Файловый архив студентов. Файловый архив студентов.
1313 вуза, 5303 предмета.
/ Регистрация
FAQ Обратная связь Вопросы и предложения
Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз:
Башкирский Государственный Аграрный Университет
Предмет:
[НЕСОРТИРОВАННОЕ]
Файл:

книги из ГПНТБ / Кремниевые планарные транзисторы

..pdf
Скачиваний:
45
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
17.57 Mб
Скачать
☆

ties

and

formation

junction

in

silicon

by

thermal

oxidation.

— «Bell

Syst. Techn. J.», 1 9 6 0 ,

July, v. X X I X ,

№

4, P .

9 3 3 — 9 4 6 .

 

 

 

2 3 . К a

t о

T., N i s h

i

Y . Redistribution of

diffused

boron in

silicon

by

thermal

oxidation.

— «Japan .

J.

Appl .

Phys.»,

1 9 6 7 , July,

v.

3 ,

№ 7 ,

p.3 7 7 — 3 8 3 .

2 4 .

С h

e n

W.

H . ,

C h e n

 

W.

S.

Impurity

redistribution

in a

semicon­

 

ductor during thermal oxidation.

— «J. Electrochem. S o c » ,

1 9 6 7 ,

v. 1 1 4 ,

2 5 .

№ 1 2 , p.

1 2 9 7 — 1 3 0 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

С a

V e

К-

I .

S.

The

base

diffusion

profile

arising

from

boron

redistri­

 

bution

in the

oxide —

a

useful

approximation, — «Solid

State

Electro­

2 6 .

nics»,

1 9 6 5 ,

v.

8 ,

№

 

1 2 ,

p.

9 9 1 — 9 9 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

V i с

к

L . ,

W h i t t l e

 

 

К.

 

M . Solid solubility and

diffusion

coeffici­

 

ents

of

boron

in

silicon. — «J. Electrochem.

 

Soc.»,

1 9 6 9 ,

 

v.

1 1 6 ,

 

№ 8 ,

2 7 .

p. 1 1 4 2 — 1 1 4 4 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G e r e

t

h

R.,

L o o n

 

van

P.

G.

G.,

 

W i l l i a m s

 

V .

Localized

 

enhanced diffusion

in

n-p-n

silicon

structures. —

«J.

Electrochem.

Soc.»,

2 8 .

1 9 6 5 , v.

1 1 2 , № 3 , p.

3 2 3 — 3 2 9 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

G e r e t h

R.,

S c h w u t t k e

G.

H .

 

Localized

enhanced

diffusion

 

in n-p-n

silicon

transistors. —

«Appl.

Phys.

 

Lett.»,

 

1 9 6 6 , v.

8 , № 3 ,

 

p. 5 5 — 5 7 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2 9 . L a w r e n c e

 

J.

 

E.

 

The

 

cooperative

 

diffusion

 

effect. — « J .

Appl .

3 0 .

Phys.»,

1 9 6 6 ,

v.

3 7 ,

 

№

 

1 1 ,

p. 4 1 0 6 — 4 1 1 2 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Эффект

вытеснения

базовой

примеси

при

 

создании

эмиттера

в

кремнии

 

я-типа.— В кн. Сборник трудов

по

полупроводниковым

материалам,

 

приборам

и их применению. Воронежский

политехнический

институт,

 

1 9 6 8 .

Авт.: М. А. Акимов,

Н. Ю. Дыбовская,

И. Ф. Дымов,

Г. В. Сонов,

3 1 .

Б . Л . Толстых.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

B a r r y

M .

L . ,

О

l o f

s e n

 

P.

 

Doped

oxides

as

diffusion

sources.

 

I .

Boron in Silicon — «J . Electrochem. Soc.»,

1 9 6 9 ,

v. 1 1 6 ,

№

6 ,

p.

8 5 4 —

3 2 .

8 6 0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В г о w n

D.

M . ,

K e n n i c o t t

 

P.

R.

Glass

source

В

diffusion

in

3 3 .

Si

and

S i 0 2 . — «J. Electrochem. Soc.»,

1 9 7 1 ,

v. 1 1 8 ,

№

2 ,

p.

2 9 3 — 3 0 0 .

В a r r y

M .

L .

Doped

oxides

as

 

diffusion

sources

I I . Phosphoro-

 

rous into silicon. —

«J. Electrochem. Soc.»,

 

1 9 7 0 , v.

 

1 1 7 ,

№

1 1 ,

p. 1 4 0 5 — •

 

1 4 1 0 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 4 .

С о

1 1 i n s

С.

В . ,

C a r l s o n

R.

 

О.,

G a l l a g h e r

С.

J.

Proper­

 

ties of gold-doped silicon. —

«Phys.,

Rev.»,

1 9 5 7 ,

v.

1 0 5 ,

№ 4 , p.

 

1 1 6 8 —

 

1 1 7 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 5 .

W

i 1 с о x

W.

R.,

 

La

C h a p e l l e

T.

J.

Mechanism

of gold

diffu­

 

sion

 

into

silicon.

—

«J.

Appl .

Phys.»,

1 9 6 4 ,

v.

3 5 ,

№

1,

p.

2 4 0 — 2 4 6 .

3 6 .

S p r о с e

1

С.

J.,

 

F a i r f i e l d

 

J.

M . Diffusion

of

gold into

silicon

 

crystals. —

«J.

Electrochem.

S o c » ,

1 9 6 5 ,

v.

1 1 2 ,

p.

2 0 0 — 2 0 3 .

 

 

 

 

3 7 .

В u

1 1 i s

W .

M .

Properties

of

gold in

silicon. — «Solid

State

Electro­

 

nics»,

1 9 6 6 ,

v.

9 ,

№

2 ,

p.

1 4 3 — 1 6 8 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

3 8 .

Р Ы Б К И Н

 

С.

 

M .

 

Фотоэлектрические

 

явления

 

в

полупроводниках.

3 9 .

М.,

 

Физматгиз,

 

1 9 6 3 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В e m s k i

 

G.

 

Recomination

properties

 

of

gold

 

in

silicon. — «Phys.

4 0 .

Rev.»,

1 9 5 8 ,

v.

I l l , №

 

6 ,

p.

1 5 1 5 — 1 5 1 8 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

D a v i s

W.

D .

Lifetimes

and

capture cross sections in

gold

doped

si­

4 1 .

licon. — «Phys.

Rev.»,

1 9 5 9 ,

v.

1 1 4 ,

№

4 ,

p.

1 0 0 6 — 1 0 0 8 .

 

 

 

 

 

 

F a i r f i e l d

 

J. M . ,

 

G 0 k

h

a I e

В .

 

V.

 

Gold

as

recombination

cent­

4 2 .

re in silicon. — «Solid

State

 

Electronics»,

1 9 6 5 ,

v.

8 ,

p.

6 8 5 — 6 9 1 .

 

 

В a k a n о w s k

i

A. E.,

F o r s t e r

J.

H .

Electrical

properties

of

 

gold-doped

diffused silicon

computer

diodes. — «Bell

Syst. Tech. J» . ,

1 9 6 0 ,

4 3 .

v.

3 9 , № 1, p.

8 7 — 1 0 4 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

К а р с л о у

 

Г.,

Е г е р

 

Д .

Теплопроводность

твердых

тел.

 

Пер .

4 4 .

с англ. Под ред. А.

А. Померанцева. М.,

 

«Наука»,

1 9 6 4 .

 

 

 

 

 

 

T h о m a s

R.

Е.,

 

В о о t

h г о у d

A.

 

R.

Determination of

a physi­

 

cal

 

model

for

double

 

diffused

transistors. — «Solid

State

Electronics»,

 

1 9 6 8 , v.

1 1 , № 3 , p.

3 6 5 — 3 7 5 .

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

~:

3 2 4

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

45.Дрейфовые полупроводниковые приборы. [Сборник статей]. Пер. с англ.

инем. Киев, Гостехиздат УССР, 1960, с. 5—49.

46. С п и р и д о и о в

Н.

С , В е р т о г р а д о в В. И. Дрейфовые

транзисторы. М.,

«Сов.

радио», 1964.

47.С а м о х в а л о в M . М. Германиевые сплавные диффузионные триоды,

М., Госэнергоиздат, 1962.

48.

Г о р б у н о в

Ю. И., М а л и н

Б .

 

В. Вычисление коэффициента ин-

 

жекции

дрейфового

транзистора

с

 

учетом

внутренних

 

статических

 

полей

в

эмиттере и

базе. — В

кн.

Микроэлектроника.

 

Под

ред.

 

Ф. В. Лукина . Вып. 2, М., «Сов. радио», 1968, с. 160—182.

 

 

 

49.

M о 1 1

J.

L . , R о s s

I . M . The

dependence of

transistor

 

parameters

 

on the distribution of base layer

resistivity. — «Proc.

IRE»,

 

1956, v. 44,

 

№ 1, p. 72—78.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

50.

L u g a n о

Т.,

К о s h i g a

F.

The

calculation

of

cut-off

 

frequencies

 

of minority-carrier transport

factors

in

drift transistors when

 

the

 

mobi­

 

lities are not constant. — «Proc.

IRE»,

1961, v. 49, № 7, p.

1218.

 

51. С a u g h e y

D.

 

M . ,

T h o m a s

 

R.

 

E.

Carrier

mobilities

in

silicon

 

empiricaly

related

to

doping

and

field. — «Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55,

 

№ 12, p. 2192—2193.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

52.

К о л о с о в

А.

А.,

Г о р б у н о в

Ю.

И.,

Н а у м о в

Ю. Е.

По­

 

лупроводниковые

твердые схемы. М., «Сов. радио»,

1965.

 

 

 

 

53.П и к у с Г. Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М., «Наука», 1965.

54. I w e r s е n

J. Е.,

B r a y A. R., К l e i m a c k J.

J., Low-cur­

rent alpha

in silicon

transistors. — «IRE Trans.», 1962,

v. ED-9, № 6,

p. 474—478.

 

 

55.R e d d i V . G. K- Influence of surface conditions on silicon planar transistor current gain. — «Solid State Electronics», 1967, v. 10, № 4, p. 305—334.

56.

T a n n e n b a u m

 

M . , T h o m a s

R. E. Diffused

emitter and

base

 

Silicon transistor. — «Bell Syst. Tech. J.», 1956, v. 35,

№

1, p.

1—22.

57.

К e n n e d y

D.

P.,

M u r 1 e у

P.

C.

Minority carrier

injection

cha­

 

racteristics

of

the

diffused

emitter

junction. — «IRE

Trans.»,

1962,

 

v. ED-9, № 2, p. 136—142.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

58.

К 1 e i n

M .

Injection

 

efficiency

in

doublediffused transistors. — «Proc.

 

IRE», 1961, v. 49,

№

11, p.

1708.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

59.

F 1 e t с h e r

N .

H . Some aspects of the design of power

transistors. —

 

«Proc. IRE», 1955, v. 43, № 5, p. 551—559.

 

 

 

 

 

 

 

60.

H a u s e r

J.

 

R.

 

The

effects

of

distributed

base potential

on

emitter-

 

current injection density and effective

base resistance for stripe

transistor

 

geometries. — « I E E E

Trans.»,

1964,

v. ED-11,

№ 5 ,

p. 237—242.

61. П е т р о в

 

Б .

K-, С ы н о p о в

В .

Ф.

Влияние

распределенного

 

сопротивления базы на плотность эмиттерного тока в дрейфовых трио­

 

дах

с круговым

эмиттером. — «Известия вузов

СССР.

Физика»,

1969,

 

 

1, с. 7—11.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

62.

E m e i s

R.,

H e r l e t

A.,

S p e n k e

R.

The

effective emitter

area

 

of

power

transistors. — «Proc.

IRE»,

1958, v. 4, №

6,

p. 1220—1229.

63.

G о g u e

J.

 

M . Les transistors haute frequence

de puissance:

problems

 

fondamentaux. — «L 'Onde Electrique»,

1965, t. 45, №

456, p. 341—347.

64.

H о с h m a n

 

H .

 

T.,

 

H j e 1 1 e

D.

Optimizing transistor

parameters

 

in integrated

circuits. — «Semiconductor

Products

and

Solid

State

Tech­

 

nology», 1966,

v. 9, №

 

9, p. 42—47.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

65.Расчет и проектирование полупроводниковых приборов. Пер. с англ. Под ред. Г. Д . Глебова. М., Оборонгиз, 1963.

66.

К i r к

С.

Т.

A theory of

transistor

cutoff frequency (it) falloff at high

 

current

densities. — «IRE

Trans.»,

1962, v. ED-9,

№ 2 , p. 164—174.

67.

N а к a h a r a

O.,

G a t о

K-,

M i t a n i

F.,

S u n a g u с h i

F.

 

The effect

of

width

collector

depletion layer

on drift

transistor characte­

 

r i s e s . — «Japanese

J. Appl .

Phys».

1963, v. 2, № 4, p. 233—238.

 

68.

W a i t

J.

T., H a u s e r

 

J.

R.

Beta

falloff

in

transistors at

high

 

collector currents. — «Proc.

 

IEEE»,

1968,

v. 56,

№

11, p. 2087—2088.

325

69.

С а 1 z о I a r i

P. V . ,

G r a f f i S. Influence of the

emitter crowding

 

effect

on the

current falloff in junction

transistors. — «Acta Frequenza»,

 

1969,

v. 38,

№ 8, p. 595—598.

 

 

 

 

 

 

70.

С a 1 z о 1 a r

i

P.

V . ,

G r a f f i

S.

On beta falloff

in transistors. —

 

«Proc.

I E E E » ,

1969,

v. 57, № 7,

p.

1293—1297.

 

 

71.

П е т р о в

Б .

K-,

С ы н о р о в

В.

Ф.

Некоторые

свойства

дрейфо­

 

вых триодов при больших токах коллектора. Депонированная в Н И И Э И Р

 

рукопись, Д - 741, 1968.

 

 

 

 

 

 

72.

Д а н и л и н

В. Н.,

Ф и л а т о в

А.

А.

Ч е р н я в с к и й

А. А.

 

Исследование механизма спада усиления транзистора при увеличении

 

тока эмиттера. — В кн.: Полупроводниковые

приборы и ихприменение .

 

Под ред. Я- А. Федотова. Вып. 21. М., «Сов.

радио»,

1969, с. 118—140.

73.R у d e г Е. J. Mobility of holes and electrons on high electric fields. — «Phys. Rev.», 1953, v. 90, № 5, p. 766—769.

74.

P a l s

J. A . ,

de

G r a a f f

H . C.

On the behaviour

of the base collec­

 

tor junction of a transistors at high collector

current

densities. —

«Phi­

 

lips

Research

Reports», 1969, v. 24,

№

1, p.

53—69.

 

 

 

 

 

75.

V a n

 

d e r

Z i e l

A . , A g o u r i d i s

D.

The

cutoff

frequency

fal­

 

loff

in

V H F

transistors at

high currents. — «Proc.

I E E E » ,

1966,

v. 54,

 

№ 3,

p. 411—412.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

76.

W h i t t i e r

R.

J., T r e m e r e

D.

A .

Current

gain

and

cutoff

 

frequency falloff

at high

currents.

— « I E E E

Trans.»,

1969, v.

ED-16,

№ 1, p. 39—57.

77.С т е п а н е н к о И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М., «Энергия», 1967.

78.

D a s

M .

В . ,

 

В о о t h г о у d

A.

R.

On

the

frequency

dependence

 

of the magnitude of common-emitter current gain of graded base transis­

 

tors. — «Proc.

IRE»,

1960, № 2, p. 240—241.

 

 

 

 

 

 

 

 

79.

Ф е д о т о в

 

Я-

А.

Основы

физики

полупроводниковых

приборов.

 

М., «Сов. радио», 1969.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

80.

К p а с и л о в

А. В . , T p у т к о

А.

Ф. Методы

расчета транзисторов.

 

М., «Энергия», 1962.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

81.

G a y

M .

J.

 

Base resistance

in silicon

planar

transistors. — «Electro­

 

nics Letters»,

1965, v.

1, №

7, p. 212—213.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

82.

R e y

G.

Sur

 

l'identification

 

de

l'impédance

d'entrée

d'un

transistor

 

plan

a'geometrie

circulaire. — «C. R. Acad. Sei.»,

1967,

t. 265,

Serie

В,

 

№ 4, p. 222—225.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

83.

В e a 1 e

 

J.

R.

A . ,

S I a t

t e r

J. A. G. The

equivalent

circuit

of

 

a transistor

w i t h

a

lightly

doped

collector

operating

in

saturation. —

 

«Solid State Electronics», 1968, v. 11., p. 241—252.

 

 

 

 

 

 

84.

В u h a n a n

 

D.

Investigation

of

current-gain

 

dependence

in

silicon

 

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1969,

v. ED-16,

№ 1, p. 117—124.

 

 

85.

Б л e к м о р

 

Д ж .

Статистика

электронов

в

полупроводниках.

Пер.

 

с англ. М., «Мир», 1964.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

86.

P e а r s о n

G.

L . ,

В a r d e e n

J.

Electrical

properties

of

pure

sili­

 

con and

silicon

alloys, containing boron

and phosphorus. — «Phys. Rev.»,

 

1949, v.

75, №

5,

p. 865—883.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

87.Ф и с т у л ь В. И. Сильно легированные полупроводники. М., «Нау­ ка», 1967.

88.

К 1 e p p i n g e r

D.

D . , L i n d h о 1 m F. A.

Impurity

concentration

 

dependent

density

of

states

and

resulting Fermi

level for

silicon. •— «So­

 

lid State

Electronics», 1971, v.

14, № 5, p. 407—416.

 

 

 

89.

М о р и н ,

М а и т а

Д ж .

Электрические свойства кремния

с

примесью

 

мышьяка

и бора. Пер. с англ. — В кн . : Проблемы физики

полупровод­

 

ников. Под ред. В. Л . Бонч - Бруевича, М., Изд-во И Л , 1957, с. 96—106.

90.

К и p e е в

П. С.

Физика

полупроводников.

М., «Высшая

школа»,

 

1969.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

91. Г л и и ч у к

К- Д . Рекомбинация носителей тока на примесных

центрах

 

в германии

и кремнии. — В кн.: Актуальные вопросы физики

полупро­

 

водников

и полупроводниковых

приборов. Под ред. С. П.

Кальвенаса.

 

Вильнюс, 1969,

с. 99—112.

(Лит. респ.

правление

НТО

приборпром,

 

ин-т физики полупроводников АН Лит. ССР).

 

 

 

 

92.

Температурная

 

зависимость

коэффициента

усиления

в

кремниевых

 

планарных транзисторах. — «Радиотехника

и электроника»,

1971,

т. 16,

 

№ 7, с. 1299—1301, Авт.: Э. П. Сосина,

Б . К- Петров,

С. А. Толстых,

 

В. Ф. Сыноров.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

93.

S a h

S.

T.,

 

N о у s e R.

N . ,

S h о с k 1 e y

W.

Carrier

generation

 

and recombination in p-n junctions and p-n junctions characteristics, —

 

«Proc.

IRE»,

 

1957,

v. 45,

№ 9,

p.

1228—1243.

 

 

 

 

94.

Q r о V e

A.

S.,

 

F i t z g e r a l d

D.

J.

Surface effects on p-n charac­

 

teristics of surface

 

space-charge regions under

non-equlibrium conditions. —

 

«Solid

State

Electronics»,

1966,

v. 9, p.

783—806.

 

 

 

 

95.

F i t z g e r a 1 d

 

D. J.,

G r o v e

 

A.

S.

Surface

recombination in

 

semiconductors. — « I E E E

Trans.»,

1968,

v. ED-15, № 6, p. 426—427.

96.

S h о с k 1 e y

W.

Problems

related

to p-n junctions

in silicon. — «Solid

 

State Electronics»,

1961, v. 2, №

1, p. 35—67.

 

 

 

 

 

97.

H a h n

 

L . A. The saturation characteristics

of high-voltage transistors. —

 

«Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55, № 8,

p.

 

1384—1388.

 

 

 

 

98.

E b e r s

J.

J.,

M o l l

J.

L .

Large signal behavior of junction

tran­

 

sistors. — «Proc.

 

IRE», 1954, v. 42,

№

12, p.

1761 — 1772.

 

 

99.

X у д о б я к. Относительно

статического

напряжения

насыщения

пере­

 

хода коллектор—эмиттер транзистора со слаболегированным

коллектором.

 

— «ТИИЭР» (Пер. с англ.),

1969, т. 57,

№

3,

с. 164—165.

 

 

100. А г а х а н я н

 

 

Т.

М.

Переходная

и

частотно-фазовая характерис­

 

тики коэффициента передачи тока дрейфового триода. — «Радиотехника»,

 

1959,

т. 14,

№

12,

с. 38—43.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

101.M o l l J. L . Large-signal transient response of junction transistors. — «Proc. IRE», 1954, v. 42, № 12, p. 1773—1783.

102.А г а х а н я н T. M . Электронные ключи и нелинейные импульсные

 

усилители. М., «Сов. радио»,

1966.

 

 

 

 

 

103.

А б д ю х а н о в

М.

А.,

Б е р е с т о в с к и й

Г.

Н., К у з ь ­

 

м и н

В.

А.

О

расчете процессов

в

полупроводниковых

триодах ме­

 

тодом

заряда . — «Радиотехника

и

электроника»,

1960, № 3, с. 450—

 

459.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

104.

Н е д о л у ж к о

И.

Т., К а г а н о в

И.

Л .

Расчет

переходных

 

процессов

в

полупроводниковых

триодах

методом заряда . — В кн . :

 

Полупроводниковые приборы

и их применение. Под ред. Я . А. Федото­

 

ва. Вып. 13. М.,

«Сов. радио»,

1965.

 

 

 

 

105. Транзисторы. Параметры, методы

измерений и

испытаний. Под ред.

 

И. Г. Бергельсона, Ю. А. Каменецкого, И. Ф. Николаевского. М.,

 

«Сов.

радио»,

1968.

 

 

 

 

 

 

 

 

106.Ш т а г e р В. В. Полупроводниковые приборы в импульсных и ком­ мутационных схемах., М., Госэнергоиздат, 1963.

107.А г а х а н я н Т. М. Переходный процесс в полупроводниковом клю­ че при его запирании. — В кн.: Полупроводниковые приборы и их при­

менение. Под ред. Я- А. Федотова. Вып. 10. М., «Сов. радио», 1963,

с. 440—476.

108.N a n a v a t i R. Production of storage time in junction transistors. — «IRE Trans.», 1960. v. ED-7, № 9.

109.

P о й 3 и н H .

M . ,

М а р к о в и ч

M . И.

Накопление

избыточных

 

носителей заряда в дрейфовом транзисторе. — В кн.: Полупроводниковые

 

приборы

и их применение. Под ред. Я- А. Федотова. Вып. 10. М., «Сов.

 

радио»,

1963,

с.

167—200.

 

 

 

 

 

110.

И л и с а в с к и й

Ю. В.

Лавинные триоды. — В кн.: Полупровод­

 

ники в науке

и технике. T. I I . М., Изд-во АН СССР,

1958

с. 74—114.

111.

Ч у е н к о в

В .

А.

Теория электрического

пробоя

полупроводников

 

(р-п переходы). — В

кн.:

Физика

твердого

тела. T.

I I . М., Изд-во

А Н СССР, 1959.

112.А л а д и н с к и й В. К- Пробой в узких кремниевых р-п переходах. — «Радиотехника и электроника», 1965, т. 10, № 1, с. 102—111.

327

113.

K a n e

 

E.

Theory

of

tunneling. — «J.

 

Appl . Phys.»,

1961,

v. 32,

 

№ 1, p.

83—91.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

114.

L e e

C.

A . ,

 

L o g a n

R.

A . ,

B a t d o r f

 

R.

L .

Ionization rates

of holes

and electrons

in silicon. — «Phys.

 

Rev.»,

1964, v.

134,

№

ЗА,

 

p. A761.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

115.

T а г e p

А.

 

С , В а л ь д - П e р л о в

В. М. Лавинно-пролетные

 

диоды и их применение в технике СВЧ . М., «Сов. радио»,

1968.

 

 

 

116.

С h у n о w e t h

A .

G.

Ionization rates

for

electrons

and

holes

in si­

 

licon. — «Phys.

Rev.»,

1958, v. 109, № 5,

 

p.

1537—1540.

 

 

 

 

 

 

117.

К в я т к е в и ч

И.

И., Т р у т к о

 

А.

 

Ф., Д о р о ф е е в

А.

А.

 

Лавинный пробой и барьерная емкость р-п

перехода. — «Электронная

 

техника. Сер. 2 Полупроводниковые приборы»,

1968, вып. 1, с. 59—111.

118.

V a n O v e r s t r a e t e n

 

R.

and

D e

 

M a n

H .

Measurement

 

of the ionization rates in diffused silicon

p-n junctions. — «Solid State

 

Electronics»,

1970, v. 13, № 5, p. 583—608.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

119.

L e i s t i k о

 

О., G r o v e

A .

S.

Breakdown voltage of planar

silicon

 

junctions. — «Solid State

Electronics»,

1966,

v. 9, p. 847—852.

 

 

 

120.

M a s e r

j i a n

I . Determination

of

avalanche

breakdown

in p-n

junc­

 

tions. — «J. Appl . Phys.»,

1959, v.

30.

№

10, p.

1613—1614.

 

 

 

 

121.

M с

K a y

К.

G.

 

Avalanche

breakdown

in silicon. — « P h y s .

Rev.»,

 

1954, v. 94, № 4, p. 877—884.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

122.

M i l l e r

S.

 

L .

Ionization rates

for

holes

and

electrons

in

Silicon. —

 

«Phys. Rev.»,

1957,

v. 105,

№ 4, p.

1246—1249.

 

 

 

 

 

 

 

 

123.

K e n n e d y

 

D.

P.,

O ' B r i e n

R.

R.

 

Analysis

of the

impurity

 

atom

distribution near

the diffusion

mask

for

a planar p-n

 

junction. —

 

«IBM

Journal of Research and Development», 1965, v. 9,

№ 3,

p. 179—186.

124.

N a k a m u r a

 

K.

Avalanche

breakdown

voltages of selectively

 

dif­

 

fused

p-n

junction. — «Japanese

J.

Appl .

 

Phys.»,

1967,

 

v.

6,

 

№ 3,

 

p. 328—338.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

125.

K e n n e d y

 

D .

P.,

O ' B r i e n

R. R.

 

Avalanche

breakdown

calcu­

 

lation for a planar p-n junction. — «IBM Journal of Research and

 

Deve­

 

lopment», 1966, v. 10, № 2, p. 213—219.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

126.

S z e

S.

M . ,

G i b b o n s

G.

Effect

of

junction

curvature

on

break­

 

down

voltage

in semiconductors.

— «Solid

State

Electronics»,

1966,

v. 9,

№9, p. 831—845.

127.Физика поверхности полупроводников. [Сборник переводных статей].

 

Под ред. и со вступит, статьей Г. Е. Пикуса . М., Изд-во

И Л ,

1959.

 

128.

С a s t r u с с i

P.

P.,

L o g a n

 

J.

S.

Electrode

control

of

 

S i 0 2

 

passivated

planar

junctions. — «IBM Journal of

Research

and

Develop­

 

ment», 1964, v. 8, № 4, p. 394—399.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

129.

G r o v e

A.

S.,

L e i s t i k о О.,

H o o p e r

W .

W .

Effect

of

sur­

 

face

fields on

the

breakdown

voltage of planar

silicon p-n junctions. —

 

« I E E E Trans.»,

1967,

v. ED-14, №

3,

p.

157—162.

 

 

 

 

 

 

 

 

130.

G ü r t l e r

R.

W .

Avalanche

drift

instability

in planar

passivated

 

p-n junctions. — « I E E E

Trans.»,

1968.

v.

ED-15,

№

12,

p. 980—986.

131.

G r o v e

A .

S.,

F i t z g e r a l d

 

D .

J.

The

origin

of

channel

cur­

 

rents

associated

w i t h

p+ -regions in

silicon. — « I E E E

Trans.»,

v. ED-12,

 

№ 12, p. 619—626.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

on p-n

 

 

 

132.

S a h

С.

T.

Effect

of surface

recombination and

channel

juncti ­

 

on and transistor

c h a r a c t e r i s t i c s . — « I R E

Trans.»,

1962,

v. ED-9,

№

1,

 

p. 94—108.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

133.

S c h l e g e l

 

E.

S., S c h n ä b l e

G.

L .

The

application

of

test

 

structure

for the

study

of surface

effect

in

LS I

curcuity. —

« I E E E

 

Trans.», 1969,

 

v. ED-16, № 4, p. 386—393.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

134.

C h y n o w e t h

A.

G., P e a r s o n

 

G.

L .

Effect

of

dislocations

 

on breakdown

on

silicon

p-n junctions. — «J. A p p l . Phys.»,

1958, v.

29,

 

№ 7, p. 1103—1110.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

135.

R u s s e

1 L .

 

K-, L e g a t

W.

 

N .

Physical

description of the ani­

 

sotropic stress effect in the silicon p-n

junction

cantilever

transducer.

—

 

«J. Electrochem. Soc.»,

1967,

v. 114, №

3,

p. 277—285.

 

 

 

 

 

 

328

136.

H a u s e r

 

J.

 

R.,

 

W o r t

m a n

J.

 

J.

Some

effects

of

mechanical

 

stress on the breakdown voltage of p-n

junctions. — «J. Appl .

Phys.»,

 

1966, v. 37, № 10, p. 3884—3892.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

137.

G o e t z b e r g e r

 

 

A . ,

S h о с к 1 e y

W.

 

Metal

precipitations

in si­

 

licon p-n

junctions. — «-J. Appl. Phys.»,

1960, v. 31, № 10, p. 1821— 1824.

138.

О g a w a

T.

 

Influence

of

metal

impurities on

breakdown

characteris­

 

tics of

high

 

voltage

 

silicon n+ -p

junctions. — «Japan .

 

J.

Appl .

Phys.»,

 

1966, v. 5,

№

2,

p.

 

145—152.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

139.

P я б и н к и н

Ю.

 

С.

Коэффициент

усиления

по току

микромощных

 

кремниевых планарных транзисторов. — «Радиотехника и электроника»,

 

1965, т. X , № 12, с. 2259—2261.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

140.

Н и к о л а е в с к и й

И.

Ф., И г у м н о в

Д .

В .

Параметры

и пре­

 

дельные режимы работы транзисторов. М., «Сов. радио», 1971.

 

 

141.

S h о с k 1 e у

 

W.,

 

 

P r i m

R.

С.

Space-charge

limited

emission

 

in

semiconductors. — «Phys.

Rev.»,

1953,

 

v. 90,

№

 

5,

p. 753—758.

142.

D а с e y

 

G. С. Space-charge limited

hole

current

in

germanium. —

 

«Phys. Rev.», 1953,

 

v. 90, № 5, p. 759—763.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

143.

K e n n e d y

 

D.

P.,

O ' B r i e n

R.

R.

 

Depletion

layer

properties

 

in

double

 

diffused

transistors. — «J.

Electronics

and

Control*,

1961,

 

v.

11, №

4, p. 303—315.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

144.

К a n n a n

P.

 

J.

 

 

Depletion layer

calculations

of

 

simultaneously

 

diffused, double-diffused and triplediffused transistors. —

«International

 

Journal

of

Electronics»,

1966,

№

6,

p. 587—600.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

145.

V e l o r i c

 

H .

C ,

 

F u s e l i e r

C ,

R a u s c h e r

 

D . Base-layer

 

design for high-frequency

transistors. — «RCA

Review»,

 

1962, v.

X X I I I ,

 

№

1, p. 112—125.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

146.

П е т р о в

 

Б . K-,

 

С ы н о p о в

В.

Ф.

Зависимость

 

напряжения

 

прокола базы от профиля распределения примесей в кремниевых дрей­

 

фовых

триодах. — В кн.: Физика полупроводников

и

 

микроэлектрони­

 

ка. Труды ВГУ, т. 76, Воронеж

1969, с. 147—152.

 

 

 

 

 

 

 

147.

К е л д ы ш

Л .

В.

 

О

поведении

неметаллических

кристаллов в силь­

 

ных электрических

полях . — «ЖЭТФ», т. 33, №

4, с.

994.

 

 

 

148.

K a n e

 

Е.

О.

Zener

tunneling

in

semiconductors. — «Physics

and

 

Chemistry

of

Solids»,

1960,

v.

12, p.

181 — 188.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

149.

F r a n z

W.

Dielektrischier Durchlag, Berlin,

1956.

 

 

 

 

 

 

 

150.

Т и х о д е е в

 

Ю.

 

С , Т р у т к о

А. Ф. К вопросу

о механизме про­

 

боя р-п переходов

в полупроводниках. — «Электронная

техника. Сер.2.

 

Полупроводниковые

 

приборы», 1968,

вып.

1 (39), с. 112—138.

 

 

151.

T у a g i

M .

S.

Zener

and

avalanche

breakdown in

 

silicon

alloyed

 

p-n junctions. — «Solid State Electronics»,

1968,

v. 11, p. 99—117.

152.

Avalanche

 

effects

 

in Silicon p-n

junctions.

I I . Structurally perfect

 

junctions. — «J.

Appl.

Phys.»,

1963,

v. 34,

№

6,

p.

1591 — 1600.

Aut . :

 

A . Goetzberger,

 

B . Mc Donald,

R. H . Haitz, R. M . Scarlett.

 

 

 

153.

К а о

Y .

С ,

 

W о 11 e y

E.

D. High

voltage planar p-n

junctions. —

 

«Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55, № 8, p.

1409—1414.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

154.

«Electronics»,

1969,

 

v. 42, № 18, p. 7E—9E.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

155.

O b é r a i

 

A.

 

S.,

 

D h a k a

V .

A .

Ultra-high current switch

using

 

12,6 GHz

 

silicon

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1969,

 

v. ED-16,

№ 2,

 

p.

241

(Correspondence).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

156.

G o e t z b e r g e r

 

 

A., Z e t t e r q u i s t

 

N .

 

E., S c a r l e t t

R.

 

A

new

high

frequency

power transistor. — « I E E E

Internat. Conv.

R e e » ,

 

1963, v. 11, pt. 3, p. 57—62.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

157.

C a r l e y

D .

 

R.

 

High frequency high power transistor having

over­

 

lay electrode

(Radio Corp. of America), Pat. USA, cl . 317—235,

(HOI I ) ,

 

№

3434019,

 

Date

of

 

Applic. 24.10.63, publ.

 

18.03.69.

 

 

 

 

 

 

 

158.

C a r l e y

 

D .

 

R.,

 

McG e о u g h

P.

L . ,

O'

B r i e n

 

I .

F.

The

 

overlay transistor, pt. 1: New geometry

boosts

 

power. — «Electronics»,

 

1965, v. 38, № 17, p. 71—77.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

159.

С a r 1 e y

D.

 

R.

A worthy challenger

for

r-f power

honors. — «Elect­

 

ronics»,

1968, v. 41, №

4,

p. 98—102.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

329

160.

A new

 

look

 

at

microwave

silicon

technology. — «Microwave

Journal»,

 

1969, v.

12,

№

 

2, p. 80, 83, 84,

87, Aut . : E. I . Rice, R.

D.

Gromer,

 

К. M . Finn, В. I . Tilley, W. E. Schaub.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

161.

F u с u t a

 

M . ,

 

К i s а к i

H . , M a c k a w a

S.

Mesh

emitter

tran­

 

sistor. — «Proc.

 

I E E E » ,

1968,

№

5, p. 742—749.

 

 

 

 

 

 

 

 

162.

Powerfull

«Mesh

emitter

transistor»

for

 

UHF . — «Technocrat»,

 

1968,

 

v. 1, № 7, p. 16.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

163.

N o r m a n

 

 

J.

 

G.

Microwave transistor

— from

small

signal

to

 

high

 

power. — «Microwave Journal»,

1971, v. 14, № 2,

p. 45—48, 50, 62.

164.

J o h n s o n

 

 

E.

O.

Physical limitation on frequency and power

 

para­

 

meters of transistors.

— «RCA

Review»,

1965, v. 26, №

 

2,

p. 163—177.

165.

М а з е л ь

 

 

E.

 

3.

Мощные транзисторы. M . , «Энергия», 1969.

 

 

166.

G u n d 1 а с h

 

R.

Rx

for

r-f power

transistors. — «Electronics»,

 

1969,

 

v. 42, № 11, p. 84—90.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

167.

L i n d m a y e r

 

I .

Power gain of transistors at

high

frequencies. —

 

«Solid

State

 

Electronics»,

1962,

v. 5,

p.

171 — 175.

 

 

 

 

 

 

 

168.

W o l f

 

H .

 

Recent

advances

in

high-frequency

power

transistors. —

 

«Solid

State

 

Electronics»,

1963,

v. 4, № 6, p. 21—28.

 

 

 

 

 

 

 

169..

T a t u m

J.

 

G. Microwave

transistor—parameter

trade-offs

in

cir­

 

cuit

design.

Pt.

 

I . — «Microwaves»,

1967,

v. 6,

№

9, p. 26—32.

 

 

 

170.

T a t u m

J.

G.

Microwave

transistor—parameter

trade-offs

in

cir­

 

cuit

design.

Pt.

 

2. — «Microwaves», 1967,

v. 6, № 10,

p. 46—50.

 

 

171.

T a t u m

J.

 

G.

Microwave transistor-parameter

trade-offs in

circuit

 

design. Pt.

3. — «Microwaves»,

1967, v. 6,

№

11, p. 44—53.

 

 

 

172.

L e e

H . C. Microwave power

transistors. — «Microwave

Journal»,

1969,

 

v'. 12, №

2, p. 51—65.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

173.

P r i t c h a r d

R.

L . Frequency

response of grounded-base and grounded-

 

emitter

 

transistors.

A I E E

Winter Meeting. New York. January,

22,

1954.

174.

D r o u i l h e t

 

P.

R.

Predictions based

 

the

maximum

oscillator

fre­

 

quency

of a

transistor. — «IRE

Trans.»,

 

1955,

v.

ST-2, p. 178—183.

175.

S e n e r e t

 

 

I .

Utilization

 

des

transistors

de

puissance

en

vhf. —

 

«L'Onde

Electrique»,

1965,

v. 45, ,№ 456,

p. 311—317.

 

 

 

 

 

176.

E n c i n a s

 

 

I . ,

M i n n e

A.

É t u d e

et

réalisation

transistors

vhf

 

de puissance

 

2—3

et

6 w — 180 MHz au

silicium

epitaxie. — «L'Onde

 

Electrique»,

 

1965, v. 45, № 456, p. 271—277.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

177.

А р о н о в

 

В. Л . ,

М а з е л ь

Е. 3. Современное состояние в области

 

разработки

 

мощных

ВЧ

и

СВЧ

транзисторов. — В

 

кн . : Полупровод­

 

никовые приборы и их применение. Под ред. Я- А. Федотова. Вып. 25,

 

М., «Сов. радио»,

1971, с. 7—29.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

178.

C o l l i n s

 

 

Т.

 

W.

Collector

capacitance

 

versus

collector

current

for

 

a double-diffused

transistor.—«Proc. I E E E » ,

1969, v. 57, № 5 , p. 840— 841.

179.

Ш и б а н о в

 

А.

П.

Простой

метод

оценки

максимального коэффици­

 

ента усиления транзистора на высоких частотах. — В кн . : Полупроводни­

 

ковые приборы и их применение. Под ред. Я . А. Федотова. Вып. 25. М.,

 

«Сов.

радио»,

1971,

с. 434—440.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

180.

С у д з у к и

К а д з и м о,

 

М у р а т а

 

Э й и т и .

 

Высокочастотные

 

транзисторы

с большой

выходной "мощностью

и их практическое

приме­

 

нение. — «Денси дзайре» (Electron. Parts

and

Mater.),

 

1969, v.

8,

№ 2,

 

p. 54—58 (японск).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

181.

Н и к о л а е в с к и й

И.

Ф.

Эксплуатационные параметры

и

особен­

 

ности применения транзисторов. М., Связьиздат,

1963.

 

 

 

 

 

182.

R e i c h

В . ,

H a k i m

Е. В. Transistor

 

characterization

and

derating

 

for

second

 

breakdown. — «Solid

State

Design»,

1964,

v. 5, p.

24.

183.

W i n k l e r

 

R.

H .

Thermal

properties of high-power transistors. —

 

« I E E E

Trans.»,

 

1967, v. ED-14, № 5, p. 260—263.

 

 

 

 

 

 

 

184.

А р о н о в

 

 

В.

 

Л . ,

К о з л о в

В . А. Метод определения теплового

 

сопротивления транзисторов с использованием дифференциальных па­

 

раметров. — В

 

кн . : Полупроводниковые приборы и их применение.

 

Под ред. Я- А. Федотова. Вып.

14. М., «Сов. радио»,

1965.

 

 

 

 

330

185.

 

А р о н о в

 

В.

Л .

Определение максимальной

 

температуры

в мощном

 

транзисторе

при потере термической

устойчивости. — В кн.: Полупровод­

 

никовые

приборы

и их применение. Под ред. Я. А. Федотова. Вып. 17.

 

М., «Сов. радио», 1967.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

186.

R e i c h

 

В . ,

H a k i m

 

Е.

В. Hot-spot

thermal

resistance

 

in

 

tran­

 

sistors. — « I E E E Trans.»,

1969,

v. ED-16, №

2,

 

p.

166—170.

 

 

 

 

187.

R e i c h

 

В . ,

H a k i m

 

E.

B.

Effect

of collector

design

on

 

hot-spot

 

formation and

second

breakdown

in

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1969,

 

v. ED-16, №

2, p. 224—225

(Correspondence).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

188.

C o o k e

 

H .

Microwave Transistors. Pt. 1. Power devices. — «Micro ­

 

waves», 1969, v. 8, № 12, p. 46—52.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

189.

 

Ф у у р и

 

Т а й о.

Транзисторы с внутренним

 

 

сопротивлением.

Меры

 

по улучшению теплового режима и ликвидации вторичного прибоя. —

 

«Денки

 

Гидзюцу».

(«Electron.

Eng.»),

1970,

 

v. 12,

№

12,

 

p. 29—32

 

(японск).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

190.

S c h i

i

t

 

P.

 

Rf

breakdown

phenomenon

improves

the

voltage

capa­

 

b i l i t y

of

a

transistor. — «Electronics»,

1967,

v. 40,

№ 12, p. 97—101.

191.

C h ô m a

 

J.

 

High

frequency

breakdown

in

diffused

transistors.—

 

« I E E E

Trans.»,

1971, v. ED-18, №

6, p. 347—349.

 

 

 

 

 

 

 

 

192.

R e i c h

 

В . ,

H a k i m

 

E.

 

В . , M a 1 i n о w s k i

G.

J.

Maximum

 

RF power

 

transistor

collector

voltage. — «Proc.

 

 

I E E E » ,

1969,

v. 57,

 

№ 10, p. 1789—1791.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

193.

P a r m e n t i e r

 

P.

Amplificateurs haute

fréquence

de

puissance

 

a

transistors. — «L'Onde

Electrique»,

1965,

v. 45, № 456,

p. 318—327.

194.

K r i s h n a

S.,

K a n n a m

 

P.

 

I . , D o e s s c h a t e

W.

Some

 

limitations

 

of

the

power

output

capability

of vhf transistors. —

« I E E E

 

Trans.»,

1968,

v. ED-15, № 11, p. 855—860.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

195.

Мощный

 

СВЧ

 

кремниевый

 

эпитаксиально-планарный

 

транзистор

 

КТ904А

с

 

колебательной

мощностью

3 вт

на

 

частоте

400 МГц. —

 

«Электронная

техника. Сер. 2.

Полупроводниковые

приборы»,

1972,

 

вып. 5(69), с. 5—18. Авт.: Ю . В. Хорошков,

В . И. Диковский,

В . Г. Ко­

 

лесников

и др.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

196.

P а г e k h

Р .

С ,

G o l d s t e i n

 

D.

R.

 

The

 

influence

of

 

reaction

 

kinetica

between

B B r 3 and

0 3

on

the

uniformity

of base

diffusion. —•

 

«Proc. I E E E » ,

1969, v. 57, №

9,

p.

1507—1512.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

197.

W h i t e

M .

H . ,

T h u r s t o n

M . O. Characterization of microwave

 

transistors. — «Solid State Electronics»,

1970,

v. 13,

№

5,

p.

523—542.

198.

C o o k e

 

 

H .

F.

Microwave

transistors: theory

 

and

design. — «Proc.

 

I E E E » , 1971, v. 59,

№

8,

p.

1163—1183.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

199.

S c h n ä b l e

G.

L . , K e e n

R.

S.

Aluminium

metallization—advan­

 

tages and limitations of

integrated circuit applications. — «Proc.

I E E E » ,

 

1969, v. 57, № 9,

p. 1570—1580.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

200.

B l a c k

 

J.

R.

Electromigration failure modes in aluminium

metal­

 

lization

for

semiconductor

devices. — «Proc.

I E E E » ,

1969,

v. 57,

 

№ 9,

 

p. 1587—1594.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

201.

B l a c k

 

J.

R.

RF power

transistor

metallization

failure. —

« I E E E

 

Trans»., 1970, v. ED-17, № 9, p. 800—803.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

202.

L e p s e l t e r

 

M .

Beam

lead

technology. — «Bell

Syst.

Techn.

J.»,

 

1966, v. 45, № 2, p. 233—253.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

203.

 

Я с у ф у к у

 

М а т а м и .

 

Приборы

с

балочными

выводами. — «Оё

 

буцури». Oyo butury, 1968, (японск.), т. 37, № 11, с. 1035—1041.

204.

 

T e r r y

 

L .

Е.,

W i l s o n

 

R. W. Metallization system

for

silicon

 

integrated

circuits. — «Proc.

I E E E » ,

1969,

v. 57, № 9,

p.

1580—1586.

205.

 

W i l s o n

 

R.

W. ,

T e r r y

L . E. Metallization system

for

semicon­

 

ductor devices. «WESCON» Techn. Papers,

San

Francisco,

Calif.,

 

1971,

 

v. 15,

p. 2/2

(1 — 10).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

/ 20(£) Многослойные контактные

системы

на основе

молибдена

и

алюминия.

V , у «Электронная

техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы», 1971,

 

вып. 4 (61), с. 55—65. Авт.: А. Е. Лихтман, Б . Г. Донишев, В. Я . Нисков,

 

Н. В. Кузнецов.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

331

207.

К a u- a m u г а

 

T.,

S h і п о d a

 

D . , M u t a

 

H .

Oriented growth

 

of the interfacial PtSi layer or between Pt and Si. — «Appl. Phys. Lett.»,

 

1967,

v.

11, №

3,

p.

101 — 103.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

208.

К а м о с и д а

 

М о т о а к и ,

 

О к а д а

 

Т а к а с и .

Контакты

из си­

 

лицида

платины

для

кремниевых

 

полупроводниковых

 

приборов. —

 

«Дэнси цусин

гаккай

ромбунси».

(«Trans.

Inst.

Electron, and Commun.

 

Eng. of Japan»), 1969,

C52,

№ 8,

p. 490—497

(японск.).

 

 

 

 

209.

«Microwaves»,

1968, v. 7, № 9, p. 104—106.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

210.

T h o r n t o n

C.

G.,

S i m m o n s

C.

D .

A

new

high

current

mode

 

of transistor

operation. — «IRE

Trans.»,

1958, v. ED-5, №

4,

p.

6—10.

211.

S c a r l e t t

 

R. M . , S h o c k l e y

 

W.

Secondary

breakdown

and

hot

 

spots

in

power

transistors. — « I E E E

Internat. Conv. R e e » ,

1963.

Pt. 3,

 

v. 11, p. 3—13.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

212.

B e r g m a n n

 

F.,

G e r s t n e r

 

D .

Thermish

bedingte

Stromeinsch­

 

nürung bei Hochfrequenz—Leistungstransistoren. — «Arch.

 

Elekt. Über­

 

tragung», 1963, Bd . 17, Oktober, S. 467—475.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

213.

W e i t z s c h

 

F. A discussion

of some known physical models for

second

 

breakdown. — « I E E E

Trans.»,

1966,

v. ED-13,

№ 1 1 ,

 

p. 731—734.

214.

S t e f f e

W.

C ,

Secondary

breakdown

in power transistors

and

cir­

 

cuits.

I E E E

International

 

Convention

 

Record.

Pt.

6. — «Solid

State

 

Circuit and Devices», 1967, v. 15, p. 20—24.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

215.

G a u d e 1

H .

Etude

du

«Second

claquage»

des

transistors. — «Cables

 

and Transmiss.»,

1969, 23e

 

A, №

4,

p. 366—385.

 

 

 

 

 

 

 

 

216.

F o r d

G.

M .

Collector

to

emitter

breakdown

related

to

thermal

 

runaway

in

homogeneons

base

germanium

power

transistors. — «Solid

 

State

Design»,

1963, v. 4, p. 29—36.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

217.

J o s e p h s

H .

C.

Analysis of second

breakdown

in transistors

using

 

a simple model. — « I E E E

Trans.»,

1966, v . ED-13, №

11,

p. 778—787.

218.

G r u t c h f i e l d

 

H .

B.

M o u t o u x

T.

J.

Current

mode [second

 

breakdown

in

epitaxial

planar

 

transistors. — « I E E E

Trans.»,

 

1966,

 

v. ED-13,

№ 11, p. 743—748.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

219.

H о w e r

P.

L . ,

R e d d i

V .

G.

 

K-

 

Avalanche

injection

and

second

 

breakdown

in

t r a n s i s t o r s . — « I E E E

Trans.», 1970, v. ED-17,

№

4, p. 320.

220.

И с а о И н о у э ,

К о д з у о К у с у н о к и и

др . Высокочастотные

 

мощные

кремниевые

транзисторы. — «Мицубиси

Дэнки

 

Гихо»,

1969,

 

т. 43, № 6, с. 786—791 (японск.).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

221. S с h a f f t.

H .

A .

Second breakdown — a comprehensive

review. —

 

«Proc.

I E E E » ,

1967,

v. 55, № 8, p. 1272—1288.

 

 

 

 

 

 

 

 

222.

N a v о n

D . ,

L e e

R. E. Effect

of

non-uniform

emitter

current

 

distribution

on

power transistor

 

stability.

— «Solid

State

 

Electronics»,

 

1970, v. 13, №

7, p. 981—991.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

223.

N i e n h u i s

R.

I . Second

 

breakdown

in

the

forward

and

reverse

 

base current region . — «IEEE

Trans.»,

1966, v. ED-13, № 8/9, p.

655—662.

224.

N a v о n

D . ,

M i l l e r

 

E.

A.

Thermal

instability

in power

transistor

 

structures.

— «Solid State

Electronics»,

 

1969,

v. 12,

№

2,

p. 69—78.

225.

O d a

H .

The area

of

safe operation of transistors

for switching

opera­

 

tion. — « I E E E

Trans.», 1966, v. ED-13, №

11, p. 776—777.

 

 

 

226.

B e r g m a n n

 

F.,

G e r s t n e r

 

D .

Some

new

aspects of

ther­

 

mal instability

 

of

current

 

distribution

in

power

transistors. —

« I E E E

 

Trans.», 1966, v. ED-13, № 8/9, p. 630—634.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

227.

K i s a k i

 

H i t o s h i .

 

The

relation

between

the

current

construction

 

and the

area

of

transistor.—«Proc.

I E E E » ,

1969, v. 57, № 2,

p. 218—219.

228. K i s a k i H i t o s h i . A design consideration of power transistors, «Денси Цусин Гаккай Ромбунси» («Trans. Inst. Electron and Commun. Eng. of Japan»), 1970, C53, № 9, p. 583—590 (японск.)

229.

S p i t z e r

S. Thermal

instabilities

l i m i t i n g power

dissipation

in

 

transistors . — «Solid State Electronics»,

1969, v . 12, № 5, p. 433—437.

230.

T a t u m J.

G.

Circuit

improvements

utilizing the

new resistor

sta­

 

bilized vhf power

transistor.—«Proc. Nat.

Electr. Conf.»,

1965, v. 31, p. 73.

332

231.

T a t u m J.

G.

 

Emitterwiderstandstabilisierte

HF — Leistungs—

 

transistoren. — «Funk-Technik»,

1969, Bd. 24,

№ 23, S. 903—906.

 

232.

S t о 1 n i t z

 

D.

Experimenfal

demonstration

and

theory

of a

correc­

 

tive to second

breakdown in Si

 

power

transistors. — « I E E E

Trans.»,

 

1966, v. ED-13, № 8/9, p. 643—648.

 

 

 

 

 

 

233.

П е т р о в

Б . К.,

К о ч е т к о в

А.

И., С ы н о р о в

В.

Ф.

Рас­

 

чет эмиттерных стабилизирующих сопротивлений в мощных транзисто­

 

рах . — «Электронная

техника.

Сер.

2.

Полупроводниковые

при­

 

боры», 1972,

вып.

1 (65), с. 19—26.

 

 

 

 

 

 

234.Полупроводники. Под ред. Н. Б . Хеннея. Пер. с англ. И Л , 1962.

235.Мощный высокочастотный кремниевый п-р-п транзистор КТ907А с вы­ ходной мощностью 10 Вт на частоте 400 МГц со стабилизирующими

 

резисторами. •— «Электронная

 

техника.

Сер. 2.

Полупроводниковые

 

приборы»,

1972, вып. 5 (69), с. 19—30. Авт.: В . И. Диковский

и др.

236.

S t e f f e

W .

 

C ,

 

L e

C a l l

J.

Thermal

switchback

in

high ft

epi­

 

taxial

transistors. — « I E E E

Trans.»,

1966, v.

ED-13, №

8/9,

p. 635—638.

237.

F o d o r

G.,

C a u s s e

J.

Realisation

et

propriétés

de

transistors

 

de

puissance

avec

resistances

incorporées. — «L'Onde Electrique»,

 

1971,

 

v.

51, fasc. I , p. 57—66.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

238.

H a k i m

E.

 

B.

 

A n advancement

in

transistor

second

breakdown

 

performance

using

molybdenum

metalization. — « I E E E

Trans.»,

 

1968,

 

v. R-17, № 1, p. 45—50.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

239.

R e i c h

В . , H a k i m

E.

В .

M a 1 i n о w s k i

G.

RF

power

tran­

 

sistors

for

reliable

 

communications

systems. — « I E E E

Trans.»,

 

1970,

 

v.

ED-17, №

9, p. 816—818.

(Correspondence).

 

 

 

 

 

 

 

 

240.

Мощные высокочастотные кремниевые транзисторы с выходной мощ­

 

ностью 20 и 40

Вт на частоте 175 МГц, работающие на рассогласованную

 

нагрузку . «Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы»,

 

1972, вып. 5(69), с. 42—47. Авт.: В. С. Горохов, Ю. В.

Хорошков,

 

С. С. Булгаков и др.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

241. H о й с,

Б о н ,

Ч и а.

Приборы

с барьером

Шоттки

в интегральных

 

схемах. •— «Электроника»

(пер. с англ.),

1969,

т. 42,

№ 15,

с. 3-—10.

242.

R h о d e r i с k

E.

H .

The

physics

of

Schottky

barriers. —

«Journal

 

of

Physics», D (Appl. Phys.), 1970, v.

3, p. 1153—1163.

 

 

 

 

 

243.

В e r g h

A . A . ,

В a r t о 1 о m e w

C.

Y .

The

effects of

heat

 

treat­

 

ment

on transistor

low current

gain

w i t h

various

ambients

and

 

conta­

 

mination. — «J. Electrochem. Soc.»,

1968,

v. 115, № 12, p.

1282—1286.

244.

H u g h e s

 

K-

L .

Stabilization of

p-n-p

transistors. — «The

Radio

 

and Electronic Engineering»,

1970, v. 39, № 6, p. 341—344.

 

 

 

 

245.L a m b D. R. Some electrical properties of the silicon-silicon dioxide system. — «Thin Solid Films», 1970, v. 5, № 4, p. 247—276.

246.Кремниевый p-n-p планарный транзистор с эпитаксиальной базой. —

«Электронная техника. ' Сер. 2. Полупроводниковые приборы», 1969, вып. 6 (49), с. 22—40. Авт.: М. А. Берников, Р . И. Виноградов,

В. И. Диковский и др.

247.Разработка кремниевого планарного п-р-п транзистора с эпитаксиаль­ ной базой, аналогичного транзистору типа МП101—МП103. — «Элект­

 

ронная техника. Сер.

2.

Полупроводниковые

 

приборы»,

1969,

 

вып.

6 (49), с. 15—21. Авт.: М. А. Берников, Л . Ф. Иоффе и др.

 

 

248.

Тонкие пленки

кремния. Получение,

свойства

и

применение

в прибо­

 

р а х . — «ТИИЭР» (Пер. с

англ.),

1969,

т. 57,

№

9,

с. 28—37,

Авт.:

 

Эллинсон,

Дамин,

Хейман

и др.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

249.

Бескорпусный

высокочастотный

транзистор

с

жесткими

 

выводами

 

для

гибридных

интегральных

схем. — «Электронная

техника.

 

Сер. 6,

 

Микроэлектроника»,

1970,

вып.

1,с. 108—112. Авт.: Г. Ф.

Васильев,

 

В. Н. Костин, И. К. Назаров и др.

 

 

 

 

 

 

 

п*-р-п-п+

250. Бескорпусный быстродействующий кремниевый планарный

 

 

 

транзистор,

герметизированный

стеклом. — «Электронная

 

техника .

 

Сер.

2. Полупроводниковые

приборы»,

1968,

вып. 4(42),

с.

 

11—31.

 

Авт.: В. Н. Гладкий, А. А. Игнатьев,

Ю. Д . Лебедев и др.

 

 

 

333

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ
Помощь Обратная связь Вопросы и предложения Пользовательское соглашение Политика конфиденциальности