
книги из ГПНТБ / Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3[[i]]d[[ i]]-окислов. Параметры, характеристики и области применения
.pdf240 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЙ [ГЯ. v i
u |
Ba a + (Ti< + |
i |
M e J + { T i } ^ ) 0 8 . |
(6.5) |
|
1 |
з |
2 |
|
Формулы (6.5) не дают указаний на характер локализа ции носителей заряда в твердых растворах. Избыточный заряд ионов примеси полностью скомпенсирован ваканси ями в титановой подрешетке. В связи с этим авторы [294] полагают, что донорами электронов в полупроводниковом титанате бария являются ионы кислорода в октаэдре, со держащем катионную вакансию. Однако такое предполо жение трудно понять.
§ 6.3. Электропроводность «полупроводниковых титанатов бария»
Типичная температурная зависимость удельного сопро тивления титаната бария, легированного 0,1 am. % Се, приведена на рис. 91 (кривая 1). Как уже указывалось, в определенном интервале температур наблюдается резкий аномальный рост р.
Рентгенографическое исследование Ba0 l 999Ce0 ,ooiTi03 показало [287], что при комнатной температуре этот ма териал имеет структуру перовскита тетрагональной моди фикации с параметрами: с = 4,024 А и а = 3,983 А. Точ ка фазового перехода в кубическую модификацию (темпера тура Кюри) находится при 123 °С. На рис. 92 показано изменение параметров решетки Вао.дддСео.ощТЮз в зависи мости от температуры, а также температурная зависимость ТКС а этого материала. Характер изменения параметров решетки такой же, как и у чистого B a T i O s [251]. Из рис. 92 следует, что максимум а = f (t), т. е. область наиболее рез кого роста р при повышении температуры находится в об ласти перестройки решетки.
Положением области аномалии на температурной шкале можно управлять, синтезируя твердые растворы легированного титаната бария и других окислов со струк турой типа перовскита. Так, например, известно, что в твердых растворах (Ва, Sr) T i 0 3 или Ba(Ti, Sn) 0 3 темпе ратура Кюри Тк смещается в сторону более низких темпе ратур при увеличении содержания стронция или олова. При синтезе твердых растворов (Ва, Pb) T i 0 3 Тк смещает ся к более высоким температурам.
§ 6.3] а «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЙ» _41
Для легированных твердых растворов связь менаду структурными и электрическими свойствами детально не изучалась. Подобные исследования проводились на диэлек
трических |
материалах, например, |
для |
системы (Ва, |
Sr)« |
||||||||||||||||
( T i , Sn) 0 3 . Данные |
по этому вопросу приведены в рабо^ |
|||||||||||||||||||
тах |
[ 2 9 5 - 2 9 7 ] . |
На |
рис. |
93 |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
показаны зависимости |
темпе |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
ратур |
фазовых |
переходов |
в |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
системе |
(Ва, S r ) T i 0 3 |
от содер |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
жания титаната |
стронция. С |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
увеличением |
количества |
|
Sr |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
все |
фазовые |
переходы |
сме |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
щаются к более низким тем |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
пературам, |
причем |
наиболее |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
резко |
изменяется |
температу |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
ра |
9, |
при |
которой |
происхо |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
дит |
|
тетрагонально |
|
куби |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
ческий |
фазовый |
|
переход. |
В |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||
системе |
Ва ( T i , Sn) 0 3 |
с |
уве |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||
личением |
содержания |
олова |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
температура 0Х также смеща |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||
ется в сторону |
более |
низких |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
температур |
(рис. 94), причем |
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||
более |
резко, чем |
|
при |
введе |
-50 |
О |
50 |
100 150 |
2001 |
|||||||||||
нии |
|
стронция |
(рис. |
93). |
В |
|||||||||||||||
|
Рис. 91. |
Температурная |
зави |
|||||||||||||||||
отличие |
от |
системы |
(Вa, |
Sr) |
||||||||||||||||
симость удельного сопротивле |
||||||||||||||||||||
T i 0 3 , |
|
|
низкотемпературные |
|||||||||||||||||
|
|
ния твердых растворов |
||||||||||||||||||
фазовые переходы при добав |
(Ba^Sr^o.oogCeo.ooiTiOg и |
|||||||||||||||||||
лении олова смещаются к бо |
Bao,o9oCeo,oo](Ti1 _y SnJ / )03 . |
|||||||||||||||||||
лее |
|
высоким |
температурам. |
1 — х = |
0; 2 — х = |
0,1; 3 — х = |
||||||||||||||
Сопоставление |
|
данных |
=0,2; |
4-х |
=0,3; 5 —х — 0,4; |
6 — |
||||||||||||||
|
— х =0,5; |
7 — у = |
0,02; S — V = |
|||||||||||||||||
рис. |
91 с |
рис. 93 и 94 показы |
=0,1; |
9 — у = |
0,15; |
10 — у = |
0,2. |
|||||||||||||
вает, что |
область |
аномалии |
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||
в температурной |
зависимости |
Р легированных твердых |
ра |
створов смещается в сторону низких температур качествен но так же, как точка Кюри и соответствующий структур ный фазовый переход. Однако наиболее сильное увеличе ние р наблюдается в интервале температур, при которых решетка становится полностью кубической, и соответ ствующий фазовый переход можно считать уже завершен ным. Данные о поведении многих систем твердых раство ров на основе титаната бария приведены Сабури [298].
'242 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ [ГЛ. "VI
Влияние замещения катионов в различных подрешетках титаната бария на электропроводность полупровод никовых поликристаллических твердых растворов иссле довалось [299] на системах
(Ва^ - Ме*)Се 0 , 9 9 9 ТЮ„Me = |
Sr.,Pb,Са |
( 0 < ж < 0 , 2 ) ; |
|||||||
В а 0 ) 9 9 в С е 0 , 0 0 1 ( T i ^ M e ' ^ O g , Me' = Sn, Zr, H f (0 < x < |
0,2); |
||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
(6.6) |
|
В а ^ С е Д Ю з ( 0 < ж < 0 , 0 1 ) ; |
|
|
||||||
|
В а Т и - ^ О з |
( 0 < z / < 0 , 0 1 ) . |
|
|
|||||
Было показано, |
что |
при изовалентном |
замещении |
(т, е. |
|||||
|
100 |
|
|
|
|
Параметр, Д |
|
||
|
|
|
1- |
- 4,025 |
|
|
|||
|
50 |
|
|
I |
|
|
|||
|
|
4,000 . |
|
|
|||||
|
|
|
к |
|
|
||||
|
|
|
- |
|
|
|
|||
|
|
|
№75 |
|
|
|
|||
|
|
|
т,[с |
|
|
|
|||
Рис. |
92. |
Температурная |
зависимость |
парамет |
|
||||
ров |
решетки с |
и а, |
а |
также |
ТКС а |
для |
|
||
|
|
Bao,899Ce 0 l 0 0 1 TiO s . |
|
|
|
|
|||
замещении бария или |
титана |
катионами |
той |
же валент |
ности) характер концентрационной зависимости р в сегнетоэлектрической области зависит от того, в какой подре
шетке происходит этот процесс. При |
замещении бария |
р 2 0 остается практически постоянным, |
а при замещении |
титана увеличивается на 1—2 порядка при концентрации,
добавки ~ 2 0 am. % |
(рис. 91 и 95).. |
I Таким образом, |
электропроводность твердых раство |
ров на.основе титаната бария в первую очередь определя ется процессом переноса электронов в 3d—зоне или на Зй-уровнях ионов титана. Частичное изовалентное заме щение титана нарушает регулярность титановой подрешетки,, приводя вследствие . этого к уменьшению эф фективной подвижности и, следовательно, к заметному
§ б.з] а «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЯ» |
243 |
увеличению р, а также, как будет показано дальше, энергии актива ции электропроводно с т и ^ сегнетоэлектрической области.
Этот |
вывод |
был под |
||||
твержден |
[299] |
измере |
||||
ниями |
эффекта |
Холла |
||||
на материалах |
систем |
|||||
(6.6). Для |
рассматрива |
|||||
емых |
поликристалличе |
|||||
ских |
полупроводников, |
|||||
электропроводность |
ко |
|||||
торых |
|
существенно |
за |
|||
висит |
от |
образования |
||||
высокоомных |
прослоек |
|||||
по |
границам |
зерен |
||||
[299], |
следует |
|
вводить |
|||
эффективные |
|
значе |
||||
ния |
концентрации |
и |
||||
подвижности |
носителей |
|||||
заряда, так как |
их |
по |
||||
ведение |
только |
качест |
||||
венно |
|
характеризуется |
этими параметрами. Ин тересно отметить, что энергия активации элек тропроводности диэлек трических титанатов ба рия, кальция,стронция и берилия примерно оди
накова и равна ~ 1 , 8 |
эв |
(в расчете на кТ). В |
то |
же время замещение ка тионов в В-подрешетке приводит к резкому увеличению АЕ. Напри
мер, |
для |
цирконатов |
|
бария |
и |
стронция АЕ |
|
составляет |
примерно |
||
2 , 4 - 2 , 5 |
9в [261]. |
т;с
4001 |
|
! |
• |
•• |
|
1 |
|
|
|
||||
|
|
|
|
|||
360 |
|
i |
|
|
|
л |
320 |
|
|
|
|
|
1 |
|
|
|
|
|
|
|
280 |
|
|
|
|
|
|
240 |
|
|
|
|
|
|
200 |
|
N V |
|
|
||
160 |
|
\ |
||||
120 |
! |
|
|
N |
||
|
|
|
|
|
|
|
80 |
1 |
40 |
60 |
|
|
80мол. % |
о |
20 |
|
|
|||
|
|
|
|
S r T i O , |
||
Рис. 93. |
Зависимости |
|
температур |
|||
фазовых |
|
переходов |
|
в |
твердых |
|
растворах |
(Ва, Sr) |
T i 0 3 |
] от содер |
|||
|
жания S v T i 0 3 . |
|
I — область существования кубической фазы;// — тетрагональная фаза; I I I — орторомбнческап фаза; ГУ —ромбоэдри ческая фаза [295].
Рис. 94. Фазовая диаграмма твер дых растворов Ва ( T i , Sn) 0 8 .
J — рентгеновские данные; 2 — данные
электрических измерений [297]...
244 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА О С Н О В Е ТИТАНАТА БАРИЯ [ГЛ. V I
Данные табл. 18, в которой даны результаты измере ния эффекта Холла при комнатной температуре в твердых растворах с различным содержанием олова (постоянный ток, постоянное магнитное поле с Я х ; 6700 э, чувстви тельность установки 10"? в, холловский сигнал ~ 1 0 ~ в в, точность измерений ~ 25—50%), показывают, что холловская концентрация носителей заряда для всех составов примерно одинакова. Это подтверждает заключение, что
р, ом-см |
|
|
|
|
|
|
|
|
Юв |
|
|
|
|
|
|
|
|
10 5 |
|
|
|
|
|
|
|
|
/о4 |
|
|
|
|
|
|
|
|
10 3 |
|
|
|
|
|
|
|
|
102 |
|
|
|
|
|
|
|
|
10 |
|
|
|
|
|
|
|
|
-50 |
0 |
50 |
100 |
150 |
200 |
Т°С |
||
Рис. 95. Температурная зависимость |
|
|
удельного |
|||||
сопротивления |
легированных |
церием |
(0,1 ат.%) |
|||||
твердых растворов на основе титаната |
бария с |
|||||||
20 |
мол.% |
второй |
компоненты. |
|||||
1 — чистый |
Ва„,ю» Cei . ioiTIO,; |
вторая |
s |
компонента: |
||||
2 — ВаНГО,; |
з — BaZrO,; 4 — BaSnO,; |
|
— SrTiO,; |
|||||
|
|
|
6 — PbTiO,. |
|
|
|
|
внедрение в подрешетку титана инородных катионов при водит к уменьшению эффективной подвижности носителей заряда. Из табл. 18 видно также, что обжиг в нейтральной атмосфере приводит к повышению электропроводности не только и, может быть, даже не столько из-за увеличения концентрации носителей заряда, но и из-за заметного уве личения эффективной подвижности.
На рис. 96 в качестве примера приведены температур ные зависимости удельного сопротивления и коэффициен та термо-э.д.с. а для ряда составов в системе В а 0 ) 9 В 9 Ge0 ) 0 oi- (Tij_,;Snx ) 0 3 , снятых в широком интервале температур. Материалы синтезированы в кислороде при 1400 °С с после дующим медленным охлаждением.
§ 6.3] с «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЯ» 245
Кривые р = / (Т) для всех составов можно разделить на три участка. В сегнетоэлектрической области р умень шается с повышением температуры. При температурах,
соответствующих |
переходам кристаллической решетки из |
||||||||||
|
|
|
|
|
|
Т а б л и ц а |
18 |
||||
Результаты измерений эффекта Холла |
(при 20 °С) на твердых |
||||||||||
|
|
растворах Bao,sn>oCeo,ooi ( Т Ц ^ в п ^ ) Оз |
|
|
|
|
|||||
|
|
|
7 |
Т |
7, |
. 7 |
|
|
|
|
|
Состав |
Режим |
о |
ч |
2 ад |
"Ar |
п Аг |
< |
|
|||
к |
3 |
о |
|||||||||
материала |
синтеза |
.7 |
|
°Ог |
"О, |
||||||
|
|
|
о о |
ад в г» |
; « 1 |
|
|
> |
3 |
||
|
|
|
|
|
« |
|
|
|
к |
||
1 = |
0 |
О2 ,1400 "С 2,6-10-2 |
3,7 |
2-1018 |
8-10-2 34,8 |
2,5 |
14 |
||||
|
|
Аг.1400 °С |
9-10-1 |
1,5 |
5-1018 |
~ 1 |
|
|
|
|
|
г = |
0,025 |
Ог ,1400 "С |
6 - Ю - 2 |
—2 ~4-10*8 |
9-10-2 |
2,7 |
1,2 |
2.2 |
|||
|
|
Аг.1400 "С |
2-10-1 |
1,6 |
5-1018 |
2-10-1 |
|
|
|
|
|
я = 0 , 1 |
02,1400 °С |
1 - Ю - 2 |
~ 3 |
~3 - 10i8 |
~2-10"2 |
4 |
- 1 , 8 |
- 2 , 5 |
|||
|
|
Аг,1400°С |
4 - Ю - 2 |
1,4 |
5-1018 |
5-10-2 |
|
|
|
|
одной низкотемпературной кристаллической модификации
в другую, кривые lg р = f |
(ЦТ) имеют изломы (см. рис. |
94 и 96). Такое же поведение |
было установлено для титана |
та бария, легированного Sm, Gd, Но [269J и La [287]. Низ котемпературные фазовые переходы влияют также и на температурные зависимости коэффициента термо-э.д.с. В области температур, близких к сегнето-параэлектри- ческому фазовому переходу, наблюдается аномальное для полупроводников резкое увеличение р. При более высо ких температурах (за областью аномалии) р снова умень
шается при повышении |
температуры, |
причем энергия |
|
активации |
электропроводности | резко |
возрастает. Про |
|
веденные |
нами позднее |
измерения |
до температуры |
1400 °С показали, что при температурах порядка 800 °С, повидимому, достигается область собственной проводимости. В этой области температурные зависимости р всех соста вов практически совпадают и наблюдается тенденция к перемене знака термо-э.д.с. с отрицательного на поло жительный.
Наибольшее внимание исследователей было привлече но к выяснению механизма электропроводности полупро-
246 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ [ГЛ. V I
Рис. 96. Температурная зависимость удельного сопротивления и ко эффициента термо-э.д.с. твердых растворов B a o ^ i C e o ^ o ^ T i ^ S n J O a ,
синтезированных в атмосфере кислорода.
* — * = 0; 2 — х = 0,0025; 3 — х = 0,10; 4 — х = 0,15. Цифры на кривых
указывают величины анергии активации электропроводности в ее.
§ 6.3J а «П0ЛУПР0В0Д1^ик0ВМх ТИТАНАТОБ БАРИЯ» |
247 |
водииковых твердых растворов иа основе титаната бария в сегнетоэлектрической области, а также к установлению возможных причин, обусловливающих аномальное увели чение удельного сопротивления в области сегнето-пара- электрического фазового перехода. Ниже в данном разделе кратко рассматриваются основные результаты исследова ний механизма электропроводности сегнетоэлектрических полупроводников в низкотемпературной области (ниже температур, при которых наблюдаются аномалии в темпе ратурных зависимостях р).
Данные рис. 96 показывают, что при достаточно низ ких температурах — в ромбоэдрической модификации — удельное сопротивление и энергия активации электропро водности твердых растворов по мере увеличения содержа ния в них олова, как правило, возрастают. Для легиро ванного титаната бария АЕ = 0,08 эв, а для состава с 15 am. % Sn АЕ = 0,14 эв. Эти результаты хорошо согла суются с предположением о зависимости электропровод ности твердых растворов на основе титаната бария от про цесса переноса электронов в Зй-зоне (или на Зй-уровнях) ионов титана.
В настоящее время отсутствует общепринятая трактов ка явлений переноса электрического заряда и оптических свойств полупроводниковых твердых растворов на основе титаната бария. Одна группа исследователей, среди кото рых в первую очередь следует упомянуть Берглунда, Баера и Брауна [300, 301] полагает, что электропровод ность «полупроводниковых титанатов бария» следует трак товать с позиций зонной модели, в то время как другие (Сабури [266], Гертхсен с сотрудниками [302], Райк и Хиз
[303], |
Э. В. Бурсиан |
с сотрудниками |
[304]) |
считают, |
|
что в них имеет место |
механизм перескоков. Такое поло |
||||
жение |
не удивительно, |
так как явления переноса в сегне |
|||
тоэлектрических |
полупроводниках значительно слож |
||||
нее в сравнении |
с полупроводниками |
типа |
N i O или |
||
Т Ю 2 |
(§ 2.5). |
|
|
|
|
В последние годы был выполнен ряд измерений эффек та Холла на моно- и поликристаллических образцах вос становленного титаната бария [288, 299, 300, 302, 305, 306], позволивших оценить холловскую концентрацию носителей и их подвижность. Результаты, полученные' разными авторами, близки, причем не было обнаружено
248 полупроводники Н А |
О С Н О В Е Т И Т А Н А Т А |
Б А Р И Я [гл. "V |
значительного различия |
между моно- и |
поликристал |
лическими образцами. При величине электропроводности
~ 1 — 2 ом-1-см"1 |
концентрация |
носителей |
заряда п на |
ходилась в примерных пределах |
от 5-101 8 |
до 2-101 9 cw~3 |
и холловская подвижность их — от 0,1 до 2 слР/в-сек. Ма лые значения подвижности скорее всего показывают, что обычная зонная модель в лучшем случае находится на пределе ее применимости.
Сильная анизотропия электропроводности титаната бария в тетрагональной и орторомбической кристалличе ских фазах в направлении, параллельном и перпендику
лярном тетрагональной с-оси, была установлена в |
работе |
|||||||||||
* |
|
|
|
|
|
[305] и подтверждена в |
||||||
|
1,2 |
|
|
|
|
[300] и [306]. Измере |
||||||
|
|
|
|
|
|
ния |
электропроводнос |
|||||
^ |
1,0 |
|
|
|
|
ти, |
эффекта |
Холла |
и |
|||
|
Lс. J.1Ог- |
|
|
термо-э.д.с. |
па одиодо- |
|||||||
£0,8 |
|
|
|
|||||||||
|
|
|
|
менных |
монокристал |
|||||||
|
0,6 |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
лах |
титаната |
бария, |
|||||
|
0,5 |
|
|
|
|
|||||||
|
|
|
|
|
восстановленных |
в |
во |
|||||
|
0,4 |
|
|
|
|
|||||||
|
0,3 |
|
|
|
|
дороде приЭОО—1000 °С, |
||||||
|
|
|
|
|
были |
выполнены |
в ра |
|||||
|
|
ЕIIС |
|
|
||||||||
|
|
|
|
боте |
[300]. |
Оказалось, |
||||||
|
|
|
|
|
|
что электропроводность |
||||||
|
|
|
|
|
|
вдольнаправления, пер |
||||||
|
0,1 |
|
|
|
|
пендикулярного |
с-оси, |
|||||
|
20 40 |
60 |
80 |
/00 |
120 140 |
больше |
электропровод |
|||||
|
|
|
|
|
Т'С |
ности вдоль |
направле |
|||||
Рис. 97. Типичная температурная |
||||||||||||
ния, |
|
параллельного |
||||||||||
зависимость |
подвижности |
электро |
|
|||||||||
нов |
в полупроводниковом |
титанате |
этой оси. Типичные |
ре |
||||||||
|
|
бария |
[30] j |
j . |
|
зультаты для их пока |
||||||
|
|
|
|
|
|
заны на рис. 97. |
Неза |
|||||
висимость концентрации носителей от температуры |
указы |
вает на то, что в титанате бария доноры полностью иони зованы во всем обследованном температурном интервале от 26 до 150 °С. При повышении температуры холловская подвижность электронов их в направлении, перпендику лярном с-оси, уменьшается, а в направлении, параллель ном этой оси,— увеличивается до величины их в кубиче ской фазе (~0,5 см?/в-сек). Более резкие изменения их наблюдались вблизи температуры Кюри. В керамических образцах [303] величина подвижности для тетрагональной
§ 6.3] |
0 «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЯ» |
249 |
модификации В а Т Ю 3 находится между значениями их в монокристалле, измеренными в направлениях, параллель ном и перпендикулярном с-оси. Для кубической фазы данные, полученные на керамическом образце и однодомениом монокристалле, совпадают. Была обнаружена так же некоторая анизотропия коэффициента термо-э.д.с. Для коэффициента поглощения света, соответствующего энергии около 0,2 эв, была выявлена анизотропия [301], подобная той, которая наблюдалась для электропровод ности тетрагонального титаната бария.
Полученные результаты позволили Берглунду и Баеру [300] предложить модель зон для титаната бария, в осно ву которой были положены расчеты зонной структуры титана стронция Каном и Лейендекером [307]. Берглунд и Браун полагают [301], что оптические свойства удов летворительно согласуются с предлагаемой моделью, и приходят к выводу, что наблюдавшееся ими поглощение в видимой и инфракрасной области есть результат оптиче ского возбуждения электронов из примесных уровней, находящихся на 0,2—0,3 эв ниже минимума зоны прово димости, накладывающегося на поглощение свободными носителями и основное поглощение решетки. Примесные уровни возникают из-за образования вакансий в кисло родной подрешетке. Они являются также и донорными уровнями, поставляющими электроны в зону проводимо сти. Следует, однако, отметить, что ряд теоретических выводов авторов, особенно в отношении явлений переноса, недостаточно хорошо подтверждается экспериментом. Необходимые подробности читатель найдет в цитирован ных работах.
Гертхсен и др. [302] изучали электропроводность, эф фект Холла, термо-э.д.с. и коэффициенты отражения света в инфракрасной области на поликристаллических образ цах чистого и легированного лантаном полупроводнико вого титаната бария, восстановленного прогревом при различных температурах (880—1350 °С) в смеси водорода с азотом. Такая процедура, как показали авторы, позво лила избежать образования высокоомных прослоек по границам зерен. Полученные результаты интерпретирова лись в терминах теории поляронов малого радиуса. Одна ко, так как величина их (—0,5 смг/в-сек) была довольно велика для этой теории и, кроме того, слабо зависела от