а б о т ы

Выполнение измерений

1. Соберите электрическую цепь по монтажной схеме, приведенной на рис. 5. Параметры установки занесите в таблицу 1.

Таблица 1

119

Параметры установки:

С

2

= 6,80 мкФ, d = 3,20 10-3

м, s = 1,23 10-3 м2, R = 100 103

Ом, R

= 10 103

Ом

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

2

 

U нас

=...В

Р =...Кл/ м2

U

нас =...В

 

Енас

=...В/ м

 

Y

 

 

 

 

нас

 

 

 

Х

 

 

 

 

 

yнас =...мм

 

 

yост =...мм

 

yS

=...мм

 

хнас =...

мм

 

 

хК =...мм

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Р

 

=...Кл

/ м2

 

 

Р =...Кл/ м2

 

 

ЕК

=...В/ м

 

 

 

ост

 

 

 

 

 

S

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.Включите кнопками «Сеть» питание блока генераторов напряжения

иблока мультиметров. Нажмите кнопку «Исходная установка» (поз. 19, см. рис. 1 на стр. 6). Загорится индикатор (поз. 6, см. рис. 1 на стр. 6) сигнала синусоидальной формы. Частота выходного сигнала установится 500Гц (см на индикатор - поз.5, рис. 1, стр. 6).

3.Включите осциллограф и выведите электронный луч в центр экрана.

4.Кнопками «Установка частоты 0,2 – 20 кГц » (поз. 10, см. рис. 1 на стр. 6) установите частоту 50 Гц.

5.Увеличивая напряжение в первичной обмотке трансформатора с помощью кнопок «Установка уровня выхода 0 … 15 В» (поз. 10, см. рис. 1 на стр. 6) генератора сигналов специальной формы (увеличивая напряжение UY примерно до 4,0 В), получите изображение предельной петли гистере-

зиса. Петля считается предельной, если рост напряжения не приводит к увеличению ее площади.

6. Ручками осциллографа ↔ и ↕ установите изображение петли симметрично относительно осей Х и У.

У

 

Ручками осциллографа «Усиление Х»,

унас

 

«Усиление У» (дискретно и плавно)

 

 

 

 

 

 

 

уS

 

установите наибольшие размеры пет-

уост

 

ли, которые вписываются в экран ос-

 

 

циллографа.

 

 

 

О

Х

7. По

экрану

осциллографа

из-

мерьте

координаты точек

хК ,

хнас ,

хк

хнас

yост , yS

,

yнас (рис. 6). Мультиметрами

 

 

 

 

измерьте напряжения UYнас и U Хнас .

Ре-

 

 

зультаты измерений занести в табл. 1.

 

 

8. Кнопками «Установка уровня

 

 

выхода 0 … 15 В» уменьшите напря-

Рис. 7

 

жение UY

до нуля. Этими же кнопка-

 

 

ми, повышая UY

от нуля

с шагом

примерно 0,40 В до его максимального значения UYнас , измерить соответствующие значения напряжения U X . Результаты измерений занести в табл. 2.

120

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]