Добавил:
Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:

книги из ГПНТБ / Симонов Ю.Л. Усилители промежуточной частоты

.pdf
Скачиваний:
34
Добавлен:
25.10.2023
Размер:
16.36 Mб
Скачать

С6

[(10-=-20)I2nf

] I *Y" I

лля схем рис'

ö’

 

0

\ I

У2І I

для схем рис. 8 . 8 ,

в, е\

 

c vs? − − 2 0

 

+

для рис. 8 .8 , б, д.

(8.54)

Недостатками схем с параллельным питанием явля­

ются

потери энергии

полезного сигнала на резисторах

Яб, что уменьшает усилительный потенциал и коэффи­ циент усиления каскада, кроме того, резистор Яо вносит в схему дополнительные шумы.

На рис. 8.9 изображены способы питания цепи базы от отдельного источника EQ. Схемы содержат небольшое количество деталей и обеспечивают высокую темпера­ турную стабильность в диапазоне температур —60 + 70 °С. Они наиболее удобны при последовательном пи­ тании цепи база — эмиттер (рис. 8 .9,а, б, в). Параллель­ ное питание (рис. 8.9,г) удобно лишь в схеме с общей

базой. Сопротивление резистора Я а и емкости

конденса­

тора Сб определяются соотношениями

 

 

 

Д э

(Со — е бэ)/^э>

 

 

Со [(Юн-2

■I

Yu

I

(РИС. 8,9, а, б),

 

0 )/2 itf0

У2 1

I

рис. 8.9, в),

(8.55)

 

3 I Y.

 

(рис. 8

, 9, г).

 

Основные

варианты

схем

питания

цепи база — эмит­

тер с помощью делителя изображены на рис. 8.10. Их можно классифицировать на схемы с последовательным

(рис. 8 .1 0 ,а,

б, д, ж)

и параллельным (рис. 8 .1 0

,в,

г, е,з)

питанием. В

схемах

рис. 8 .10,а, в, д, е делитель

R i, Я 2

подключен

непосредственно к источнику

питания,

а в остальных схемах — через резистор Яф. У части схем (рис. 8 .1 0 ,а, в, д, е) для температурной стабилизации используется отрицательная обратная связь .по постоян­ ному току и они сводятся к схеме рис. 8 .6 ,а; у других схем (рис. 8 .1 0 ,6 , г, ж, з ) имеет место комбинированная обратная связь по постоянному току и напряжению. Их аналогом является схема рис. 8 .6 ,в.

В каскадах с параллельным питанием входная про­ водимость возрастает из-за шунтирующего действия де­ лителя R ь Я 2 (рис. 8 .1 0 ,в, г) и резистора Я 3 (рис. 8 .1 0 ,е, з ) , что приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада. Кроме того, эти схемы требуют больших вели-

19*

291

Рис. 8.8. Основные варианты принципиальных схем питания цепи базы через гасящий резистор:

а, в, г, е — с последовательным; б. д — с параллельным питанием; оіс, з — эквивалентные схемы по постоянному току.

292

Рис. 8.9. Основные варианты принципиальных схем питания цепи базы от отдельного источника:

о. б, в последовательное; г — параллельное; д — схема по постоянному току.

Рис. 8.10. Основные варианты принципиальных схем

о, б, д, ж — последовательное;

+<ч н и н М

Р, г, е, з- параллельное.

295

чин емкостей конденсаторов CR, Сф, Сэ и Ср, чем в ка­ скадах с последовательным питанием.

В одноконтурных каскадах с последовательным пита­ нием (рис. 8 .1 0 ,а, д) переменная составляющая входного тока транзисторов замыкается через конденсаторы C R и Сэ, а при параллельном питании (рис. 8.10,в, е) — через конденсаторы Сф, Ср, Сэ. Суммарная проводимость этих емкостей переменному току на промежуточной частоте должна быть в 1 0 — 2 0 раз больше входной проводимости каскада, так как в противном случае на них образуется заметное падение напряжения сигнала. Напряжение на входе транзистора и коэффициент усиления при этом уменьшаются. Исходя из этого, приходим к следующим расчетным формулам для этих емкостей:

Сб, Cg

2 0

— 4 0

1 I У,,

I

для

схемы

рис.

8

. 10, а, (8.56)

 

2

rcfo

 

У2 1

I

для

схемы

рис.

8

. 10, д,

 

 

 

Сп, CQ,

Cg, Сф

 

3 0 -ч- 6 0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

 

 

 

 

 

 

 

 

-'Р»

'-'б »

'-'э »

' - ' Ф ^

 

 

 

 

 

 

 

 

 

У„ I +

n-—hö—для

схемы рис.

8

.1

0

, в,

 

 

 

 

Аі

Ай

 

 

 

 

 

 

 

 

 

X

У2 ,

I +

р—

для

схемы рис.

 

.1

 

, е.

 

 

8

0

 

 

 

 

А*

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

В двухконтурных каскадах (рис. 8.10,6, г, ж, з) ве­ личины емкостей конденсаторов в цепи база — эмиттер существенно зависят от способа включения второго кон­ тура полосового фильтра. При автотрансформаторном включении (рис. 8 .1 0 ,6 , ж), несмотря на использование последовательного питания, конденсаторы Сэ и Сб имеют сравнительно большие емкости

20-4-40

( I У„ I

для схемы рис. 8.10,6, /я г7,

С э, С б 3 г

---- — -------

<

0 1П

г{ I У21 I Для схемы рис. 8 .1 0 , ж .

Вслучае емкостного включения контура (рис. 8.10. г,

3)

Сэ, с б

Юч-20

 

 

 

X

 

 

2nf0

 

 

' э , и б ^

 

Yu I

+ -^ - + б^-Для Схемы

рис. 8

.1 0 , г,

X

/г,“ я.

 

 

(8.58)

 

 

 

У2 1 I

+ р — Для схемы рис. 8.10,

з.

 

Аа

 

 

 

296

Расчеты показывают, что во втором случае емкости конденсаторов Сэ и Сб получаются значительно меньши­ ми, чем в первом.

Поскольку I Y2i\ I Кц|, то значения емкостей Ср, Сф, Сэ, Сб в каскадах с общей базой получаются значитель-

Рис. 8.11. Принципиальные схемы каскадов при непосредственном подключении делителя питания цепи базы к коллектору:

а — без обратной связи; б — с обратной связью на частоте сигнала.

но большими, чем в схемах с общим эмиттером. Иногда из-за удобств монтажа резистор R2 делителя питания базы соединяют непосредственно с коллектором тран­ зистора (рис. 8.11). В схеме рис. 8 .11,а это приводит к некоторому увеличению выходной проводимости тран­

зистора и к уменьшению усилительного

потенциала и

коэффициента

усиления. В

каскаде

рис.

8.11,6 наряду

с этим через R2 возникает отрицательная обратная связь,

вызывающая

значительное

уменьшение

коэффициента

усиления. Количество конденсаторов

иля

их емкостей

в схемах рис. 8 . 1 0 может быть уменьшено при непосред-

297

Рис. 8.12. Принципиальные схемы каскадов с уменьшенным количе­ ством конденсаторов:

а — одноконтурный; б — двухконтурный.

ственном соединении по переменному току базовых и коллекторных цепей, как показано на рис. 8.12. При этом

Сб>(10-н20) |Г и |/2я/о.

(8.59)

Коллекторная цепь

В подавляющем большинстве каскадов УПЧ на од­ ном транзисторе (рис. 8 .8 8 .1 1 ) применяется последова­ тельное питание коллекторной цепи. Параллельный спо­ соб питания используется в редких случаях, например при стыковке одноконтурного оконечного каскада УПЧ с детектором (рис. 8.13,а). Недостатком такой схемы является необходимость дополнительного резистора па­ раллельного питания RK, разделительного конденсатора Ср и более высокого напряжения источника питания. Для устранения этих недостатков более удобно в послед­ нем каскаде УПЧ применить транзистор обратной про­ водимости (рис. 8.13,6). При наличии в приемнике источ­ ника • питания с высоким напряжением может быть

298

использовано последовательное включение коллекторных цепей всех каскадов УПЧ. Это позволяет значительно уменьшить количество деталей в УПЧ. Примеры схем трехкаскадных УПЧ с последовательным питанием пока­ заны на рис. 8.14. В схемах рис. 8.14,а, б все транзисто­ ры включены с общим эмиттером, в схеме рис. 8.14,в

Рис. 8.13. Принципиальные схемы оконечного каскада УПЧ:

а — с параллельным; б — с последовательным питанием коллекторной цепи.

транзистор первого каскада включен с общим эмиттером, второго и третьего — с общей базой. Температурная ста­ билизация всех схем обеспечивается резистором R. На­ пряжение участка база— эмиттер образуется делителя­ ми Ri, R2. Последовательное питание часто применяется

вкаскодных соединениях двух транзисторов. Изменение резонансной частоты контуров каскада

вызывается температурной нестабильностью как собст­ венных параметров контура — его индуктивности и емко­ сти, так, главным образом, нестабильностью емкостей mizCz2 и т?Сііс, вносимых в контур со стороны усили­ тельных приборов. Сдвиг резонансной частоты каскада достаточно просто уменьшается до допустимого значения путем соответствующего выбора величины и знака ТКЕ (температурный коэффициент емкости) конденсатора, образующего собственную емкость контура.

299

Ri

Рис. 8.14. Принципиальные схемы трехкаскадного УПЧ с последова­ тельным питанием транзисторов:

а, б — все каскады с общим эмиттером; в — первый каскад с общим эмитте­ ром, второй и третий — с общей базой.

300

Соседние файлы в папке книги из ГПНТБ