
книги из ГПНТБ / Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3[[i]]d[[ i]]-окислов. Параметры, характеристики и области применения
.pdf§ 10.1] |
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕМПЕРАТУР |
373 |
|
тины |
при 250 °С. Образцы имеют |
вид маленьких цилин |
|
дров, |
выточенных из кристаллов |
алмаза, с электродами |
из платиновой проволоки. Электроды припаиваются к алмазу в аргоне при 1200 °С с помощью сплава T i , A g и Си, что позволяет получить механически прочный оми ческий контакт [469]. Образцы диаметром от 0,5 до 4 мм имеют величииу сопротивления при комнатной темпера туре от 500 ом до 150 ком.
Фирма «Carborundum Со» (США) [471] сообщает о миниа тюрных монокристаллических терморезисторах, изотовленных из карбида кремния, легированного бором. Их ТКС
при —100 °С |
составляет — 2 , 5 % / ° С |
и |
уменьшается до |
—1%/°С при |
300 °С. Таким образом, |
T P |
имеют широкий |
интервал рабочих температур. Номинальная величина сопротивления при 25 °С равна 2600 ом + 2 % . Образцы имеют форму миниатюрных таблеток диаметром 1,3 мм и толщиной 0,25 мм, защищенных смолой или керамикой.
Имеются сообщения об использовании для изготовле ния TP соединений типа A I n B v [472, 473]. В работе [472] указывается, что соединения типа A n i B v , наряду с боль шим ТКС, имеют большую теплопроводность — у InSb в 4 раза, а у InAs — в 7 раз больше, чем у материалов, используемых для изготовления стандартных ТР. Патент [473] относится к способу изготовления TP из InAs, ле гированного цинком. Такие T P рассчитаны на работу при температурах до 200 °С. Технология их изготовления зна чительно сложнее в сравнении с оксидными ТР.
Следует отметить еще стеклянные TP, разработанные
на основе стекол с электронной проводимостью |
[474]. |
||
Основные компоненты стекла — V 2 0 5 |
, |
ВаО, и |
Р 2 0 5 . |
По параметрам стеклянные TP близки |
к |
обычным |
оксид |
ным ТР. Интересен запатентованный фирмой Мацусита эластичный терморезистор [475]. Он изготовлен из стек
лянного |
волокна состава Р 2 |
0 5 — 40, |
V 2 0 5 — 20, W 0 3 — |
||||
35, F e 2 0 3 |
— 5 мол. %. |
Удельное |
сопротивление этого |
ма |
|||
териала при 100 °С составляет ~ |
1-Ю4 ом-см, |
а постоян |
|||||
ная В = |
5470 °К. Волокно |
обладает |
высокой |
влагостой |
|||
костью. |
Предложены |
два |
варианта |
конструкции |
T P : |
а) в виде тонкой нити, натянутой между двумя пружиня щими контактами в стеклянном корпусе, и б) в виде плот ной ткани из стекловолокна. Предполагаемые приме нения — измерение температуры и тепловой контроль.
374 |
ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТИПЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ |
[ГЛ. X |
||
|
В последние годы появился также ряд сообщений (см., |
|||
например, |
[476, 477]) о возможности использования для |
|||
разработки |
терморезисторов органических |
полупровод |
||
ников. Для этой цели в работе [467] предлагается |
исполь |
|||
зовать смесь полппзобутилеиа н полиэтилена |
с сажей в ка |
честве наполнителя. ТКС может быть как положительным,
так |
и отрицательным |
и в |
среднем составляет |
~ |
0,6%/°С. |
Величины р материалов находятся в пределах от |
пример-' |
||||
но |
2 до 1 -10* ом-см. |
Для |
изготовления TP |
применяются |
также п другие органические материалы, например, поли-
мерпзованный |
поливиниловый |
спирт, предварительно |
|||
тренированный |
в вакууме |
в |
электрическом |
поле при |
|
~ 70 °С [477]. |
|
|
|
|
|
§ |
10.2. Тернокомпепсаторы |
|
|
||
Для температурной компенсации различных |
элемен |
||||
тов электрической цепн, работающих в широких |
интер |
||||
валах рабочих |
температур, |
предназначены |
TP |
типов |
СТ1-2; ММТ-8,9,12,13; КМТ-8 и КМТ-12 (табл. 20). Терморезисторы типа СТ1-17, СТЗ-17 и СТЗ-28 исполь зуются для температурной компенсации транзисторной электронной аппаратуры. Для этой же цели могут быть применены позпсторы типа СТ6-1В и СТ6-4Б (табл. 22). Для температурной компенсации ряда элементов электри ческой цепн Т. Н. Егоровой специально разработаны по зисторы типа СТ10-1. Терморезнсторы типа СТЗ-24, СТ2-26, СТЗ-26 предназначены для температурной ком пенсации электронных схем в мнкромодульном исполне нии. Терморезисторы типа СТЗ-23 используются для тем пературной стабилизации размера изображения по верти кали в ламповых телевизорах. Естественно, что перечис ленные типы TP с успехом могут также применяться и для решения многих других задач, которые рассматрива лись в главе' I X .
Терморезисторы типа ММТ-8 и КМТ-8 |
состоят из |
1—3 полупроводниковых шайб, соединенных |
между собой |
таким образом, чтобы обеспечить нужную величину соп ротивления. Для защиты от воздействия повышенной влаж ности и механических перегрузок шайбы залиты специаль ным компаундом в герметически запаянном корпусе.
Терморезпстор ММТ-9 состоит из комплекта 1—3 полупроводниковых шайб. Суммарное сопротивление
§ 10.21 |
ТЕРМОКОМПЕНСАТОРЫ |
375 |
шайб, входящих в одип комплект и последовательно сое диненных между собой, равно необходимой номинальной величине . сопротивления. Контакт с TP осуществляется прижимом соответствующих контактных пружин к по серебренным торцевым поверхностям. Большинство TP указанных выше типов защищены влагостойкими электро изоляционными эмалями (у ММТ-9 только боковые по верхности каждой шайбы), СТ1-2 и СТ6-4Б покрыты эпок сидным компаундом, а СТЗ-28 не имеют защитного пок рытия.
Особенностью TP типа СТ1-2, разработанных В. Ы. Но виковым, является малая частотная зависимость величи ны сопротивления. В соответствии с техническими усло виями изменение величины активной проводимости (при 20 °С), измеренной на частотах 50 кгц, 1,5 мггц и 10 мггц отличается от значения, измеренного на постоянном токе, соответственно не более чем на 5,10 и 15% . В связи с этим СТ1-2 могут применяться в цепях переменного тока с
частотой до 10 мггц. |
Емкость GT1-2 при 20 °С на частотах |
|||
500 кгц, |
1,5 |
мггц и |
10 мггц не превышает |
соответственно |
400, 150 |
и |
20 пф. |
Остальные тнпы TP в |
соответствии с |
техническими условиями разрешено применять в цепях переменного тока частотой до 400 гц. При использова нии TP для температурной компенсации необходимо, чтобы ток, проходящий через TP, заметно не нагревал его, так как иначе будет ухудшена точность компенсации.
Р. И. Брескером и Н. И. Ворониным [478] для целей термокомпенсацип были разработаны мощные TP на ос нове поликристаллического карбида кремния в смеси с другими материалами. Они изготовляются из смеси чер ного карборунда, двуокиси титана и элементарного крем ния, взятых в соотношении 40 : 30 : 10. К ним добавляет ся каолин в количестве от 10 до 4 0 % . Обжиг образцов производится в нефтяных печах в засыпке из кокса при 1200—1300 °С (3 ч). Контакты наносятся шоопированием алюминия. Для защиты от влаги TP глазуруются. Вели чина сопротивления TP — 5—25 ом и 0,4—4 ком. Вели чина ТКС около — 0,5%/°С. Максимальная мощность рас сеяния — 25 вт и максимальная рабочая температура — 150 °С. Данные о разбросе TP по параметрам в работе [478] не приводятся. Отсутствуют также сведения о се рийном производстве таких ТР.
§ 10.3] |
СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ |
377 |
никовые пластинки помещались в стеклокерамическую> трубку, концы которой были залиты термостойким ком паундом. Величины сопротивления образцов находились вт пределах от 50 до 500 ом. ТКС составлял 0,7—1'%/°С. Посредством юстировки образцов путем химического или электрохимического травления может быть обеспечен допуск по величине номинального сопротивления,, nej превышающей 1—2%.
§ 10.3. Стабилизаторы напряжения
Для стабилизации напряжения в различных схемах" и электрических устройствах слабого тока промышлен- •
ностью выпускаются T P типов |
ТП2/0,5, |
ТП2/2 |
и ТП6/2' |
||||
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
23 |
|
Основные параметры терморезисторов — стабилизаторов |
|||||||
напряжения |
типа ТП2/0,5 ТП2/2 и ТП6/2 [430 , 435] |
|
|||||
|
|
|
|
Тип терморезисторов |
|||
Наименование |
параметров |
ТШ/0,5 |
ТП2/2 |
ТП6/2 |
|||
|
|
|
|
||||
Номинальное напряжение, |
в |
2,0 |
2,0 |
6,0 |
|||
Общий предел стабилизации, в |
1 , 6 - 3 , 0 |
1,6—3,0 4 , 2 - 7 , 8 |
|||||
Рабочая область по току, ма |
0 , 2 - 2 , 0 |
0,4 — 6,0 |
0 , 4 - 6 , 0 |
||||
Средний рабочий ток, ма |
|
0,5 |
2,0 |
2,0 |
|||
Максимально допустимое |
изменение |
0,4 |
0,4 |
1,2 |
|||
напряжения, в |
|
|
|
|
|
|
|
Предельно |
допустимая |
кратковре |
4 |
12,0 |
12,0 |
||
менная перегрузка, ма |
|
|
|
|
|
||
Максимально допустимая |
продолжи |
2 |
2 |
2 |
|||
тельность |
перегрузки, сек |
|
|
|
|
|
|
Сопротивление изоляции |
между ра Не менее Не менее Не |
менее |
|||||
бочими выводами прп отнозптечьиой |
5 |
5 |
5 |
||||
влажности |
в 9 5 % , |
Мом |
|
|
|
|
|
Срок службы, ч |
|
|
5000 |
5000 |
5000 |
||
Вес, г |
|
|
|
45 |
45 |
|
45 |
(табл. 23). Буквы ТП — сокращенное наименование из делия: терморезистор прямого подогрева. Цифра в чис лителе указывает номинальную величину напряжения в вольтах, на которую рассчитай ТР . Знаменатель обозна чает среднюю силу рабочего тока в миллиамперах. Харак теристики этих T P приведены в работах [430, 432,, 435]л
378 |
ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТИПЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ |
[ГЛ. X |
Терморезисторы выполнены в виде ламп с нормаль |
||
ным |
октальным цоколем (рис. 154), откачанных до |
ваку |
ума |
Ю - 5 мм рт. ст. Полупроводниковый элемент в виде |
тонкой нити диаметром от 20 до 100 мкм и |
длиной от не |
скольких десятых мм до 3—5 мм укреплен |
при помощи |
CTI-30
#>8,в
ГГ~-"!
Рис. 154. Конструктивное оформление терморсзпсторов серии ТП и терморезисторов с косвенным подогревом [422, 426, 430, 435]
вольфрамовой проволоки (диаметром -~ 20 мкм) иа проволочных электродах, впаянных в стеклянную ножку. Контактирование элемента с вольфрамовыми выводами осуществляется с помощью коллоидального графита.
Терморезисторы сорпп ТП изготовляются на основе смесей окислов титана и магния по технологии, близкой к той, которая была разработана в Германии еще в 30-х
§ 10.3] |
СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ |
379 |
|
а,г о,4 о,б ом /,о ц |
i/< t,o /,8 г,о |
Рис. 155. Типовые вольт-амперныо |
характеристики T P ТП2/0.5. |
1. 5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 1,ма
Рис. 156. Типовые польт-амперные характеристики T P ТП2/2.
У, В
6,2\
5,8
5,4
5,0
4,6
4.20,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
1,ма
Рис. 157. Типовые польт-амперные характеристики T P ТП6/2.
3 S 0 ПРОМЫШЛЕННЫЙ ТИПЫ ТЕРМ0РЕ311СТ6Р0П [ГЛ. X
годах (см. § |
3.1). Использование |
принципа регулирова |
||||||
ния стехиометрического состава полупроводника |
не поз |
|||||||
волило, как уже указывалось в | 3.1, разработать |
относи |
|||||||
тельно простую |
технологию, |
позволяющую |
воспроизво |
|||||
димым образом |
изготовлять |
T P с малым |
разбросом |
по |
||||
параметрам. |
Полупроводниковые |
нити |
обжигаются |
в |
||||
пламени газовой |
горелки, когда |
говорить |
о точной ре |
|||||
гулировке температуры и газовой среды |
вообще не прихо • |
|||||||
дится. |
|
|
|
|
|
|
|
|
Типовые вольт-амперные характеристики ТП2/0,5, ТП2/2иТП6/2 [430, 435] изображены на рис. 155—157. Они могут значительно различаться для образцов одного и того же типа. Терморезисторы предназначаются для цепей пос тоянного и переменного тока частотой до 150 кгц. После •срока службы в 5000 ч допускается смещение всей вольтамперной характеристики на + 3%.
Терморезисторы серии ТП могут быть также исполь зованы в качестве регулируемых резисторов с относитель но малой мощностью управления. Однако они имеют существенные недостатки: небольшой диапазон регули рования сопротивления, большую величину минималь
ного |
сопротивления, |
ограничивающую |
использование |
||||||
этих TP на высоких частотах, и большие габариты. |
|||||||||
Современным типом TP с малой |
мощностью управле |
||||||||
ния являются бусинковые вакуумированиые TP типа |
|||||||||
СТЗ-22, разработанные |
В. Ы. Новиковым |
и |
Б. А. Тал- |
||||||
лерчиком [483] (см. табл. 20). Такой |
TP изготовлен в |
||||||||
виде |
бусинки |
диаметром |
около 0,5 мм с |
платиновыми |
|||||
выводами диаметром 40 мкм. Она вварена в |
стеклянный |
||||||||
баллон, в котором создан |
вакууме |
хуже 10~6 |
мм рт. ст. |
||||||
Максимальная |
рабочая |
температура |
термочувствитель |
||||||
ного |
элемента |
составляет |
200 °С. При этой температуре |
||||||
его сопротивление |
равно |
20 ом. Терморезисторы СТЗ-22 |
|||||||
могут |
работать |
в |
цепях |
постоянного и переменного тока |
|||||
с частотой до 10 мггц. |
Индуктивность |
вводов |
СТЗ-22 рав |
||||||
на примерно 0,1 мкгн, |
и емкость между выводами не пре |
вышает 3 пф. Терморезисторы СТЗ-22 также могут быть использованы в качестве стабилизаторов напряжения. )Кроме того, они могут быть применены в устройствах автоматической регулировки усиления, генераторах низко частотных колебаний, измерителях мощности различных ^частот вплоть до СВЧ и др.
§ 10.4] |
ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ ДЛЯ ТЕРМОСТАТОВ |
381 |
§ 10.4. Терморезисторы для автостабилизирующихся полупроводниковых термостатов
Для радиотехнических полупроводниковых саморегу лирующихся термостатов (§ 9.3.3) промышленностью в настоящее время выпускается несколько типов позисторных нагревательных элементов (СТ6-2Б, СТ6-5Б и СТ6-6Б, табл. 22 и рис. 142), изготовленных в виде круглых дис ков, квадратных пластин и цилиндрических трубок [373,
-80-40 |
0 40 SO 120 Г/С |
50 |
100 150 |
2001,ма |
|
а) |
|
5) |
|
Рис. 158. |
Типовые температурные (а) и вольт- |
|||
амперные |
(б) характеристики позисторов СТ6-2Б |
|||
{1), |
СТ6-5Б (2) и СТ6-6Б (3) [410]. |
|||
Вольт-амперные характеристики |
снимались |
в спокой |
||
|
ном возд-yxe |
при |
25 °С. |
|
410, 441]. С целью обеспечения близости значений напря женности поля в различных частях нагревательных эле ментов, что необходимо для более равиомерного распреде ления температуры, электроды наносились на поверхно сти пластин или дисков, имеющие наибольшую площадь, или на боковые поверхности трубок. Типовые температур-
382 ПРОМЫШЛЕННЫЕ ТИПЫ ТЕРМОРЕЗИСТОРОВ [ГЛ. X
иые и вольт-амперные характеристики позисторов при
ведены |
на рис. |
158. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||
Характеристики трубчатого |
нозисториого |
термостата |
|||||||||||||
проанализированы в § 9.3.3 |
(рис. 129). В |
оптимальном |
ре |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
жиме |
точность |
поддержа |
|||||
|
|
\ |
|
|
|
|
|
ния |
температуры |
макет |
|||||
|
|
|
|
|
|
|
ного образца такого тер |
||||||||
|
|
\ |
|
|
|
|
мостата составляет + 4 °С |
||||||||
|
4 |
|
|
|
|
при пзмеиеиеиин темпера |
|||||||||
|
2 |
S |
\ |
Г |
|
|
туры |
окружающей |
среды |
||||||
|
|
|
|
|
|
|
от |
- 6 0 до |
+ 6 0 |
°С. |
|
|
|||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
В |
настоящее |
время |
||||
|
0 |
|
|
|
|
|
|
разрабатываются |
разно |
||||||
|
|
|
|
2\ |
|
|
образные конструкции |
по- |
|||||||
-2 |
|
|
|
|
|
|
зисторных |
нагреватель |
|||||||
|
|
|
|
|
|
ных |
элементов. Ведется |
||||||||
-4 |
|
|
|
|
|
|
также |
работа |
по |
даль |
|||||
|
|
|
|
|
|
нейшему повышению |
сро |
||||||||
|
-200 -100 |
0 |
100 |
200 |
Т°С |
||||||||||
Рис. |
159. Температурная |
зависи |
ка |
службы этих |
весьма |
||||||||||
перспективных |
элементов |
||||||||||||||
мость |
удельного |
сопротивления |
|||||||||||||
некоторых |
|
полупроводниковых |
электрической |
цепи. |
|
||||||||||
терморезнсторных |
материалов. |
|
Как уже указывалось в |
||||||||||||
1 — V . 0 |
3 ; 2 — Y.O-r, |
3 — смесь окис |
§ 9.3.3, саморегулирующи |
||||||||||||
лов меди и марганца с 11=3000 °К; |
4 — |
еся |
полупроводниковые |
||||||||||||
титанат |
бария, |
легированный |
церием. |
термостаты могут быть соз даны и на основе TP с очень большой величиной отрицатель ного ТКС. Такими характеристиками обладают, например, некоторые окислы ванадия [484—487], в которых струк турные фазовые переходы сопровождаются резким изме нением электропроводности на несколько порядков ве личин. В VO, V 2 0 3 и V 2 0 4 ( V 0 2 ) подобные переходы имеют место соответственно при 121, 168 и 340 °К. Ниже темпе ратуры перехода температурная зависимость электропро водности имеет вид, типичный для полупроводников, а выше этой температуры она такая же, как у металлов. Таким образом, окислы ванадия, в определенном смысле имеют характеристики, прямо противоположные позисторным материалам (рис. 159). Предложен ряд моделей
перехода |
«металл — полупроводник» в подобных |
соеди |
нениях |
[234,488 — 492] . В соответствии с |
наиболее |
распространеиной точкой зрения этот переход обуслов лен электронными явлениями, а перестройка кристалли-