Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3[[i]]d[[ i]]-окислов. Параметры, характеристики и области применения

.pdf
Скачиваний:
65
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.29 Mб
Скачать

§ 10.1]

ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУР

373

тины

при 250 °С. Образцы имеют

вид маленьких цилин­

дров,

выточенных из кристаллов

алмаза, с электродами

из платиновой проволоки. Электроды припаиваются к алмазу в аргоне при 1200 °С с помощью сплава T i , A g и Си, что позволяет получить механически прочный оми­ ческий контакт [469]. Образцы диаметром от 0,5 до 4 мм имеют величииу сопротивления при комнатной темпера­ туре от 500 ом до 150 ком.

Фирма «Carborundum Со» (США) [471] сообщает о миниа­ тюрных монокристаллических терморезисторах, изотовленных из карбида кремния, легированного бором. Их ТКС

при —100 °С

составляет — 2 , 5 % / ° С

и

уменьшается до

—1%/°С при

300 °С. Таким образом,

T P

имеют широкий

интервал рабочих температур. Номинальная величина сопротивления при 25 °С равна 2600 ом + 2 % . Образцы имеют форму миниатюрных таблеток диаметром 1,3 мм и толщиной 0,25 мм, защищенных смолой или керамикой.

Имеются сообщения об использовании для изготовле­ ния TP соединений типа A I n B v [472, 473]. В работе [472] указывается, что соединения типа A n i B v , наряду с боль­ шим ТКС, имеют большую теплопроводность — у InSb в 4 раза, а у InAs — в 7 раз больше, чем у материалов, используемых для изготовления стандартных ТР. Патент [473] относится к способу изготовления TP из InAs, ле­ гированного цинком. Такие T P рассчитаны на работу при температурах до 200 °С. Технология их изготовления зна­ чительно сложнее в сравнении с оксидными ТР.

Следует отметить еще стеклянные TP, разработанные

на основе стекол с электронной проводимостью

[474].

Основные компоненты стекла — V 2 0 5

,

ВаО, и

Р 2 0 5 .

По параметрам стеклянные TP близки

к

обычным

оксид­

ным ТР. Интересен запатентованный фирмой Мацусита эластичный терморезистор [475]. Он изготовлен из стек­

лянного

волокна состава Р 2

0 5 — 40,

V 2 0 5 — 20, W 0 3

35, F e 2 0 3

— 5 мол. %.

Удельное

сопротивление этого

ма­

териала при 100 °С составляет ~

1-Ю4 ом-см,

а постоян­

ная В =

5470 °К. Волокно

обладает

высокой

влагостой­

костью.

Предложены

два

варианта

конструкции

T P :

а) в виде тонкой нити, натянутой между двумя пружиня­ щими контактами в стеклянном корпусе, и б) в виде плот­ ной ткани из стекловолокна. Предполагаемые приме­ нения — измерение температуры и тепловой контроль.

374

ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТИПЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ

[ГЛ. X

 

В последние годы появился также ряд сообщений (см.,

например,

[476, 477]) о возможности использования для

разработки

терморезисторов органических

полупровод­

ников. Для этой цели в работе [467] предлагается

исполь­

зовать смесь полппзобутилеиа н полиэтилена

с сажей в ка­

честве наполнителя. ТКС может быть как положительным,

так

и отрицательным

и в

среднем составляет

~

0,6%/°С.

Величины р материалов находятся в пределах от

пример-'

но

2 до 1 -10* ом-см.

Для

изготовления TP

применяются

также п другие органические материалы, например, поли-

мерпзованный

поливиниловый

спирт, предварительно

тренированный

в вакууме

в

электрическом

поле при

~ 70 °С [477].

 

 

 

 

 

§

10.2. Тернокомпепсаторы

 

 

Для температурной компенсации различных

элемен­

тов электрической цепн, работающих в широких

интер­

валах рабочих

температур,

предназначены

TP

типов

СТ1-2; ММТ-8,9,12,13; КМТ-8 и КМТ-12 (табл. 20). Терморезисторы типа СТ1-17, СТЗ-17 и СТЗ-28 исполь­ зуются для температурной компенсации транзисторной электронной аппаратуры. Для этой же цели могут быть применены позпсторы типа СТ6-1В и СТ6-4Б (табл. 22). Для температурной компенсации ряда элементов электри­ ческой цепн Т. Н. Егоровой специально разработаны по­ зисторы типа СТ10-1. Терморезнсторы типа СТЗ-24, СТ2-26, СТЗ-26 предназначены для температурной ком­ пенсации электронных схем в мнкромодульном исполне­ нии. Терморезисторы типа СТЗ-23 используются для тем­ пературной стабилизации размера изображения по верти­ кали в ламповых телевизорах. Естественно, что перечис­ ленные типы TP с успехом могут также применяться и для решения многих других задач, которые рассматрива­ лись в главе' I X .

Терморезисторы типа ММТ-8 и КМТ-8

состоят из

1—3 полупроводниковых шайб, соединенных

между собой

таким образом, чтобы обеспечить нужную величину соп­ ротивления. Для защиты от воздействия повышенной влаж­ ности и механических перегрузок шайбы залиты специаль­ ным компаундом в герметически запаянном корпусе.

Терморезпстор ММТ-9 состоит из комплекта 1—3 полупроводниковых шайб. Суммарное сопротивление

§ 10.21

ТЕРМОКОМПЕНСАТОРЫ

375

шайб, входящих в одип комплект и последовательно сое­ диненных между собой, равно необходимой номинальной величине . сопротивления. Контакт с TP осуществляется прижимом соответствующих контактных пружин к по­ серебренным торцевым поверхностям. Большинство TP указанных выше типов защищены влагостойкими электро­ изоляционными эмалями (у ММТ-9 только боковые по­ верхности каждой шайбы), СТ1-2 и СТ6-4Б покрыты эпок­ сидным компаундом, а СТЗ-28 не имеют защитного пок­ рытия.

Особенностью TP типа СТ1-2, разработанных В. Ы. Но­ виковым, является малая частотная зависимость величи­ ны сопротивления. В соответствии с техническими усло­ виями изменение величины активной проводимости (при 20 °С), измеренной на частотах 50 кгц, 1,5 мггц и 10 мггц отличается от значения, измеренного на постоянном токе, соответственно не более чем на 5,10 и 15% . В связи с этим СТ1-2 могут применяться в цепях переменного тока с

частотой до 10 мггц.

Емкость GT1-2 при 20 °С на частотах

500 кгц,

1,5

мггц и

10 мггц не превышает

соответственно

400, 150

и

20 пф.

Остальные тнпы TP в

соответствии с

техническими условиями разрешено применять в цепях переменного тока частотой до 400 гц. При использова­ нии TP для температурной компенсации необходимо, чтобы ток, проходящий через TP, заметно не нагревал его, так как иначе будет ухудшена точность компенсации.

Р. И. Брескером и Н. И. Ворониным [478] для целей термокомпенсацип были разработаны мощные TP на ос­ нове поликристаллического карбида кремния в смеси с другими материалами. Они изготовляются из смеси чер­ ного карборунда, двуокиси титана и элементарного крем­ ния, взятых в соотношении 40 : 30 : 10. К ним добавляет­ ся каолин в количестве от 10 до 4 0 % . Обжиг образцов производится в нефтяных печах в засыпке из кокса при 1200—1300 °С (3 ч). Контакты наносятся шоопированием алюминия. Для защиты от влаги TP глазуруются. Вели­ чина сопротивления TP — 5—25 ом и 0,4—4 ком. Вели­ чина ТКС около — 0,5%/°С. Максимальная мощность рас­ сеяния — 25 вт и максимальная рабочая температура — 150 °С. Данные о разбросе TP по параметрам в работе [478] не приводятся. Отсутствуют также сведения о се­ рийном производстве таких ТР.

"376

Г1Р0Л1ЫШЛ1ГНИЫЕ1ТШ1Н1 ТКШОГЕЗИСТОГОЙ

[ГЛ. X

Лабораторные образцы TP на

основе поликристалли­

ческого

кар&ида бора, смешанного

с глиной

4 С — 60—

70 вес.

% и глина — 30—40 вес.

% ) , были

разработаны;

Д . А. Яськовым 1479]. Обжиг цилиндрических заготовок производился в восстановительной атмосфере при 1400—

1450 °С (2 ч). Контакты

наносились

вжиганием

серебра.

От атмосферных воздействий T P защищались

электро­

изоляционной

эмалью.

Величина

сопротивления

при

комнатной

температуре

составляет

~ 5 ом и

ТКС ~

0,4%/°С.

Терморезисторы предназначаются для

тем­

пературной

компенсации

низкоомных

электроизмеритель-

жых приборов.

Для температурной компенсации транзисторных схем применяются также TP с небольшим положительным ТКС, разработанные на основе легированного кремния. Легирование производится, например, бором. В Англии такие T P называются силисторами [480]. Величина соп­ ротивления меняется с температурой по приближенному

.закону:

 

 

 

 

 

 

 

< 1 0 - 3 >

где t — температура в °С, R25

— величина

сопротивления

при

25 °С.

 

 

 

 

 

 

Силисторы изготовляются в виде стержней диаметром

"6,35

мм и

длиной 14,3

мм.

Величины

R25

находятся в

пределах от 10 до 470 ом. Допуск по величине R26 состав­

ляет

±20%,

ТКС

при

25 °С равен

0,77%/° С. Интер­

вал

рабочих температур

—60 ч|- 150 °С,

максимальная

мощность

рассеяния

при 35 °С — 1г 5

вт.

 

В

США

кремниевые

T P

изготовляются

фирмой «Vec-

;itor» [481] под фирменным названием «Tempistor». Вели­ чина ТКС .составляет ~ 0 , 7 % / ° С . Номинальные величины сопротивления находятся в пределах от 10 ом до 10 ком. Допуск по величине сопротивления — 5 и 10% . Мощность рассеяния — 1/8 и 1/4 вт.

Отечественные опытиые образцы кремниевых T P раз­ работаны Ю. В. Зайцевым и А. Н . Марченко [482] на ос­ нове кремния с электронной проводимостью и концентра­ цией донорной примеси 1 0 1 5 — 1 0 1 7 см~г. Пластинки крем­ ния имели размер 7 X 10 X 0,3'мм. Омические контакты наносились химическим осаждением никеля. Полупровод-

§ 10.3]

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

377

никовые пластинки помещались в стеклокерамическую> трубку, концы которой были залиты термостойким ком­ паундом. Величины сопротивления образцов находились вт пределах от 50 до 500 ом. ТКС составлял 0,7—1'%/°С. Посредством юстировки образцов путем химического или электрохимического травления может быть обеспечен допуск по величине номинального сопротивления,, nej превышающей 1—2%.

§ 10.3. Стабилизаторы напряжения

Для стабилизации напряжения в различных схемах" и электрических устройствах слабого тока промышлен- •

ностью выпускаются T P типов

ТП2/0,5,

ТП2/2

и ТП6/2'

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

23

Основные параметры терморезисторов — стабилизаторов

напряжения

типа ТП2/0,5 ТП2/2 и ТП6/2 [430 , 435]

 

 

 

 

 

Тип терморезисторов

Наименование

параметров

ТШ/0,5

ТП2/2

ТП6/2

 

 

 

 

Номинальное напряжение,

в

2,0

2,0

6,0

Общий предел стабилизации, в

1 , 6 - 3 , 0

1,6—3,0 4 , 2 - 7 , 8

Рабочая область по току, ма

0 , 2 - 2 , 0

0,4 — 6,0

0 , 4 - 6 , 0

Средний рабочий ток, ма

 

0,5

2,0

2,0

Максимально допустимое

изменение

0,4

0,4

1,2

напряжения, в

 

 

 

 

 

 

Предельно

допустимая

кратковре­

4

12,0

12,0

менная перегрузка, ма

 

 

 

 

 

Максимально допустимая

продолжи­

2

2

2

тельность

перегрузки, сек

 

 

 

 

 

Сопротивление изоляции

между ра­ Не менее Не менее Не

менее

бочими выводами прп отнозптечьиой

5

5

5

влажности

в 9 5 % ,

Мом

 

 

 

 

 

Срок службы, ч

 

 

5000

5000

5000

Вес, г

 

 

 

45

45

 

45

(табл. 23). Буквы ТП — сокращенное наименование из­ делия: терморезистор прямого подогрева. Цифра в чис­ лителе указывает номинальную величину напряжения в вольтах, на которую рассчитай ТР . Знаменатель обозна­ чает среднюю силу рабочего тока в миллиамперах. Харак­ теристики этих T P приведены в работах [430, 432,, 435]л

378

ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТИПЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ

[ГЛ. X

Терморезисторы выполнены в виде ламп с нормаль­

ным

октальным цоколем (рис. 154), откачанных до

ваку­

ума

Ю - 5 мм рт. ст. Полупроводниковый элемент в виде

тонкой нити диаметром от 20 до 100 мкм и

длиной от не­

скольких десятых мм до 3—5 мм укреплен

при помощи

CTI-30

#>8

ГГ~-"!

Рис. 154. Конструктивное оформление терморсзпсторов серии ТП и терморезисторов с косвенным подогревом [422, 426, 430, 435]

вольфрамовой проволоки (диаметром -~ 20 мкм) иа проволочных электродах, впаянных в стеклянную ножку. Контактирование элемента с вольфрамовыми выводами осуществляется с помощью коллоидального графита.

Терморезисторы сорпп ТП изготовляются на основе смесей окислов титана и магния по технологии, близкой к той, которая была разработана в Германии еще в 30-х

§ 10.3]

СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ

379

 

а,г о,4 о,б ом /,о ц

i/< t,o /,8 г,о

Рис. 155. Типовые вольт-амперныо

характеристики T P ТП2/0.5.

1. 5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 1,ма

Рис. 156. Типовые польт-амперные характеристики T P ТП2/2.

У, В

6,2\

5,8

5,4

5,0

4,6

4.20,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0

1,ма

Рис. 157. Типовые польт-амперные характеристики T P ТП6/2.

3 S 0 ПРОМЫШЛЕННЫЙ ТИПЫ ТЕРМ0РЕ311СТ6Р0П [ГЛ. X

годах (см. §

3.1). Использование

принципа регулирова­

ния стехиометрического состава полупроводника

не поз­

волило, как уже указывалось в | 3.1, разработать

относи­

тельно простую

технологию,

позволяющую

воспроизво­

димым образом

изготовлять

T P с малым

разбросом

по

параметрам.

Полупроводниковые

нити

обжигаются

в

пламени газовой

горелки, когда

говорить

о точной ре­

гулировке температуры и газовой среды

вообще не прихо •

дится.

 

 

 

 

 

 

 

 

Типовые вольт-амперные характеристики ТП2/0,5, ТП2/2иТП6/2 [430, 435] изображены на рис. 155—157. Они могут значительно различаться для образцов одного и того же типа. Терморезисторы предназначаются для цепей пос­ тоянного и переменного тока частотой до 150 кгц. После •срока службы в 5000 ч допускается смещение всей вольтамперной характеристики на + 3%.

Терморезисторы серии ТП могут быть также исполь­ зованы в качестве регулируемых резисторов с относитель­ но малой мощностью управления. Однако они имеют существенные недостатки: небольшой диапазон регули­ рования сопротивления, большую величину минималь­

ного

сопротивления,

ограничивающую

использование

этих TP на высоких частотах, и большие габариты.

Современным типом TP с малой

мощностью управле­

ния являются бусинковые вакуумированиые TP типа

СТЗ-22, разработанные

В. Ы. Новиковым

и

Б. А. Тал-

лерчиком [483] (см. табл. 20). Такой

TP изготовлен в

виде

бусинки

диаметром

около 0,5 мм с

платиновыми

выводами диаметром 40 мкм. Она вварена в

стеклянный

баллон, в котором создан

вакууме

хуже 10~6

мм рт. ст.

Максимальная

рабочая

температура

термочувствитель­

ного

элемента

составляет

200 °С. При этой температуре

его сопротивление

равно

20 ом. Терморезисторы СТЗ-22

могут

работать

в

цепях

постоянного и переменного тока

с частотой до 10 мггц.

Индуктивность

вводов

СТЗ-22 рав­

на примерно 0,1 мкгн,

и емкость между выводами не пре­

вышает 3 пф. Терморезисторы СТЗ-22 также могут быть использованы в качестве стабилизаторов напряжения. )Кроме того, они могут быть применены в устройствах автоматической регулировки усиления, генераторах низко­ частотных колебаний, измерителях мощности различных ^частот вплоть до СВЧ и др.

§ 10.4]

ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ТЕРМОСТАТОВ

381

§ 10.4. Терморезисторы для автостабилизирующихся полупроводниковых термостатов

Для радиотехнических полупроводниковых саморегу­ лирующихся термостатов (§ 9.3.3) промышленностью в настоящее время выпускается несколько типов позисторных нагревательных элементов (СТ6-2Б, СТ6-5Б и СТ6-6Б, табл. 22 и рис. 142), изготовленных в виде круглых дис­ ков, квадратных пластин и цилиндрических трубок [373,

-80-40

0 40 SO 120 Г/С

50

100 150

2001,ма

 

а)

 

5)

 

Рис. 158.

Типовые температурные (а) и вольт-

амперные

(б) характеристики позисторов СТ6-2Б

{1),

СТ6-5Б (2) и СТ6-6Б (3) [410].

Вольт-амперные характеристики

снимались

в спокой­

 

ном возд-yxe

при

25 °С.

 

410, 441]. С целью обеспечения близости значений напря­ женности поля в различных частях нагревательных эле­ ментов, что необходимо для более равиомерного распреде­ ления температуры, электроды наносились на поверхно­ сти пластин или дисков, имеющие наибольшую площадь, или на боковые поверхности трубок. Типовые температур-

382 ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТИПЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ [ГЛ. X

иые и вольт-амперные характеристики позисторов при­

ведены

на рис.

158.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Характеристики трубчатого

нозисториого

термостата

проанализированы в § 9.3.3

(рис. 129). В

оптимальном

ре­

 

 

 

 

 

 

 

 

жиме

точность

поддержа­

 

 

\

 

 

 

 

 

ния

температуры

макет­

 

 

 

 

 

 

 

ного образца такого тер­

 

 

\

 

 

 

 

мостата составляет + 4 °С

 

4

 

 

 

 

при пзмеиеиеиин темпера­

 

2

S

\

Г

 

 

туры

окружающей

среды

 

 

 

 

 

 

 

от

- 6 0 до

+ 6 0

°С.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

В

настоящее

время

 

0

 

 

 

 

 

 

разрабатываются

разно­

 

 

 

 

2\

 

 

образные конструкции

по-

-2

 

 

 

 

 

 

зисторных

нагреватель­

 

 

 

 

 

 

ных

элементов. Ведется

-4

 

 

 

 

 

 

также

работа

по

даль­

 

 

 

 

 

 

нейшему повышению

сро­

 

-200 -100

0

100

200

Т°С

Рис.

159. Температурная

зависи­

ка

службы этих

весьма

перспективных

элементов

мость

удельного

сопротивления

некоторых

 

полупроводниковых

электрической

цепи.

 

терморезнсторных

материалов.

 

Как уже указывалось в

1 — V . 0

3 ; 2 — Y.O-r,

3 — смесь окис­

§ 9.3.3, саморегулирующи­

лов меди и марганца с 11=3000 °К;

4 —

еся

полупроводниковые

титанат

бария,

легированный

церием.

термостаты могут быть соз­ даны и на основе TP с очень большой величиной отрицатель­ ного ТКС. Такими характеристиками обладают, например, некоторые окислы ванадия [484—487], в которых струк­ турные фазовые переходы сопровождаются резким изме­ нением электропроводности на несколько порядков ве­ личин. В VO, V 2 0 3 и V 2 0 4 ( V 0 2 ) подобные переходы имеют место соответственно при 121, 168 и 340 °К. Ниже темпе­ ратуры перехода температурная зависимость электропро­ водности имеет вид, типичный для полупроводников, а выше этой температуры она такая же, как у металлов. Таким образом, окислы ванадия, в определенном смысле имеют характеристики, прямо противоположные позисторным материалам (рис. 159). Предложен ряд моделей

перехода

«металл — полупроводник» в подобных

соеди­

нениях

[234,488 — 492] . В соответствии с

наиболее

распространеиной точкой зрения этот переход обуслов­ лен электронными явлениями, а перестройка кристалли-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ