Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Шефтель И.Т. Терморезисторы. Электропроводность 3[[i]]d[[ i]]-окислов. Параметры, характеристики и области применения

.pdf
Скачиваний:
65
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.29 Mб
Скачать

170

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СИСТЕМ ОКИСЛОВ

[ГЛ. I V

ниже

400 °К) о

= о х и а

= ах то, экстраполируя ах яах

в область

более

высоких температур, по данным рис. 54 и

55 можно

рассчитать

 

 

 

и

 

 

о 2

=

а — су±

(4.6)

 

 

с&2 =

(аа

—а_о"_)/сг2>

(4.7)

 

 

 

где а и а — экспериментальные значения электропровод­ ности и коэффициента термо-э.д.с, о 2 и а2 — рассчитан­ ные значения а и а в области высоких температур (выше примерно 400 °К).

to"

6 /О'2

юг* W'1 to-'

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

 

 

 

 

!03

1

 

 

 

 

T'vT

 

Рис. 57.

Температурные

зависимости

электропроводности и коэффициента термо- э.д.с. для кобальто-никелевого состава 6

(Со : N i =[,1

: 1) после

прокалки на воз­

духа

при 600

и 800 °С.

Пунктирные линии — расчетные кривые.

Из рис. 57 следует, что температурная зависимость электропроводности материала, подвергнутого термооб­ работке при 600 °С, действительно является суммой двух экспонент, а парциальные термо-э.д.с. а± и а 2 совпадают по знаку и слабо зависят от температуры, но существенно различаются по величине. При этом с а и а 2 хорошо согла-

§ 4.4] РОЛЬ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ KATHO ОВ 171

суются с соответствующими величинами для образца состава 6, прокаленного на воздухе при 800 °С и закален­

ного

от этой

температуры. Можно

полагать,

что аг и

cci

характеризуют

электрические

свойства

шпинели

(Coj_a.Niд.)3 04 _у ,

а а,

и а ,

относятся к

твердому

раствору

типа

(Coi_-Ni-)

0 1 + 1 / .

 

величины электропроводностей

Как уже указывалось,

как «марганцевых» полупроводников, так и материалов, не содержащих марганца, должны быть непосредственно связаны с валентностью и расположением катионов по кристаллографическим позициям кристаллической ре­ шетки. Обсуждению этих вопросов посвящен следующий параграф. Свойства безмарганцевых' полупроводников рассматриваются в § 5.4.

§ 4.4. Электропроводность и валентные состояния катионов в системах окислов марганца,

кобальта, никеля и меди

Экспериментальные факты, рассмотренные в § 4 . 1 — 4.3, безусловно, не дают достаточно серьезных доказа­ тельств возможности распространения представлений «ме­ ханизма перескоков» на сложные системы!окислов мар­ ганца, кобальта, никеля и меди. Достаточно напомнить, что этот вопрос еще окончательно не решен для значи­ тельно более простых по составу материалов типа N i O , хотя для них имеется комплекс электрических и оптиче­ ских измерений, выполненных на монокристаллах. Следу­ ет, однако, указать, что представления механизма пере­ скоков хотя бы в рамках модели Вервея (§ 1.4) дают возможность довольно наглядно и просто понять ряд экспериментальных фактов, которые трудно поддаются объяснению с позиций обычной зонной теории.

Судя по характеру температурных зависимостей элек­ тропроводности «марганцевых» полупроводников (рис. 47 и 52) в таком широком интервале температур, как 200— 1000 °К, по-видимому, наблюдается один и тот же меха­ низм электропроводности. При этом в интервале 200— 1000 °К а увеличивается на 5—6 порядков, в то время как коэффициент термо-э.д.с. а для большинства составов мал по вп т тичине и относительно слабо меняется в зависи­ мости от температуры. Это может свидетельствовать об

172

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СИСТЕМ окислов

[ГЛ. I V

очень большой концентрации носителей заряда и незна­ чительной зависимости ее от температуры. Перемена знака а для N i M n 2 0 4 н других составов с электронной проводимостью при комнатной температуре, изломы и изменения характера температурной зависимости а для ряда материалов практически не сопровождаются какимилибо изменениями в температурной зависимости а. Все сказанное может указывать на малую подвижность носи­ телей заряда, которая должна экспоненциально увеличи­ ваться при повышении температуры в соответствии с экс­ поненциальным ростом электропроводности. За это гово­ рит и отрицательный результат при попытке измерения эффекта Холла.

 

С целью проверки возможности применения зонной

 

трактовки

электропроводности

полупроводников

для

 

однофазной

кубической

и тетрагональной

шпинели

 

СиМн2 04 (образцы, данные для которых приведены на

 

рис. 51, кривые 1, 2, 5 и 6) был рассчитан характер тем­

 

пературной

зависимости

концентрации

носителей

заряда

 

п по формулам для любой концентрации носителей с уче­

 

том вырождения [60, 228], исходя из предположения о

 

существовании только одного типа носителей заряда:

 

 

где

 

 

 

 

 

 

ОО

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F4t

 

{ix*) =

2n-V. [ т-.x4;dx

— p.*)

,

»

 

(4.9)

'

 

 

 

" v r

'

 

,\ 1 - j - exp

 

 

4

 

 

 

 

 

 

 

 

о

 

 

 

 

 

 

 

 

 

F'h

(Iх *) — один

 

из

интегралов

Ферми,

|х* =

\i/kT

и

 

х =

Е/кТ — соответственно приведенные

уровень

Ферми

 

и энергия

электрона;

коэффициент термо-э.д.с. а

равен

 

 

 

а

 

 

e[r

+ l

FrQL*)

 

г

J '

 

 

[

>

 

FT и Fr+i — интегралы Ферми:

оо

о

где Г (г + 1) — гамма-функция (Г (г + 1) = г!, если г — целое и положительное число), г — показатель степени

§ 4.4] РОЛЬ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ КАТИОНОВ 173

в соотношении, связывающем длину свободного пробега

электрона

I с его

энергией Е,

т.

е. I г-

Ет.

 

При расчете

температурной

зависимости п

предпо­

лагалось,

что

эффективная

масса1

носителей

заряда

тп* = const и г =

1 для ионных решеток выше температу­

ры Дебая. Значения интегралов

Ферми взяты из [228].

Идея расчета состояла в том, что экспериментальные зна­ чения коэффициента термо-э.д.с. сопоставлялись с теоре­ тическими величинами, вычисленными из формулы (4.10), и определялись соответствующие значения \xlkT. Для этих значений ц. /кТ из формулы (4.8) вычислялся завися­ щий от температуры множитель п* в выражении (4.8) для

концентрации" носителей п (при условии, что m* =

const) 1

?г* = ГЛ_?.А(|_*).

(4.12)

Численные значения п определить нельзя, так как неиз­ вестны величины эффективной массы т.*.

Оказалось, что величина энергии активации концентра­

ции носителей АЕп*.

определенная на

основании

(4.12),

для" однофазной

кубической

шпинели

C u M n 2 0 4

равна

0,14^ эв

и для^

однофазной

тетрагональной'

шпинели

C u M n 2 0 4

— 0,17

эв, в

то время как энергия

активации

электропроводности АЕ (из выражения а — А ъхр(АЕ/кТ)) равна 0,21 эв (табл. 12 на стр. 164). Таким образом, п увели­ чивается при повышении температуры слабее а, и, следо­ вательно, подвижность носителей также должна экспо­ ненциально возрастать при повышении температуры. В связи с этим правомерность «зонной» интерпретации является сомнительной, так как экспоненциальное увели­ чение подвижности непонятно в рамках этой модели. Изложенные соображения в какой-то степени оправдыва­ ют постулирование в наших работах [45, 173, 174, 177, 201, 212, 226, 227] возможности применения для обсуж­ даемых полупроводников основных представлений «механизма перескоков» хотя бы на уровне модельных представлений. Такой же точки зрения придерживаются и другие исследователи, занимавшиеся изучением электро­ проводности сложных окислов элементов переходного ряда таблицы Д. И. Менделеева (см., например, [47, 48, 61, 124, 195]). Повторяем, что до настоящего времени фактический механизм переноса носителей заряда для смешанных окислов M n , Со, N i и Си еще не выяснен.

174 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СИСТЕМ ОКИСЛОВ [ГЛ. IV

Решение этой сложной задачи должно быть предметом дальнейших исследований.

Изучение электрических свойств Зй-окислов, в состав которых входит несколько сортов Зй-ионов, конкурирую­ щих между собой в образовании катионов различной ва­ лентности, особенно сложно, поскольку, как уже указыва­ лось в § 2.5, валентные состояния катионов не ясны. Определение коэффициента обратности шпинелей не может помочь в решении этого вопроса. Например, шпи­ нель СоМп2 04 может с равным основанием рассматривать­ ся и как нормальная и как обратная, даже если все ионы

кобальта находятся

только в тетраэдрах,

а марганца —

в октаэдрах. Это следует из формул

 

 

СоГ [Мп?в+] 0 £ и Со? [Мп3 8 + Мп2 + ] 03 2 2 .

(4.13)

Оба расположения

«рентгенографически»

неразличимы,

и вопрос о валентных состояниях катионов должен ре­ шаться с привлечением дополнительных данных, а также с учетом электрических свойств соединения. В связи со сказанным в работе [174] было введено понятие структур­ ной и валентной обратности шпинелей. Шпинель СоМп2 04 является структурно прямой или почти прямой. Возмож­ ная степень ее валентной обратности обсуждается ниже.

Рассмотренные затруднения привели к тому, что многие исследователи [61, 161, 176, 180, 187, 229] исполь­ зуют для суждения о химической формуле соединения, учитывающей возможные валентные состояния катионов, кристаллографические данные о тетрагональных наруше­

ниях кубической

симметрии решеток

шпинелей,

иногда

в комплексе с данными об их магнитных свойствах.

Возникновение

тетрагональных

искажений

решетки

шпинели связывается с эффектом

Яна — Теллера [230],

непосредственно следующим из теории

кристаллического

поля [27] (§ 1.3). Суть этого эффекта

состоит в том, что

для некоторых Зй-ионов с неполностью заполненной d-оболочкой, находящихся в октаэдрическом окружении анионов О 2 - , Зй-электронная оболочка не имеет сфериче­ ской симметрии, вследствие чего, как показывает деталь­ ное рассмотрение, ионы О 2 - , находящиеся в плоскости ху, притягиваются к ядру Зй-катиона сильнее, чем ионы О 2 - , располагающиеся вдоль оси z. Образуются 4 короткие и 2 длинные связи, и возникает тенденция к тетрагональ-

§ 4.4] РОЛЬ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ КАТИОНОВ 175

ному искажению кислородного октаэдра. Наиболее силь­

ные тетрагональные искажения типа с

а вызывают ка­

тионы

с

электронной конфигурацией

3d4 (dld\)

— Сг2 +

и

Мп 3 +

в

высокоспиновом состоянии,

3d' (dfdy)

— Со 2 +

и

N i 3 + в низкоспиновом состоянии и 3d9 (dld^) — C u 2 + . При малых концентрациях таких ионов в решетке искажения октаэдров отсутствуют, так как им препятствуют упругие силы решетки. Обычно макроскопические искажения ре­ шетки возникают, когда содержание 3d-HOHOB, вызываю­ щих эти искажения, становится больше некоторого крити­ ческого значения. Таким образом, это явление имеет ко­ оперативный характер. Тетрагональные нарушения воз­ никают вследствие упорядоченности нарушений (перво­ начально имеющих место в отдельных октаэдрах МеОв ) в макрообъеме.

На основе изложенных соображений и результатов исследования кристаллографических и магнитных свойств ряда систем окислов со структурой типа шпинели, содер­ жащих марганец, Викхэм и Крофт [176] пришли к выводу, что тетрагональные искажения возникают, если октаэдры

заняты более чем 60—65% ионов Мп 3 + .

 

Гуденаф и Леб [19] показали, что наиболее

вероятной

формулой для Мп3 04 является

 

. Мп2 + [Мн3 2 + ]0Г.

(4.14

Исходя из близости отношения параметров решетки сдля СоМп2 04 и Мп3 04 (см. табл. 6), Викхэм и Крофт пола­

гают, что формула для СоМп2 04 должна быть Со2 + [Мп2 + ]04 , которая близка к (4.14). Для твердых растворов в системе Со3 ж 04 они предлагают формулы

для 0 ^

СоМп2 04

Со 2 +

[ C o t ^ M n f ] O f

(4.15)

х ^ 2, т. е.

для

участка системы

Со3 04

и

 

 

 

Со2 з :*Мп£2

[ M n f ]ОГ

(4.16)

для 2 ^ х 3 (участок СоМп2 04 Мп3 04 ). Предельным составом, еще сохраняющим кубическую симметрию, яв­ ляется по Викхэму и Крофту состав Co^ICoo^Mnf'JO^- (рис. 24).

•170

ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СИСТЕМ ОКИСЛОВ

[ГЛ. IV

 

В работе [176] показано, что измерения намагниченно­

сти

насыщения, проведенные при 4,2 °К, хорошо

согла­

суются с формулой (4.15) для х, находящегося в пределах от 0 до 1,2, если расчеты магнитного момента проводить в приближении, учитывающем лишь «собственно спино­ вые» моменты (орбитальные моменты заморожены). Легко, однако, показать, что измерения магнитных свойств также хорошо будут согласовываться с формулами, в которых ионы марганца находятся в других валентных состояниях,

так

как в

магнитном отношении

2Мн3 + эквивалентны

Мп а +

-)- Мп*+

(как в высокоспиновом,

так и в низкоспино­

вом состоянии). На невозможность определения, присутст­ вуют ли иоиы марганца в (4.15) в виде ионов Мн 3 + или сме­

си

ионов

Мп 2 +

-f- Мп4 'г , указано

также и в работе Буше

и

др. [191].

 

 

 

Аоки

[187]

также связывает

возникновение тетраго­

нальных искажений в системе окислов кобальта и марган­ ца только с наличием ионов Мн 3 + в октаэдрах. Он также

предлагает

разделить

систему Co( + 2 t <

M n 3 _ {

_ 2 ( ' 0 4 (в обо­

значении Аоки) на две серии:

 

 

 

 

 

а)

интервал

С о 3 0 4

— СоМп2 04 :

 

 

 

 

 

 

 

Мп_£Со!__х

[Со.„Со|?Мп|_а'-в„] O f ,

 

(4.17)

где t

= 1,

1 >

t'

>

0. При t' =

1

и

К =

0

получаем

С о 3 0 4 ,

при

f

=

1/2 — MnGo 2 0 4

и,

если

V — 0,—

СоМп2 04 ;

 

 

 

 

 

 

 

 

 

б) интервал

СоМп2 04 — М п 3 0 4 :

 

 

 

 

 

 

 

M n f t C o & x M n f t [Со^Мп^х] ОТ,

 

(4.18)

где t'

= 0, 1 ; > t >

0. При t = 1 имеем СоМп2 04

и при t =

= 0 — М п 3 0 4 .

 

 

 

 

 

 

 

 

Подход Аоки отличается учетом полученных им коэф­

фициентов

обратностей

различных

твердых

растворов

в системе окислов кобальта и марганца. В формуле

(4.17)

предполагается,

что наличие ионов

Мн 3 + в

тетраэдрах

приводит

к появлению

эквивалентного количества

Со 2 +

в октаэдрах. В

(4.18) уменьшение содержания Мп 3 +

в ок­

таэдрах компенсируется появлением такого же количества Мп 3 т в тетраэдрах. Предполагается, что весь марганец в октаэдрах присутствует только в виде Мп 3 + . На основа-

§ 4.4] РОЛЬ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ КАТИОНОВ 177

нии расчета соотношения между количеством ионов Мп 3 + в окта-позициях и параметрами решетки Аоки [187] полу­ чил для критической концентрации М п 3 + величину 56% .

В работах [176, 187] не учитывается, что степень тетра­ гонального искажения кобальто-марганцевых полупро­ водников зависит не только от их катионного состава, по и от условий термообработки. Достаточно сравнить данные

для отношения

с/а параметров шшшели^СоМп2 04 ,'_ полу­

ченные

различными авторами

(табл. 6), чтобы убедиться

в этом.

Далее,

критическая

концентрация ионов Мп 3 +

в октаэдрах может заметно отличаться от величин, рас­ считанных в [176, 187], если учесть влияние на степень тетрагональных искажений других катионов. Так, напри­ мер, О'Киф [229] указывает, что присутствие в тетраэдрах катионов Со 2 + с электронной конфигурацией Ы1 (did*) в высокоспиновом состоянии усиливает тенденцию решет­ ки к тетрагональным искажениям, и они могут наступить при меньших концентрациях ионов М п 3 + в октаэдрах.

Электрические свойства кобальто-марганцевых полу­ проводников не учитывались в работах [176, 187], хотя они могли дать дополнительные указания о валентных состояниях Зй-ионов. Из формул (4.15), (4.16) и (4.18) трудно понять наблюдающиеся зависимости электропро­ водности полупроводников в системе окислов кобальта и марганца от их состава, так как в октаэдрах не пред­ полагается наличие одного и того же Зй-катиона в различных валентных состояниях. Это же замечание относится и к формуле (4.17). Шпинель МпСо 2 0 4 является полностью обратной (см. § 3.8), и тогда из (4.17) сле­ дует, что в окта-позициях должны находиться только ио­ ны С о 3 + и Мп 3 + , в связи с чем довольно высокая электропро­ водность этого соединения, вообще говоря, непонятна.

Валентные состояния марганца и кобальта в «марган­ цевых» шпинелях, образующихся в системах окислов

марганца,

кобальта, никеля и меди, а также в шпинели

L i M n 2 0 4 ,

были выяснены Э. Е. Вайнштейном, Р. М. Ов-

руцкой и Б. И. Котляром методом рентгеноспектрального анализа [231—233]. Определение валентности ионов мар­ ганца и кобальта производилось путем сравнения рентге­ новских спектров исследуемых шпинелей и спектров окис­

лов, в

которых валентность металла была известна,

а также

на основе ряда других критериев [233]. Были

178 ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ СИСТЕМ окислов [ГЛ. IV

исследованы рентгеновские i_-спектры поглощения и эмис­

сии марганца в окислах

МпО, М п 3 0 4 , М п 2 0 3

и МпОа ,

в кобальто-марганцевых

шпинелях СоМп2 04 и

МпСо 2 0 4 ,

if-края поглощения Мп

в шпинелях

C u M n 2 0 4

(кубиче­

ской и тетрагональной),

N i M n 2 0 4 ,

L i M n 2 0 4

и /_-края

поглощения Со в СоО, С о 3 0 4 , а также в указанных кобаль­ то-марганцевых шпинелях. Спектры снимались при темпе­ ратурах, близких к комнатным. На этих же материалах производились измерения электрических характеристик.

Вработе [231] была подтверждена формула (4.14) для

Мп 3 0 4 , предложенная Гуденафом [19]. Что касается шпи­

нелей МпСо 2 0 4 и СоМп2 04 , то в [231—233] было пока­ зано, что ионы марганца присутствуют в них в двух-,

трех-

и четырехвалентном состоянии, а ионы

кобаль­

та — в

двух- и трехвалентном. Сопоставление

if-спек-

тров поглощения марганца и кобальта в различных окис­ лах этих металлов, а также в обсуждаемых «марганце­ вых» шпинелях дано на рис. 58 и 59 на основании дан­ ных, опубликованных в указанных выше работах. Эти рисунки качественно иллюстрируют выводы о валентно­ стях ионов марганца и кобальта. Интересно также отме­ тить, что при повышении температуры обжига шпинели МпСо2 04 от 1000 до 1200 °С средняя валентность кобальта уменьшается (интенсивность длинноволнового наплыва на кривой 4 (рис. 59), положение которого совпадает с поло­ жением главного максимума в спектре поглощения Со 2 + в СоО, увеличивается при повышении температуры обжи­ га), что полностью согласуется с данными рентгеновского фазового и микроскопического исследований. Таким об­ разом, в [231—233] было экспериментально подтверждено сделанное нами в работах [45, 174, 177, 227J предположе­ ние о наличии в «марганцевых» шпинелях ионов марган­ ца и кобальта в различных валентных состояниях.

Валентное состояние катионов в медно-марганцевой шпинели C u M n 2 0 4 обсуждалось в ряде работ автора и дру­ гих исследователей [45, 161, 164, 170, 173, 174, 180, 226, 227, 229, 233—236]. Синха [180] приписывает этому соеди­ нению формулу

СиЧМп3 + Мп*+ ]ОГ,

(4.19)

исходя из того, что шпинель

 

C u 2 + [ M n 8 2 + ] 0 2 4 -

(4.20)

§ 4.4] РОЛЬ ВАЛЕНТНЫХ СОСТОЯНИЙ КАТИОНОВ 179

должна быть тетрагональной из-за присутствия в окта­

эдрах только ионов Мп 3 + .

 

О'Киф [229], рассматривая кроме (4.19) и (4.20)

также

и формулу

(4.21)

Си2 + [Мп2 + Мп4 + ]0*

предложенную Бонжерсом [164], и исходя из того, что согласно [180]шпинель CuMn2 04 полностью прямая, отдает предпочтение формуле (4.20). Он полагает, что кубическая симметрия решетки сохраняется благодаря нейтра­ лизации ионами Си2'1" в тетраэдрах (Си?етр) тенденции окта-

эдрических

ионов

М п 3 +

(Мп0 ^т) к образованию

тет­

рагональных

искажений

с с / а > 1 .

Формула

(4.19)

О W

ZO 30 40

'50

60 70 £,зв

 

 

 

 

100 £,э5

Рис.

58. #-спектры поглоще­

Рис.

59.

Я-спектры поглоще­

ния

марганца

в

различных

ния

кобальта

в

различных

окислах

марганца и «марган­

окислах кобальта

и

«марган­

цевых»

шпинелях

[231—233].

цевых»

шпинелях

[233].

1 — МпО; 2 — Мп2 Оэ

; 3 — Mn02 ;

1 — СоО; 2 — Со2

03 ; з — СоМп.О,;

4 — CoMn2 04 ; s — МпСо2 04 ; в —

4 — МпСо.Оч (температура обжига

CuMniO<; 7— NiMn2

0<;

s— ЬШпгО.,

1000 °С); 5

— МпСо20» (температура

(начало отсчета энергии произволь­

 

обжига

1200 °С).

 

 

ное).

 

 

 

 

 

 

 

 

отклоняется, так как на основаниЦвеличин радиусов ионов (4.19) для такой шпинели в [2291 предсказывается вели-

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ