Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3[[i]]d[[ i]]-окислов. Параметры, характеристики и области применения

.pdf
Скачиваний:
62
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.29 Mб
Скачать

240 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЙ [ГЯ. v i

u

Ba a + (Ti< +

i

M e J + { T i } ^ ) 0 8 .

(6.5)

 

1

з

2

 

Формулы (6.5) не дают указаний на характер локализа­ ции носителей заряда в твердых растворах. Избыточный заряд ионов примеси полностью скомпенсирован ваканси­ ями в титановой подрешетке. В связи с этим авторы [294] полагают, что донорами электронов в полупроводниковом титанате бария являются ионы кислорода в октаэдре, со­ держащем катионную вакансию. Однако такое предполо­ жение трудно понять.

§ 6.3. Электропроводность «полупроводниковых титанатов бария»

Типичная температурная зависимость удельного сопро­ тивления титаната бария, легированного 0,1 am. % Се, приведена на рис. 91 (кривая 1). Как уже указывалось, в определенном интервале температур наблюдается резкий аномальный рост р.

Рентгенографическое исследование Ba0 l 999Ce0 ,ooiTi03 показало [287], что при комнатной температуре этот ма­ териал имеет структуру перовскита тетрагональной моди­ фикации с параметрами: с = 4,024 А и а = 3,983 А. Точ­ ка фазового перехода в кубическую модификацию (темпера­ тура Кюри) находится при 123 °С. На рис. 92 показано изменение параметров решетки Вао.дддСео.ощТЮз в зависи­ мости от температуры, а также температурная зависимость ТКС а этого материала. Характер изменения параметров решетки такой же, как и у чистого B a T i O s [251]. Из рис. 92 следует, что максимум а = f (t), т. е. область наиболее рез­ кого роста р при повышении температуры находится в об­ ласти перестройки решетки.

Положением области аномалии на температурной шкале можно управлять, синтезируя твердые растворы легированного титаната бария и других окислов со струк­ турой типа перовскита. Так, например, известно, что в твердых растворах (Ва, Sr) T i 0 3 или Ba(Ti, Sn) 0 3 темпе­ ратура Кюри Тк смещается в сторону более низких темпе­ ратур при увеличении содержания стронция или олова. При синтезе твердых растворов (Ва, Pb) T i 0 3 Тк смещает­ ся к более высоким температурам.

§ 6.3] а «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЙ» _41

Для легированных твердых растворов связь менаду структурными и электрическими свойствами детально не изучалась. Подобные исследования проводились на диэлек­

трических

материалах, например,

для

системы (Ва,

Sr)«

( T i , Sn) 0 3 . Данные

по этому вопросу приведены в рабо^

тах

[ 2 9 5 - 2 9 7 ] .

На

рис.

93

 

 

 

 

 

 

 

показаны зависимости

темпе­

 

 

 

 

 

 

 

ратур

фазовых

переходов

в

 

 

 

 

 

 

 

системе

(Ва, S r ) T i 0 3

от содер­

 

 

 

 

 

 

 

жания титаната

стронция. С

 

 

 

 

 

 

 

увеличением

количества

 

Sr

 

 

 

 

 

 

 

все

фазовые

переходы

сме­

 

 

 

 

 

 

 

щаются к более низким тем­

 

 

 

 

 

 

 

пературам,

причем

наиболее

 

 

 

 

 

 

 

резко

изменяется

температу­

 

 

 

 

 

 

 

ра

9,

при

которой

происхо­

 

 

 

 

 

 

 

дит

 

тетрагонально

 

куби­

 

 

 

 

 

 

 

ческий

фазовый

 

переход.

В

 

 

 

 

 

 

 

системе

Ва ( T i , Sn) 0 3

с

уве­

 

 

 

 

 

 

 

личением

содержания

олова

 

 

 

 

 

 

 

температура 0Х также смеща­

 

 

 

 

 

 

 

ется в сторону

более

низких

 

 

 

 

 

 

 

температур

(рис. 94), причем

 

 

 

 

 

 

 

более

резко, чем

 

при

введе­

-50

О

50

100 150

2001

нии

 

стронция

(рис.

93).

В

 

Рис. 91.

Температурная

зави­

отличие

от

системы

(Вa,

Sr)

симость удельного сопротивле­

T i 0 3 ,

 

 

низкотемпературные

 

 

ния твердых растворов

фазовые переходы при добав­

(Ba^Sr^o.oogCeo.ooiTiOg и

лении олова смещаются к бо­

Bao,o9oCeo,oo](Ti1 _y SnJ / )03 .

лее

 

высоким

температурам.

1 — х =

0; 2 — х =

0,1; 3 — х =

Сопоставление

 

данных

=0,2;

4-х

=0,3; 5 —х0,4;

6 —

 

— х =0,5;

7 — у =

0,02; S — V =

рис.

91 с

рис. 93 и 94 показы­

=0,1;

9 — у =

0,15;

10 — у =

0,2.

вает, что

область

аномалии

 

 

 

 

 

 

 

в температурной

зависимости

Р легированных твердых

ра­

створов смещается в сторону низких температур качествен­ но так же, как точка Кюри и соответствующий структур­ ный фазовый переход. Однако наиболее сильное увеличе­ ние р наблюдается в интервале температур, при которых решетка становится полностью кубической, и соответ­ ствующий фазовый переход можно считать уже завершен­ ным. Данные о поведении многих систем твердых раство­ ров на основе титаната бария приведены Сабури [298].

'242 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ [ГЛ. "VI

Влияние замещения катионов в различных подрешетках титаната бария на электропроводность полупровод­ никовых поликристаллических твердых растворов иссле­ довалось [299] на системах

(Ва^ - Ме*)Се 0 , 9 9 9 ТЮ„Me =

Sr.,Pb,Са

( 0 < ж < 0 , 2 ) ;

В а 0 ) 9 9 в С е 0 , 0 0 1 ( T i ^ M e ' ^ O g , Me' = Sn, Zr, H f (0 < x <

0,2);

 

 

 

 

 

 

 

 

 

(6.6)

 

В а ^ С е Д Ю з ( 0 < ж < 0 , 0 1 ) ;

 

 

 

В а Т и - ^ О з

( 0 < z / < 0 , 0 1 ) .

 

 

Было показано,

что

при изовалентном

замещении

(т, е.

 

100

 

 

 

 

Параметр, Д

 

 

 

 

1-

- 4,025

 

 

 

50

 

 

I

 

 

 

 

4,000 .

 

 

 

 

 

к

 

 

 

 

 

-

 

 

 

 

 

 

№75

 

 

 

 

 

 

т,[с

 

 

 

Рис.

92.

Температурная

зависимость

парамет­

 

ров

решетки с

и а,

а

также

ТКС а

для

 

 

 

Bao,899Ce 0 l 0 0 1 TiO s .

 

 

 

 

замещении бария или

титана

катионами

той

же валент­

ности) характер концентрационной зависимости р в сегнетоэлектрической области зависит от того, в какой подре­

шетке происходит этот процесс. При

замещении бария

р 2 0 остается практически постоянным,

а при замещении

титана увеличивается на 1—2 порядка при концентрации,

добавки ~ 2 0 am. %

(рис. 91 и 95)..

I Таким образом,

электропроводность твердых раство­

ров на.основе титаната бария в первую очередь определя­ ется процессом переноса электронов в 3d—зоне или на Зй-уровнях ионов титана. Частичное изовалентное заме­ щение титана нарушает регулярность титановой подрешетки,, приводя вследствие . этого к уменьшению эф­ фективной подвижности и, следовательно, к заметному

§ б.з] а «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЯ»

243

увеличению р, а также, как будет показано дальше, энергии актива­ ции электропроводно­ с т и ^ сегнетоэлектрической области.

Этот

вывод

был под­

твержден

[299]

измере­

ниями

эффекта

Холла

на материалах

систем

(6.6). Для

рассматрива­

емых

поликристалличе­

ских

полупроводников,

электропроводность

ко­

торых

 

существенно

за­

висит

от

образования

высокоомных

прослоек

по

границам

зерен

[299],

следует

 

вводить

эффективные

 

значе­

ния

концентрации

и

подвижности

носителей

заряда, так как

их

по­

ведение

только

качест­

венно

 

характеризуется

этими параметрами. Ин­ тересно отметить, что энергия активации элек­ тропроводности диэлек­ трических титанатов ба­ рия, кальция,стронция и берилия примерно оди­

накова и равна ~ 1 , 8

эв

(в расчете на кТ). В

то

же время замещение ка­ тионов в В-подрешетке приводит к резкому увеличению АЕ. Напри­

мер,

для

цирконатов

бария

и

стронция АЕ

составляет

примерно

2 , 4 - 2 , 5

[261].

т;с

4001

 

!

••

 

1

 

 

 

 

 

 

 

360

 

i

 

 

 

л

320

 

 

 

 

 

1

 

 

 

 

 

 

280

 

 

 

 

 

 

240

 

 

 

 

 

 

200

 

N V

 

 

160

 

\

120

!

 

 

N

 

 

 

 

 

 

80

1

40

60

 

 

80мол. %

о

20

 

 

 

 

 

 

S r T i O ,

Рис. 93.

Зависимости

 

температур

фазовых

 

переходов

 

в

твердых

растворах

(Ва, Sr)

T i 0 3

] от содер­

 

жания S v T i 0 3 .

 

I — область существования кубической фазы;// — тетрагональная фаза; I I I — орторомбнческап фаза; ГУ —ромбоэдри­ ческая фаза [295].

Рис. 94. Фазовая диаграмма твер­ дых растворов Ва ( T i , Sn) 0 8 .

J — рентгеновские данные; 2 — данные

электрических измерений [297]...

244 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА О С Н О В Е ТИТАНАТА БАРИЯ [ГЛ. V I

Данные табл. 18, в которой даны результаты измере­ ния эффекта Холла при комнатной температуре в твердых растворах с различным содержанием олова (постоянный ток, постоянное магнитное поле с Я х ; 6700 э, чувстви­ тельность установки 10"? в, холловский сигнал ~ 1 0 ~ в в, точность измерений ~ 25—50%), показывают, что холловская концентрация носителей заряда для всех составов примерно одинакова. Это подтверждает заключение, что

р, ом-см

 

 

 

 

 

 

 

 

Юв

 

 

 

 

 

 

 

 

10 5

 

 

 

 

 

 

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

10 3

 

 

 

 

 

 

 

 

102

 

 

 

 

 

 

 

 

10

 

 

 

 

 

 

 

 

-50

0

50

100

150

200

Т°С

Рис. 95. Температурная зависимость

 

 

удельного

сопротивления

легированных

церием

(0,1 ат.%)

твердых растворов на основе титаната

бария с

20

мол.%

второй

компоненты.

1 — чистый

Ва„,ю» Cei . ioiTIO,;

вторая

s

компонента:

2 — ВаНГО,;

з — BaZrO,; 4 — BaSnO,;

 

— SrTiO,;

 

 

 

6 — PbTiO,.

 

 

 

 

внедрение в подрешетку титана инородных катионов при­ водит к уменьшению эффективной подвижности носителей заряда. Из табл. 18 видно также, что обжиг в нейтральной атмосфере приводит к повышению электропроводности не только и, может быть, даже не столько из-за увеличения концентрации носителей заряда, но и из-за заметного уве­ личения эффективной подвижности.

На рис. 96 в качестве примера приведены температур­ ные зависимости удельного сопротивления и коэффициен­ та термо-э.д.с. а для ряда составов в системе В а 0 ) 9 В 9 Ge0 ) 0 oi- (Tij_,;Snx ) 0 3 , снятых в широком интервале температур. Материалы синтезированы в кислороде при 1400 °С с после­ дующим медленным охлаждением.

§ 6.3] с «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЯ» 245

Кривые р = / (Т) для всех составов можно разделить на три участка. В сегнетоэлектрической области р умень­ шается с повышением температуры. При температурах,

соответствующих

переходам кристаллической решетки из

 

 

 

 

 

 

Т а б л и ц а

18

Результаты измерений эффекта Холла

(при 20 °С) на твердых

 

 

растворах Bao,sn>oCeo,ooi ( Т Ц ^ в п ^ ) Оз

 

 

 

 

 

 

 

7

Т

7,

. 7

 

 

 

 

Состав

Режим

о

ч

2 ад

"Ar

п Аг

<

 

к

3

о

материала

синтеза

.7

 

°Ог

"О,

 

 

 

о о

ад в г»

; « 1

 

 

>

3

 

 

 

 

 

«

 

 

 

к

1 =

0

О2 ,1400 "С 2,6-10-2

3,7

2-1018

8-10-2 34,8

2,5

14

 

 

Аг.1400 °С

9-10-1

1,5

5-1018

~ 1

 

 

 

 

г =

0,025

Ог ,1400 "С

6 - Ю - 2

—2 ~4-10*8

9-10-2

2,7

1,2

2.2

 

 

Аг.1400 "С

2-10-1

1,6

5-1018

2-10-1

 

 

 

 

я = 0 , 1

02,1400 °С

1 - Ю - 2

~ 3

~3 - 10i8

~2-10"2

4

- 1 , 8

- 2 , 5

 

 

Аг,1400°С

4 - Ю - 2

1,4

5-1018

5-10-2

 

 

 

 

одной низкотемпературной кристаллической модификации

в другую, кривые lg р = f

(ЦТ) имеют изломы (см. рис.

94 и 96). Такое же поведение

было установлено для титана­

та бария, легированного Sm, Gd, Но [269J и La [287]. Низ­ котемпературные фазовые переходы влияют также и на температурные зависимости коэффициента термо-э.д.с. В области температур, близких к сегнето-параэлектри- ческому фазовому переходу, наблюдается аномальное для полупроводников резкое увеличение р. При более высо­ ких температурах (за областью аномалии) р снова умень­

шается при повышении

температуры,

причем энергия

активации

электропроводности | резко

возрастает. Про­

веденные

нами позднее

измерения

до температуры

1400 °С показали, что при температурах порядка 800 °С, повидимому, достигается область собственной проводимости. В этой области температурные зависимости р всех соста­ вов практически совпадают и наблюдается тенденция к перемене знака термо-э.д.с. с отрицательного на поло­ жительный.

Наибольшее внимание исследователей было привлече­ но к выяснению механизма электропроводности полупро-

246 ПОЛУПРОВОДНИКИ НА ОСНОВЕ ТИТАНАТА БАРИЯ [ГЛ. V I

Рис. 96. Температурная зависимость удельного сопротивления и ко­ эффициента термо-э.д.с. твердых растворов B a o ^ i C e o ^ o ^ T i ^ S n J O a ,

синтезированных в атмосфере кислорода.

* — * = 0; 2 — х = 0,0025; 3 х = 0,10; 4 х = 0,15. Цифры на кривых

указывают величины анергии активации электропроводности в ее.

§ 6.3J а «П0ЛУПР0В0Д1^ик0ВМх ТИТАНАТОБ БАРИЯ»

247

водииковых твердых растворов иа основе титаната бария в сегнетоэлектрической области, а также к установлению возможных причин, обусловливающих аномальное увели­ чение удельного сопротивления в области сегнето-пара- электрического фазового перехода. Ниже в данном разделе кратко рассматриваются основные результаты исследова­ ний механизма электропроводности сегнетоэлектрических полупроводников в низкотемпературной области (ниже температур, при которых наблюдаются аномалии в темпе­ ратурных зависимостях р).

Данные рис. 96 показывают, что при достаточно низ­ ких температурах — в ромбоэдрической модификации — удельное сопротивление и энергия активации электропро­ водности твердых растворов по мере увеличения содержа­ ния в них олова, как правило, возрастают. Для легиро­ ванного титаната бария АЕ = 0,08 эв, а для состава с 15 am. % Sn АЕ = 0,14 эв. Эти результаты хорошо согла­ суются с предположением о зависимости электропровод­ ности твердых растворов на основе титаната бария от про­ цесса переноса электронов в Зй-зоне (или на Зй-уровнях) ионов титана.

В настоящее время отсутствует общепринятая трактов­ ка явлений переноса электрического заряда и оптических свойств полупроводниковых твердых растворов на основе титаната бария. Одна группа исследователей, среди кото­ рых в первую очередь следует упомянуть Берглунда, Баера и Брауна [300, 301] полагает, что электропровод­ ность «полупроводниковых титанатов бария» следует трак­ товать с позиций зонной модели, в то время как другие (Сабури [266], Гертхсен с сотрудниками [302], Райк и Хиз

[303],

Э. В. Бурсиан

с сотрудниками

[304])

считают,

что в них имеет место

механизм перескоков. Такое поло­

жение

не удивительно,

так как явления переноса в сегне­

тоэлектрических

полупроводниках значительно слож­

нее в сравнении

с полупроводниками

типа

N i O или

Т Ю 2

(§ 2.5).

 

 

 

 

В последние годы был выполнен ряд измерений эффек­ та Холла на моно- и поликристаллических образцах вос­ становленного титаната бария [288, 299, 300, 302, 305, 306], позволивших оценить холловскую концентрацию носителей и их подвижность. Результаты, полученные' разными авторами, близки, причем не было обнаружено

248 полупроводники Н А

О С Н О В Е Т И Т А Н А Т А

Б А Р И Я [гл. "V

значительного различия

между моно- и

поликристал­

лическими образцами. При величине электропроводности

~ 1 — 2 ом-1-см"1

концентрация

носителей

заряда п на­

ходилась в примерных пределах

от 5-101 8

до 2-101 9 cw~3

и холловская подвижность их — от 0,1 до 2 слР/в-сек. Ма­ лые значения подвижности скорее всего показывают, что обычная зонная модель в лучшем случае находится на пределе ее применимости.

Сильная анизотропия электропроводности титаната бария в тетрагональной и орторомбической кристалличе­ ских фазах в направлении, параллельном и перпендику­

лярном тетрагональной с-оси, была установлена в

работе

*

 

 

 

 

 

[305] и подтверждена в

 

1,2

 

 

 

 

[300] и [306]. Измере­

 

 

 

 

 

 

ния

электропроводнос­

^

1,0

 

 

 

 

ти,

эффекта

Холла

и

 

Lс. J.1Ог-

 

 

термо-э.д.с.

па одиодо-

£0,8

 

 

 

 

 

 

 

менных

монокристал­

 

0,6

 

 

 

 

 

 

 

 

 

лах

титаната

бария,

 

0,5

 

 

 

 

 

 

 

 

 

восстановленных

в

во­

 

0,4

 

 

 

 

 

0,3

 

 

 

 

дороде приЭОО—1000 °С,

 

 

 

 

 

были

выполнены

в ра­

 

 

ЕIIС

 

 

 

 

 

 

боте

[300].

Оказалось,

 

 

 

 

 

 

что электропроводность

 

 

 

 

 

 

вдольнаправления, пер­

 

0,1

 

 

 

 

пендикулярного

с-оси,

 

20 40

60

80

/00

120 140

больше

электропровод­

 

 

 

 

 

Т'С

ности вдоль

направле­

Рис. 97. Типичная температурная

ния,

 

параллельного

зависимость

подвижности

электро­

 

нов

в полупроводниковом

титанате

этой оси. Типичные

ре­

 

 

бария

[30] j

j .

 

зультаты для их пока­

 

 

 

 

 

 

заны на рис. 97.

Неза­

висимость концентрации носителей от температуры

указы­

вает на то, что в титанате бария доноры полностью иони­ зованы во всем обследованном температурном интервале от 26 до 150 °С. При повышении температуры холловская подвижность электронов их в направлении, перпендику­ лярном с-оси, уменьшается, а в направлении, параллель­ ном этой оси,— увеличивается до величины их в кубиче­ ской фазе (~0,5 см?/в-сек). Более резкие изменения их наблюдались вблизи температуры Кюри. В керамических образцах [303] величина подвижности для тетрагональной

§ 6.3]

0 «ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ТИТАНАТОВ БАРИЯ»

249

модификации В а Т Ю 3 находится между значениями их в монокристалле, измеренными в направлениях, параллель­ ном и перпендикулярном с-оси. Для кубической фазы данные, полученные на керамическом образце и однодомениом монокристалле, совпадают. Была обнаружена так­ же некоторая анизотропия коэффициента термо-э.д.с. Для коэффициента поглощения света, соответствующего энергии около 0,2 эв, была выявлена анизотропия [301], подобная той, которая наблюдалась для электропровод­ ности тетрагонального титаната бария.

Полученные результаты позволили Берглунду и Баеру [300] предложить модель зон для титаната бария, в осно­ ву которой были положены расчеты зонной структуры титана стронция Каном и Лейендекером [307]. Берглунд и Браун полагают [301], что оптические свойства удов­ летворительно согласуются с предлагаемой моделью, и приходят к выводу, что наблюдавшееся ими поглощение в видимой и инфракрасной области есть результат оптиче­ ского возбуждения электронов из примесных уровней, находящихся на 0,2—0,3 эв ниже минимума зоны прово­ димости, накладывающегося на поглощение свободными носителями и основное поглощение решетки. Примесные уровни возникают из-за образования вакансий в кисло­ родной подрешетке. Они являются также и донорными уровнями, поставляющими электроны в зону проводимо­ сти. Следует, однако, отметить, что ряд теоретических выводов авторов, особенно в отношении явлений переноса, недостаточно хорошо подтверждается экспериментом. Необходимые подробности читатель найдет в цитирован­ ных работах.

Гертхсен и др. [302] изучали электропроводность, эф­ фект Холла, термо-э.д.с. и коэффициенты отражения света в инфракрасной области на поликристаллических образ­ цах чистого и легированного лантаном полупроводнико­ вого титаната бария, восстановленного прогревом при различных температурах (880—1350 °С) в смеси водорода с азотом. Такая процедура, как показали авторы, позво­ лила избежать образования высокоомных прослоек по границам зерен. Полученные результаты интерпретирова­ лись в терминах теории поляронов малого радиуса. Одна­ ко, так как величина их (—0,5 смг/в-сек) была довольно велика для этой теории и, кроме того, слабо зависела от

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ